JPH06275703A - Vacuum treating apparatus - Google Patents
Vacuum treating apparatusInfo
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- JPH06275703A JPH06275703A JP8934293A JP8934293A JPH06275703A JP H06275703 A JPH06275703 A JP H06275703A JP 8934293 A JP8934293 A JP 8934293A JP 8934293 A JP8934293 A JP 8934293A JP H06275703 A JPH06275703 A JP H06275703A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は真空処理装置に係り、特
にウエハ等の被処理材を入れて搬送する真空容器と、こ
の真空容器に接続可能であり被処理材を真空容器との間
で出し入れするロードロック室と、このロードロック室
にゲートバルブを介して接続され被処理材に真空処理を
施す真空プロセス室とを備えた真空処理装置の改良に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum container for containing and transporting a material to be processed such as a wafer, and a material to be processed that can be connected to the vacuum container. The present invention relates to an improvement in a vacuum processing apparatus that includes a load lock chamber for loading and unloading and a vacuum process chamber that is connected to the load lock chamber via a gate valve and performs vacuum processing on a material to be processed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体を製造する過程でウエハは半導体
プロセス装置に搬入される前や、所定の工程を経て次の
工程に搬送する間、ウエハ表面の酸化等を防止するため
に真空容器に入れて保管及び搬送することが提案されて
いる。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor, a wafer is placed in a vacuum container before being loaded into a semiconductor processing apparatus or while being transported to the next step after a predetermined step, in order to prevent oxidation of the wafer surface. It is proposed to store and transport it by
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前述した真空容器は、
通常、ベーキングをしていないため、放出ガスによって
高真空達成までに時間がかかるという問題点があった。
そのため低真空のままウエハの保管及び搬送を行ってお
り、保管及び搬送中にウエハに自然酸化膜が発生すると
いう問題点があった。また、ウエハの保管及び搬送中に
ガス放出によって真空容器内の真空度が落ち、ウエハに
酸化膜が発生するという問題点があった。The above-mentioned vacuum container is
Usually, since baking is not performed, there is a problem that it takes time to achieve a high vacuum due to the released gas.
Therefore, the wafer is stored and transported in a low vacuum, and there is a problem that a natural oxide film is generated on the wafer during the storage and the transportation. In addition, there is a problem that the degree of vacuum in the vacuum container is reduced due to gas release during storage and transportation of the wafer, and an oxide film is generated on the wafer.
【０００４】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、真空容器を構成する容器本体及び容器本体の開口部
を閉塞する下部プレートを外面から加熱することにより
ベーキングを行うことができる真空処理装置を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a vacuum processing apparatus capable of performing baking by heating from outside the container body that constitutes the vacuum container and the lower plate that closes the opening of the container body. The purpose is to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、本発明の真空処理装置はウエハ等の被処理材を入
れて搬送する真空容器と、この真空容器に接続可能であ
り前記被処理材を真空容器との間で出し入れするロード
ロック室と、このロードロック室にゲートバルブを介し
て接続され前記被処理材に処理を施す真空プロセス室と
を備えた真空処理装置において、前記真空容器の容器本
体を外面から加熱する容器本体用ヒータと、前記容器本
体の下部開口を開閉可能に閉塞する下部プレートを外面
から加熱する下部プレート用ヒータとを備えたことを特
徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the vacuum processing apparatus of the present invention is capable of connecting a vacuum container in which a material to be processed such as a wafer is placed and conveyed, and the vacuum container which can be connected to the vacuum container. A vacuum processing apparatus comprising: a load lock chamber for loading / unloading a material to / from a vacuum container; and a vacuum process chamber connected to the load lock chamber via a gate valve to process the material to be processed, wherein the vacuum container The container body heater for heating the container body from the outer surface, and the lower plate heater for heating the lower plate that opens and closes the lower opening of the container body from the outer surface are provided.
【０００６】また、前記真空容器の容器本体は内面にゲ
ッター材を具備することを特徴とするものである。Further, the container body of the vacuum container is characterized in that it has a getter material on its inner surface.
