JPH06258661A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06258661A JPH06258661A JP4145793A JP4145793A JPH06258661A JP H06258661 A JPH06258661 A JP H06258661A JP 4145793 A JP4145793 A JP 4145793A JP 4145793 A JP4145793 A JP 4145793A JP H06258661 A JPH06258661 A JP H06258661A
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- Japan
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- driver
- interlayer insulating
- insulating film
- pixel
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機薄膜を用いた層間絶縁膜上に画素電極を
形成した液晶表示装置に於いて、ドライバーの信頼性を
低下させる事無く対向基板間距離を一定に保ち、かつ基
板の小型化を図る事を目的とする。 【構成】 有機薄膜上に画素電極を形成し、同時にシー
ル部よりも画素表示部寄りに形成したドライバー上、及
びシール部にも有機薄膜を形成する。
形成した液晶表示装置に於いて、ドライバーの信頼性を
低下させる事無く対向基板間距離を一定に保ち、かつ基
板の小型化を図る事を目的とする。 【構成】 有機薄膜上に画素電極を形成し、同時にシー
ル部よりも画素表示部寄りに形成したドライバー上、及
びシール部にも有機薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜上に画素電極を形成したことを
特徴とする従来例としては、特公平１−３５３５１号の
ようなものが上げられる。この例では画素電極としてア
ルミニウムを用い、反射型液晶表示装置の構成としてい
る。
特徴とする従来例としては、特公平１−３５３５１号の
ようなものが上げられる。この例では画素電極としてア
ルミニウムを用い、反射型液晶表示装置の構成としてい
る。
【０００３】また一般にドライバーをアクティブマトリ
クス基板に内蔵する場合、特開昭６４−６８７２５号の
ごとくドライバーは基板間の接着部（以下シール部と称
する）よりも画素部に対して外側に配置され、かつドラ
イバーの耐湿性向上のためポリイミド等の有機樹脂膜で
封止してある。
クス基板に内蔵する場合、特開昭６４−６８７２５号の
ごとくドライバーは基板間の接着部（以下シール部と称
する）よりも画素部に対して外側に配置され、かつドラ
イバーの耐湿性向上のためポリイミド等の有機樹脂膜で
封止してある。
【０００４】対向する基板間距離を制御する方法として
は対角１インチ程度の小型基板であれば接着部のみにス
ペーサーを配置して５〜６μｍ程度の基板間距離を確保
するようになっている。一方対角１インチ以上の中型か
ら大型の基板になると接着部のみで基板間距離を制御す
る事は困難であるため、基板間に液晶を注入する際に同
時にスペーサーを注入する。
は対角１インチ程度の小型基板であれば接着部のみにス
ペーサーを配置して５〜６μｍ程度の基板間距離を確保
するようになっている。一方対角１インチ以上の中型か
ら大型の基板になると接着部のみで基板間距離を制御す
る事は困難であるため、基板間に液晶を注入する際に同
時にスペーサーを注入する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】接着部の構造に関し、
前記従来例では画素部と接着部で基板間距離が極端に異
なる場合、画素部と接着部の境界近傍では一定の基板間
距離を維持する事が困難であると言う課題を有する。
前記従来例では画素部と接着部で基板間距離が極端に異
なる場合、画素部と接着部の境界近傍では一定の基板間
距離を維持する事が困難であると言う課題を有する。
【０００６】またドライバーが外側に配置されていると
ドライバー用のスペースが必要であり、結果として基板
面積の増大を招くと言う課題も有する。
ドライバー用のスペースが必要であり、結果として基板
面積の増大を招くと言う課題も有する。
【０００７】本発明の目的は、ドライバーの信頼性を低
下させる事無く、セルギャップの均一性を確保する事
と、省スペース化の出来る液晶表示装置の構造を提供す
る事にある。
下させる事無く、セルギャップの均一性を確保する事
と、省スペース化の出来る液晶表示装置の構造を提供す
る事にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はドライバー内蔵
