JP3257129B2 - 圧電磁器 - Google Patents
圧電磁器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック発振子、
セラミックフィルタ、セラミックディスクリミネータな
どの圧電素子、特に、耐熱性が要求される表面実装型の
圧電部品に使用される圧電磁器に関する。
セラミックフィルタ、セラミックディスクリミネータな
どの圧電素子、特に、耐熱性が要求される表面実装型の
圧電部品に使用される圧電磁器に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックフィルタなどに用いられる圧
電磁器（圧電磁器組成物）として、従来より、チタン酸
ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）を主成分と
する圧電磁器が広く用いられており、その圧電特性を改
善するために種々の微量添加物を添加した圧電磁器が用
いられている。
電磁器（圧電磁器組成物）として、従来より、チタン酸
ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）を主成分と
する圧電磁器が広く用いられており、その圧電特性を改
善するために種々の微量添加物を添加した圧電磁器が用
いられている。
【０００３】そして、これらの圧電磁器の中でも、特
に、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、位相歪が小さ
いセラミックフィルタ（圧電フィルタ）用の圧電磁器に
は、機械的品質係数Ｑｍ値の小さいことが要求される。
に、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、位相歪が小さ
いセラミックフィルタ（圧電フィルタ）用の圧電磁器に
は、機械的品質係数Ｑｍ値の小さいことが要求される。
【０００４】ところで、この機械的品質係数Ｑｍ値の小
さい圧電磁器としては、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）に添加物として、酸化ニオブ、
酸化アンチモン、酸化タンタルなどを添加した圧電磁器
や、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）
Ｏ3）のＰｂ原子の一部をＬａなどの希土類元素で置換
した圧電磁器などが知られている。
さい圧電磁器としては、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ
（ＴｉXＺｒ1-X）Ｏ3）に添加物として、酸化ニオブ、
酸化アンチモン、酸化タンタルなどを添加した圧電磁器
や、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉXＺｒ1-X）
Ｏ3）のＰｂ原子の一部をＬａなどの希土類元素で置換
した圧電磁器などが知られている。
【０００５】また、上記の圧電磁器の他にも、圧電磁器
に微量成分を拡散させた材料として、Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔ
ｉ0.48）Ｏ3にＳｎを拡散させた材料が報告されている
（特公昭５１−２８３５７）。
に微量成分を拡散させた材料として、Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔ
ｉ0.48）Ｏ3にＳｎを拡散させた材料が報告されている
（特公昭５１−２８３５７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の機
械的品質係数Ｑｍ値の小さい圧電磁器は、アクチュエー
タ用として圧電ｄ定数を増大させたものや、広帯域フィ
ルタ用として電気機械結合係数Ｋを増大させることを主
たる目的とするものが多く、キュリー温度が低く、耐熱
性が不十分なものが多い。
械的品質係数Ｑｍ値の小さい圧電磁器は、アクチュエー
タ用として圧電ｄ定数を増大させたものや、広帯域フィ
ルタ用として電気機械結合係数Ｋを増大させることを主
たる目的とするものが多く、キュリー温度が低く、耐熱
性が不十分なものが多い。
【０００７】また、上記従来の機械的品質係数Ｑｍ値が
小さい圧電磁器は、キュリー温度が高いものであって
も、半田付け工程などで温度上昇を伴う場合において
は、圧電磁器の両端に形成した電極間を短絡させたとき
はよいが、開放したときには、電気機械結合係数Ｋが低
下し、共振・***振周波数が大きくずれてしまうという
問題点がある。
小さい圧電磁器は、キュリー温度が高いものであって
も、半田付け工程などで温度上昇を伴う場合において
は、圧電磁器の両端に形成した電極間を短絡させたとき
はよいが、開放したときには、電気機械結合係数Ｋが低
下し、共振・***振周波数が大きくずれてしまうという
問題点がある。
【０００８】このため、上記従来のＱｍ値が小さい圧電
磁器は、表面実装型のフィルタ素子として使用した場
合、リフロー半田付けの工程で高温（約２５０℃）にさ
らされると、フィルタ特性が大きく劣化するという問題
点がある。
磁器は、表面実装型のフィルタ素子として使用した場
