JPH06268103A - リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品 - Google Patents
リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品Info
- Publication number
- JPH06268103A JPH06268103A JP5667393A JP5667393A JPH06268103A JP H06268103 A JPH06268103 A JP H06268103A JP 5667393 A JP5667393 A JP 5667393A JP 5667393 A JP5667393 A JP 5667393A JP H06268103 A JPH06268103 A JP H06268103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- runner
- row
- lead frame
- resin
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】リードフレームに設けた２列以上のキャビティ
に１本のランナから樹脂注入できるようにして、樹脂の
使用効率を高め、安価にする。 【構成】リードフレーム１１は、長さ方向に１列に並ん
だ複数のパターン１２を幅方向に４列有し、幅方向の両
端から近い側の各１列目のパターン１２に対して２列目
のパターン１２がリードフレーム１１の長さ方向にずれ
ている。リードフレーム１１の幅方向両端に設けた各１
本の主ランナ１３から、それぞれに近い側の１列目のキ
ャビティ１４に樹脂を注入すると共に、１列目の隣り合
うキャビティ１４の間を通して２列目のキャビティ１４
にも樹脂を注入する。これにより、１本のランナから２
列のキャビティ１４内へ樹脂を注入できるようにする。
に１本のランナから樹脂注入できるようにして、樹脂の
使用効率を高め、安価にする。 【構成】リードフレーム１１は、長さ方向に１列に並ん
だ複数のパターン１２を幅方向に４列有し、幅方向の両
端から近い側の各１列目のパターン１２に対して２列目
のパターン１２がリードフレーム１１の長さ方向にずれ
ている。リードフレーム１１の幅方向両端に設けた各１
本の主ランナ１３から、それぞれに近い側の１列目のキ
ャビティ１４に樹脂を注入すると共に、１列目の隣り合
うキャビティ１４の間を通して２列目のキャビティ１４
にも樹脂を注入する。これにより、１本のランナから２
列のキャビティ１４内へ樹脂を注入できるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型の半導体素子
のリードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法お
よび半導体素子の半製品に関するものである。
のリードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法お
よび半導体素子の半製品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造には、図３に示すよう
に、素子の構成単位となるパターン２が長さ方向に１列
に並んだリードフレーム１が広く用いられる。パターン
２は、チップをボンディングするダイパッド８、素子に
組み立てた後にリードとなる端子９、組み立て工程にお
いてこれらの端子９を繋いでおくタイバー７と呼ばれる
部分により構成されている。半導体素子は、このリード
フレーム１にボンディングしたチップを樹脂で封止して
製造する。樹脂封止には、一般にトランスファモールド
が用いられている。
に、素子の構成単位となるパターン２が長さ方向に１列
に並んだリードフレーム１が広く用いられる。パターン
２は、チップをボンディングするダイパッド８、素子に
組み立てた後にリードとなる端子９、組み立て工程にお
いてこれらの端子９を繋いでおくタイバー７と呼ばれる
部分により構成されている。半導体素子は、このリード
フレーム１にボンディングしたチップを樹脂で封止して
製造する。樹脂封止には、一般にトランスファモールド
が用いられている。
【０００３】トランスファモールド工程では、上記した
リードフレーム１を成形用金型で挟み込み、図４に示す
ように金型に設けたランナ３と呼ばれる部分から樹脂を
注入する。樹脂は、素子の外形を形成するキャビティ４
と呼ばれる部分に、ランナ３からゲート５を介して注入
される。なお、図において、ハッチングした部分は固化
した樹脂を示す。
リードフレーム１を成形用金型で挟み込み、図４に示す
ように金型に設けたランナ３と呼ばれる部分から樹脂を
注入する。樹脂は、素子の外形を形成するキャビティ４
と呼ばれる部分に、ランナ３からゲート５を介して注入
される。なお、図において、ハッチングした部分は固化
した樹脂を示す。
【０００４】従来、１列のリードフレームを用いる場
合、図４に示すようにリードフレーム１本に対し、ラン
ナを１本設けてキャビティに樹脂を注入する方法が一般
的であった。最近では、図５に示したような２列のリー
ドフレーム１０も用いられ、その場合には、リードフレ
ーム１本に対し、リードフレーム１０の両側にランナ３
を２本設けて、各々のランナ３に近い側のキャビティ４
に樹脂を注入する方法も採用されるようになってきた。
しかし、ランナ１本で１列のキャビティに注入するとい
う点に関しては変るところはない。
合、図４に示すようにリードフレーム１本に対し、ラン
ナを１本設けてキャビティに樹脂を注入する方法が一般
的であった。最近では、図５に示したような２列のリー
ドフレーム１０も用いられ、その場合には、リードフレ
ーム１本に対し、リードフレーム１０の両側にランナ３
を２本設けて、各々のランナ３に近い側のキャビティ４
に樹脂を注入する方法も採用されるようになってきた。
しかし、ランナ１本で１列のキャビティに注入するとい
う点に関しては変るところはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
の製造に用いられている全自動トランスファモールド装
置は、一度にモールドできるリードフレームの数が決ま
っている。一般には、金型圧力８０トンのプレスを用い
た場合に、４本のリードフレームを１度にモールドする
