JPH06263535A - 圧電磁器 - Google Patents
圧電磁器Info
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- JPH06263535A JPH06263535A JP5071063A JP7106393A JPH06263535A JP H06263535 A JPH06263535 A JP H06263535A JP 5071063 A JP5071063 A JP 5071063A JP 7106393 A JP7106393 A JP 7106393A JP H06263535 A JPH06263535 A JP H06263535A
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- piezoelectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的品質係数Ｑｍ値が小さく、かつ、耐熱
性に優れた圧電磁器であって、特に、群遅延時間特性が
平坦で位相歪が小さく、かつ、表面実装に対応すること
が可能なフィルタ素子用の圧電磁器を得る。 【構成】 一般式：ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、Ｘ＝
０．４６〜０．５４）で表されるチタン酸ジルコン酸鉛
のＰｂ原子の８．０モル％までをＣａ，Ｓｒ，及びＢａ
からなる群より選ばれる少なくとも１種で置換し、さら
に、Ｓｂ，Ｎｂ，Ｗ，及びＴａからなる群より選ばれる
少なくとも１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，及び
Ｔａ2Ｏ5に換算して０．１〜２．９重量％添加した組成
を有する圧電磁器に対して、ＳｎをＳｎＯ2に換算して
０．００５〜２．０重量％含有させる。
性に優れた圧電磁器であって、特に、群遅延時間特性が
平坦で位相歪が小さく、かつ、表面実装に対応すること
が可能なフィルタ素子用の圧電磁器を得る。 【構成】 一般式：ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、Ｘ＝
０．４６〜０．５４）で表されるチタン酸ジルコン酸鉛
のＰｂ原子の８．０モル％までをＣａ，Ｓｒ，及びＢａ
からなる群より選ばれる少なくとも１種で置換し、さら
に、Ｓｂ，Ｎｂ，Ｗ，及びＴａからなる群より選ばれる
少なくとも１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，及び
Ｔａ2Ｏ5に換算して０．１〜２．９重量％添加した組成
を有する圧電磁器に対して、ＳｎをＳｎＯ2に換算して
０．００５〜２．０重量％含有させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック発振子、
セラミックフィルタ、セラミックディスクリミネータな
どの圧電素子、特に、耐熱性が要求される表面実装型の
圧電部品に使用される圧電磁器に関する。
セラミックフィルタ、セラミックディスクリミネータな
どの圧電素子、特に、耐熱性が要求される表面実装型の
圧電部品に使用される圧電磁器に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックフィルタなどに用いられる圧
電磁器（圧電磁器組成物）として、従来より、チタン酸
ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）を主成分と
する圧電磁器が広く用いられており、その圧電特性を改
善するために種々の微量添加物を添加した圧電磁器が用
いられている。
電磁器（圧電磁器組成物）として、従来より、チタン酸
ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）を主成分と
する圧電磁器が広く用いられており、その圧電特性を改
善するために種々の微量添加物を添加した圧電磁器が用
いられている。
【０００３】そして、これらの圧電磁器の中でも、特
に、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、位相歪が小さ
いセラミックフィルタ（圧電フィルタ）用の圧電磁器に
は、機械的品質係数Ｑｍ値の小さいことが要求される。
に、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、位相歪が小さ
いセラミックフィルタ（圧電フィルタ）用の圧電磁器に
は、機械的品質係数Ｑｍ値の小さいことが要求される。
【０００４】ところで、この機械的品質係数Ｑｍ値の小
さい圧電磁器としては、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）に添加物として、酸化ニオブ、
酸化アンチモン、酸化タンタルなどを添加した圧電磁器
や、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）
Ｏ3）のＰｂ原子の一部をＬａなどの希土類元素で置換
した圧電磁器などが知られている。
さい圧電磁器としては、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）に添加物として、酸化ニオブ、
酸化アンチモン、酸化タンタルなどを添加した圧電磁器
や、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）
Ｏ3）のＰｂ原子の一部をＬａなどの希土類元素で置換
した圧電磁器などが知られている。
【０００５】また、上記の圧電磁器の他にも、圧電磁器
に微量成分を拡散させた材料として、Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔ
ｉ0.48）Ｏ3にＳｎを拡散させた材料が報告されている
（特公昭５１−２８３５７）。
に微量成分を拡散させた材料として、Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔ
ｉ0.48）Ｏ3にＳｎを拡散させた材料が報告されている
（特公昭５１−２８３５７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の機
械的品質係数Ｑｍ値の小さい圧電磁器は、アクチュエー
タ用として圧電ｄ定数を増大させたものや、広帯域フィ
ルタ用として電気機械結合係数Ｋを増大させることを主
たる目的とするものが多く、キュリー温度が低く、耐熱
性が不十分なものが多い。
械的品質係数Ｑｍ値の小さい圧電磁器は、アクチュエー
タ用として圧電ｄ定数を増大させたものや、広帯域フィ
ルタ用として電気機械結合係数Ｋを増大させることを主
たる目的とするものが多く、キュリー温度が低く、耐熱
性が不十分なものが多い。
【０００７】また、上記従来の機械的品質係数Ｑｍ値が
小さい圧電磁器は、キュリー温度が高いものであって
も、半田付け工程などで温度上昇を伴う場合において
は、圧電磁器の両端に形成した電極間を短絡させたとき
はよいが、開放したときには、電気機械結合係数Ｋが低
下し、共振・***振周波数が大きくずれてしまうという
問題点がある。
小さい圧電磁器は、キュリー温度が高いものであって
も、半田付け工程などで温度上昇を伴う場合において
は、圧電磁器の両端に形成した電極間を短絡させたとき
はよいが、開放したときには、電気機械結合係数Ｋが低
下し、共振・***振周波数が大きくずれてしまうという
問題点がある。
【０００８】このため、上記従来のＱｍ値が小さい圧電
磁器は、表面実装型のフィルタ素子として使用した場
合、リフロー半田付けの工程で高温（約２５０℃）にさ
らされると、フィルタ特性が大きく劣化するという問題
点がある。
磁器は、表面実装型のフィルタ素子として使用した場
合、リフロー半田付けの工程で高温（約２５０℃）にさ
らされると、フィルタ特性が大きく劣化するという問題
点がある。
【０００９】また、Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3にＳ
ｎを拡散させた材料（特公昭５１−２８３５７）では、
共振・***振周波数の温度特性が悪いという問題点があ
り、フィルタ素子用の材料として用いるには不適当であ
る。
ｎを拡散させた材料（特公昭５１−２８３５７）では、
共振・***振周波数の温度特性が悪いという問題点があ
り、フィルタ素子用の材料として用いるには不適当であ
る。
【００１０】この発明は、上記の問題点を解決するもの
であり、機械的品質係数Ｑｍ値が小さく、かつ、耐熱性
に優れた圧電磁器であって、特に、群遅延時間特性が平
坦で位相歪が小さく、かつ、表面実装に対応することが
可能なフィルタ素子用の圧電磁器を提供することを目的
とする。
であり、機械的品質係数Ｑｍ値が小さく、かつ、耐熱性
に優れた圧電磁器であって、特に、群遅延時間特性が平
坦で位相歪が小さく、かつ、表面実装に対応することが
可能なフィルタ素子用の圧電磁器を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、この発明の圧電磁器は、一般式：ＰｂＺｒ1-XＴ
ｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜０．５４）で表されるチ
タン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子の８．０モル％までをＣ
ａ，Ｓｒ，及びＢａからなる群より選ばれる少なくとも
１種で置換し、さらに、Ｓｂ，Ｎｂ，Ｗ，及びＴａから
なる群より選ばれる少なくとも１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ
2Ｏ5，ＷＯ3，及びＴａ2Ｏ5に換算して０．１〜２．９
重量％添加した組成を有する圧電磁器に対して、Ｓｎを
ＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重量％含有させ
たことを特徴とする。
めに、この発明の圧電磁器は、一般式：ＰｂＺｒ1-XＴ
ｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜０．５４）で表されるチ
タン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子の８．０モル％までをＣ
ａ，Ｓｒ，及びＢａからなる群より選ばれる少なくとも
１種で置換し、さらに、Ｓｂ，Ｎｂ，Ｗ，及びＴａから
なる群より選ばれる少なくとも１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ
2Ｏ5，ＷＯ3，及びＴａ2Ｏ5に換算して０．１〜２．９
重量％添加した組成を有する圧電磁器に対して、Ｓｎを
ＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重量％含有させ
たことを特徴とする。
【００１２】また、この発明の圧電磁器は、前記Ｓｎを
拡散により含有せしめたものであることを特徴とする。
拡散により含有せしめたものであることを特徴とする。
【００１３】また、この発明の圧電磁器は、前記Ｓｎ
が、圧電磁器の粒内部より、粒界層に高濃度で存在して
いることを特徴とする。
が、圧電磁器の粒内部より、粒界層に高濃度で存在して
いることを特徴とする。
【００１４】上記のように、この発明の圧電磁器は、機
械的品質係数Ｑｍ値が小さく、キュリー温度が高い圧電
磁器に対して、Ｓｎを含有させることにより抵抗率を低
下させることを特徴とするものであり、特に、Ｓｎを
（例えば９００〜１２００℃の温度で）圧電磁器中に熱
拡散させ、Ｓｎを粒内部よりも粒界層で高濃度になるよ
うに偏在させることにより、その抵抗率を低下させるよ
うにしたものである。
械的品質係数Ｑｍ値が小さく、キュリー温度が高い圧電
磁器に対して、Ｓｎを含有させることにより抵抗率を低
下させることを特徴とするものであり、特に、Ｓｎを
（例えば９００〜１２００℃の温度で）圧電磁器中に熱
拡散させ、Ｓｎを粒内部よりも粒界層で高濃度になるよ
うに偏在させることにより、その抵抗率を低下させるよ
うにしたものである。
【００１５】
【作用】例えば、分極処理済みの圧電磁器を加熱し、こ
れを室温に戻したときには焦電電荷が発生する。この焦
電電荷による電場は、圧電磁器の分極方向と反対方向に
発生し、圧電磁器の分極の大きさを減少させる。
れを室温に戻したときには焦電電荷が発生する。この焦
電電荷による電場は、圧電磁器の分極方向と反対方向に
発生し、圧電磁器の分極の大きさを減少させる。
【００１６】この発明は、焦電電荷を速やかに消滅さ
せ、圧電磁器の分極の大きさが低下することを防止する
ために、圧電磁器にＳｎを含有させるものであり、特
に、Ｓｎを、例えば９００〜１２００℃の温度で熱拡散
させて含有させることにより、圧電磁器の抵抗率を低下
させ、焦電電荷を速やかに放電させ、分極方向と反対方
向の電場が長時間印加されることを防止するものであ
る。そして、これにより、残留分極の大きさが減少する
ことを抑制し、共振・***振周波数の変化量を減少させ
ることができる。
せ、圧電磁器の分極の大きさが低下することを防止する
ために、圧電磁器にＳｎを含有させるものであり、特
に、Ｓｎを、例えば９００〜１２００℃の温度で熱拡散
させて含有させることにより、圧電磁器の抵抗率を低下
させ、焦電電荷を速やかに放電させ、分極方向と反対方
向の電場が長時間印加されることを防止するものであ
る。そして、これにより、残留分極の大きさが減少する
ことを抑制し、共振・***振周波数の変化量を減少させ
ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の実施例を示して、発明をさ
らに具体的に説明する。まず、圧電磁器の構成材料であ
るＰｂＯ，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5
の各原料を表１に示すような組成となるように秤取し、
これに水を加え、ボールミルを用いて湿式混合する。そ
して、湿式混合により得られた混合物を乾燥した後、８
００〜９００℃で２時間仮焼し、この仮焼材料をボール
ミルを用いて湿式粉砕することにより調整粉末を得た。
らに具体的に説明する。まず、圧電磁器の構成材料であ
るＰｂＯ，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5
の各原料を表１に示すような組成となるように秤取し、
これに水を加え、ボールミルを用いて湿式混合する。そ
して、湿式混合により得られた混合物を乾燥した後、８
００〜９００℃で２時間仮焼し、この仮焼材料をボール
ミルを用いて湿式粉砕することにより調整粉末を得た。
【００１８】そして、この調整粉末に水またはポリビニ
ルアルコールなどの粘結材を添加し、プレス成形を行な
った後、１１５０〜１２５０℃の温度で２時間焼成を行
ない、直径１０mm、厚さ１mmの円板状の磁器を得た。こ
の磁器の表面に、ＳｎＯ2をワニスで練って作製したペ
ーストを塗布し、乾燥させた後、これを９００〜１２０
０℃の温度で２時間加熱して熱拡散処理を施した。その
後、この磁器を厚さ０．５mmに研磨し、両端面（両主
面）に銀電極を焼き付けした後、８０℃の絶縁オイル中
で３０分間、２〜３ｋＶ／mmの電界で分極処理を行ない
圧電磁器（振動子試料）を得た。なお、比較のため、上
記実施例と同様の方法でこの発明の範囲外の圧電磁器
（振動子試料）を作製した。
ルアルコールなどの粘結材を添加し、プレス成形を行な
った後、１１５０〜１２５０℃の温度で２時間焼成を行
ない、直径１０mm、厚さ１mmの円板状の磁器を得た。こ
の磁器の表面に、ＳｎＯ2をワニスで練って作製したペ
ーストを塗布し、乾燥させた後、これを９００〜１２０
０℃の温度で２時間加熱して熱拡散処理を施した。その
後、この磁器を厚さ０．５mmに研磨し、両端面（両主
面）に銀電極を焼き付けした後、８０℃の絶縁オイル中
で３０分間、２〜３ｋＶ／mmの電界で分極処理を行ない
圧電磁器（振動子試料）を得た。なお、比較のため、上
記実施例と同様の方法でこの発明の範囲外の圧電磁器
（振動子試料）を作製した。
【００１９】そして、これらの試料について、比抵抗
ρ，径方向の振動における電気機械結合係数Ｋｐ，機械
的品質係数Ｑｍｐ，及び共振周波数Ｆｒの温度変化率
（Ｆｒ−ＴＣ（温度係数）と表記）を測定した。その結
果を表１に示す。
ρ，径方向の振動における電気機械結合係数Ｋｐ，機械
的品質係数Ｑｍｐ，及び共振周波数Ｆｒの温度変化率
（Ｆｒ−ＴＣ（温度係数）と表記）を測定した。その結
果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】また、振動子試料を２５０℃の恒温槽に３
分間入れて加熱処理を施し、両端電極間を開放させたま
ま取り出した後、約１時間放置し、共振周波数Ｆｒ及び
***振周波数Ｆａの変化量ΔＦｒ，ΔＦａを測定した。
その結果も併せて表１に示す。
分間入れて加熱処理を施し、両端電極間を開放させたま
ま取り出した後、約１時間放置し、共振周波数Ｆｒ及び
***振周波数Ｆａの変化量ΔＦｒ，ΔＦａを測定した。
その結果も併せて表１に示す。
【００２２】なお、表１において、Ａ，Ｙ，Ｘ，Ｂ，
β，αは、下記の式(1)： Ｐｂ1-YＡYＺｒ1-XＴｉXＯ3 ＋ β（wt%）Ｂ ＋ α(wt%)ＳｎＯ2 ……(1) における各成分とその添加割合を示している。すなわ
ち、ＡはＰｂと置換した元素（Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａの
少なくとも１種）の種類，Ｙはその割合（モル比），Ｘ
はＴｉの割合（モル比）を示しており、Ｂは添加したＳ
ｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5の少なくとも１種
の種類，βはその割合（重量％）を示している。また、
αはＳｎＯ2の含有割合（重量％）を示している。
β，αは、下記の式(1)： Ｐｂ1-YＡYＺｒ1-XＴｉXＯ3 ＋ β（wt%）Ｂ ＋ α(wt%)ＳｎＯ2 ……(1) における各成分とその添加割合を示している。すなわ
ち、ＡはＰｂと置換した元素（Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａの
少なくとも１種）の種類，Ｙはその割合（モル比），Ｘ
はＴｉの割合（モル比）を示しており、Ｂは添加したＳ
ｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5の少なくとも１種
の種類，βはその割合（重量％）を示している。また、
αはＳｎＯ2の含有割合（重量％）を示している。
【００２３】表１において、試料No.に*印を付したもの
はこの発明の範囲外の圧電磁器（比較例）を示してい
る。
はこの発明の範囲外の圧電磁器（比較例）を示してい
る。
【００２４】なお、表１に示した試料以外の他の試料を
も含めて検討した結果、Ａ（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）の置換
量Ｙが合計０．０８（すなわち８モル％）を越えるとキ
ュリー温度が低下するとともに、加熱後の共振・***振
周波数の変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大きくなり、耐熱性が
悪化することがわかった。したがって、Ａ（Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ）の置換量Ｙは０．０８（８モル％）以内であ
ることが好ましい。
も含めて検討した結果、Ａ（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）の置換
量Ｙが合計０．０８（すなわち８モル％）を越えるとキ
ュリー温度が低下するとともに、加熱後の共振・***振
周波数の変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大きくなり、耐熱性が
悪化することがわかった。したがって、Ａ（Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ）の置換量Ｙは０．０８（８モル％）以内であ
ることが好ましい。
【００２５】また、Ｂ（Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，
Ｔａ2Ｏ5の少なくとも１種）の添加量βが０．１重量％
未満の場合、Ｆｒの温度変化率Ｆｒ−ＴＣが大きくなる
などの問題があり、また添加量βが２．９重量％を越え
るとキュリー温度が低下し、耐熱性が悪化するため、Ｂ
（Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5の少なくとも
１種）の添加量βは、０．１〜２．９重量％の範囲にあ
ることが好ましい。
Ｔａ2Ｏ5の少なくとも１種）の添加量βが０．１重量％
未満の場合、Ｆｒの温度変化率Ｆｒ−ＴＣが大きくなる
などの問題があり、また添加量βが２．９重量％を越え
るとキュリー温度が低下し、耐熱性が悪化するため、Ｂ
（Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，Ｔａ2Ｏ5の少なくとも
１種）の添加量βは、０．１〜２．９重量％の範囲にあ
ることが好ましい。
【００２６】さらに、Ｔｉの割合（モル比）Ｘが０．５
４を越えると電気機械結合係数Ｋｐが低下し、また、Ｘ
が０．４６未満になるとキュリー温度が低下し、耐熱性
が悪化するため、Ｔｉの割合（モル比）Ｘは０．４６〜
０．５４の範囲にあることが好ましい。
４を越えると電気機械結合係数Ｋｐが低下し、また、Ｘ
が０．４６未満になるとキュリー温度が低下し、耐熱性
が悪化するため、Ｔｉの割合（モル比）Ｘは０．４６〜
０．５４の範囲にあることが好ましい。
【００２７】また、表１より、この発明の範囲外の試料
（試料No.１）とこの発明の実施例の試料（例えば、試
料No.２）を比較すると、実施例の圧電磁器（試料No.
２）は、Ｓｎを含有していない試料（試料No.１）に比
べて、比抵抗（抵抗率）ρが１桁以上小さくなっている
ことがわかる。
（試料No.１）とこの発明の実施例の試料（例えば、試
料No.２）を比較すると、実施例の圧電磁器（試料No.
２）は、Ｓｎを含有していない試料（試料No.１）に比
べて、比抵抗（抵抗率）ρが１桁以上小さくなっている
ことがわかる。
【００２８】これは、拡散により磁器中に含有させたＳ
ｎＯ2が粒界層に偏在しているためである。
ｎＯ2が粒界層に偏在しているためである。
【００２９】そして、比抵抗ρが低下した結果、表１に
示すように、加熱後の共振周波数及び***振周波数の周
波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大幅に小さくなっている。
しかもこの場合、機械的品質係数ＱｍｐはＳｎを含有し
ない試料No.１とほとんど変らず、電気機械結合係数Ｋ
ｐの値は、試料No.１よりもかなり大きくなっており、
この点においても、実施例の圧電磁器はその特性が向上
していることがわかる。
示すように、加熱後の共振周波数及び***振周波数の周
波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大幅に小さくなっている。
しかもこの場合、機械的品質係数ＱｍｐはＳｎを含有し
ない試料No.１とほとんど変らず、電気機械結合係数Ｋ
ｐの値は、試料No.１よりもかなり大きくなっており、
この点においても、実施例の圧電磁器はその特性が向上
していることがわかる。
【００３０】なお、Ｓｎの含有量αがＳｎＯ2に換算し
て０．００５重量％未満の場合、比抵抗（抵抗率）ρや
周波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａなどの特性改善の効果が不
十分であり、また、２．０重量％を越えると機械的品質
係数Ｑｍｐが大きくなったり、周波数変化量ΔＦｒ，Δ
Ｆａが大きくなったりするという問題が生じるため、Ｓ
ｎの含有量αは、ＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．
０重量％の範囲にあることが好ましい。
て０．００５重量％未満の場合、比抵抗（抵抗率）ρや
周波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａなどの特性改善の効果が不
十分であり、また、２．０重量％を越えると機械的品質
係数Ｑｍｐが大きくなったり、周波数変化量ΔＦｒ，Δ
Ｆａが大きくなったりするという問題が生じるため、Ｓ
ｎの含有量αは、ＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．
０重量％の範囲にあることが好ましい。
【００３１】
【発明の効果】上述のように、この発明の圧電磁器は、
一般式：ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜
０．５４）で表されるチタン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子
の８．０モル％までをＣａ，Ｓｒ，及びＢａからなる群
より選ばれる少なくとも１種で置換し、さらに、Ｓｂ，
Ｎｂ，Ｗ，及びＴａからなる群より選ばれる少なくとも
１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，及びＴａ2Ｏ5に
換算して０．１〜２．９重量％添加した組成を有する圧
電磁器に対して、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．００５
〜２．０重量％含有させるようにしているので、電気機
械結合係数Ｋが大きく、かつ、共振周波数及び***振周
波数の温度変化率、及び機械的品質係数Ｑｍの値が小さ
い圧電磁器を得ることができる。
一般式：ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜
０．５４）で表されるチタン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子
の８．０モル％までをＣａ，Ｓｒ，及びＢａからなる群
より選ばれる少なくとも１種で置換し、さらに、Ｓｂ，
Ｎｂ，Ｗ，及びＴａからなる群より選ばれる少なくとも
１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，及びＴａ2Ｏ5に
換算して０．１〜２．９重量％添加した組成を有する圧
電磁器に対して、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．００５
〜２．０重量％含有させるようにしているので、電気機
械結合係数Ｋが大きく、かつ、共振周波数及び***振周
波数の温度変化率、及び機械的品質係数Ｑｍの値が小さ
い圧電磁器を得ることができる。
【００３２】そして、この発明の圧電磁器をセラミック
フィルタ（圧電フィルタ）素子に用いた場合、広い周波
数帯域において、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、
しかも位相歪が小さいという優れた特性を発揮させるこ
とが可能になり、デジタル信号に対してビット誤りを生
じにくくすることが可能になる。したがって、この発明
の圧電磁器は、デジタル対応の圧電フィルタ素子用の材
料として特に有意義である。
フィルタ（圧電フィルタ）素子に用いた場合、広い周波
数帯域において、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、
しかも位相歪が小さいという優れた特性を発揮させるこ
とが可能になり、デジタル信号に対してビット誤りを生
じにくくすることが可能になる。したがって、この発明
の圧電磁器は、デジタル対応の圧電フィルタ素子用の材
料として特に有意義である。
【００３３】また、この発明の圧電磁器は、加熱及び加
熱後の冷却に対する共振周波数及び***振周波数の変化
量が小さいという特徴を有している。
熱後の冷却に対する共振周波数及び***振周波数の変化
量が小さいという特徴を有している。
【００３４】したがって、この発明にかかる圧電磁器
は、リフロー半田などにより表面実装されるフィルタ素
子材料として用いられた場合にも、高温（〜２５０℃）
による特性劣化、特にフィルタの通過帯域のずれ、及び
通過帯域幅の減少割合が小さく、表面実装に十分に対応
することができる。
は、リフロー半田などにより表面実装されるフィルタ素
子材料として用いられた場合にも、高温（〜２５０℃）
による特性劣化、特にフィルタの通過帯域のずれ、及び
通過帯域幅の減少割合が小さく、表面実装に十分に対応
することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式：ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、
Ｘ＝０．４６〜０．５４）で表されるチタン酸ジルコン
酸鉛のＰｂ原子の８．０モル％までをＣａ，Ｓｒ，及び
Ｂａからなる群より選ばれる少なくとも１種で置換し、
さらに、Ｓｂ，Ｎｂ，Ｗ，及びＴａからなる群より選ば
れる少なくとも１種を、Ｓｂ2Ｏ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＷＯ3，
及びＴａ2Ｏ5に換算して０．１〜２．９重量％添加した
組成を有する圧電磁器に対して、ＳｎをＳｎＯ2に換算
して０．００５〜２．０重量％含有させたことを特徴と
する圧電磁器。 - 【請求項２】 前記Ｓｎが、拡散により含有せしめたも
のであることを特徴とする請求項１記載の圧電磁器。 - 【請求項３】 前記Ｓｎが、圧電磁器の粒内部より、粒
界層に高濃度で存在していることを特徴とする請求項１
記載の圧電磁器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07106393A JP3221147B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 圧電磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07106393A JP3221147B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 圧電磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06263535A true JPH06263535A (ja) | 1994-09-20 |
| JP3221147B2 JP3221147B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=13449699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07106393A Expired - Fee Related JP3221147B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 圧電磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221147B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8470273B2 (en) | 2005-01-06 | 2013-06-25 | Taiheiyo Cement Corporation | Device and method for processing cement kiln combustion exhaust |
| CN101247878B (zh) | 2005-08-26 | 2013-05-08 | 太平洋水泥株式会社 | 溶解反应装置及方法 |
| JP5147408B2 (ja) | 2005-10-31 | 2013-02-20 | 太平洋セメント株式会社 | 湿灰のセメント添加装置及び添加方法 |
| TW200730251A (en) | 2005-12-07 | 2007-08-16 | Mitsui Shipbuilding Eng | Apparatus and method for removing unburned carbon from fly ash |
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| CN104496224A (zh) | 2006-12-05 | 2015-04-08 | 太平洋水泥株式会社 | 煤灰的处理方法及处理装置 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP07106393A patent/JP3221147B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3221147B2 (ja) | 2001-10-22 |
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