合、リフロー半田付けの工程で高温（約２５０℃）にさ
らされると、フィルタ特性が大きく劣化するという問題
点がある。
【０００９】また、Ｐｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3にＳ
ｎを拡散させた材料（特公昭５１−２８３５７）では、
共振・***振周波数の温度特性が悪いという問題点があ
り、フィルタ素子用の材料として用いるには不適当であ
る。
ｎを拡散させた材料（特公昭５１−２８３５７）では、
共振・***振周波数の温度特性が悪いという問題点があ
り、フィルタ素子用の材料として用いるには不適当であ
る。
【００１０】この発明は、上記の問題点を解決するもの
であり、機械的品質係数Ｑｍ値が小さく、かつ、耐熱性
に優れた圧電磁器であって、特に、群遅延時間特性が平
坦で位相歪が小さく、かつ、表面実装に対応することが
可能なフィルタ素子用の圧電磁器を提供することを目的
とする。
であり、機械的品質係数Ｑｍ値が小さく、かつ、耐熱性
に優れた圧電磁器であって、特に、群遅延時間特性が平
坦で位相歪が小さく、かつ、表面実装に対応することが
可能なフィルタ素子用の圧電磁器を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、この発明の圧電磁器は、一般式：ＰｂＺｒ1-XＴ
ｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜０．５４）で表されるチ
タン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子の０．１〜５．０モル％
を、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，及びＧｄか
らなる群より選ばれる少なくとも１種で置換し、さら
に、Ｐｂ原子の８モル％までを、Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａ
からなる群より選ばれる少なくとも１種で置換した組成
を有する圧電磁器に、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０
０５〜２．０重量％含有させた圧電磁器であって、前記
Ｓｎを、拡散により含有せしめたものであることを特徴
とする。
めに、この発明の圧電磁器は、一般式：ＰｂＺｒ1-XＴ
ｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜０．５４）で表されるチ
タン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子の０．１〜５．０モル％
を、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，及びＧｄか
らなる群より選ばれる少なくとも１種で置換し、さら
に、Ｐｂ原子の８モル％までを、Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａ
からなる群より選ばれる少なくとも１種で置換した組成
を有する圧電磁器に、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．０
０５〜２．０重量％含有させた圧電磁器であって、前記
Ｓｎを、拡散により含有せしめたものであることを特徴
とする。
【００１２】また、この発明の圧電磁器は、前記Ｓｎ
が、圧電磁器の粒内部より、粒界層に高濃度で存在して
いることを特徴とする。
が、圧電磁器の粒内部より、粒界層に高濃度で存在して
いることを特徴とする。
【００１３】上記のように、この発明の圧電磁器は、機
械的品質係数Ｑｍ値が小さく、キュリー温度が高い圧電
磁器に、拡散によりＳｎを含有させることにより、抵抗
率を低下させることを特徴とするものであり、特にＳｎ
を（例えば９００〜１２００℃の温度で）圧電磁器中に
拡散させ、Ｓｎを粒内部よりも粒界層で高濃度になるよ
うに偏在させることにより、その抵抗率を低下させるよ
うにしたものである。
械的品質係数Ｑｍ値が小さく、キュリー温度が高い圧電
磁器に、拡散によりＳｎを含有させることにより、抵抗
率を低下させることを特徴とするものであり、特にＳｎ
を（例えば９００〜１２００℃の温度で）圧電磁器中に
拡散させ、Ｓｎを粒内部よりも粒界層で高濃度になるよ
うに偏在させることにより、その抵抗率を低下させるよ
うにしたものである。
【００１４】
【作用】例えば、分極処理済みの圧電磁器を加熱し、こ
れを室温に戻したときには焦電電荷が発生する。この焦
電電荷による電場は、圧電磁器の分極方向と反対方向に
発生し、圧電磁器の分極の大きさを減少させる。
れを室温に戻したときには焦電電荷が発生する。この焦
電電荷による電場は、圧電磁器の分極方向と反対方向に
発生し、圧電磁器の分極の大きさを減少させる。
【００１５】この発明は、焦電電荷を速やかに消滅さ
せ、圧電磁器の分極の大きさが低下することを防止する
ために、圧電磁器にＳｎを含有させるものであって、Ｓ
ｎを、例えば９００〜１２００℃の温度で熱拡散させて
含有させることにより、圧電磁器の抵抗率を低下させ、
焦電電荷を速やかに放電させ、分極方向と反対方向の電
場が長時間印加されることを防止するようにしている。
そして、これにより、残留分極の大きさが減少すること
を抑制し、共振・***振周波数の変化量を減少させるよ
うにしている。
せ、圧電磁器の分極の大きさが低下することを防止する
ために、圧電磁器にＳｎを含有させるものであって、Ｓ
ｎを、例えば９００〜１２００℃の温度で熱拡散させて
含有させることにより、圧電磁器の抵抗率を低下させ、
焦電電荷を速やかに放電させ、分極方向と反対方向の電
場が長時間印加されることを防止するようにしている。
そして、これにより、残留分極の大きさが減少すること
を抑制し、共振・***振周波数の変化量を減少させるよ
うにしている。
【００１６】
【実施例】以下に、この発明の実施例を示して、その特
徴をさらに具体的に説明する。まず、圧電磁器の構成材
料であるＰｂＯ，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，
Ｌａ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｐｒ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｓｍ2Ｏ3，
Ｅｕ2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，の各原料を表
１に示すような組成となるように秤取し、これに水を加
え、ボールミルを用いて湿式混合する。そして、湿式混
合により得られた混合物を乾燥した後、８００〜９００
℃で２時間仮焼し、この仮焼材料をボールミルを用いて
湿式粉砕することにより調整粉末を得た。
徴をさらに具体的に説明する。まず、圧電磁器の構成材
料であるＰｂＯ，ＳｒＣＯ3，ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，
Ｌａ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｐｒ2Ｏ3，Ｎｄ2Ｏ3，Ｓｍ2Ｏ3，
Ｅｕ2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2，の各原料を表
１に示すような組成となるように秤取し、これに水を加
え、ボールミルを用いて湿式混合する。そして、湿式混
合により得られた混合物を乾燥した後、８００〜９００
℃で２時間仮焼し、この仮焼材料をボールミルを用いて
湿式粉砕することにより調整粉末を得た。
【００１７】そして、この調整粉末に水またはポリビニ
ルアルコールなどの粘結材を添加し、プレス成形を行な
った後、１１５０〜１２５０℃の温度で２時間焼成を行
ない、直径１０mm、厚さ１mmの円板状の磁器を得た。こ
の磁器の表面に、ＳｎＯ2をワニスで練って作製したペ
ーストを塗布し、乾燥させた後、これを９００〜１２０
０℃の温度で２時間加熱して熱拡散処理を施した。その
後、この磁器を厚さ０．５mmに研磨し、両端面（両主
面）に銀電極を焼き付けした後、８０℃の絶縁オイル中
で３０分間、２〜３ｋＶ／mmの電界で分極処理を行ない
圧電磁器（振動子試料）を得た。なお、比較のため、上
記実施例と同様の方法でこの発明の範囲外の圧電磁器
（振動子試料）を作製した。
ルアルコールなどの粘結材を添加し、プレス成形を行な
った後、１１５０〜１２５０℃の温度で２時間焼成を行
ない、直径１０mm、厚さ１mmの円板状の磁器を得た。こ
の磁器の表面に、ＳｎＯ2をワニスで練って作製したペ
ーストを塗布し、乾燥させた後、これを９００〜１２０
０℃の温度で２時間加熱して熱拡散処理を施した。その
後、この磁器を厚さ０．５mmに研磨し、両端面（両主
面）に銀電極を焼き付けした後、８０℃の絶縁オイル中
で３０分間、２〜３ｋＶ／mmの電界で分極処理を行ない
圧電磁器（振動子試料）を得た。なお、比較のため、上
記実施例と同様の方法でこの発明の範囲外の圧電磁器
（振動子試料）を作製した。
【００１８】そして、これらの試料について、比抵抗
ρ，径方向の振動における電気機械結合係数Ｋｐ，機械
的品質係数Ｑｍｐ，及び共振周波数Ｆｒの温度変化率
（Ｆｒ−ＴＣ（温度係数）と表記）を測定した。その結
果を表１に示す。
ρ，径方向の振動における電気機械結合係数Ｋｐ，機械
的品質係数Ｑｍｐ，及び共振周波数Ｆｒの温度変化率
（Ｆｒ−ＴＣ（温度係数）と表記）を測定した。その結
果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】また、振動子試料を２５０℃の恒温槽に３
分間入れて加熱処理を施し、両端電極間を開放させたま
ま取り出した後、約１時間放置し、共振周波数Ｆｒ及び
***振周波数Ｆａの変化量ΔＦｒ，ΔＦａを測定した。
その結果も併せて表１に示す。
分間入れて加熱処理を施し、両端電極間を開放させたま
ま取り出した後、約１時間放置し、共振周波数Ｆｒ及び
***振周波数Ｆａの変化量ΔＦｒ，ΔＦａを測定した。
その結果も併せて表１に示す。
【００２１】なお、表１において、Ａ，Ｗ，Ｂ，Ｙ，
Ｘ，αはそれぞれ、下記の式(1)： Ｐｂ1-W-YＡWＢYＺｒ1-XＴｉXＯ3 ＋ α(wt%)ＳｎＯ2 ……(1) における各成分とその添加割合を示している。すなわ