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置において、ア
クティブマトリクス基板はゲート配線とソース配線を層
間分離する第一の層間絶縁膜と、ソース配線と画素電極
を層間分離する第二の層間絶縁膜とを備え、ドライバー
を対向する２枚の基板の接着部よりも画素表示部寄り配
置することと、第一及び第二の層間絶縁膜は前記ドライ
バー上及び対向基板との接着部にも形成することと、前
記ドライバー上の層間絶縁膜上にはＩＴＯなどの導電性
薄膜を形成することと、対向する基板のドライバーに対
応する位置にも対向電極である導電性薄膜を形成する事
を特徴とする。
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置において、ア
クティブマトリクス基板はゲート配線とソース配線を層
間分離する第一の層間絶縁膜と、ソース配線と画素電極
を層間分離する第二の層間絶縁膜とを備え、ドライバー
を対向する２枚の基板の接着部よりも画素表示部寄り配
置することと、第一及び第二の層間絶縁膜は前記ドライ
バー上及び対向基板との接着部にも形成することと、前
記ドライバー上の層間絶縁膜上にはＩＴＯなどの導電性
薄膜を形成することと、対向する基板のドライバーに対
応する位置にも対向電極である導電性薄膜を形成する事
を特徴とする。
【０００９】
【実施例】本発明による一実施例の液晶表示装置の平面
図を図１に示し、そのＡ−Ａ’間における断面図を図２
に示す。絶縁性基板１０１上に導電性半導体、真性半導
体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、第一の層
間絶縁膜１１３からなる画素スイッチング用ＴＦＴ（以
下画素ＴＦＴと称す）１０２及び前記画素ＴＦＴ群の駆
動用ＴＦＴ（以下ドライバーと称す）１０３を同時に形
成する。次に第二層間絶縁膜１０４として例えばポリイ
ミドを２μｍ程度の膜厚となるように塗布する。前記ポ
リイミドを乾燥後、クロム薄膜を１０００Å程度堆積
し、パターニングしてエッチングマスク１０５とする。
この後ドライエッチング法にて層間絶縁膜１０４をパタ
ーニングする。このとき第二層間絶縁膜１０４の被エッ
チング部分は、画素ＴＦＴの画素電極接続部と、対向電
極とアクティブマトリクス基板との導通部、及びアクテ
ィブマトリクス基板の端子部とする。エッチング終了後
エッチングマスク１０５を剥離し、画素電極１０６をＩ
ＴＯで形成する。このとき第二層間絶縁膜１０４上のド
ライバー部に対応する位置にもＩＴＯを形成し、シール
ド１１２とする。次に絶縁性基板１０１と対向基板１０
７を接着部（以下シール部と称す）１１０で接着するが
その際ギャップ材を混入した接着剤で接着する。最後に
ギャップ材を混入した液晶を封入する。
図を図１に示し、そのＡ−Ａ’間における断面図を図２
に示す。絶縁性基板１０１上に導電性半導体、真性半導
体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、第一の層
間絶縁膜１１３からなる画素スイッチング用ＴＦＴ（以
下画素ＴＦＴと称す）１０２及び前記画素ＴＦＴ群の駆
動用ＴＦＴ（以下ドライバーと称す）１０３を同時に形
成する。次に第二層間絶縁膜１０４として例えばポリイ
ミドを２μｍ程度の膜厚となるように塗布する。前記ポ
リイミドを乾燥後、クロム薄膜を１０００Å程度堆積
し、パターニングしてエッチングマスク１０５とする。
この後ドライエッチング法にて層間絶縁膜１０４をパタ
ーニングする。このとき第二層間絶縁膜１０４の被エッ
チング部分は、画素ＴＦＴの画素電極接続部と、対向電
極とアクティブマトリクス基板との導通部、及びアクテ
ィブマトリクス基板の端子部とする。エッチング終了後
エッチングマスク１０５を剥離し、画素電極１０６をＩ
ＴＯで形成する。このとき第二層間絶縁膜１０４上のド
ライバー部に対応する位置にもＩＴＯを形成し、シール
ド１１２とする。次に絶縁性基板１０１と対向基板１０
７を接着部（以下シール部と称す）１１０で接着するが
その際ギャップ材を混入した接着剤で接着する。最後に
ギャップ材を混入した液晶を封入する。
【００１０】以上の実施例ではエッチングマスクとして
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
クロムを用いたが、エッチングマスクになるものなら例
えば窒化ケイ素膜や二酸化ケイ素膜のような別の材料で
もかまわない。
【００１１】さらにエッチングマスクの除去は必ずしも
必要ではなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、第二層間絶
縁膜へのダメージを更に低減できる。またエッチングマ
スクのパターニング後、フォトレジストの剥離を行うと
