JPH0627667A - プリント回路板の製造方法 - Google Patents
プリント回路板の製造方法Info
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- JPH0627667A JPH0627667A JP20610292A JP20610292A JPH0627667A JP H0627667 A JPH0627667 A JP H0627667A JP 20610292 A JP20610292 A JP 20610292A JP 20610292 A JP20610292 A JP 20610292A JP H0627667 A JPH0627667 A JP H0627667A
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- Japan
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- circuit board
- resin composition
- printed circuit
- solder
- protective film
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
- C04B28/02—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing hydraulic cements other than calcium sulfates
- C04B28/04—Portland cements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）高分子側鎖中にビニルエー
テル基を有するポリイミド構成単位の少なくとも1 個を
含む重合体（Ｂ）希釈剤および（Ｃ）増感剤又は光重合
開始剤を必須成分とする光硬化性樹脂組成物を、リジッ
ドまたはフレキシブル回路基板上に塗布・露光硬化して
保護膜を形成し、次いで保護膜非形成部分に半田を析出
させることを特徴とするプリント回路板の製造方法。 【効果】 本発明によれば、薄いソルダーレジスト膜で
あるにもかかわらず、半田耐熱性、耐薬品性、電気絶縁
性および可撓性に優れ、産業用エレクトロニクスに好適
なプリント回路板を製造することができる。
テル基を有するポリイミド構成単位の少なくとも1 個を
含む重合体（Ｂ）希釈剤および（Ｃ）増感剤又は光重合
開始剤を必須成分とする光硬化性樹脂組成物を、リジッ
ドまたはフレキシブル回路基板上に塗布・露光硬化して
保護膜を形成し、次いで保護膜非形成部分に半田を析出
させることを特徴とするプリント回路板の製造方法。 【効果】 本発明によれば、薄いソルダーレジスト膜で
あるにもかかわらず、半田耐熱性、耐薬品性、電気絶縁
性および可撓性に優れ、産業用エレクトロニクスに好適
なプリント回路板を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路板の製造
方法の改良に関わり、さらに詳しくは耐熱性、耐薬品
性、絶縁性及び可撓性のよい光硬化性ポリイミド樹脂の
半田保護膜（ソルダーレジスト）の利用に係る。
方法の改良に関わり、さらに詳しくは耐熱性、耐薬品
性、絶縁性及び可撓性のよい光硬化性ポリイミド樹脂の
半田保護膜（ソルダーレジスト）の利用に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来、産業用エレクトロニクスではリジ
ッドやフレキシブルのプリント回路板が使用されるが、
プリント回路板の組立てに際してソルダーレジストの形
成はほとんど必要工程の1 つである。従来、ソルダーレ
ジストとして、アルキッド／メラミン樹脂、エポキシ／
メラミン樹脂、二液性エポキシ樹脂等の熱硬化性ソルダ
ーレジスト組成物が用いられており、これらの熱硬化性
ソルダーレジストは、プリント回路板の表面に印刷その
他の方法で塗布され、その後加熱硬化させて保護膜を形
成していた。
ッドやフレキシブルのプリント回路板が使用されるが、
プリント回路板の組立てに際してソルダーレジストの形
成はほとんど必要工程の1 つである。従来、ソルダーレ
ジストとして、アルキッド／メラミン樹脂、エポキシ／
メラミン樹脂、二液性エポキシ樹脂等の熱硬化性ソルダ
ーレジスト組成物が用いられており、これらの熱硬化性
ソルダーレジストは、プリント回路板の表面に印刷その
他の方法で塗布され、その後加熱硬化させて保護膜を形
成していた。
【０００３】しかし、上記従来のソルダーレジストは、
塗布後の加熱硬化に相当の時間と温度を必要とするため
に生産性が悪く、また高い加熱硬化温度のために基板の
反り、収縮等が発生しやすいという問題があった。これ
らの問題点を解消すべく民生用プリント回路板に用いら
れている紫外線（ＵＶ）硬化のソルダーレジストが検討
されたが、産業用エレクトロニクスに使用されるプリン
ト回路板は、銀や銅の導体回路部の厚さは非常に厚く
（約50〜70μm ）、ソルダーレジストの絶縁性を維持す
るために厚く塗布しなければならない。ところが、民生
用ＵＶ硬化レジストでは厚膜での硬化性に問題があり、
一方膜厚を薄くすると産業用プリント回路板に適用した
場合に、絶縁性および半田耐熱性が悪く、半田保護およ
び絶縁保護として信頼性を保つことはできないことがわ
かった。さらにフレキシブルプリント回路板の場合に