ことができる。この数は、リードフレームの搬送機構に
より決まるため、リードフレームの長さや幅は関係しな
い。
の製造に用いられている全自動トランスファモールド装
置は、一度にモールドできるリードフレームの数が決ま
っている。一般には、金型圧力８０トンのプレスを用い
た場合に、４本のリードフレームを１度にモールドする
ことができる。この数は、リードフレームの搬送機構に
より決まるため、リードフレームの長さや幅は関係しな
い。
【０００６】例えば、最近樹脂部分（成形品）の外形
が、２ｍｍ角程度の小型の素子が広く用いられている
が、その組み立てには、幅が１５ｍｍ程度のリードフレ
ームを使用する。このように小さなリードフレームにせ
よ、ＩＣ用の幅が５０ｍｍ程度の大きなリードフレーム
にせよ、上記の８０トンプレスの場合、搬送機構を大き
く改造しない限り、１度にモールドできる本数は共に４
本で、変らない。
が、２ｍｍ角程度の小型の素子が広く用いられている
が、その組み立てには、幅が１５ｍｍ程度のリードフレ
ームを使用する。このように小さなリードフレームにせ
よ、ＩＣ用の幅が５０ｍｍ程度の大きなリードフレーム
にせよ、上記の８０トンプレスの場合、搬送機構を大き
く改造しない限り、１度にモールドできる本数は共に４
本で、変らない。
【０００７】しかしながら、上述した従来の技術では、
いずれも１本のランナからは１列のキャビティにしか樹
脂を注入できないため、小型素子をモールドする場合で
も、１個のリードフレームに対し２本の主ランナを設け
て両側から注入しても、同時注入は最大２列を越えるこ
とはなく、モールド装置の能力を十分に生かすことがで
きなかった。その結果、モールド装置の減価償却が大き
く、特に小型の素子では、組み立て工程の価格が高くな
っていた。
いずれも１本のランナからは１列のキャビティにしか樹
脂を注入できないため、小型素子をモールドする場合で
も、１個のリードフレームに対し２本の主ランナを設け
て両側から注入しても、同時注入は最大２列を越えるこ
とはなく、モールド装置の能力を十分に生かすことがで
きなかった。その結果、モールド装置の減価償却が大き
く、特に小型の素子では、組み立て工程の価格が高くな
っていた。
【０００８】また、トランスファモールドでは、ランナ
部分の樹脂は固化するため再利用できないが、図４、図
５に示したように、１本のランナで１列のキャビティし
か注入できないと、樹脂の使用効率が低く、多くの樹脂
が無駄になっている。
部分の樹脂は固化するため再利用できないが、図４、図
５に示したように、１本のランナで１列のキャビティし
か注入できないと、樹脂の使用効率が低く、多くの樹脂
が無駄になっている。
【０００９】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解消し、安価で、樹脂の使用効率を高めたリードフレ
ーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素
子の半製品を提供することにある。
を解消し、安価で、樹脂の使用効率を高めたリードフレ
ーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素
子の半製品を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、長さ方向に１列に並んだ複数のパターンを幅方向に
３列以上有するものである。２列目以降のパターンは、
リードフレームの幅方向の両端または片端に近い側から
見た１列目のパターンに対してリードフレームの長さ方
向にずらしてもよい。
は、長さ方向に１列に並んだ複数のパターンを幅方向に
３列以上有するものである。２列目以降のパターンは、
リードフレームの幅方向の両端または片端に近い側から
見た１列目のパターンに対してリードフレームの長さ方
向にずらしてもよい。
【００１１】本発明の成形金型は、上記リードフレーム
の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
ールド成形する成形用金型であって、リードフレームの
幅方向の両端または片端に配置されてリードフレームの
長さ方向に延びる１本の主ランナと、この１本の主ラン
ナからリードフレームの幅方向に延びる副ランナとを備
え、この副ランナが主ランナに近い側から見た１列目の
隣り合うキャビティに連結される副ランナと、１列目の
隣り合うキャビティの間を通して２列目または３列目以
降のキャビティに連結される副ランナとを有するもので
ある。
の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
ールド成形する成形用金型であって、リードフレームの
幅方向の両端または片端に配置されてリードフレームの
長さ方向に延びる１本の主ランナと、この１本の主ラン
ナからリードフレームの幅方向に延びる副ランナとを備
え、この副ランナが主ランナに近い側から見た１列目の
隣り合うキャビティに連結される副ランナと、１列目の
隣り合うキャビティの間を通して２列目または３列目以
降のキャビティに連結される副ランナとを有するもので
ある。
【００１２】本発明の半導体素子の製造方法は、上記リ
ードフレームの各パターンのボンディング部をキャビテ
ィに入れてモールド成形する工程を備え、１本のランナ
から１列目のキャビティに樹脂を注入すると共に、１列
目の隣り合うキャビティの間を通して２列目または３列
目以降のキャビティにも樹脂を注入して、各キャビティ
内のボンディング部を樹脂封止するようにしたものであ
る。
ードフレームの各パターンのボンディング部をキャビテ
ィに入れてモールド成形する工程を備え、１本のランナ
から１列目のキャビティに樹脂を注入すると共に、１列
目の隣り合うキャビティの間を通して２列目または３列
目以降のキャビティにも樹脂を注入して、各キャビティ
内のボンディング部を樹脂封止するようにしたものであ
る。
【００１３】本発明の半導体素子の半製品は、リードフ
レームのパターンのボンディング部をキャビティに入れ
てこのキャビティにランナから樹脂を注入して成形品を
形成し、この成形品がランナからキャビティまでの経路
を流れて固化した樹脂で未だ連結されている状態の半導
体素子の半製品において、リードフレームが、長さ方向
に１列に並んだ複数のパターンを幅方向にＮ列（Ｎは偶