ち、ＡはＰｂと置換した元素（Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａの
少なくとも１種）の種類，Ｗはその割合（モル比）を示
しており、ＢはＰｂと置換した元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，及びＧｄの少なくとも１種）の
種類，Ｙはその割合（モル比）を示している。また、Ｘ
はＴｉの割合（モル比）を示しており、αはＳｎＯ2の
含有割合（重量％）を示している。
Ｘ，αはそれぞれ、下記の式(1)： Ｐｂ1-W-YＡWＢYＺｒ1-XＴｉXＯ3 ＋ α(wt%)ＳｎＯ2 ……(1) における各成分とその添加割合を示している。すなわ
ち、ＡはＰｂと置換した元素（Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａの
少なくとも１種）の種類，Ｗはその割合（モル比）を示
しており、ＢはＰｂと置換した元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，及びＧｄの少なくとも１種）の
種類，Ｙはその割合（モル比）を示している。また、Ｘ
はＴｉの割合（モル比）を示しており、αはＳｎＯ2の
含有割合（重量％）を示している。
【００２２】表１において、試料No.に*印を付したもの
はこの発明の範囲外の圧電磁器（比較例）を示してい
る。
はこの発明の範囲外の圧電磁器（比較例）を示してい
る。
【００２３】なお、表１に示した試料以外の他の試料を
も含めて検討した結果、Ａ（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）の置換
量Ｗが合計０．０８（すなわち、８モル％）を越えると
キュリー温度が低下するとともに、加熱後の共振・***
振周波数の変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大きくなり、耐熱性
が悪化することがわかった。したがって、Ａ（Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ）の置換量Ｗは０．０８（８モル％）以内であ
ることが好ましい。
も含めて検討した結果、Ａ（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）の置換
量Ｗが合計０．０８（すなわち、８モル％）を越えると
キュリー温度が低下するとともに、加熱後の共振・***
振周波数の変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大きくなり、耐熱性
が悪化することがわかった。したがって、Ａ（Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ）の置換量Ｗは０．０８（８モル％）以内であ
ることが好ましい。
【００２４】また、Ｂ（Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ）の置換量Ｙが０．００１（すなわち、０．１
モル％）未満の場合、Ｆｒの温度変化率Ｆｒ−ＴＣが大
きくなるなどの問題があり、また、置換量Ｙが０．０５
（５．０モル％）を越えるとキュリー温度が低下し、耐
熱性が悪化するため、Ｂ（Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ）の置換量Ｙは、０．００１〜０．０５（０．
１〜５．０モル％）の範囲にあることが好ましい。
ｕ，Ｇｄ）の置換量Ｙが０．００１（すなわち、０．１
モル％）未満の場合、Ｆｒの温度変化率Ｆｒ−ＴＣが大
きくなるなどの問題があり、また、置換量Ｙが０．０５
（５．０モル％）を越えるとキュリー温度が低下し、耐
熱性が悪化するため、Ｂ（Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ）の置換量Ｙは、０．００１〜０．０５（０．
１〜５．０モル％）の範囲にあることが好ましい。
【００２５】さらに、Ｔｉの割合Ｘが０．５４を越える
と電気機械結合係数Ｋｐが低下し、また、Ｘが０．４６
未満になるとキュリー温度が低下し、耐熱性が悪化する
ため、Ｔｉの割合Ｘは、０．４６〜０．５４（すなわ
ち、４６〜５４モル％）の範囲にあることが好ましい。
と電気機械結合係数Ｋｐが低下し、また、Ｘが０．４６
未満になるとキュリー温度が低下し、耐熱性が悪化する
ため、Ｔｉの割合Ｘは、０．４６〜０．５４（すなわ
ち、４６〜５４モル％）の範囲にあることが好ましい。
【００２６】また、表１より、この発明の範囲外の試料
（試料No.１）とこの発明の実施例の試料（例えば、試
料No.２）を比較すると、実施例の圧電磁器（試料No.
２）は、Ｓｎを含有していない試料（試料No.１）に比
べて、比抵抗（抵抗率）ρが１桁以上小さくなっている
ことがわかる。
（試料No.１）とこの発明の実施例の試料（例えば、試
料No.２）を比較すると、実施例の圧電磁器（試料No.
２）は、Ｓｎを含有していない試料（試料No.１）に比
べて、比抵抗（抵抗率）ρが１桁以上小さくなっている
ことがわかる。
【００２７】これは、拡散により磁器中に含有させたＳ
ｎＯ2が粒界層に偏在しているためである。
ｎＯ2が粒界層に偏在しているためである。
【００２８】そして、比抵抗ρが低下した結果、表１に
示すように、加熱後の共振周波数及び***振周波数の周
波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大幅に小さくなっている。
しかもこの場合、機械的品質係数ＱｍｐはＳｎを含有し
ない試料No.１とほとんど変らず、電気機械結合係数Ｋ
ｐの値は、試料No.１よりもかなり大きくなっており、
この点においても、実施例の圧電磁器はその特性が向上
していることがわかる。
示すように、加熱後の共振周波数及び***振周波数の周
波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａが大幅に小さくなっている。
しかもこの場合、機械的品質係数ＱｍｐはＳｎを含有し
ない試料No.１とほとんど変らず、電気機械結合係数Ｋ
ｐの値は、試料No.１よりもかなり大きくなっており、
この点においても、実施例の圧電磁器はその特性が向上
していることがわかる。
【００２９】なお、Ｓｎの含有量がＳｎＯ2に換算して
０．００５重量％未満の場合、比抵抗（抵抗率）ρや周
波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａなどの特性改善の効果が不十
分であり、また、２．０重量％を越えると機械的品質係
数Ｑｍｐが大きくなったり、周波数変化量ΔＦｒ，ΔＦ
ａが大きくなったりするという問題が生じるため、Ｓｎ
の含有量は、ＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重
量％の範囲にあることが好ましい。
０．００５重量％未満の場合、比抵抗（抵抗率）ρや周
波数変化量ΔＦｒ，ΔＦａなどの特性改善の効果が不十
分であり、また、２．０重量％を越えると機械的品質係
数Ｑｍｐが大きくなったり、周波数変化量ΔＦｒ，ΔＦ
ａが大きくなったりするという問題が生じるため、Ｓｎ
の含有量は、ＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重
量％の範囲にあることが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、この発明の圧電磁器は、
ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜０．５
４）で表されるチタン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子の０．
１〜５．０モル％を、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，
Ｅｕ，及びＧｄからなる群より選ばれる少なくとも１種
で置換し、さらに、Ｐｂ原子の８モル％までを、Ｃａ，
Ｓｒ，及びＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種
で置換した組成を有する圧電磁器に、拡散により、Ｓｎ
をＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重量％含有さ
せるようにしているので、電気機械結合係数Ｋが大き
く、かつ、共振周波数及び***振周波数の温度変化率、
及び機械的品質係数Ｑｍの値が小さい圧電磁器を得るこ
とができる。
ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、Ｘ＝０．４６〜０．５
４）で表されるチタン酸ジルコン酸鉛のＰｂ原子の０．
１〜５．０モル％を、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，
Ｅｕ，及びＧｄからなる群より選ばれる少なくとも１種
で置換し、さらに、Ｐｂ原子の８モル％までを、Ｃａ，
Ｓｒ，及びＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種
で置換した組成を有する圧電磁器に、拡散により、Ｓｎ
をＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重量％含有さ
せるようにしているので、電気機械結合係数Ｋが大き
く、かつ、共振周波数及び***振周波数の温度変化率、
及び機械的品質係数Ｑｍの値が小さい圧電磁器を得るこ
とができる。
【００３１】そして、この発明の圧電磁器をセラミック
フィルタ（圧電フィルタ）素子に用いた場合、広い周波
数帯域において、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、
しかも位相歪が小さいという優れた特性を発揮させるこ
とが可能になり、デジタル信号に対してビット誤りを生
じにくくすることが可能になる。したがって、この発明
の圧電磁器は、デジタル対応の圧電フィルタ素子用の材
料として特に有意義である。
フィルタ（圧電フィルタ）素子に用いた場合、広い周波