は、上記の信頼性に加えて極めて良好な造膜性と可撓性
が要求されるために、従来の加熱硬化およびＵＶ硬化の
ソルダーレジストでは十分にその特性を満足させること
ができない。従って産業用プリント回路板やフレキシブ
ルプリント回路板に用いるＵＶ硬化ソルダーレジストの
開発が要望されていた。
塗布後の加熱硬化に相当の時間と温度を必要とするため
に生産性が悪く、また高い加熱硬化温度のために基板の
反り、収縮等が発生しやすいという問題があった。これ
らの問題点を解消すべく民生用プリント回路板に用いら
れている紫外線（ＵＶ）硬化のソルダーレジストが検討
されたが、産業用エレクトロニクスに使用されるプリン
ト回路板は、銀や銅の導体回路部の厚さは非常に厚く
（約50〜70μm ）、ソルダーレジストの絶縁性を維持す
るために厚く塗布しなければならない。ところが、民生
用ＵＶ硬化レジストでは厚膜での硬化性に問題があり、
一方膜厚を薄くすると産業用プリント回路板に適用した
場合に、絶縁性および半田耐熱性が悪く、半田保護およ
び絶縁保護として信頼性を保つことはできないことがわ
かった。さらにフレキシブルプリント回路板の場合に
は、上記の信頼性に加えて極めて良好な造膜性と可撓性
が要求されるために、従来の加熱硬化およびＵＶ硬化の
ソルダーレジストでは十分にその特性を満足させること
ができない。従って産業用プリント回路板やフレキシブ
ルプリント回路板に用いるＵＶ硬化ソルダーレジストの
開発が要望されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、電気絶縁性、半田耐熱性、造
膜性、可撓性および耐薬品性に優れたソルダーレジスト
を利用する、プリント回路板の製造方法を提供しようと
するものである。
に鑑みてなされたもので、電気絶縁性、半田耐熱性、造
膜性、可撓性および耐薬品性に優れたソルダーレジスト
を利用する、プリント回路板の製造方法を提供しようと
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、ポリイミドのベ
ースポリマー側鎖にビニルエーテル基を有する新規な光
硬化性樹脂組成物を、ソルダーレジストに用いることに
よって、上記の目的を達成できることを見いだし、本発
明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、ポリイミドのベ
ースポリマー側鎖にビニルエーテル基を有する新規な光
硬化性樹脂組成物を、ソルダーレジストに用いることに
よって、上記の目的を達成できることを見いだし、本発
明を完成したものである。
【０００６】即ち、本発明は、 （Ａ）次の一般式で示される構成単位を少なくとも1 個
含むポリイミド重合体
含むポリイミド重合体
【０００７】
【化２】 （但し、式中、Ｒ1 は4 価の有機基を、Ｒ2 は3 価の芳
香族基を、Ｒ3 は2 価の有機基をそれぞれ表す） （Ｂ）希釈剤および （Ｃ）増感剤又は光重合開始剤を必須成分とする光硬化
性樹脂組成物を、回路基板上に塗布・露光硬化して保護
膜を形成し、次いで保護膜非形成部分に半田を析出させ
ることを特徴とするプリント回路板の製造方法である。
香族基を、Ｒ3 は2 価の有機基をそれぞれ表す） （Ｂ）希釈剤および （Ｃ）増感剤又は光重合開始剤を必須成分とする光硬化
性樹脂組成物を、回路基板上に塗布・露光硬化して保護
膜を形成し、次いで保護膜非形成部分に半田を析出させ
ることを特徴とするプリント回路板の製造方法である。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明に用いる（Ａ）新規なポリイミド重
合体は、例えば、（a ）化３の一般式で示される、テト
ラカルボン酸二無水物とジアミンからなるイミド分子鎖
とカルボキシル基側鎖をもつ構成単位を少なくとも1 個
有するポリイミド樹脂と、
合体は、例えば、（a ）化３の一般式で示される、テト
ラカルボン酸二無水物とジアミンからなるイミド分子鎖
とカルボキシル基側鎖をもつ構成単位を少なくとも1 個
有するポリイミド樹脂と、
【００１０】
【化３】 （但し、式中Ｒ1 は4 価の有機基を、Ｒ2 は3 価の芳香
族基をそれぞれ表す）（b ）化４の一般式で示されるヒ
ドロキシアルキルビニルエーテルなど
族基をそれぞれ表す）（b ）化４の一般式で示されるヒ
ドロキシアルキルビニルエーテルなど
【００１１】
【化４】ＨＯＲ3 ＯＣＨ＝ＣＨ2 （但し、式中Ｒ3 は2 価の有機基を表す）とを反応させ
て得られる。
て得られる。
【００１２】（a ）一般式化３で示される構成単位の、
カルボキシル基を有するポリイミド樹脂は、有機溶剤可
溶なものであればよい。
カルボキシル基を有するポリイミド樹脂は、有機溶剤可
溶なものであればよい。
【００１３】（b ）一般式化４で示されるものとして、
ヒドロキシアルキルビニルエーテルでは、例えば2-ヒド
ロキシエチルビニルエーテル、1-ヒドロキシエチルビニ
ルエーテルなどが、そのほかでは4-ヒドロキシメチルフ
ェニルビニルエーテルなどが挙げられ、これらは単独又
は混合して使用することができる。
ヒドロキシアルキルビニルエーテルでは、例えば2-ヒド
ロキシエチルビニルエーテル、1-ヒドロキシエチルビニ
ルエーテルなどが、そのほかでは4-ヒドロキシメチルフ
ェニルビニルエーテルなどが挙げられ、これらは単独又
は混合して使用することができる。
【００１４】（a ）の一般式化３で示される構成単位を
含むポリイミド樹脂と、（b ）のヒドロキシアルキルビ