第二層間絶縁膜１０４のエッチング時に、エッチングマ
スクがエッチングガスに曝されてダメージを受け易くな
るため、前記フォトレジストは剥離しないまま第二層間
絶縁膜のエッチングを行うのが望ましい。
必要ではなく、エッチングマスクを介して層間絶縁膜の
上層に画素電極を形成する事も可能である。この場合エ
ッチングマスク剥離工程の削除を伴うので、第二層間絶
縁膜へのダメージを更に低減できる。またエッチングマ
スクのパターニング後、フォトレジストの剥離を行うと
第二層間絶縁膜１０４のエッチング時に、エッチングマ
スクがエッチングガスに曝されてダメージを受け易くな
るため、前記フォトレジストは剥離しないまま第二層間
絶縁膜のエッチングを行うのが望ましい。
【００１２】また画素電極も例えばアルミニウムが使え
るなどＩＴＯには限らない。
るなどＩＴＯには限らない。
【００１３】以上が本発明の一実施例であるが、シール
部１１０にも第一層間絶縁膜１１３と第二層間絶縁膜１
０４が形成されているため画素部１１２とシール部１１
０の段差は殆ど無い。従ってシール部のギャップ材と画
素部のギャップ材を変更する必要がなく、セルギャップ
の均一性制御が容易になる。
部１１０にも第一層間絶縁膜１１３と第二層間絶縁膜１
０４が形成されているため画素部１１２とシール部１１
０の段差は殆ど無い。従ってシール部のギャップ材と画
素部のギャップ材を変更する必要がなく、セルギャップ
の均一性制御が容易になる。
【００１４】同時にドライバー１０３はシール部１１０
より内側である画素表示部側にあるためわざわざドライ
バー用のスペースを確保する必要がなく省スペース化が
はかれる。さらにドライバー１０３上の第二層間絶縁膜
１０４を除去せずに済むためドライバーはエッチングに
よるダメージを受けない。また従来の構造では最終的に
ポリイミドからなるドライバー保護膜１１４を形成して
ドライバーを封止する必要があったが本発明を用いると
すでに第二層間絶縁膜１０４で覆われているのでさらな
る封止は不必要となる。
より内側である画素表示部側にあるためわざわざドライ
バー用のスペースを確保する必要がなく省スペース化が
はかれる。さらにドライバー１０３上の第二層間絶縁膜
１０４を除去せずに済むためドライバーはエッチングに
よるダメージを受けない。また従来の構造では最終的に
ポリイミドからなるドライバー保護膜１１４を形成して
ドライバーを封止する必要があったが本発明を用いると
すでに第二層間絶縁膜１０４で覆われているのでさらな
る封止は不必要となる。
【００１５】またＩＴＯなどの導電性薄膜であるシール
ド１１２がドライバー上の第二層間絶縁膜１０４上に存
在するため接着剤や有機薄膜の分極によるドライバーの
信頼性低下を招かない。
ド１１２がドライバー上の第二層間絶縁膜１０４上に存
在するため接着剤や有機薄膜の分極によるドライバーの
信頼性低下を招かない。
【００１６】さらに共通電位に落とされている対向電極
が液晶層を介してドライバー上に位置的に重なっている
ことにより、電場シールド効果が増す。従って外部電場
がかかってもドライバーやドライバー周辺の配線への悪
影響は低減可能であり、結果として表示品質への影響は
少なくなる。
が液晶層を介してドライバー上に位置的に重なっている
ことにより、電場シールド効果が増す。従って外部電場
がかかってもドライバーやドライバー周辺の配線への悪
影響は低減可能であり、結果として表示品質への影響は
少なくなる。
【００１７】
【発明の効果】本発明を用いれば、ドライバーはシール
部よりも画素表示部寄りにあるため省スペース化が図れ
る。またドライバー上には画素部と共に同じ膜厚の層間
絶縁膜を形成するのでドライバーに液晶が直接触れる事
はない。またシール部にも画素部と同一膜厚の層間絶縁
膜が存在するため画素部とシール部の段差は殆どなく、
従って画素部とシール部のギャップ材径が同一となるた
めセルギャップの均一性が向上する。
部よりも画素表示部寄りにあるため省スペース化が図れ
る。またドライバー上には画素部と共に同じ膜厚の層間
絶縁膜を形成するのでドライバーに液晶が直接触れる事
はない。またシール部にも画素部と同一膜厚の層間絶縁
膜が存在するため画素部とシール部の段差は殆どなく、
従って画素部とシール部のギャップ材径が同一となるた
めセルギャップの均一性が向上する。
【００１８】またドライバーは層間絶縁膜上の導電性薄
膜にも保護されているため、外部電場による悪影響も低
減できる。
膜にも保護されているため、外部電場による悪影響も低
減できる。
【図１】 実施例記載の液晶表示装置の平面図。
【図２】 実施例記載の液晶表示装置のＡ−Ａ’間に於
ける断面図。
ける断面図。
【図３】 実施例の工程を表す断面図。
【図４】 従来例の液晶表示装置の断面図。