数で４以上）有し、幅方向の一端に近い側のＮ／２列間
のパターンの位置が長さ方向に互にずれており、また幅
方向の他端に近い側のＮ／２列間のパターンの位置が長
さ方向に互にずれており、上記固化した樹脂が、リード
フレームの幅方向の両端にそれぞれ配置されてリードフ
レームの長さ方向に延びる１本の主ランナ中で固化した
主ランナ樹脂部と、各主ランナ樹脂部からそれぞれ分岐
してリードフレームの幅方向内方に延び、各主ランナ樹
脂部に近い側の１列目のキャビティと連通する短副ラン
ナ中で固化した短副ランナ樹脂部と、各主ランナ樹脂部
に近い側の１列目の隣り合うキャビティの間を通って２
列目または３列目以降のキャビティと連通する長副ラン
ナ中で固化した長副ランナ樹脂部とからなるものであ
る。
レームのパターンのボンディング部をキャビティに入れ
てこのキャビティにランナから樹脂を注入して成形品を
形成し、この成形品がランナからキャビティまでの経路
を流れて固化した樹脂で未だ連結されている状態の半導
体素子の半製品において、リードフレームが、長さ方向
に１列に並んだ複数のパターンを幅方向にＮ列（Ｎは偶
数で４以上）有し、幅方向の一端に近い側のＮ／２列間
のパターンの位置が長さ方向に互にずれており、また幅
方向の他端に近い側のＮ／２列間のパターンの位置が長
さ方向に互にずれており、上記固化した樹脂が、リード
フレームの幅方向の両端にそれぞれ配置されてリードフ
レームの長さ方向に延びる１本の主ランナ中で固化した
主ランナ樹脂部と、各主ランナ樹脂部からそれぞれ分岐
してリードフレームの幅方向内方に延び、各主ランナ樹
脂部に近い側の１列目のキャビティと連通する短副ラン
ナ中で固化した短副ランナ樹脂部と、各主ランナ樹脂部
に近い側の１列目の隣り合うキャビティの間を通って２
列目または３列目以降のキャビティと連通する長副ラン
ナ中で固化した長副ランナ樹脂部とからなるものであ
る。
【００１４】本発明の半導体素子の半製品は、リードフ
レームのパターンのボンディング部をキャビティに入れ
てこのキャビティにランナから樹脂を注入して成形品を
形成し、この成形品がランナからキャビティまでの経路
を流れて固化した樹脂で未だ連結されている状態の半導
体素子の半製品において、リードフレームが、長さ方向
に１列に並んだ複数のパターンを幅方向にＭ列（Ｍは自
然数で３以上）有し、固化した樹脂が、リードフレーム
の幅方向の片端に配置されてリードフレームの長さ方向
に延びる１本の主ランナ中で固化した主ランナ樹脂部
と、該主ランナ樹脂部から分岐してリードフレームの幅
方向に延びて各列の隣り合うキャビティの間を通る縦副
ランナ中で固化した縦副ランナ樹脂部と、該縦副ランナ
樹脂部から左右に分岐して各列の隣り合うキャビティと
連通する横副ランナ中で固化した横副ランナ樹脂部とか
らなるものである。
レームのパターンのボンディング部をキャビティに入れ
てこのキャビティにランナから樹脂を注入して成形品を
形成し、この成形品がランナからキャビティまでの経路
を流れて固化した樹脂で未だ連結されている状態の半導
体素子の半製品において、リードフレームが、長さ方向
に１列に並んだ複数のパターンを幅方向にＭ列（Ｍは自
然数で３以上）有し、固化した樹脂が、リードフレーム
の幅方向の片端に配置されてリードフレームの長さ方向
に延びる１本の主ランナ中で固化した主ランナ樹脂部
と、該主ランナ樹脂部から分岐してリードフレームの幅
方向に延びて各列の隣り合うキャビティの間を通る縦副
ランナ中で固化した縦副ランナ樹脂部と、該縦副ランナ
樹脂部から左右に分岐して各列の隣り合うキャビティと
連通する横副ランナ中で固化した横副ランナ樹脂部とか
らなるものである。
【００１５】リードフレームとしては材質は問わない
が、例えば銅、４２合金などがある。樹脂としては、一
般にトランスファモールドに用いられるエポキシ樹脂を
用いることができる。透明、黒色などの樹脂の種類、フ
ィラーの種類とその有無、添加剤の種類とその有無は問
わない。また、列の数は特に制限を受けない。
が、例えば銅、４２合金などがある。樹脂としては、一
般にトランスファモールドに用いられるエポキシ樹脂を
用いることができる。透明、黒色などの樹脂の種類、フ
ィラーの種類とその有無、添加剤の種類とその有無は問
わない。また、列の数は特に制限を受けない。
【００１６】
【作用】リードフレームのパターンが３列以上になって
キャビティも幅方向に３列以上になると、主ランナをリ
ードフレームの両側に配置させ、そこから副ランナを分
岐させて幅方向内方に延ばしても、各列のキャビティの
位置が揃っている場合には、中間にある列のキャビティ
に樹脂を注入することができなくなる。しかし、２列目
以降のキャビティの位置をずらしたり、副ランナの先端
にキャビティを連通させるのではなく、副ランナの左右
から腕を出してキャビティに連通させるのであれば、副
ランナの設置場所次第で、中間列への樹脂注入は可能で
ある。
キャビティも幅方向に３列以上になると、主ランナをリ
ードフレームの両側に配置させ、そこから副ランナを分
岐させて幅方向内方に延ばしても、各列のキャビティの
位置が揃っている場合には、中間にある列のキャビティ
に樹脂を注入することができなくなる。しかし、２列目
以降のキャビティの位置をずらしたり、副ランナの先端
にキャビティを連通させるのではなく、副ランナの左右
から腕を出してキャビティに連通させるのであれば、副
ランナの設置場所次第で、中間列への樹脂注入は可能で
ある。
【００１７】本発明は、上記知見にもとづいてなされた
ものであり、１列目の隣り合うキャビティの間から２列
目または３列目以降のキャビティに樹脂を注入するよう
にしたものである。１列目の隣り合うキャビティの間か
ら２列目または３列目以降のキャビティに樹脂が注入さ
れるので、１本のランナから２列以上のキャビティに樹
脂が封入でき、それによってトランスファモールドの効
率と、樹脂の使用効率が高まる。
ものであり、１列目の隣り合うキャビティの間から２列
目または３列目以降のキャビティに樹脂を注入するよう
にしたものである。１列目の隣り合うキャビティの間か
ら２列目または３列目以降のキャビティに樹脂が注入さ
れるので、１本のランナから２列以上のキャビティに樹
脂が封入でき、それによってトランスファモールドの効