ニルエーテル類との反応は、溶剤中で縮合剤の存在下、
塩基を共存させて両者を接触させることにより行うこと
ができる。
含むポリイミド樹脂と、（b ）のヒドロキシアルキルビ
ニルエーテル類との反応は、溶剤中で縮合剤の存在下、
塩基を共存させて両者を接触させることにより行うこと
ができる。
【００１５】ここで用いる溶剤としては、ジメチルスル
ホオキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−2-ピ
ロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド等が挙げられ、
これらは単独又は 2種以上混合して使用することができ
る。縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド、2,3-ジヒドロ-2−チオキソ−3-ベンゾオキサゾリル
ホスホン酸ジフェニル、1-メチル−3-（3-ジメチルアミ
ノプロピル）カルボジイミド等が挙げられ、これらは単
独又は 2種以上混合して使用することができる。また塩
基としては、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリ
エチルアミン等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上
混合して使用することができる。
ホオキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−2-ピ
ロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド等が挙げられ、
これらは単独又は 2種以上混合して使用することができ
る。縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミ
ド、2,3-ジヒドロ-2−チオキソ−3-ベンゾオキサゾリル
ホスホン酸ジフェニル、1-メチル−3-（3-ジメチルアミ
ノプロピル）カルボジイミド等が挙げられ、これらは単
独又は 2種以上混合して使用することができる。また塩
基としては、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリ
エチルアミン等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上
混合して使用することができる。
【００１６】ポリイミド樹脂とヒドロキシアルキルビニ
ルエーテル類との反応温度には、特に制限はないが、室
温から 100℃までの範囲が望ましい。またヒドロキシア
ルキルビニルエーテル類は、ポリイミド樹脂のカルボキ
シ当量に基づく化学的計算量で用いるのが好ましいが、
それよりも多くてもよい。通常は、ビニルオキシアルキ
ルオキシ基を含む構成単位：該基を含まない構成単位の
比が、 100：0 〜 5：95の範囲になるように用いる。
ルエーテル類との反応温度には、特に制限はないが、室
温から 100℃までの範囲が望ましい。またヒドロキシア
ルキルビニルエーテル類は、ポリイミド樹脂のカルボキ
シ当量に基づく化学的計算量で用いるのが好ましいが、
それよりも多くてもよい。通常は、ビニルオキシアルキ
ルオキシ基を含む構成単位：該基を含まない構成単位の
比が、 100：0 〜 5：95の範囲になるように用いる。
【００１７】こうして得られる新規なポリイミド重合体
は、白色の粉末で赤外吸収スペクトルにおいてイミド基
に基づく1785cm-1と1727cm-1の吸収、エステル基に基づ
く1720cm-1およびエーテル基に基づく1257cm-1の吸収が
見られる。このポリイミド重合体は、その側鎖にルイス
酸、プロトン酸、陽イオンに対して高い反応性を有する
ビニルオキシ基を持ち、非プロトン系の極性溶剤に可溶
なものである。
は、白色の粉末で赤外吸収スペクトルにおいてイミド基
に基づく1785cm-1と1727cm-1の吸収、エステル基に基づ
く1720cm-1およびエーテル基に基づく1257cm-1の吸収が
見られる。このポリイミド重合体は、その側鎖にルイス
酸、プロトン酸、陽イオンに対して高い反応性を有する
ビニルオキシ基を持ち、非プロトン系の極性溶剤に可溶
なものである。
【００１８】本発明に用いる（Ｂ）希釈剤としては、ジ
メチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−2-ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミ
ド、シクロヘキサノン、γ−ブチルラクトン等が挙げら
れ、これらは単独又は 2種以上混合して使用することが
できる。この希釈剤に（Ａ）のポリイミド重合体を、造
膜上の理由から 5〜40重量％、好ましくは15〜30重量％
となるように溶解させることが望ましい。
メチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルアセトアミド、
Ｎ−メチル−2-ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミ
ド、シクロヘキサノン、γ−ブチルラクトン等が挙げら
れ、これらは単独又は 2種以上混合して使用することが
できる。この希釈剤に（Ａ）のポリイミド重合体を、造
膜上の理由から 5〜40重量％、好ましくは15〜30重量％
となるように溶解させることが望ましい。