数帯域において、群遅延時間（ＧＤＴ）特性が平坦で、
しかも位相歪が小さいという優れた特性を発揮させるこ
とが可能になり、デジタル信号に対してビット誤りを生
じにくくすることが可能になる。したがって、この発明
の圧電磁器は、デジタル対応の圧電フィルタ素子用の材
料として特に有意義である。
【００３２】また、この発明の圧電磁器は、加熱及び加
熱後の冷却に対する共振周波数及び***振周波数の変化
量が小さいという特徴を有している。
熱後の冷却に対する共振周波数及び***振周波数の変化
量が小さいという特徴を有している。
【００３３】したがって、この発明にかかる圧電磁器
は、リフロー半田などにより表面実装されるフィルタ素
子材料として用いられた場合にも、高温（〜２５０℃）
による特性劣化、特にフィルタの通過帯域のずれ、及び
通過帯域幅の減少割合が小さく、表面実装に十分に対応
することができる。
は、リフロー半田などにより表面実装されるフィルタ素
子材料として用いられた場合にも、高温（〜２５０℃）
による特性劣化、特にフィルタの通過帯域のずれ、及び
通過帯域幅の減少割合が小さく、表面実装に十分に対応
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−137056（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−1655（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−1656（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−1657（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式：ＰｂＺｒ1-XＴｉXＯ3（但し、
Ｘ＝０．４６〜０．５４）で表されるチタン酸ジルコン
酸鉛のＰｂ原子の０．１〜５．０モル％を、Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，及びＧｄからなる群より
選ばれる少なくとも１種で置換し、さらに、Ｐｂ原子の
８モル％までを、Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａからなる群より
選ばれる少なくとも１種で置換した組成を有する圧電磁
器に、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．００５〜２．０重
量％含有させた圧電磁器であって、前記Ｓｎを、拡散に
より含有せしめたものであることを特徴とする圧電磁
器。 - 【請求項２】 前記Ｓｎが、圧電磁器の粒内部より、粒
界層に高濃度で存在していることを特徴とする請求項１
記載の圧電磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07106293A JP3257129B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 圧電磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07106293A JP3257129B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 圧電磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06263534A JPH06263534A (ja) | 1994-09-20 |
| JP3257129B2 true JP3257129B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=13449668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07106293A Expired - Fee Related JP3257129B2 (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 圧電磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257129B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111747740B (zh) * | 2020-06-28 | 2022-06-10 | 安徽容知日新科技股份有限公司 | 钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷及其制备方法 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP07106293A patent/JP3257129B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06263534A (ja) | 1994-09-20 |
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