１０１ ガラス基板 １０２ 画素ＴＦＴ １０３ ドライバー １０４ 第二層間絶縁膜 １０５ エッチングマスク １０６ 画素電極 １０７ 対向基板 １０８ 接着剤 １０９ 対向電極 １１０ シール部 １１１ 画素部 １１２ シールド １１３ 第一層間絶縁膜 １１４ ドライバー保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ドライバー内蔵アクティブマトリクス方
式の液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板
はゲート配線とソース配線を層間分離する第一の層間絶
縁膜と、ソース配線と画素電極を層間分離する第二の層
間絶縁膜とを備え、ドライバーを対向する２枚の基板の
接着部よりも画素表示部寄り配置することと、第一及び
第二の層間絶縁膜は前記ドライバー上及び対向基板との
接着部にも形成することと、前記ドライバー上の層間絶
縁膜上にはＩＴＯなどの導電性薄膜を形成することと、
対向する基板のドライバーに対応する位置にも対向電極
である導電性薄膜を形成する事を特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 請求項１において第二の層間絶縁膜はポ
リイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリアミド樹脂
などの有機樹脂からなる事を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145793A JPH06258661A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145793A JPH06258661A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258661A true JPH06258661A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12608909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4145793A Pending JPH06258661A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06258661A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264796A (ja) * | 1995-03-18 | 1996-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2003035909A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 平面表示素子および平面表示素子の製造方法 |
| KR100448902B1 (ko) * | 1996-05-16 | 2004-12-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
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| KR100484609B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시패널 |
| KR100559761B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치를 갖는 전자 장치 |
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| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7636136B2 (en) | 1996-04-12 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| KR100987709B1 (ko) * | 2003-07-01 | 2010-10-13 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
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| JP2014075587A (ja) * | 2009-07-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP4145793A patent/JPH06258661A/ja active Pending
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