【００１９】本発明に用いる（Ｃ）増感剤又は光重合開
始剤としては、各種オニウム塩類などが挙げられ、これ
らは単独又は 2種以上混合して使用することができる。
オニウム塩としては、例えばテトラフルオロホウ酸ジフ
ェニルヨードニウム、テトラフルオロホウ酸−4-メトキ
シジフェニルヨードニウム、テトラフルオロホウ酸-4,
4′−ジメチルジフェニルヨードニウム、テトラフルオ
ロホウ酸-4,4′ジイソプロピルジフェニルヨードニウム
などがある。増感剤又は光重合開始剤の配合割合は、ポ
リイミド重合体に対して 0.5〜20重量％、好ましくは
2.0〜10重量％配合することが望ましい。配合量が 0.5
重量％未満では硬化するのに長時間を要し、また20重量
％を超えると硬化性がそれ以上向上しないうえ不経済で
あり、好ましくない。
始剤としては、各種オニウム塩類などが挙げられ、これ
らは単独又は 2種以上混合して使用することができる。
オニウム塩としては、例えばテトラフルオロホウ酸ジフ
ェニルヨードニウム、テトラフルオロホウ酸−4-メトキ
シジフェニルヨードニウム、テトラフルオロホウ酸-4,
4′−ジメチルジフェニルヨードニウム、テトラフルオ
ロホウ酸-4,4′ジイソプロピルジフェニルヨードニウム
などがある。増感剤又は光重合開始剤の配合割合は、ポ
リイミド重合体に対して 0.5〜20重量％、好ましくは
2.0〜10重量％配合することが望ましい。配合量が 0.5
重量％未満では硬化するのに長時間を要し、また20重量
％を超えると硬化性がそれ以上向上しないうえ不経済で
あり、好ましくない。
【００２０】本発明の光硬化性樹脂組成物は、（Ａ）の
ポリイミド重合体と（Ｂ）の希釈剤および（Ｃ）増感剤
又は光重合開始剤を必須成分とするが、本発明の目的に
反しない範囲において、また必要に応じて、シリカ、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム、硫酸ナトリウム、タ
ルク、ベントナイト等の無機充填剤、チキソトロピー
剤、フタロシアニングリーン等の着色剤、消泡剤、カッ
プリング剤、レベリング剤を添加配合させることができ
る。
ポリイミド重合体と（Ｂ）の希釈剤および（Ｃ）増感剤
又は光重合開始剤を必須成分とするが、本発明の目的に
反しない範囲において、また必要に応じて、シリカ、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム、硫酸ナトリウム、タ
ルク、ベントナイト等の無機充填剤、チキソトロピー
剤、フタロシアニングリーン等の着色剤、消泡剤、カッ
プリング剤、レベリング剤を添加配合させることができ
る。
【００２１】こうして得た光硬化性樹脂組成物を用いて
半田保護膜の形成をするには、フレキシブルプリント基
板やガラスエポキシプリント基板上にスクリーン印刷或
いは他の方法で塗布する。スクリーン印刷の場合には周
知の方法で基板上にパターン印刷し、印刷された基板を
80〜120 ℃で30〜60分間加熱して希釈剤を除去する。次
いで基板に光、例えば、紫外線を露光させて硬化させ
る。この一連の操作により得られた保護被膜は、10〜30
μm の膜厚を有するものである。ここで照射する紫外線
としては、 1000 〜 8000 オングストロームの間に主波
長を有するものが好ましく、その中でも特に 2000 〜 4
000 オングストロームの紫外線が適当であり、低圧水銀
灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、長高圧水銀灯、キセノン
ランプ等を用いることができる。露光時間は組成物の組
成、膜圧、ランプ強度、光源からの距離等に依存する
が、例えば30Ｗ／cmの入力をもつ高圧水銀灯での露光時
間は、5〜30秒である。
半田保護膜の形成をするには、フレキシブルプリント基
板やガラスエポキシプリント基板上にスクリーン印刷或
いは他の方法で塗布する。スクリーン印刷の場合には周
知の方法で基板上にパターン印刷し、印刷された基板を
80〜120 ℃で30〜60分間加熱して希釈剤を除去する。次
いで基板に光、例えば、紫外線を露光させて硬化させ
る。この一連の操作により得られた保護被膜は、10〜30
μm の膜厚を有するものである。ここで照射する紫外線
としては、 1000 〜 8000 オングストロームの間に主波
長を有するものが好ましく、その中でも特に 2000 〜 4
000 オングストロームの紫外線が適当であり、低圧水銀
灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、長高圧水銀灯、キセノン
ランプ等を用いることができる。露光時間は組成物の組
成、膜圧、ランプ強度、光源からの距離等に依存する
が、例えば30Ｗ／cmの入力をもつ高圧水銀灯での露光時
間は、5〜30秒である。
【００２２】
【作用】本発明のプリント回路板の製造方法によれば、
造膜性の優れた新規な光硬化性樹脂組成物を用いたこと
によって、電気絶縁性、半田耐熱性および可撓性に優れ
たプリント回路板を製造することができる。
造膜性の優れた新規な光硬化性樹脂組成物を用いたこと
によって、電気絶縁性、半田耐熱性および可撓性に優れ
たプリント回路板を製造することができる。
【００２３】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。
【００２４】実施例１ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換した