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、真空容
器の容器本体を外面から加熱する容器本体用ヒータと、
前記容器本体の下部開口を開閉可能に閉塞する下部プレ
ートを外側面から加熱する下部プレート用ヒータとを備
えたため、真空容器の全面をベーキングすることがで
き、真空容器からのガス放出を抑えることができ、真空
引きの際に短時間で高真空を達成することができるとと
もにウエハ等の被処理材の保管及び搬送中に真空容器内
の真空度の低下を防止することができる。According to the present invention having the above-described structure, a container body heater for heating the container body of the vacuum container from the outer surface,
Since the lower plate that opens and closes the lower opening of the container body is provided with a heater for the lower plate that heats from the outer surface, the entire surface of the vacuum container can be baked, and gas release from the vacuum container can be suppressed. Therefore, it is possible to achieve a high vacuum in a short time at the time of vacuuming, and it is possible to prevent a decrease in the degree of vacuum in the vacuum container during the storage and transportation of the material to be processed such as a wafer.
【０００７】また本発明によれば、真空容器内にゲッタ
ー材を設けたため、たとえ、真空容器内でガス放出が生
じても、これら放出されたガスはゲッター材によって化
学吸着され、真空度の低下を防止することができる。Further, according to the present invention, since the getter material is provided in the vacuum container, even if gas is released in the vacuum container, the released gas is chemically adsorbed by the getter material and the degree of vacuum is lowered. Can be prevented.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明に係る真空処理装置の一実施例
を図１乃至図５を参照して説明する。本実施例において
は、被処理材としてウエハを例に挙げて説明する。真空
処理装置は図１に示されるようにウエハを入れて搬送す
る真空容器１と、この真空容器１に接続可能でありウエ
ハを真空容器１との間で出し入れするロードロック室１
０と、このロードロック室１０にゲートバルブ１８を介
して接続されウエハの移載を行うロボットが配置されて
いるロボット室１９と、ウエハに処理を施す真空プロセ
ス室（図示せず）とを備えている。真空容器１は略円筒
容器状の容器本体２と、この容器本体２の下部開口を開
閉可能に閉塞する下部プレート３とを備えている。図２
に示されるように、容器本体２の外周面には発熱体４が
設けられている。この発熱体４は電気絶縁層と、この電
気絶縁層上に形成された通電によって発熱する発熱層と
からなっている。なお、容器本体２及び下部プレート３
はＡｌ，ＳＵＳ３０４等の非磁性体にて形成されてい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, a wafer will be described as an example of the material to be processed. As shown in FIG. 1, the vacuum processing apparatus includes a vacuum container 1 in which a wafer is loaded and transferred, and a load lock chamber 1 which can be connected to the vacuum container 1 and which transfers a wafer into and out of the vacuum container 1.
0, a robot chamber 19 in which a robot for transferring wafers is connected to the load lock chamber 10 via a gate valve 18, and a vacuum process chamber (not shown) for processing the wafers. ing. The vacuum container 1 includes a container body 2 having a substantially cylindrical container shape, and a lower plate 3 that closes a lower opening of the container body 2 so as to open and close. Figure 2
As shown in FIG. 3, a heating element 4 is provided on the outer peripheral surface of the container body 2. The heating element 4 is composed of an electric insulation layer and a heat generation layer formed on the electric insulation layer to generate heat by energization. The container body 2 and the lower plate 3
Is formed of a non-magnetic material such as Al or SUS304.
【０００９】また容器本体２の内周面にはゲッター材５
が設けられている。ゲッター材５は非蒸発型ゲッター材
であり、例えば７０％Ｚｒ−２４．６％Ｖ−５．４％Ｆ
ｅの合金からなっている。この成分からなるゲッター材
は、活性化温度は４００〜４５０°Ｃで、使用温度は室
温〜１００°Ｃ前後とされている。A getter material 5 is formed on the inner peripheral surface of the container body 2.
Is provided. The getter material 5 is a non-evaporable getter material, and is, for example, 70% Zr-24.6% V-5.4% F.
It consists of an alloy of e. The getter material made of this component has an activation temperature of 400 to 450 ° C and a use temperature of room temperature to about 100 ° C.
【００１０】また下部プレート３には、真空シール用の
Ｏリング６が容器本体２のフランジ部２ａとの接触面に
設けられている。下部プレート３の上面にはウエハＷを
段状に収納するウエハキャリア７が固定され、下面には
磁性体８が設けられている。On the lower plate 3, an O-ring 6 for vacuum sealing is provided on the contact surface with the flange portion 2a of the container body 2. A wafer carrier 7 for accommodating wafers W in a stepwise manner is fixed to the upper surface of the lower plate 3, and a magnetic body 8 is provided to the lower surface.
【００１１】一方、図１に示されるようにロードロック
室１０の上部は内方に突出したシール部１１を形成して
おり、このシール部１１の上面にＯリング１２が設けら
れており、真空容器１のフランジ部２ａとＯリング１２
が密接して真空容器１とロードロック室１０との間の真
空シールがなされるようになっている。On the other hand, as shown in FIG. 1, an upper part of the load lock chamber 10 is formed with a seal portion 11 protruding inward, and an O-ring 12 is provided on the upper surface of the seal portion 11 to form a vacuum. Flange 2a of container 1 and O-ring 12
Are closely contacted with each other to form a vacuum seal between the vacuum container 1 and the load lock chamber 10.
【００１２】また、ロードロック室１０内には昇降機構
１３により昇降する昇降台１４が配設されており、昇降
台１４の上面にはＯリング１５が設けられていて、前記
シール部１１の下面と、昇降台１４の上面とがＯリング
１５を介して密接するようになっている。これによっ
て、昇降台１４がシール部１１と係合したときに（図１
に示す状態）、前記ロードロック室１０は上部ロードロ
ック室１０Ａと下部ロードロック室１０Ｂとに仕切られ
るようになっている。そして、上部ロードロック室１０
ＡはバルブＶ１を介して真空排気系１６に接続されると
ともに、バルブＶ２を介して窒素源１７に接続されてい
る。また、下部ロードロック室１０ＢはバルブＶ３を介
して窒素源１７に接続されるとともにバルブＶ４を介し
て真空排気系１６に接続されている。Further, an elevating table 14 which is moved up and down by an elevating mechanism 13 is provided in the load lock chamber 10. An O-ring 15 is provided on the upper surface of the elevating table 14 and a lower surface of the sealing portion 11. And the upper surface of the lifting table 14 are in close contact with each other via the O-ring 15. As a result, when the lift 14 is engaged with the seal portion 11 (see FIG.
State), the load lock chamber 10 is partitioned into an upper load lock chamber 10A and a lower load lock chamber 10B. And the upper load lock chamber 10
A is connected to the vacuum exhaust system 16 via the valve V1 and is connected to the nitrogen source 17 via the valve V2. The lower load lock chamber 10B is connected to the nitrogen source 17 via a valve V3 and to the vacuum exhaust system 16 via a valve V4.
【００１３】また、ロードロック室１０はゲートバルブ
１８を介してロボット室１９と接続されるようになって
いる。The load lock chamber 10 is connected to a robot chamber 19 via a gate valve 18.
【００１４】前記昇降台１４の上部には、図３に示され
るように遠赤外線ヒータ２０が設けられており、この遠
赤外線ヒータ２０は透光ガラス２１及びこの透光ガラス
２１を固定するガラス押え２２によって上部ロードロッ
ク室１０Ａに露出しないようにカバーされている。そし
て遠赤外線ヒータ２０は昇降台１４内の内部空間１４ａ
に配置された給電線２３を介して遠赤外線用電源２４に
接続されている（図１参照）。なお、透光ガラス２１と
昇降台１４との間には真空シール用のＯリング２５が介
装されている。As shown in FIG. 3, a far-infrared heater 20 is provided on the upper and lower parts of the elevating table 14, and the far-infrared heater 20 has a translucent glass 21 and a glass holder for fixing the translucent glass 21. It is covered by 22 so as not to be exposed to the upper load lock chamber 10A. The far-infrared heater 20 is installed in the inner space 14a inside the lift 14.
It is connected to the far-infrared power source 24 via the power supply line 23 arranged in (see FIG. 1). An O-ring 25 for vacuum sealing is interposed between the translucent glass 21 and the lifting table 14.
【００１５】前記昇降台１４の上面には真空容器１の下
部プレート３を吸着する吸着部２６が設置されている。
吸着部２６は、図３に示されるようにベローズ２７を介
して上下動可能な吸着板２８と、この吸着板２８及びベ
ローズ２７内に配設された電磁石２９とを備えており、
吸着板２８の上部位置はストッパー３０で規制されるよ
うになっている。そして電磁石２９は給電線３０を介し
て電磁石用直流電源３１に接続されている（図１参
照）。On the upper surface of the elevating table 14, a suction portion 26 for sucking the lower plate 3 of the vacuum container 1 is installed.
As shown in FIG. 3, the attracting portion 26 includes an attracting plate 28 that can move up and down via a bellows 27, and an electromagnet 29 disposed in the attracting plate 28 and the bellows 27.
The upper position of the suction plate 28 is regulated by the stopper 30. The electromagnet 29 is connected to the electromagnet DC power supply 31 via the power supply line 30 (see FIG. 1).
【００１６】また昇降台１４の内部空間１４ａは圧縮空
気源３２に連通されており、この圧縮空気源３２によっ
て供給される圧縮空気の圧力によって前記ベローズ２７
が伸展して吸着板２８がストッパー３０に係合する上部
位置まで上昇するようになっている。そして圧縮空気源
３２からの圧縮空気の供給が停止されると、前記ベロー
ズ２７は自身の剛性によって縮退し、吸着板２８はスト
ッパー３０から離間する下部位置に位置されるようにな
っている。なお昇降台１４の下部とロードロック室１０
との間にはベローズ３３が配置されており、昇降台１４
とロードロック室１０との間を密封している。The internal space 14a of the lift 14 is communicated with a compressed air source 32, and the pressure of the compressed air supplied by the compressed air source 32 causes the bellows 27 to move.
Are extended and the suction plate 28 is raised to an upper position where it engages with the stopper 30. When the supply of the compressed air from the compressed air source 32 is stopped, the bellows 27 contracts due to its own rigidity, and the suction plate 28 is positioned at a lower position apart from the stopper 30. The lower part of the lift 14 and the load lock chamber 10
Bellows 33 is arranged between
And the load lock chamber 10 are sealed.
【００１７】次に前述のように構成された真空処理容器
の動作を説明する。 （１）大気圧から真空への工程 図４は真空処理装置の一例を示す図であり、図１に示す
ロードロック室１０に隣接してロボット室１９が設けら
れ、このロボット室１９に隣接してロードロック室３５
が設けられている。ロードロック室３５には開閉扉３６
が設けられている。昇降台１４は上昇した位置にあり、
下部ロードロック室１０Ｂは真空状態、真空容器１内及
び上部ロードロック室１０Ａ内はいずれも大気圧状態に
ある。ウエハを収納していないウエハキャリア７を固定
した下部プレート３を吸着部２６の上に置き、電磁石２
９をＯＮし下部プレート３を吸着する。容器本体２をロ
ードロック室１０のシール部１１の上に置き、ウエハキ
ャリア７を容器本体２内に収納するとともに容器本体２
を図示されない押え手段で押さえ、バルブＶ１を開けて
上部ロードロック室１０Ａの圧力を大気圧から真空に引
く。Next, the operation of the vacuum processing container configured as described above will be described. (1) Process from Atmospheric Pressure to Vacuum FIG. 4 is a diagram showing an example of a vacuum processing apparatus. A robot chamber 19 is provided adjacent to the load lock chamber 10 shown in FIG. Load lock room 35
Is provided. Open / close door 36 in the load lock chamber 35
Is provided. The lift 14 is in the raised position,
The lower load lock chamber 10B is in a vacuum state, and the inside of the vacuum container 1 and the upper load lock chamber 10A are all in the atmospheric pressure state. The lower plate 3 to which the wafer carrier 7 containing no wafer is fixed is placed on the attracting portion 26, and the electromagnet 2
9 is turned on and the lower plate 3 is adsorbed. The container body 2 is placed on the seal portion 11 of the load lock chamber 10, the wafer carrier 7 is housed in the container body 2, and the container body 2
Is pressed by a holding means (not shown), the valve V1 is opened, and the pressure in the upper load lock chamber 10A is pulled from atmospheric pressure to vacuum.
【００１８】次に、昇降台１４を下げ、下部プレート３
及びウエハキャリア７をロードロック室１０内に位置さ
せ、発熱体４及び遠赤外線ヒータ２０をＯＮにして、容
器本体２及び下部プレート３を外面から加熱して、容器
本体２、下部プレート３及びウエハキャリア７のベーキ
ングを行う。このとき、ゲッター材の再生温度がベーキ
ング温度と近い為、特殊な再生ヒータ等を使用しない
で、ベーキングと同時に容器本体２の内面のゲッター材
５の再生が行われる。発熱体４及び遠赤外線ヒータ２０
をＯＦＦにしてベーキングを終了する。Next, the elevator 14 is lowered and the lower plate 3
Also, the wafer carrier 7 is positioned in the load lock chamber 10, the heating element 4 and the far infrared heater 20 are turned on, and the container body 2 and the lower plate 3 are heated from the outer surface, so that the container body 2, the lower plate 3 and the wafer. The carrier 7 is baked. At this time, since the regeneration temperature of the getter material is close to the baking temperature, the getter material 5 on the inner surface of the container body 2 is regenerated at the same time as the baking without using a special regeneration heater or the like. Heating element 4 and far infrared heater 20
Turn off and finish baking.
【００１９】一方、扉３６を開放して洗浄済みのウエハ
Ｗをウエハキャリア４０ごとロードロック室３５に入
れ、バルブＶ５を開けて真空排気系３７を稼働させてロ
ードロック室３５内を真空にする。この後、ゲートバル
ブ１８及び３８を開けて、二つのロードロック室１０，
３５を連通状態にする。そして、ロボット室１９内のロ
ボット１９ａを稼働させてロードロック室３５内のウエ
ハＷをロードロック室１０内のウエハキャリア７に順次
移載する。この移載が終了した後、二つのゲートバルブ
１８，３８を閉じ、昇降台１４を上昇させ、ロードロッ
ク室１０を上部ロードロック室１０Ａと下部ロードロッ
ク室１０Ｂとに仕切る。また圧縮空気源３２から昇降台
１４の内部空間１４ａに圧縮空気を供給して吸着部２６
の吸着板２８を上部位置に上昇させる。この後、上部ロ
ードロック室１０Ａ内の圧力を真空から大気圧に戻す。
次に、電磁石２９をＯＦＦし、昇降台１４の内部空間１
４ａへの圧縮空気の供給を停止して吸着部２６の吸着板
２８を下部位置に下げる。そして真空容器１を別のプロ
セス装置に搬送する。搬送中に容器内部からの脱ガスや
漏れにより容器内部に入ってくるガス分子は、容器内部
にある再生されたゲッター材により吸着され、容器内部
の真空度低下が防止される。On the other hand, the door 36 is opened to put the cleaned wafer W together with the wafer carrier 40 into the load lock chamber 35, the valve V5 is opened, and the vacuum exhaust system 37 is operated to evacuate the load lock chamber 35. . After this, the gate valves 18 and 38 are opened and the two load lock chambers 10,
35 is put into a communication state. Then, the robot 19a in the robot chamber 19 is operated to sequentially transfer the wafer W in the load lock chamber 35 onto the wafer carrier 7 in the load lock chamber 10. After this transfer is completed, the two gate valves 18 and 38 are closed, the lift 14 is raised, and the load lock chamber 10 is partitioned into an upper load lock chamber 10A and a lower load lock chamber 10B. Further, compressed air is supplied from the compressed air source 32 to the internal space 14 a of the lift table 14 to supply the suction portion 26.
The suction plate 28 of is raised to the upper position. Then, the pressure in the upper load lock chamber 10A is returned from vacuum to atmospheric pressure.
Next, the electromagnet 29 is turned off, and the internal space 1 of the lifting table 14
The supply of compressed air to 4a is stopped and the suction plate 28 of the suction unit 26 is lowered to the lower position. Then, the vacuum container 1 is transported to another process device. Gas molecules that enter the inside of the container due to degassing or leakage from the inside of the container during transportation are adsorbed by the regenerated getter material inside the container, and a decrease in the degree of vacuum inside the container is prevented.
【００２０】（２）真空から真空への工程 図５は真空処理装置の他の例を示す図であり、図１に示
すロードロック室に隣接してロボット室１９が設けら
れ、このロボット室１９に隣接して真空プロセス室３９
が設けられている。昇降台１４は上昇した位置にあり、
下部ロードロック室１０Ｂは真空状態、上部ロードロッ
ク室１０Ａは大気圧状態、真空容器１内は真空状態にあ
る。昇降台１４の内部空間１４ａへ圧縮空気源３２から
圧縮空気を供給して吸着部２６の吸着板２８を上昇さ
せ、ウエハＷが入った真空容器１を吸着部２６上に載せ
る。電磁石２９をＯＮし、下部プレート３を吸着板２８
により吸着した後、圧縮空気の供給を停止して吸着板２
８を下部位置に下げ、容器本体２のフランジ部２ａをシ
ール部１１の上面に載せる。その後、バルブＶ１を開け
て上部ロードロック室１０Ａの圧力を大気圧から真空に
する。昇降台１４の内部空間１４ａに圧縮空気を供給し
て再び吸着板２８を上部位置に上昇させる。次に、昇降
台１４を下げ、ロボット１９ａがウエハＷをキャリアボ
ックス７から真空プロセス室３９へ移載する。移載終了
後、昇降台１４を上昇させ、上部ロードロック室１０Ａ
内の圧力を真空から大気圧にする。吸着部２６の電磁石
２９をＯＦＦにして内部空間１４ａへの圧縮空気の供給
を停止し、吸着部２６の吸着板２８を下げる。その後、
内部が空の真空容器１を搬送する。(2) Process from Vacuum to Vacuum FIG. 5 is a view showing another example of the vacuum processing apparatus. A robot chamber 19 is provided adjacent to the load lock chamber shown in FIG. Adjacent to the vacuum process chamber 39
Is provided. The lift 14 is in the raised position,
The lower load lock chamber 10B is in a vacuum state, the upper load lock chamber 10A is in an atmospheric pressure state, and the inside of the vacuum container 1 is in a vacuum state. Compressed air is supplied from the compressed air source 32 to the internal space 14a of the lift 14 to raise the suction plate 28 of the suction unit 26, and the vacuum container 1 containing the wafer W is placed on the suction unit 26. The electromagnet 29 is turned on, and the lower plate 3 is attached to the adsorption plate 28.
After adsorbing by, the supply of compressed air is stopped and the adsorption plate 2
8 is lowered to the lower position, and the flange portion 2a of the container body 2 is placed on the upper surface of the seal portion 11. Then, the valve V1 is opened to change the pressure in the upper load lock chamber 10A from atmospheric pressure to vacuum. Compressed air is supplied to the internal space 14a of the lift 14 to raise the suction plate 28 to the upper position again. Next, the elevating table 14 is lowered, and the robot 19a transfers the wafer W from the carrier box 7 to the vacuum process chamber 39. After the transfer is completed, the elevator 14 is raised to move the upper load lock chamber 10A.
The internal pressure is changed from vacuum to atmospheric pressure. The electromagnet 29 of the adsorption unit 26 is turned off to stop the supply of compressed air to the internal space 14a, and the adsorption plate 28 of the adsorption unit 26 is lowered. afterwards,
The vacuum container 1 having an empty inside is conveyed.
【００２１】（３）真空から大気圧への工程 昇降台１４は上昇した位置にあり、下部ロードロック室
１０Ｂは真空状態、上部ロードロック室１０Ａは大気圧
状態、真空容器１内は真空状態にある。吸着部２６の吸
着板２８を上昇させ、ウエハＷが入った真空容器１を吸
着部２６の上に載せる。電磁石２９をＯＮし、吸着部２
６の吸着板２８を下降させる。図示されていない押え手
段で、真空容器１を押え、真空シール１２をきかせ、バ
ルブＶ１を開けて上部ロードロック室１０Ａの圧力を大
気圧から真空にする。昇降台１４を下部プレート３とと
もに下げた後、再び昇降台１４を上げる。このとき、下
部プレート３と容器本体２との間には若干隙間が形成さ
れる。上部ロードロック室１０Ａの圧力を真空から大気
圧へするとともに真空容器１内の圧力も大気圧にする。
吸着部２６の電磁石２９をＯＦＦし、真空容器１を搬送
する。(3) Process from Vacuum to Atmospheric Pressure The elevating table 14 is in a raised position, the lower load lock chamber 10B is in a vacuum state, the upper load lock chamber 10A is in an atmospheric pressure state, and the inside of the vacuum container 1 is in a vacuum state. is there. The suction plate 28 of the suction unit 26 is lifted, and the vacuum container 1 containing the wafer W is placed on the suction unit 26. The electromagnet 29 is turned on, and the attraction unit 2
The suction plate 28 of 6 is lowered. The vacuum container 1 is pressed by a pressing means (not shown), the vacuum seal 12 is opened, the valve V1 is opened, and the pressure of the upper load lock chamber 10A is changed from atmospheric pressure to vacuum. After lowering the lift 14 together with the lower plate 3, the lift 14 is raised again. At this time, a slight gap is formed between the lower plate 3 and the container body 2. The pressure of the upper load lock chamber 10A is changed from vacuum to atmospheric pressure, and the pressure in the vacuum container 1 is also atmospheric pressure.
The electromagnet 29 of the adsorption unit 26 is turned off, and the vacuum container 1 is transported.
【００２２】なお、本実施例においては、上下部ロード
ロック室１０Ａ，１０ＢはバルブＶ２，Ｖ３を介して窒
素源１７に接続されているため、これら室内に乾燥した
清浄な窒素を供給することにより清浄化が維持できるよ
うになっている。また、本実施例においては、容器本体
２を加熱するための容器本体用ヒータとして発熱体４を
容器本体２に設けたが、容器本体２から離間した位置に
別途ヒータを設けてもよいし、あるいはリボンヒータの
ようなものでもよい。又ここでは真空シールとして通常
よく用いられるＯリングを使用しているが、その他の真
空シール例えば金属シール等でもよい。In this embodiment, since the upper and lower load lock chambers 10A and 10B are connected to the nitrogen source 17 via the valves V2 and V3, by supplying dry and clean nitrogen to these chambers. Cleaning can be maintained. Further, in the present embodiment, the heating element 4 is provided in the container body 2 as a container body heater for heating the container body 2, but a separate heater may be provided at a position separated from the container body 2, Alternatively, a ribbon heater may be used. Although an O-ring which is usually used as a vacuum seal is used here, other vacuum seals such as a metal seal may be used.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空容器の容器本体を外面から加熱する容器本体用ヒータ
と、容器本体の下部開口を開閉可能に閉塞する下部プレ
ートを外側面から加熱する下部プレート用ヒータとを備
えたため、真空容器の全面をベーキングすることができ
る。従って、本発明によれば、真空容器からのガス放出
を抑えることができ、短時間で高真空を達成できるとと
もに、ウエハ保管中及び搬送中のガス放出が押さえら
れ、ウエハに自然酸化膜が発生することを防止すること
ができる。As described above, according to the present invention, the container body heater for heating the container body of the vacuum container from the outer surface and the lower plate for opening and closing the lower opening of the container body are heated from the outer surface. Since the lower plate heater is provided, the entire surface of the vacuum container can be baked. Therefore, according to the present invention, gas release from the vacuum container can be suppressed, high vacuum can be achieved in a short time, gas release during wafer storage and transportation can be suppressed, and a natural oxide film is generated on the wafer. Can be prevented.
【００２４】また、本発明によれば、真空容器内にゲッ
ター材が設けられているため、たとえ、真空容器内でガ
ス放出があっても、ゲッター材により化学的に吸着さ
れ、真空度の低下を防止することができる。更に、その
ゲッター材の再生は、容器のベーキングと同時に特別な
手段なしに簡便に行う事ができる。Further, according to the present invention, since the getter material is provided in the vacuum container, even if gas is released in the vacuum container, the getter material is chemically adsorbed by the getter material and the degree of vacuum is lowered. Can be prevented. Further, the getter material can be easily regenerated at the same time as baking the container without any special means.
【図１】本発明に係る真空処理装置の一実施例を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る真空処理装置の真空容器の詳細を
示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing details of a vacuum container of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る真空処理装置のロードロック室及
び下部プレートの詳細を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing details of a load lock chamber and a lower plate of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係る真空処理装置の使用例を説明した
説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of use of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図５】本発明に係る真空処理装置の使用例を説明した
説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating an example of use of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
１ 真空容器 ２ 容器本体 ３ 下部プレート ４ 発熱体 ５ ゲッター材 ７ ウエハキャリア ８ 磁性体 １０，３５ ロードロック室 １１ シール部 １４ 昇降台 １６ 真空排気系 １８，３８ ゲートバルブ １９ ロボット室 ２０ 遠赤外線ヒータ ２１ 透光ガラス ２４ 遠赤外線用電源 ２６ 吸着部 ２７ ベローズ ２８ 吸着板 ２９ 電磁石 ３９ 真空プロセス室 ４０ ウエハキャリア 1 Vacuum Container 2 Container Body 3 Lower Plate 4 Heating Element 5 Getter Material 7 Wafer Carrier 8 Magnetic Material 10,35 Load Lock Chamber 11 Sealing Part 14 Lifting Table 16 Vacuum Exhaust System 18,38 Gate Valve 19 Robot Chamber 20 Far Infrared Heater 21 Transparent glass 24 Far-infrared power supply 26 Adsorption part 27 Bellows 28 Adsorption plate 29 Electromagnet 39 Vacuum process chamber 40 Wafer carrier
Claims (3)
空容器と、この真空容器に接続可能であり前記被処理材
を真空容器との間で出し入れするロードロック室と、こ
のロードロック室にゲートバルブを介して接続され前記
被処理材に真空処理を施す真空プロセス室とを備えた真
空処理装置において、前記真空容器の容器本体を外面か
ら加熱する容器本体用ヒータと、前記容器本体の下部開
口を開閉可能に閉塞する下部プレートを外面から加熱す
る下部プレート用ヒータとを備えたことを特徴とする真
空処理装置。1. A vacuum container for containing and transporting a material to be processed such as a wafer, a load lock chamber connectable to the vacuum container for loading and unloading the material to be processed with the vacuum container, and the load lock chamber. In a vacuum processing apparatus comprising a vacuum process chamber that is connected via a gate valve to perform a vacuum process on the material to be processed, a heater for a container body that heats the container body of the vacuum container from an outer surface, and a container body heater. A vacuum processing apparatus comprising: a lower plate heater that heats a lower plate that opens and closes a lower opening from the outer surface.
ー材を具備することを特徴とする請求項１記載の真空処
理装置。2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the container body of the vacuum container is provided with a getter material on its inner surface.
ロック室内の昇降台に設けられるとともに前記ロードロ
ック室内に露出していないことを特徴とする請求項１記
載の真空処理装置。3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the lower plate heater is provided on an elevating table in the load lock chamber and is not exposed in the load lock chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8934293A JPH06275703A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Vacuum treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8934293A JPH06275703A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Vacuum treating apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275703A true JPH06275703A (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=13968031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8934293A Pending JPH06275703A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Vacuum treating apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275703A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311864A (en) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Tdk Corp | Load port for semiconductor processing equipment |
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| US7674083B2 (en) | 2003-05-15 | 2010-03-09 | Tdk Corporation | Clean device with clean box-opening/closing device |
| US8440048B2 (en) | 2009-01-28 | 2013-05-14 | Asm America, Inc. | Load lock having secondary isolation chamber |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP8934293A patent/JPH06275703A/en active Pending
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| US8927435B2 (en) | 2009-01-28 | 2015-01-06 | Asm America, Inc. | Load lock having secondary isolation chamber |
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