率と、樹脂の使用効率が高まる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
パターン配列が４列のリードフレームを用いた第１実施
例を示し、リードフレームおよび成形用金型はその幅中
央を長さ方向に通る中心線に対して線対称をしている。
リードフレーム１１はその長さ方向に等間隔に１列に並
んだ複数のパターン１２を有し、その１列に並んだパタ
ーン１２を幅方向に４列有する。パターン１２は、既述
した図３と同様に、チップをマウントするダイパッド、
チップとワイヤボンドする端子１９、端子間を繋いでい
るタイバー１７などから主に構成される。各ダイパッド
にチップがマウントされ、チップが端子にワイヤボンド
された上で、ダイボンドおよびワイヤボンド部（以下、
ボンディング部という）のモールド加工がなされ、その
後端子から切り離されて半導体素子が形成される。
パターン配列が４列のリードフレームを用いた第１実施
例を示し、リードフレームおよび成形用金型はその幅中
央を長さ方向に通る中心線に対して線対称をしている。
リードフレーム１１はその長さ方向に等間隔に１列に並
んだ複数のパターン１２を有し、その１列に並んだパタ
ーン１２を幅方向に４列有する。パターン１２は、既述
した図３と同様に、チップをマウントするダイパッド、
チップとワイヤボンドする端子１９、端子間を繋いでい
るタイバー１７などから主に構成される。各ダイパッド
にチップがマウントされ、チップが端子にワイヤボンド
された上で、ダイボンドおよびワイヤボンド部（以下、
ボンディング部という）のモールド加工がなされ、その
後端子から切り離されて半導体素子が形成される。
【００１９】図をみると分かるようにリードフレーム１
１は、各列のパターン形状は皆同じであるが、その位置
がずれている。そのずれは、両幅端にそれぞれ近い側の
１列目の隣り合うパターン間に２列目のパターンが来る
ようになっている。具体的には、リードフレームは、幅
５０ｍｍ、長さ２００ｍｍであり、このフレーム１本
に、４ｍｍピッチで４列、１９４個の素子が配置される
ようになっている。
１は、各列のパターン形状は皆同じであるが、その位置
がずれている。そのずれは、両幅端にそれぞれ近い側の
１列目の隣り合うパターン間に２列目のパターンが来る
ようになっている。具体的には、リードフレームは、幅
５０ｍｍ、長さ２００ｍｍであり、このフレーム１本
に、４ｍｍピッチで４列、１９４個の素子が配置される
ようになっている。
【００２０】上記リードフレーム１１を挟む成形金型
は、図１に示す様に、幅方向両端に配置された各１本の
主ランナ１３から分岐された副ランナ１６が、１列目ま
たは４列目のキャビティ１４のみならず、そのずれてい
る２列目又は３列目のキャビティ１４へも延びている。
より詳しくは、成形金型は、リードフレーム１１の幅方
向両端に、リードフレーム１１の長さ方向に延びる１対
の主ランナ１３と、この両端の各主ランナ１３からリー
ドフレーム１１の幅方向内方にそれぞれ直角に延びる副
ランナ１６とを備えている。この副ランナ１６は、１列
目の隣り合うキャビティ１４とゲート１５経由で連結さ
れる短い副ランナ１６ａと、１列目の隣り合うキャビテ
ィ１４の間をタイバー１７上を通って２列目のキャビテ
ィ１４に連結される長い副ランナ１６ｂとを有する。
は、図１に示す様に、幅方向両端に配置された各１本の
主ランナ１３から分岐された副ランナ１６が、１列目ま
たは４列目のキャビティ１４のみならず、そのずれてい
る２列目又は３列目のキャビティ１４へも延びている。
より詳しくは、成形金型は、リードフレーム１１の幅方
向両端に、リードフレーム１１の長さ方向に延びる１対
の主ランナ１３と、この両端の各主ランナ１３からリー
ドフレーム１１の幅方向内方にそれぞれ直角に延びる副
ランナ１６とを備えている。この副ランナ１６は、１列
目の隣り合うキャビティ１４とゲート１５経由で連結さ
れる短い副ランナ１６ａと、１列目の隣り合うキャビテ
ィ１４の間をタイバー１７上を通って２列目のキャビテ
ィ１４に連結される長い副ランナ１６ｂとを有する。
【００２１】さて、上記リードフレーム１１のダイパッ
ドに半導体チップを銀エポキシ樹脂でダイボンディング
し、金ワイヤを用いて端子とチップ間のワイヤボンディ
ングを行う。ボンディングを行ったリードフレーム１１
を、上記成形金型で挟んだトランスファモールド装置に
セットして樹脂封止を行う。トランスファモールド装置
として金型圧力８０トンの装置を用いた。樹脂は黒色エ
ポキシ樹脂である。モールド条件は、金型温度１７０°
Ｃ、注入速度１０ｃｍ／ｓ、硬化時間７０ｓｅｃであ
る。ランナは、図１に示したように配置した。
ドに半導体チップを銀エポキシ樹脂でダイボンディング
し、金ワイヤを用いて端子とチップ間のワイヤボンディ
ングを行う。ボンディングを行ったリードフレーム１１
を、上記成形金型で挟んだトランスファモールド装置に
セットして樹脂封止を行う。トランスファモールド装置
として金型圧力８０トンの装置を用いた。樹脂は黒色エ
ポキシ樹脂である。モールド条件は、金型温度１７０°
Ｃ、注入速度１０ｃｍ／ｓ、硬化時間７０ｓｅｃであ
る。ランナは、図１に示したように配置した。
【００２２】可塑化した樹脂を主ランナ１３から副ラン
ナ１６、ゲート１５を経て各列のキャビティ１４に注入
し、その後冷却固化して、トランスファモールド装置か
ら取り出すと、図１に示すような、ランナ１３、１６で
固化した樹脂が未だキャビティ１４に連結したままの状
態の半導体素子の半製品が出来上がる。この固化した樹
脂は、リードフレーム１１の幅方向の両側にそれぞれ配
置されリードフレーム１１の長さ方向に延びる１本の主
ランナ１３中で固化した主ランナ樹脂部１１３と、各主
ランナ樹脂部１１３からそれぞれ分岐してリードフレー
ム１１の幅方向内方に延び、各主ランナ樹脂部１１３に
近い側の１列目のキャビティ１４と連通する短副ランナ
１６ａ中で固化した短副ランナ樹脂部１１６ａと、各主
ランナ樹脂部１１３に近い側の１列目の隣り合うキャビ
ティ１４の間を通って２列目のキャビティ１４と連通す
る長副ランナ１６ｂ中で固化した長副ランナ樹脂部１１
６ｂとからなる。
ナ１６、ゲート１５を経て各列のキャビティ１４に注入
し、その後冷却固化して、トランスファモールド装置か
ら取り出すと、図１に示すような、ランナ１３、１６で
固化した樹脂が未だキャビティ１４に連結したままの状
態の半導体素子の半製品が出来上がる。この固化した樹
脂は、リードフレーム１１の幅方向の両側にそれぞれ配
置されリードフレーム１１の長さ方向に延びる１本の主
ランナ１３中で固化した主ランナ樹脂部１１３と、各主
ランナ樹脂部１１３からそれぞれ分岐してリードフレー
ム１１の幅方向内方に延び、各主ランナ樹脂部１１３に
近い側の１列目のキャビティ１４と連通する短副ランナ
１６ａ中で固化した短副ランナ樹脂部１１６ａと、各主
ランナ樹脂部１１３に近い側の１列目の隣り合うキャビ
ティ１４の間を通って２列目のキャビティ１４と連通す
る長副ランナ１６ｂ中で固化した長副ランナ樹脂部１１
６ｂとからなる。
【００２３】上記実施例によると、リードフレーム１１
の１列目のキャビティ１４と２列目のキャビティ１４と
の位置がずれているので、このリードフレーム１１に合
わせたランナ１３、１６を有する成形金型を用いると、
１列目のキャビティ１４はもちろん、１列目のキャビテ
ィ１４の間から２列目のキャビティ１４への長副ランナ
１６ｂを介して樹脂を注入することができる。従って、
２本の主ランナから４列のキャビティに同時に樹脂を注
入することができる。
の１列目のキャビティ１４と２列目のキャビティ１４と
の位置がずれているので、このリードフレーム１１に合
わせたランナ１３、１６を有する成形金型を用いると、
１列目のキャビティ１４はもちろん、１列目のキャビテ
ィ１４の間から２列目のキャビティ１４への長副ランナ
１６ｂを介して樹脂を注入することができる。従って、
２本の主ランナから４列のキャビティに同時に樹脂を注
入することができる。
【００２４】一般に多数個取りの金型で寸法にばらつき
のない製品を作るためには、どのキャビティも同時に充
填され、しかも同じ充填圧力がかかるようにすることが
望ましい。これはゲートバランスをとるという言葉で表
現されている。この点で、上記実施例の場合、ゲートバ
ランスをとるために、１列目と２列目とでは副ランナ１
６の長さに違いが生じる。そのため、２列目のゲート１
５の断面積を、１列目のゲート１５に比べて大きくして
いる。これにより、各キャビティ１４への樹脂の注入の
特性を均一化している。
のない製品を作るためには、どのキャビティも同時に充
填され、しかも同じ充填圧力がかかるようにすることが
望ましい。これはゲートバランスをとるという言葉で表
現されている。この点で、上記実施例の場合、ゲートバ
ランスをとるために、１列目と２列目とでは副ランナ１
６の長さに違いが生じる。そのため、２列目のゲート１
５の断面積を、１列目のゲート１５に比べて大きくして
いる。これにより、各キャビティ１４への樹脂の注入の
特性を均一化している。
【００２５】上記注入工程により、トランスファモール
ド装置本体には何らの改造を加えることなく、金型の交
換のみで行うことができる。モールド後は、ゲート１５
の部分で主ランナ樹脂部１１３、副ランナ樹脂部１１６
の部分と切り離しして半導体素子となる成形品を分離す
る。この工程でも、従来の技術と装置をそのまま用いる
ことができる。
ド装置本体には何らの改造を加えることなく、金型の交
換のみで行うことができる。モールド後は、ゲート１５
の部分で主ランナ樹脂部１１３、副ランナ樹脂部１１６
の部分と切り離しして半導体素子となる成形品を分離す
る。この工程でも、従来の技術と装置をそのまま用いる
ことができる。
【００２６】図２は、パターン配列が同じく４列である
が、各列間でパターンのずれないリードフレームを用い
た第２実施例を示す。リードフレーム２１は、長さ方向
に１列に並んだ複数のパターン２２を幅方向に４列有す
る。各列のパターン位置は長さ方向、幅方向とも一致し
ている。寸法は実施例１と同じであり、４ｍｍピッチで
４列、１９６個（第１実施例より２個多い）の素子が配
置されるようになっている。
が、各列間でパターンのずれないリードフレームを用い
た第２実施例を示す。リードフレーム２１は、長さ方向
に１列に並んだ複数のパターン２２を幅方向に４列有す
る。各列のパターン位置は長さ方向、幅方向とも一致し
ている。寸法は実施例１と同じであり、４ｍｍピッチで
４列、１９６個（第１実施例より２個多い）の素子が配
置されるようになっている。
【００２７】上記リードフレーム２１を挟む成形金型
は、図２に示す様に、リードフレーム２１の長さ方向に
延びる１本の主ランナ２３と、この１本の主ランナ２３
からリードフレーム２１の幅方向に分岐して各列のキャ
ビティ２４にゲート２５経由で連結される副ランナ２６
とを備える。副ランナ２６は隣り合うキャビティ２４間
のタイバー２７上を通ってリードフレーム２１を横断す
る縦副ランナ２６ａと、その縦副ランナ２６ａから更に
各列でリードフレーム２１の長さ方向両側に分岐して縦
副ランナ２６ａの両側にある各列の隣り合うキャビティ
に連結される横副ランナ２６ｂとを有する。なお、ゲー
トバランスをとるために、１列目のゲート２５の断面積
に対して、２列目、３列目、４列目のゲート２５の断面
積を順次大きくしている。
は、図２に示す様に、リードフレーム２１の長さ方向に
延びる１本の主ランナ２３と、この１本の主ランナ２３
からリードフレーム２１の幅方向に分岐して各列のキャ
ビティ２４にゲート２５経由で連結される副ランナ２６
とを備える。副ランナ２６は隣り合うキャビティ２４間
のタイバー２７上を通ってリードフレーム２１を横断す
る縦副ランナ２６ａと、その縦副ランナ２６ａから更に
各列でリードフレーム２１の長さ方向両側に分岐して縦
副ランナ２６ａの両側にある各列の隣り合うキャビティ
に連結される横副ランナ２６ｂとを有する。なお、ゲー
トバランスをとるために、１列目のゲート２５の断面積
に対して、２列目、３列目、４列目のゲート２５の断面
積を順次大きくしている。
【００２８】実施例１と同様にして、可塑化した樹脂を
主ランナ２３から副ランナ２６、ゲート２５を経てキャ
ビティ２４に注入し、その後冷却固化して、トランスフ
ァモールド装置から取り出すと、図２に示すような、ラ
ンナ２３、２６で固化した樹脂が未だキャビティ２４に
連結したままの状態の半導体素子の半製品が出来上が
る。この固化した樹脂は、リードフレーム２１の幅方向
の片側に配置されリードフレーム２１の長さ方向に延び
る１本の主ランナ２３中で固化した主ランナ樹脂部１２
３と、主ランナ樹脂部１２３から分岐してリードフレー
ム２１の幅方向に延び、各列の隣り合うキャビティ２４
の間を通る縦副ランナ２６ａ中で固化した縦副ランナ樹
脂部１２６ａと、該縦副ランナ樹脂部１２６ａから左右
に分岐して各列の隣り合うキャビティ２４と連通する横
副ランナ２６ｂ中で固化した横副ランナ樹脂部１２６ｂ
とからなる。
主ランナ２３から副ランナ２６、ゲート２５を経てキャ
ビティ２４に注入し、その後冷却固化して、トランスフ
ァモールド装置から取り出すと、図２に示すような、ラ
ンナ２３、２６で固化した樹脂が未だキャビティ２４に
連結したままの状態の半導体素子の半製品が出来上が
る。この固化した樹脂は、リードフレーム２１の幅方向
の片側に配置されリードフレーム２１の長さ方向に延び
る１本の主ランナ２３中で固化した主ランナ樹脂部１２
３と、主ランナ樹脂部１２３から分岐してリードフレー
ム２１の幅方向に延び、各列の隣り合うキャビティ２４
の間を通る縦副ランナ２６ａ中で固化した縦副ランナ樹
脂部１２６ａと、該縦副ランナ樹脂部１２６ａから左右
に分岐して各列の隣り合うキャビティ２４と連通する横
副ランナ２６ｂ中で固化した横副ランナ樹脂部１２６ｂ
とからなる。
【００２９】上記実施例では、各列のキャビティ間のタ
イバーの上に設けた副ランナに各キャビティを連通する
ようにしたので、１本の主ランナ２３から４列のキャビ
ティ２４に同時に樹脂を注入することができる。
イバーの上に設けた副ランナに各キャビティを連通する
ようにしたので、１本の主ランナ２３から４列のキャビ
ティ２４に同時に樹脂を注入することができる。
【００３０】以上述べたように両実施例によれば、リー
ドフレームに４列パターンを導入したので、リードフレ
ームへの半導体チップのボンディング工程において、多
数個の並列処理が行えるため、ボンディング処理能力
を、図４の約４倍、図５の約２倍程度まで高めることが
できる。また、１列目のパターン間から２列目以降のパ
ターンに延びる副ランナをもつ４列パターンに対応した
成形用金型を使用したので、従来と同様のモールド装置
を使用した場合でも、図３に示した場合の４倍、図４に
示した場合の２倍の効率で樹脂封止を行うことができ
る。従って、トランスファモールド工程の製造能力を、
２倍以上に高めることができるため、半導体素子の製造
工程の原価を大幅に低減できる。
ドフレームに４列パターンを導入したので、リードフレ
ームへの半導体チップのボンディング工程において、多
数個の並列処理が行えるため、ボンディング処理能力
を、図４の約４倍、図５の約２倍程度まで高めることが
できる。また、１列目のパターン間から２列目以降のパ
ターンに延びる副ランナをもつ４列パターンに対応した
成形用金型を使用したので、従来と同様のモールド装置
を使用した場合でも、図３に示した場合の４倍、図４に
示した場合の２倍の効率で樹脂封止を行うことができ
る。従って、トランスファモールド工程の製造能力を、
２倍以上に高めることができるため、半導体素子の製造
工程の原価を大幅に低減できる。
【００３１】また、１本のランナで２列ないし４列のキ
ャビティに樹脂を注入できるので、素子１個当たりの樹
脂の使用量を１／２以下にすることができる。さらに、
パターンを４列構成とすると、１列または２列構成の従
来のものに比べて、タイバーの共用部分が増えるので、
素子１個に対するタイバーの使用量も少なく、リードフ
レーム材の使用量を低減できる。
ャビティに樹脂を注入できるので、素子１個当たりの樹
脂の使用量を１／２以下にすることができる。さらに、
パターンを４列構成とすると、１列または２列構成の従
来のものに比べて、タイバーの共用部分が増えるので、
素子１個に対するタイバーの使用量も少なく、リードフ
レーム材の使用量を低減できる。
【００３２】なお、本発明のランナ配置または形状は上
記両実施例に限定されるものではなく、実に多くの変形
が可能であるが、要するに１列目の隣り合うキャビティ
の間を通して２列目または３列目以降のキャビティに樹
脂を注入できるようなランナ配置または形状になってい
れば、いずれでもよい。
記両実施例に限定されるものではなく、実に多くの変形
が可能であるが、要するに１列目の隣り合うキャビティ
の間を通して２列目または３列目以降のキャビティに樹
脂を注入できるようなランナ配置または形状になってい
れば、いずれでもよい。
【００３３】
【発明の効果】（１）請求項１または２に記載のリード
フレームによれば、それまで２列であったパターンを３
列以上のパターンとしたので、半導体チップのボンディ
ングの並列処理個数が増え、ボンディング処理能力を高
めることが出来る。また、従来技術に比べて、素子１個
に対するタイバー部分の使用量が少なく、リードフレー
ム材の使用量を低減できる。
フレームによれば、それまで２列であったパターンを３
列以上のパターンとしたので、半導体チップのボンディ
ングの並列処理個数が増え、ボンディング処理能力を高
めることが出来る。また、従来技術に比べて、素子１個
に対するタイバー部分の使用量が少なく、リードフレー
ム材の使用量を低減できる。
【００３４】（２）請求項３に記載の成形金型によれ
ば、１列目の隣り合うキャビティの間を通して２列目ま
たは３列目以降のキャビティに連通される副ランナを設
けたので、１本のランナで２列以上のキャビティに樹脂
を注入でき、トランスファモールド工程の製造能力を高
めることができるため、素子の製造工程の原価を低減で
きる。
ば、１列目の隣り合うキャビティの間を通して２列目ま
たは３列目以降のキャビティに連通される副ランナを設
けたので、１本のランナで２列以上のキャビティに樹脂
を注入でき、トランスファモールド工程の製造能力を高
めることができるため、素子の製造工程の原価を低減で
きる。
【００３５】（２）請求項４ないし６に記載の成形用金
型によれば、１本のランナから１列目の隣り合うキャビ
ティの間を通して２列目または３列目以降のキャビティ
にも樹脂を注入するようにしたので、従来と同様のモー
ルド装置を使用した場合でも、従来以上の効率で樹脂封
止を行うことができる。また、素子１個当たりの樹脂の
使用量を従来以下とすることができる。
型によれば、１本のランナから１列目の隣り合うキャビ
ティの間を通して２列目または３列目以降のキャビティ
にも樹脂を注入するようにしたので、従来と同様のモー
ルド装置を使用した場合でも、従来以上の効率で樹脂封
止を行うことができる。また、素子１個当たりの樹脂の
使用量を従来以下とすることができる。
【図１】本発明の第１実施例によるパターンずれのある
４列方式のモールド工程の概略図。
４列方式のモールド工程の概略図。
【図２】本発明の第２実施例によるパターンずれのない
４列方式のモールド工程の概略図。
４列方式のモールド工程の概略図。
【図３】従来例によるリードフレームの平面図。
【図４】従来例による１列方式のモールド工程の概略
図。
図。
【図５】従来例による２列方式のモールド工程の概略
図。
図。
【符号の説明】 １１ リードフレーム １２ パターン １３ 主ランナ １４ キャビティ １５ ゲート １６ 副ランナ １６ａ 短副ランナ １６ｂ 長副ランナ １７ タイバー １１３ 主ランナ樹脂部 １１６ａ 短副ランナ樹脂部 １１６ｂ 長副ランナ樹脂部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (6)
- 【請求項１】長さ方向に１列に並んだ複数のパターンを
幅方向に３列以上有することを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】請求項１に記載のリードフレームにおい
て、リードフレームの幅方向の両端または片端に近い側
から見た１列目のパターンに対して２列目または３列目
以降のパターンがリードフレームの長さ方向にずれてい
ることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のリードフレーム
の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
ールド成形する成形用金型であって、リードフレームの
幅方向の両端または片端に配置されてリードフレームの
長さ方向に延びる１本の主ランナと、該１本の主ランナ
からリードフレームの幅方向に延びる副ランナとを備
え、該副ランナが主ランナに近い側から見た１列目の隣
り合うキャビティに連結される副ランナと、１列目の隣
り合うキャビティの間を通して２列目または３列目以降
のキャビティに連結される副ランナとを有することを特
徴とする成形用金型。 - 【請求項４】請求項１または２に記載のリードフレーム
の各パターンのボンディング部をキャビティに入れてモ
ールド成形する工程を備え、１本のランナから１列目の
キャビティに樹脂を注入すると共に、１列目の隣り合う
キャビティの間を通して２列目または３列目以降のキャ
ビティにも樹脂を注入して、各キャビティ内のボンディ
ング部を樹脂封止するようにしたことを特徴とする半導
体素子の製造方法。 - 【請求項５】リードフレームのパターンのボンディング
部をキャビティに入れてこのキャビティにランナから樹
脂を注入して成形品を形成し、この成形品がランナから
キャビティまでの経路を流れて固化した樹脂で未だ連結
されている状態の半導体素子の半製品において、上記リ
ードフレームが、長さ方向に１列に並んだ複数のパター
ンを幅方向にＮ列（Ｎは偶数で４以上）有し、幅方向の
一端に近い側のＮ／２列間のパターンの位置が長さ方向
に互にずれており、また幅方向の他端に近い側のＮ／２
列間のパターンの位置が長さ方向に互にずれており、上
記固化した樹脂が、リードフレームの幅方向の両端にそ
れぞれ配置されてリードフレームの長さ方向に延びる１
本の主ランナ中で固化した主ランナ樹脂部と、各主ラン
ナ樹脂部からそれぞれ分岐してリードフレームの幅方向
内方に延び、各主ランナ樹脂部に近い側の１列目のキャ
ビティと連通する短副ランナ中で固化した短副ランナ樹
脂部と、各主ランナ樹脂部に近い側の１列目の隣り合う
キャビティの間を通って２列目または３列目以降のキャ
ビティと連通する長副ランナ中で固化した長副ランナ樹
脂部とからなることを特徴とする半導体素子の半製品。 - 【請求項６】リードフレームのパターンのボンディング
部をキャビティに入れてこのキャビティにランナから樹
脂を注入して成形品を形成し、この成形品がランナから
キャビティまでの経路を流れて固化した樹脂で未だ連結
されている状態の半導体素子の半製品において、上記リ
ードフレームが、長さ方向に１列に並んだ複数のパター
ンを幅方向にＭ列（Ｍは自然数で３以上）有し、上記固
化した樹脂が、リードフレームの幅方向の片端に配置さ
れてリードフレームの長さ方向に延びる１本の主ランナ
中で固化した主ランナ樹脂部と、該主ランナ樹脂部から
分岐してリードフレームの幅方向に延びて各列の隣り合
うキャビティの間を通る縦副ランナ中で固化した縦副ラ
ンナ樹脂部と、該縦副ランナ樹脂部から左右に分岐して
各列の隣り合うキャビティと連通する横副ランナ中で固
化した横副ランナ樹脂部とからなることを特徴とする半
導体素子の半製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5667393A JPH06268103A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5667393A JPH06268103A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268103A true JPH06268103A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13033945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5667393A Pending JPH06268103A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268103A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007196586A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2007196587A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2008049595A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板とそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008132759A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-06-12 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2008143144A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2017059846A (ja) * | 2016-11-24 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
| CN107039388A (zh) * | 2013-12-02 | 2017-08-11 | 三菱电机株式会社 | 功率模块的制造方法 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5667393A patent/JPH06268103A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007196586A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2007196587A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2008049595A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板とそれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008132759A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-06-12 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| JP2008143144A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Nitto Denko Corp | 金型再生用シート |
| CN107039388A (zh) * | 2013-12-02 | 2017-08-11 | 三菱电机株式会社 | 功率模块的制造方法 |
| US10332869B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-06-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing power module |
| JP2017059846A (ja) * | 2016-11-24 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940000740B1 (ko) | 레진몰드 반도체의 제조방법 및 장치 | |
| US7214562B2 (en) | Method for encapsulating lead frame packages | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| JPH06268103A (ja) | リードフレーム、成形金型、半導体素子の製造方法および半導体素子の半製品 | |
| US6649447B1 (en) | Methods for plastic injection molding, with particular applicability in facilitating use of high density lead frames | |
| CN105470234A (zh) | 一种sot23引线框架及其封装工艺流程 | |
| KR920005448B1 (ko) | 반도체 소자의 수지봉지장치 및 그것을 사용한 반도체 소자의 수지봉지방법 | |
| US5126824A (en) | Carrier tape and method of manufacturing semiconductor device employing the same | |
| CN210006719U (zh) | 一种密集型引线框架 | |
| US8928157B2 (en) | Encapsulation techniques for leadless semiconductor packages | |
| CN102054716B (zh) | 导线架条的封胶方法与封胶结构 | |
| US6303983B1 (en) | Apparatus for manufacturing resin-encapsulated semiconductor devices | |
| JPH056914A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置およびその樹脂封止方法 | |
| US10896826B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device and lead frame | |
| JP2844239B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4376254B2 (ja) | 半導体搭載用基板と半導体装置および製造方法 | |
| JPH0342495B2 (ja) | ||
| JPH01232733A (ja) | 半導体樹脂封止装置 | |
| CN220041860U (zh) | 一种sop10的idf型引线框架 | |
| JP2598988B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP2545409Y2 (ja) | 半導体素子封入金型 | |
| JPS63143824A (ja) | 成形金型 | |
| JP3317346B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100531423B1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이에 적용되는 몰드다이, 그리고 이를 이용한 패키지 제조장치. | |
| JP3457942B2 (ja) | 半導体樹脂封止用金型 |