後、3,5-ジアミノ安息香酸の76.1g を入れ、これにＮ−
メチル−2-ピロリドン（ＮＭＰ） 1200ml を加えて溶解
した。溶解後 0℃に冷却し攪拌しながらヘキサフルオロ
イソプロピリデン−2,2-ジフタル酸無水物 222g を加え
た。反応による発熱を氷水中で抑えながら攪拌を続け、
そのまま 6時間反応させた。次いで反応溶液にキシレン
350g を加え、150 ℃で生成した水を共沸除去させなが
ら 1.5時間閉環反応を行った。その後、キシレンを減圧
下で留出除去させてイミド化を完結させた、反応後、反
応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入してポリイミ
ド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、白色のポリイミ
ド樹脂粉末（対数粘度 0.5dl／g ） 280g を得た。
後、3,5-ジアミノ安息香酸の76.1g を入れ、これにＮ−
メチル−2-ピロリドン（ＮＭＰ） 1200ml を加えて溶解
した。溶解後 0℃に冷却し攪拌しながらヘキサフルオロ
イソプロピリデン−2,2-ジフタル酸無水物 222g を加え
た。反応による発熱を氷水中で抑えながら攪拌を続け、
そのまま 6時間反応させた。次いで反応溶液にキシレン
350g を加え、150 ℃で生成した水を共沸除去させなが
ら 1.5時間閉環反応を行った。その後、キシレンを減圧
下で留出除去させてイミド化を完結させた、反応後、反
応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入してポリイミ
ド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、白色のポリイミ
ド樹脂粉末（対数粘度 0.5dl／g ） 280g を得た。
【００２５】得られたポリイミド樹脂 201g をさらにＮ
ＭＰ 1100ml に溶解し、この溶液に2-ヒドロキシエチル
ビニルエーテル70.4g 、4-ジアミノピリジン15g 、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド 124g を加え、室温で 4時
間反応させた。反応終了後、副生成物であるジシクロヘ
キシル尿素を吸引濾過により除去し炉液をメタノールと
水の混合溶液に投入して、ビニルエーテル化されたポリ
イミド重合体を析出させ、析出物を乾燥し、白色のビニ
ルエーテル化ポリイミド重合体粉末（対数粘度0.55dl
／g ） 220g を得た。このポリイミド重合体30g をジグ
ライム 70ml で溶解し、さらにテトラフルオロホウ酸ジ
フェニルヨードニウム3gとチクソトロピック剤として微
細シリカ粉末2gを加えて均一に混合して光硬化性樹脂組
成物を調製した。
ＭＰ 1100ml に溶解し、この溶液に2-ヒドロキシエチル
ビニルエーテル70.4g 、4-ジアミノピリジン15g 、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド 124g を加え、室温で 4時
間反応させた。反応終了後、副生成物であるジシクロヘ
キシル尿素を吸引濾過により除去し炉液をメタノールと
水の混合溶液に投入して、ビニルエーテル化されたポリ
イミド重合体を析出させ、析出物を乾燥し、白色のビニ
ルエーテル化ポリイミド重合体粉末（対数粘度0.55dl
／g ） 220g を得た。このポリイミド重合体30g をジグ
ライム 70ml で溶解し、さらにテトラフルオロホウ酸ジ
フェニルヨードニウム3gとチクソトロピック剤として微
細シリカ粉末2gを加えて均一に混合して光硬化性樹脂組
成物を調製した。
【００２６】調製した光硬化性樹脂組成物をテトラクロ
ルエタンで脱脂したガラスエポキシ銅張積層板の銅箔側
に、280 メッシュのポリエステル繊維製ネット上に形成
されたパターンを当てて印刷し、次いで 120℃で30分間
乾燥後、 2ＫＷの高圧水銀灯Ｈ−２０００Ｌ／Ｓ（東芝
社製、商品名） 1個設置した紫外線照射炉で、 10cmの
距離からコンベアスピード 0.5m ／min で 2回照射して
硬化させてプリント回路板を製造した。
ルエタンで脱脂したガラスエポキシ銅張積層板の銅箔側
に、280 メッシュのポリエステル繊維製ネット上に形成
されたパターンを当てて印刷し、次いで 120℃で30分間
乾燥後、 2ＫＷの高圧水銀灯Ｈ−２０００Ｌ／Ｓ（東芝
社製、商品名） 1個設置した紫外線照射炉で、 10cmの
距離からコンベアスピード 0.5m ／min で 2回照射して
硬化させてプリント回路板を製造した。
【００２７】実施例２ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換した
後、3,5-ジアミノ安香鉱酸の38g と 3,3′−ジメチル-
5,5′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン
（ＭＥＤ）70.5g を入れ、これにＮ−メチル−2-ピロリ
ドン（ＮＭＰ） 1200ml を加えて溶解した。溶解後 0℃
に冷却し攪拌しながら 3,3′-, 4,4′−ビフェニルエー
テルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ） 155.1g を
加えた。反応による発熱を氷水中で抑えながら攪拌を続
け、そのまま 6時間反応させた。次いで反応溶液にキシ
レン 350g を加え、150 ℃で生成した水を共沸除去させ
ながら1.5時間閉環反応を行った。その後、キシレンを
減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。反応
後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入してポ
リイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、白色のポ
リイミド樹脂粉末（対数粘度 0.5dl／g ）256gを得た。
後、3,5-ジアミノ安香鉱酸の38g と 3,3′−ジメチル-
5,5′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン
（ＭＥＤ）70.5g を入れ、これにＮ−メチル−2-ピロリ
ドン（ＮＭＰ） 1200ml を加えて溶解した。溶解後 0℃
に冷却し攪拌しながら 3,3′-, 4,4′−ビフェニルエー
テルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ） 155.1g を
加えた。反応による発熱を氷水中で抑えながら攪拌を続
け、そのまま 6時間反応させた。次いで反応溶液にキシ
レン 350g を加え、150 ℃で生成した水を共沸除去させ
ながら1.5時間閉環反応を行った。その後、キシレンを
減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。反応
後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入してポ
リイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、白色のポ
リイミド樹脂粉末（対数粘度 0.5dl／g ）256gを得た。
【００２８】得られたポリイミド樹脂 211g をさらにＮ
ＭＰ985ml に溶解し、この溶液に2-ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル35.2g 、4-ジメチルアミノピリジン 7.5g
、ジシクロヘキシルカルボジイミド61.9g を加え、室
温で 4時間反応させた。反応終了後、副生成物であるジ
シクロヘキシル尿素を吸引濾過により除去し炉液をメタ
ノールと水の混合溶液に投入して、ビニルエーテル化さ
れたポリイミド重合体を析出させ、析出物を乾燥し、白
色のビニルエーテル化ポリイミド重合体粉末（対数粘度
0.55dl ／g ） 215g を得た。このポリイミド重合体30
g をジグライム 70ml で溶解し、さらにテトラフルオロ
ホウ酸ジフェニルヨードニウム3gとチクソトロピック剤
として微細シリカ粉末2gを加えて均一に溶解して光硬化
性樹脂組成物を調製した。
ＭＰ985ml に溶解し、この溶液に2-ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル35.2g 、4-ジメチルアミノピリジン 7.5g
、ジシクロヘキシルカルボジイミド61.9g を加え、室
温で 4時間反応させた。反応終了後、副生成物であるジ
シクロヘキシル尿素を吸引濾過により除去し炉液をメタ
ノールと水の混合溶液に投入して、ビニルエーテル化さ
れたポリイミド重合体を析出させ、析出物を乾燥し、白
色のビニルエーテル化ポリイミド重合体粉末（対数粘度
0.55dl ／g ） 215g を得た。このポリイミド重合体30
g をジグライム 70ml で溶解し、さらにテトラフルオロ
ホウ酸ジフェニルヨードニウム3gとチクソトロピック剤
として微細シリカ粉末2gを加えて均一に溶解して光硬化
性樹脂組成物を調製した。
【００２９】調製した光硬化性樹脂組成物を、実施例１
と同様に、印刷・乾燥・紫外線照射して硬化させ、プリ
ント回路板を製造した。
と同様に、印刷・乾燥・紫外線照射して硬化させ、プリ
ント回路板を製造した。
【００３０】実施例３ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換した
後、3,5-ジアミノ安息香酸の38g と 3,3′−ジメチル-
5,5′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン
（ＭＥＤ）70.5g を入れ、これにＮ−メチル-2−ピロリ
ドン（ＮＭＰ） 1200 mlを加えて溶解した。溶解後 0℃
に冷却し攪拌しながら 3,3′−,4,4′−ビフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物（ＯＳＤＡ） 179g を加
えた。反応による発熱を氷水中で抑えながら攪拌を続
け、そのまま 6時間反応させた。次いで反応溶液にキシ
レン 350g を加え、150 ℃で生成した水を共沸除去させ
ながら 1.5時間閉環反応を行った。その後、キシレンを
減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。反応
後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入してポ
リイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、白色のポ
リイミド樹脂粉末（対数粘度0.5dl／g ） 246g を得
た。
後、3,5-ジアミノ安息香酸の38g と 3,3′−ジメチル-
5,5′−ジエチル-4,4′−ジアミノジフェニルメタン
（ＭＥＤ）70.5g を入れ、これにＮ−メチル-2−ピロリ
ドン（ＮＭＰ） 1200 mlを加えて溶解した。溶解後 0℃
に冷却し攪拌しながら 3,3′−,4,4′−ビフェニルスル
ホンテトラカルボン酸二無水物（ＯＳＤＡ） 179g を加
えた。反応による発熱を氷水中で抑えながら攪拌を続
け、そのまま 6時間反応させた。次いで反応溶液にキシ
レン 350g を加え、150 ℃で生成した水を共沸除去させ
ながら 1.5時間閉環反応を行った。その後、キシレンを
減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。反応
後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入してポ
リイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、白色のポ
リイミド樹脂粉末（対数粘度0.5dl／g ） 246g を得
た。
【００３１】得られたポリイミド樹脂 230g をさらにＮ
ＭＰ 1060ml に溶解し、この溶液に2-ヒドロキシエチル
ビニルエーテル35.2g 、4-ジメチルアミノピリジン 7.5
g 、ジシクロヘキシルカルボジイミド61.9g を加え、室
温で 4時間反応させた。反応終了後、副生成物であるジ
シクロヘキシル尿素を吸引濾過により除去し炉液をメタ
ノールと水の混合溶液に投入して、ビニルエーテル化さ
れたポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥し、白色
のビニルエーテル化ポリイミド重合体粉末（対数粘度
0.55dl ／g ） 238g を得た。このポリイミド重合体30g
をジグライム 70ml で溶解し、さらにテトラフルオロ
ホウ酸ジフェニルヨードニウム3gとチクソトロピック剤
として微細シリカ粉末2gを加えて均一に混合して光硬化
性樹脂組成物を調製した。
ＭＰ 1060ml に溶解し、この溶液に2-ヒドロキシエチル
ビニルエーテル35.2g 、4-ジメチルアミノピリジン 7.5
g 、ジシクロヘキシルカルボジイミド61.9g を加え、室
温で 4時間反応させた。反応終了後、副生成物であるジ
シクロヘキシル尿素を吸引濾過により除去し炉液をメタ
ノールと水の混合溶液に投入して、ビニルエーテル化さ
れたポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥し、白色
のビニルエーテル化ポリイミド重合体粉末（対数粘度
0.55dl ／g ） 238g を得た。このポリイミド重合体30g
をジグライム 70ml で溶解し、さらにテトラフルオロ
ホウ酸ジフェニルヨードニウム3gとチクソトロピック剤
として微細シリカ粉末2gを加えて均一に混合して光硬化
性樹脂組成物を調製した。
【００３２】調製した光硬化性樹脂組成物を、実施例１
と同様に、印刷・乾燥・紫外線照射して硬化させ、プリ
ント回路板を製造した。
と同様に、印刷・乾燥・紫外線照射して硬化させ、プリ
ント回路板を製造した。
【００３３】比較例１ 市販の汎用エポキシ系ソルダーレジスト処理されたガラ
スエポキシプリント回路板を入手した。
スエポキシプリント回路板を入手した。
【００３４】比較例２ 市販の汎用エポキシ系ソルダーレジスト処理されたフレ
キシブルプリント回路板を入手した。
キシブルプリント回路板を入手した。
【００３５】実施例１〜３および比較例１〜２で製造ま
たは入手したプリント回路板の保護被膜にロジン系フラ
ックス液をハケ塗りして 260℃に溶融した半田浴に10秒
間浸漬した。また煮沸後の保護被膜のクロスカットテス
ト、電気絶縁性或いは屈曲性試験を行ったのでその結果
を表１および表２に示したが、本発明の顕著な効果を確
認することができた。
たは入手したプリント回路板の保護被膜にロジン系フラ
ックス液をハケ塗りして 260℃に溶融した半田浴に10秒
間浸漬した。また煮沸後の保護被膜のクロスカットテス
ト、電気絶縁性或いは屈曲性試験を行ったのでその結果
を表１および表２に示したが、本発明の顕著な効果を確
認することができた。
【００３６】
【表１】 ＊1 ：ＪＩＳ−Ｃ−２１０３により測定
【００３７】
【表２】 ＊1 ：ＪＩＳ−Ｄ−０２０２により測定 ＊2 ：図１に示したような電極間距離 0.25 mm、導体間
0.25 mm、切断寸法 50mm、導体厚さ70μm の櫛形電極
１を用いて、ＪＩＳ−Ｚ−３１９７により測定 ＊3 ：180 °折曲げ10回
0.25 mm、切断寸法 50mm、導体厚さ70μm の櫛形電極
１を用いて、ＪＩＳ−Ｚ−３１９７により測定 ＊3 ：180 °折曲げ10回
【００３８】
【発明の効果】以上の説明および表１，表２から明らか
なように、本発明のプリント回路板の製造方法によれ
ば、薄いソルダーレジスト膜であるにもかかわらず、半
田耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性および可撓性に優れ、
産業用エレクトロニクスに好適なプリント回路板を製造
することができる。
なように、本発明のプリント回路板の製造方法によれ
ば、薄いソルダーレジスト膜であるにもかかわらず、半
田耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性および可撓性に優れ、
産業用エレクトロニクスに好適なプリント回路板を製造
することができる。
【図１】図１は、本発明のプリント回路板の電気絶縁性
試験に用いた櫛形電極の平面図である。
試験に用いた櫛形電極の平面図である。
１ 櫛形電極
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示される構成単位を
少なくとも1 個含むポリイミド重合体 【化１】 （但し、式中、Ｒ1 は4 価の有機基を、Ｒ2 は3 価の芳
香族基を、Ｒ3 は2 価の有機基をそれぞれ表す） （Ｂ）希釈剤および （Ｃ）増感剤又は光重合開始剤を必須成分とする光硬化
性樹脂組成物を、回路基板上に塗布・露光硬化して保護
膜を形成し、次いで保護膜非形成部分に半田を析出させ
ることを特徴とするプリント回路板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20610292A JP3193468B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | プリント回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20610292A JP3193468B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | プリント回路板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627667A true JPH0627667A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3193468B2 JP3193468B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=16517840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20610292A Expired - Fee Related JP3193468B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | プリント回路板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3193468B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0754663A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-01-22 | Rohm And Haas Company | Method for producing efflorescence resistant coating on cementitious substrate |
| JP2003131371A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 難燃性の感光性ドライフィルムレジスト |
| JP2003287889A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-10-10 | Asahi Kasei Corp | 高耐熱性感光性樹脂組成物 |
| US8063245B2 (en) | 2003-06-05 | 2011-11-22 | Kaneka Corporation | Phosphazene compound, photosensitive resin composition and use thereof |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP20610292A patent/JP3193468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0754663A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-01-22 | Rohm And Haas Company | Method for producing efflorescence resistant coating on cementitious substrate |
| JP2003131371A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 難燃性の感光性ドライフィルムレジスト |
| JP2003287889A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-10-10 | Asahi Kasei Corp | 高耐熱性感光性樹脂組成物 |
| US8063245B2 (en) | 2003-06-05 | 2011-11-22 | Kaneka Corporation | Phosphazene compound, photosensitive resin composition and use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3193468B2 (ja) | 2001-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |