JPH0625701A - 微粒子金属粉末 - Google Patents
微粒子金属粉末Info
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- JPH0625701A JPH0625701A JP5124995A JP12499593A JPH0625701A JP H0625701 A JPH0625701 A JP H0625701A JP 5124995 A JP5124995 A JP 5124995A JP 12499593 A JP12499593 A JP 12499593A JP H0625701 A JPH0625701 A JP H0625701A
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- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微粒子金属粉末。
【構成】 本発明は、１．０ｎｍから３μｍ未満の限定
された粒子サイズを有する、金属Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／またはＣｒの
微粒子粉末に関する。
された粒子サイズを有する、金属Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／またはＣｒの
微粒子粉末に関する。
Description
【０００１】本発明は、１．０ｎｍから３μｍ未満の限
定された粒子サイズを有する、金属Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／またはＣｒの
微粒子粉末に関する。
定された粒子サイズを有する、金属Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／またはＣｒの
微粒子粉末に関する。
【０００２】粉末金属加工技術で製造された成分が有す
る機械的特性は、開始粉末が有する特性によって決定的
に決まる。より詳細には、粒子サイズ分布が狭いこと、
粉末純度が高いこと、そして過大粒子または凝集物が存
在していないことは、相当する成分が有する特性に肯定
的な影響を与える。
る機械的特性は、開始粉末が有する特性によって決定的
に決まる。より詳細には、粒子サイズ分布が狭いこと、
粉末純度が高いこと、そして過大粒子または凝集物が存
在していないことは、相当する成分が有する特性に肯定
的な影響を与える。
【０００３】細かい金属粉末を産業的に製造するための
公知方法が数多く存在している。
公知方法が数多く存在している。
【０００４】純粋に機械的な、サイズを小さくして整粒
する方法（これらで製造できるのは、特定の細かさまで
でありそして比較的幅広い粒子サイズ分布を有する粉末
のみである、と言った欠点を有している）に加えて、気
相から堆積させる数多くの方法も提案されている。
する方法（これらで製造できるのは、特定の細かさまで
でありそして比較的幅広い粒子サイズ分布を有する粉末
のみである、と言った欠点を有している）に加えて、気
相から堆積させる数多くの方法も提案されている。
【０００５】部分的には、非常に小さいエネルギー源、
例えば熱プラズマまたはレーザー線などが用いられてい
るためか、或は乱流炎、例えば塩素爆鳴気バーナーなど
が用いられている場合、作り出される粉末の粒子サイズ
分布および粒子の大きさを正確に制御するのは困難であ
る。これらの反応条件は、通常、幅広い粒子サイズ分布
をもたらすと共に、その平均粒子サイズよりも直径で数
倍大きい個々の粒子が生じる。
例えば熱プラズマまたはレーザー線などが用いられてい
るためか、或は乱流炎、例えば塩素爆鳴気バーナーなど
が用いられている場合、作り出される粉末の粒子サイズ
分布および粒子の大きさを正確に制御するのは困難であ
る。これらの反応条件は、通常、幅広い粒子サイズ分布
をもたらすと共に、その平均粒子サイズよりも直径で数
倍大きい個々の粒子が生じる。
【０００６】公知の産業的粉末製造方法を用いたので
は、ＦＳＳＳで測定した平均粒子サイズ（個々の粒子サ
イズではなく）が＜０．５μｍの粉末を製造するのは不
可能でないにしても非常に困難である。このように通常
に製造された微粉末の場合、それで製造された成分が有
する機械的特性にとって有害な過大粒子をこの材料の中
に特定割合で存在させないようにすることは実際上不可
能である。通常の粉砕方法もまた、非常に幅広い粒子サ
イズ分布を与え、このような粉末の場合、分粒段階を用
いても有意にこのサイズ分布を狭くすることは不可能で
ある。
は、ＦＳＳＳで測定した平均粒子サイズ（個々の粒子サ
イズではなく）が＜０．５μｍの粉末を製造するのは不
可能でないにしても非常に困難である。このように通常
に製造された微粉末の場合、それで製造された成分が有
する機械的特性にとって有害な過大粒子をこの材料の中
に特定割合で存在させないようにすることは実際上不可
能である。通常の粉砕方法もまた、非常に幅広い粒子サ
イズ分布を与え、このような粉末の場合、分粒段階を用
いても有意にこのサイズ分布を狭くすることは不可能で
ある。
【０００７】他の気相方法では、その反応において、流
れを最適にした熱壁反応槽の代わりにプラズマ炎または
他のエネルギー源、例えばレーザー線などが用いられて
いる。これらの方法が有する欠点は、この反応ゾーンの
種々の部分で必須的に、非常に鋭角な温度勾配および／
または乱流条件を伴う、制御が不可能な反応条件が存在
していることである。その結果として、生じてくる粉末
が幅広い粒子サイズ分布を有する。
れを最適にした熱壁反応槽の代わりにプラズマ炎または
他のエネルギー源、例えばレーザー線などが用いられて
いる。これらの方法が有する欠点は、この反応ゾーンの
種々の部分で必須的に、非常に鋭角な温度勾配および／
または乱流条件を伴う、制御が不可能な反応条件が存在
していることである。その結果として、生じてくる粉末
が幅広い粒子サイズ分布を有する。
【０００８】超微細金属粉末の製造方法に関して数多く
の提案が提言されてきたが、これらは全て欠点を有して
いる。
の提案が提言されてきたが、これらは全て欠点を有して
いる。
【０００９】ＥＰ−Ａ ０ ２９０ １７７には、微細金
属粉末を製造するための遷移金属カルボニルの分解が記
述されている。この方法では粒子の細かさが２００ｎｍ
以下の粉末を得ることができる。
属粉末を製造するための遷移金属カルボニルの分解が記
述されている。この方法では粒子の細かさが２００ｎｍ
以下の粉末を得ることができる。
【００１０】改良された機械的、電気的および磁気的特
性を有する金属の探求において、より細かい金属粉末が
益々必要とされている。
性を有する金属の探求において、より細かい金属粉末が
益々必要とされている。
【００１１】貴ガス凝縮方法を用いることで、より低い
ナノメーター範囲の超微細金属粉末を製造することがで
きる。しかしながら、この方法では、ミリグラム規模の
量でのみ製造可能である。更に、この方法で得られる粉
末は狭い粒子サイズ分布を有していない。
ナノメーター範囲の超微細金属粉末を製造することがで
きる。しかしながら、この方法では、ミリグラム規模の
量でのみ製造可能である。更に、この方法で得られる粉
末は狭い粒子サイズ分布を有していない。
【００１２】従って、本発明が目的とする課題は、公知
粉末が有する上記欠点のいずれも有していない微粒子金
属粉末を提供することであった。
粉末が有する上記欠点のいずれも有していない微粒子金
属粉末を提供することであった。
【００１３】これらの必要条件を満足させる金属粉末は
今まで見いだされていなかった。このような粉末が本発
明の主題である。
今まで見いだされていなかった。このような粉末が本発
明の主題である。
【００１４】従って、本発明は、１．０ｎｍから３μｍ
未満の限定された粒子サイズを有しており、平均粒子サ
イズから４０％以上逸脱している個々の粒子が１％未満
であり、そして平均粒子サイズから６０％以上逸脱して
いる個々の粒子が存在していない、金属Ｂ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／または
Ｃｒ微粒子粉末に関する。
未満の限定された粒子サイズを有しており、平均粒子サ
イズから４０％以上逸脱している個々の粒子が１％未満
であり、そして平均粒子サイズから６０％以上逸脱して
いる個々の粒子が存在していない、金属Ｂ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／または
Ｃｒ微粒子粉末に関する。
【００１５】好適な具体例において、個々の粒子の１％
未満が該平均粒子サイズから２０％以上逸脱しており、
そして如何なる個々の粒子も該平均粒子サイズから５０
％以上逸脱していない。特に好適な具体例において、個
々の粒子の１％未満が該平均粒子サイズから１０％以上
逸脱しており、そして如何なる粒子も該平均粒子サイズ
から４０％以上逸脱していない。本発明に従う粉末は、
好適には１から５００ｎｍ未満の範囲、より好適には１
から１００ｎｍ未満の範囲、最も好適には１から５０ｎ
ｍ未満の範囲の粒子サイズを有している。
未満が該平均粒子サイズから２０％以上逸脱しており、
そして如何なる個々の粒子も該平均粒子サイズから５０
％以上逸脱していない。特に好適な具体例において、個
々の粒子の１％未満が該平均粒子サイズから１０％以上
逸脱しており、そして如何なる粒子も該平均粒子サイズ
から４０％以上逸脱していない。本発明に従う粉末は、
好適には１から５００ｎｍ未満の範囲、より好適には１
から１００ｎｍ未満の範囲、最も好適には１から５０ｎ
ｍ未満の範囲の粒子サイズを有している。
【００１６】本発明に従う金属粉末は高度に純粋であ
る。従って、これらは好適には、５，０００ｐｐｍ未
満、より好適には１，０００ｐｐｍ未満の酸素含有量を
有している。本発明に従う特に純粋な金属粉末は、これ
らが１００ｐｐｍ未満、好適には５０ｐｐｍ未満の酸素
含有量を有することによって特徴づけられる。
る。従って、これらは好適には、５，０００ｐｐｍ未
満、より好適には１，０００ｐｐｍ未満の酸素含有量を
有している。本発明に従う特に純粋な金属粉末は、これ
らが１００ｐｐｍ未満、好適には５０ｐｐｍ未満の酸素
含有量を有することによって特徴づけられる。
【００１７】非酸化物不純物もまた最小限である。好適
な具体例において、酸化物不純物を除くこれらの不純物
の総合計は５，０００ｐｐｍ未満、より好適には１，０
００ｐｐｍ未満である。
な具体例において、酸化物不純物を除くこれらの不純物
の総合計は５，０００ｐｐｍ未満、より好適には１，０
００ｐｐｍ未満である。
【００１８】特に好適な具体例において、酸化物不純物
を除く不純物の総合計は２００ｐｐｍ未満である。
を除く不純物の総合計は２００ｐｐｍ未満である。
【００１９】本発明に従う粉末は、産業規模で得ること
ができ、従って好適には１ｋｇ以上の量で存在している
（即ち製造される）。
ができ、従って好適には１ｋｇ以上の量で存在している
（即ち製造される）。
【００２０】本発明に従う粉末は、相当する金属化合物
と相当する反応体とを気相−ＣＶＲ−で反応させること
による微粒子金属粉末製造方法を用い、この金属化合物
（類）と他の反応体とを反応槽中気相で反応させ、如何
なる壁反応も存在させないでこの気相から直接均一に凝
縮させた後、この反応媒体から取り出す、ことによって
入手可能であり、これは、これらの金属化合物と反応体
とを互いに別々に、少なくともこの反応温度で反応槽の
中に導入する、ことによって特徴づけられる。数種の金
属化合物および／または反応体を導入する場合、これら
の特別な気体混合物は、この加熱段階中に固体反応生成
物をもたらす反応が生じないように選択されるべきであ
る。特に有利な具体例において、この方法を管反応槽の
中で行う。これらの金属化合物、反応体および生成物粒
子を層流条件下の反応槽に通すのが特に好適である。
と相当する反応体とを気相−ＣＶＲ−で反応させること
による微粒子金属粉末製造方法を用い、この金属化合物
（類）と他の反応体とを反応槽中気相で反応させ、如何
なる壁反応も存在させないでこの気相から直接均一に凝
縮させた後、この反応媒体から取り出す、ことによって
入手可能であり、これは、これらの金属化合物と反応体
とを互いに別々に、少なくともこの反応温度で反応槽の
中に導入する、ことによって特徴づけられる。数種の金
属化合物および／または反応体を導入する場合、これら
の特別な気体混合物は、この加熱段階中に固体反応生成
物をもたらす反応が生じないように選択されるべきであ
る。特に有利な具体例において、この方法を管反応槽の
中で行う。これらの金属化合物、反応体および生成物粒
子を層流条件下の反応槽に通すのが特に好適である。
【００２１】この工程用気体を少なくともその反応温度
にまで個々に予熱することによって、核形成部位を限定
することができる。この反応槽の中に存在している層流
条件によって、この核または粒子が示す滞留時間分布が
狭くなる。このようにして非常に狭い粒子サイズ分布を
得ることができる。従って、これらの金属化合物および
反応体は、好適には、同軸層流れの形態で該反応槽に導
入されるべきである。しかしながら、これらの２つ同軸
流れを内部混合することを確実に行うためには、それが
存在していないときは厳格な層流である流れの中に障害
物を組み込むことによって、限定された強さと度合を有
するカルマン渦路を生じさせる。
にまで個々に予熱することによって、核形成部位を限定
することができる。この反応槽の中に存在している層流
条件によって、この核または粒子が示す滞留時間分布が
狭くなる。このようにして非常に狭い粒子サイズ分布を
得ることができる。従って、これらの金属化合物および
反応体は、好適には、同軸層流れの形態で該反応槽に導
入されるべきである。しかしながら、これらの２つ同軸
流れを内部混合することを確実に行うためには、それが
存在していないときは厳格な層流である流れの中に障害
物を組み込むことによって、限定された強さと度合を有
するカルマン渦路を生じさせる。
【００２２】従って、本方法の好適な具体例において、
限定条件下、カルマン渦路を用いて、これらの金属化合
物（類）と反応体の同軸層流れを混合する。
限定条件下、カルマン渦路を用いて、これらの金属化合
物（類）と反応体の同軸層流れを混合する。
【００２３】これらの反応体が反応槽の壁に堆積するの
を防止する目的で（これはエネルギーの意味でかなり好
適である）、好適には、不活性ガスの層を用いて、その
反応槽壁から該反応媒体を保護するように遠ざける。こ
れは、例えば、この反応槽壁の中の特別な形状をした環
状溝を通して不活性ガス流れを導入し、この不活性ガス
流れをコアンダ効果下で反応槽壁に流し続ける、ことに
よって行われ得る。１０から３００ｍｓｅｃの典型的な
滞留時間で、その気相からの均一な凝縮によって該反応
槽から生じる金属粉末粒子は、気体状反応生成物（例え
ばＨＣｌ）、未反応の反応体および不活性ガス（これら
はキャリアガス、即ちパージ洗浄ガスとして、そしてＨ
Ｃｌの吸着を低くする目的で導入される）と一緒に、こ
の反応槽を出る。本発明に従う方法では、この金属成分
を基準にして１００％に及ぶ収率を得ることができる。
を防止する目的で（これはエネルギーの意味でかなり好
適である）、好適には、不活性ガスの層を用いて、その
反応槽壁から該反応媒体を保護するように遠ざける。こ
れは、例えば、この反応槽壁の中の特別な形状をした環
状溝を通して不活性ガス流れを導入し、この不活性ガス
流れをコアンダ効果下で反応槽壁に流し続ける、ことに
よって行われ得る。１０から３００ｍｓｅｃの典型的な
滞留時間で、その気相からの均一な凝縮によって該反応
槽から生じる金属粉末粒子は、気体状反応生成物（例え
ばＨＣｌ）、未反応の反応体および不活性ガス（これら
はキャリアガス、即ちパージ洗浄ガスとして、そしてＨ
Ｃｌの吸着を低くする目的で導入される）と一緒に、こ
の反応槽を出る。本発明に従う方法では、この金属成分
を基準にして１００％に及ぶ収率を得ることができる。
【００２４】次に、これらの金属粉末を、好適には、用
いた金属化合物、反応体および／またはこの反応中に必
須的に生じてくる副生成物、が有する沸騰および昇華温
度以上の温度で取り出す。これらの金属粉末は有利にガ
ス圧利用フィルターの中に取り出される。このフィルタ
ーを高温、例えば６００℃で取り扱うと、これらの金属
粉末が有する非常に大きな表面に気体、特に活性を示す
気体、例えばＨＣｌなどが吸着するのを最小限にするこ
とができる。
いた金属化合物、反応体および／またはこの反応中に必
須的に生じてくる副生成物、が有する沸騰および昇華温
度以上の温度で取り出す。これらの金属粉末は有利にガ
ス圧利用フィルターの中に取り出される。このフィルタ
ーを高温、例えば６００℃で取り扱うと、これらの金属
粉末が有する非常に大きな表面に気体、特に活性を示す
気体、例えばＨＣｌなどが吸着するのを最小限にするこ
とができる。
【００２５】これらの粉末表面の上に吸着されている残
りの厄介な物質は、再び好適には６００℃の位の温度を
有する次の真空容器の中で除去され得る。その後、これ
らの最終的な粉末は、空気の存在無しで該プラントから
取り出されるべきである。
りの厄介な物質は、再び好適には６００℃の位の温度を
有する次の真空容器の中で除去され得る。その後、これ
らの最終的な粉末は、空気の存在無しで該プラントから
取り出されるべきである。
【００２６】本発明に従い、好適な金属化合物は、ハロ
ゲン化金属、部分水素化金属のハロゲン化物、水素化金
属、金属アルコラート、金属アルキル、金属アミド、金
属アジ化物および金属カルボニル類から成る群からの１
種以上の金属化合物である。もう１つの反応体として水
素を用いる。これらの粉末が有する更に一層の特性に
は、それらが有する高い純度、高い表面純度、および良
好な再現性が含まれる。
ゲン化金属、部分水素化金属のハロゲン化物、水素化金
属、金属アルコラート、金属アルキル、金属アミド、金
属アジ化物および金属カルボニル類から成る群からの１
種以上の金属化合物である。もう１つの反応体として水
素を用いる。これらの粉末が有する更に一層の特性に
は、それらが有する高い純度、高い表面純度、および良
好な再現性が含まれる。
【００２７】粒子サイズおよび構成材料に応じて、本発
明に従う粉末は空気に対して高い敏感性を示すか或は発
火性を示し得る。このような特性をなくさせる目的で、
これらの粉末に、気体／蒸気混合物で処理することによ
る限定された表面改質を受けさせてもよい。
明に従う粉末は空気に対して高い敏感性を示すか或は発
火性を示し得る。このような特性をなくさせる目的で、
これらの粉末に、気体／蒸気混合物で処理することによ
る限定された表面改質を受けさせてもよい。
【００２８】図１は、本発明に従う粉末を製造すること
が可能な装置を図式的に示すものである。この工程の作
業を、図１を参照して以下に記述する。特定的に述べる
この工程、材料および／または装置のパラメーターは、
数多くの可能性から選択され、従って如何なる方法でも
本発明を制限するものではない。
が可能な装置を図式的に示すものである。この工程の作
業を、図１を参照して以下に記述する。特定的に述べる
この工程、材料および／または装置のパラメーターは、
数多くの可能性から選択され、従って如何なる方法でも
本発明を制限するものではない。
【００２９】図１に示す装置には、一般に、気体予熱装
置（２３）、気体導入部（２４）、流れ成形部（２
５）、反応管（４）および生成物排出装置（２６）が備
わっている。
置（２３）、気体導入部（２４）、流れ成形部（２
５）、反応管（４）および生成物排出装置（２６）が備
わっている。
【００３０】固体状、液状または気体状金属化合物を、
外部に配置されている蒸発装置（１）または高温炉の内
部に配置されている蒸発装置（１ａ）の中に導入し、そ
の中で２００から２０００℃の温度で蒸発させた後、不
活性キャリアガス（Ｎ２、ＡｒまたはＨｅ）を用いて気
体予熱装置（２ａ）の中に移送する。少なくとも１個の
気体予熱装置（２）の中でもう１つの反応体（３）であ
るＨ２も加熱する。これらの気体予熱装置（２）から出
る個々の乱流は、該管反応槽（４）に入るに先立って、
ノズル（５）の中で一緒になって、同軸で層状であり回
転対称の流れが２つ生じる。該金属成分を含んでいる中
心流（６）と、水素を含んでいる周囲流（７）とを、該
管反応槽（４）中、限定した条件下で混合する。この反
応は、例えば下記の例に従って、５００℃から２０００
℃の温度で生じる：
外部に配置されている蒸発装置（１）または高温炉の内
部に配置されている蒸発装置（１ａ）の中に導入し、そ
の中で２００から２０００℃の温度で蒸発させた後、不
活性キャリアガス（Ｎ２、ＡｒまたはＨｅ）を用いて気
体予熱装置（２ａ）の中に移送する。少なくとも１個の
気体予熱装置（２）の中でもう１つの反応体（３）であ
るＨ２も加熱する。これらの気体予熱装置（２）から出
る個々の乱流は、該管反応槽（４）に入るに先立って、
ノズル（５）の中で一緒になって、同軸で層状であり回
転対称の流れが２つ生じる。該金属成分を含んでいる中
心流（６）と、水素を含んでいる周囲流（７）とを、該
管反応槽（４）中、限定した条件下で混合する。この反
応は、例えば下記の例に従って、５００℃から２０００
℃の温度で生じる：
【００３１】
【化１】 ＴａＣｌ5 ＋ ２1/2Ｈ2 → Ｔａ ＋ ５ＨＣｌ ＢＣｌ3 ＋ １1/2Ｈ2 → Ｂ ＋ ３ＨＣｌ。
【００３２】これらの２つの同軸流れが内部混合される
のを確実にする目的で、それが無い場合厳格に層流であ
る流れの中に、障害物（１７）を組み込むことによって
カラマン渦路を作り出してもよい。本発明の好適な具体
例において、この障害物（１７）を、好適には中心の同
軸ノズル（即ち、該中心流（６）を作り出すノズル）の
縦軸に沿って、流れ形成部（２５）の中に配置する。該
ノズル（５）の回りで成長するのを防止する目的で、こ
れらの２つの同軸流れを、このノズルの出口の所で、弱
い不活性ガス流（１６）で分離する。
のを確実にする目的で、それが無い場合厳格に層流であ
る流れの中に、障害物（１７）を組み込むことによって
カラマン渦路を作り出してもよい。本発明の好適な具体
例において、この障害物（１７）を、好適には中心の同
軸ノズル（即ち、該中心流（６）を作り出すノズル）の
縦軸に沿って、流れ形成部（２５）の中に配置する。該
ノズル（５）の回りで成長するのを防止する目的で、こ
れらの２つの同軸流れを、このノズルの出口の所で、弱
い不活性ガス流（１６）で分離する。
【００３３】高温炉の中、例えば気体予熱装置（２ａ）
の中に、該蒸発装置を組み込むのが特に好適である。こ
れによって、この反応槽の外側にフィードパイプを配置
する必要性が回避され、このように、腐食およびその結
果として生じる不純物を回避することができる。この蒸
発装置を該予熱装置の中に位置させることによって、こ
の蒸発装置の建造で非金属材料を用いることも可能にな
り、その結果として、金属材料に予定されている温度よ
りも高い蒸発温度を用いることができる。
の中に、該蒸発装置を組み込むのが特に好適である。こ
れによって、この反応槽の外側にフィードパイプを配置
する必要性が回避され、このように、腐食およびその結
果として生じる不純物を回避することができる。この蒸
発装置を該予熱装置の中に位置させることによって、こ
の蒸発装置の建造で非金属材料を用いることも可能にな
り、その結果として、金属材料に予定されている温度よ
りも高い蒸発温度を用いることができる。
【００３４】これらの物質がこの反応槽の熱い壁の上に
不均一に堆積するのを防止する目的で（これはエネルギ
ーの意味でかなり好適である）、コアンダ効果の下でこ
の反応槽壁に流し続ける不活性ガス流（９）（Ｎ2、Ａ
ｒまたはＨｅ）を用い、環状溝（８）を通して、この熱
い反応槽壁をパージ洗浄する。この気相からの均一な凝
縮によって該反応槽中で生じる金属粉末粒子は、気体状
反応生成物（例えばＨＣｌ）、該不活性ガス、および未
反応の反応体と一緒に、この反応槽を出た後直接、ガス
圧利用フィルター（１０）の中に入り、ここで、これら
が堆積する。このガス圧利用フィルター（１０）は、３
００℃から１０００℃の温度で運転されており、その結
果として、これらの粉末が有する非常に大きな表面への
気体、より詳細には活性を示す気体、例えばＨＣｌなど
の吸着が、低いレベルに保たれる。次の容器（１１）の
中で、好適には、真空をかけそして３００℃から１００
０℃の種々の気体で溢れさせることを交互に行うことに
よって、これらの粉末の上に吸着されている気体の残渣
を更に少なくする。Ｎ２、ＡｒまたはＫｒの如き気体を
用いるとき良好な結果が得られる。ＳＦ6を用いるのが
特に好適である。
不均一に堆積するのを防止する目的で（これはエネルギ
ーの意味でかなり好適である）、コアンダ効果の下でこ
の反応槽壁に流し続ける不活性ガス流（９）（Ｎ2、Ａ
ｒまたはＨｅ）を用い、環状溝（８）を通して、この熱
い反応槽壁をパージ洗浄する。この気相からの均一な凝
縮によって該反応槽中で生じる金属粉末粒子は、気体状
反応生成物（例えばＨＣｌ）、該不活性ガス、および未
反応の反応体と一緒に、この反応槽を出た後直接、ガス
圧利用フィルター（１０）の中に入り、ここで、これら
が堆積する。このガス圧利用フィルター（１０）は、３
００℃から１０００℃の温度で運転されており、その結
果として、これらの粉末が有する非常に大きな表面への
気体、より詳細には活性を示す気体、例えばＨＣｌなど
の吸着が、低いレベルに保たれる。次の容器（１１）の
中で、好適には、真空をかけそして３００℃から１００
０℃の種々の気体で溢れさせることを交互に行うことに
よって、これらの粉末の上に吸着されている気体の残渣
を更に少なくする。Ｎ２、ＡｒまたはＫｒの如き気体を
用いるとき良好な結果が得られる。ＳＦ6を用いるのが
特に好適である。
【００３５】この方法を用いることで準安定系およびコ
ア／殻粒子を製造することも可能である。この反応槽の
下部で非常に高い冷却率を確立することにより、準安定
系が得られる。
ア／殻粒子を製造することも可能である。この反応槽の
下部で非常に高い冷却率を確立することにより、準安定
系が得られる。
【００３６】この反応槽の下部に追加的反応ガスを導入
することによって、コア／殻粒子が得られる。
することによって、コア／殻粒子が得られる。
【００３７】これらの粉末は、真空容器（１１）から、
冷却用容器（１２）に入った後、ロック（１３）を通っ
て、収集および移送用容器（１４）の中に入る。冷却用
容器（１２）の中で、これらの粒子の表面に、種々の気
体／蒸気混合物に暴露することによる限定した表面改質
を受けさせてもよい。
冷却用容器（１２）に入った後、ロック（１３）を通っ
て、収集および移送用容器（１４）の中に入る。冷却用
容器（１２）の中で、これらの粒子の表面に、種々の気
体／蒸気混合物に暴露することによる限定した表面改質
を受けさせてもよい。
【００３８】２０００℃およびそれ以上に及ぶ温度に暴
露される構成要素、例えば熱交換器（２）および（２
ａ）、ノズル（５）、反応槽（４）、およびこの反応槽
を取り巻いている管（１５）などの構成材料として、好
適には、コートされているグラファイト、より詳細には
微粒子グラファイトが用いられる。例えば広く存在して
いる温度で用いられるガス、例えば金属塩化物、ＨＣ
ｌ、Ｈ２およびＮ２に対して必要とされている該グラフ
ァイトの化学的安定性が不適当な場合か、比較的高い流
速（０．５から５０ｍ／秒）における腐食が非常に高い
場合か、気体に対するグラファイトの不透過性が上昇す
る可能性がある場合か、或はこの反応槽の構成要素が有
する表面の粗さが低下する可能性がある場合、コーティ
ングが必要であり得る。
露される構成要素、例えば熱交換器（２）および（２
ａ）、ノズル（５）、反応槽（４）、およびこの反応槽
を取り巻いている管（１５）などの構成材料として、好
適には、コートされているグラファイト、より詳細には
微粒子グラファイトが用いられる。例えば広く存在して
いる温度で用いられるガス、例えば金属塩化物、ＨＣ
ｌ、Ｈ２およびＮ２に対して必要とされている該グラフ
ァイトの化学的安定性が不適当な場合か、比較的高い流
速（０．５から５０ｍ／秒）における腐食が非常に高い
場合か、気体に対するグラファイトの不透過性が上昇す
る可能性がある場合か、或はこの反応槽の構成要素が有
する表面の粗さが低下する可能性がある場合、コーティ
ングが必要であり得る。
【００３９】例えばＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＮ、ＴｉＣお
よびＮｉ（１２００℃以下のみ）がこれらの層で用いら
れ得る。例えば「特徴的な」外側層と種々の層との組み
合わせも可能である。有利に、ＣＶＤ、プラズマ噴霧お
よび電気分解（Ｎｉ）によって、上記層を取り付けるこ
とができる。
よびＮｉ（１２００℃以下のみ）がこれらの層で用いら
れ得る。例えば「特徴的な」外側層と種々の層との組み
合わせも可能である。有利に、ＣＶＤ、プラズマ噴霧お
よび電気分解（Ｎｉ）によって、上記層を取り付けるこ
とができる。
【００４０】低い温度のみが必要とされている場合、金
属材料も用いられ得る。
属材料も用いられ得る。
【００４１】これらの金属粉末の粒子サイズを調製する
目的で、下記の３つの手段を同時に用いることができ
る： ― 反応ガスと不活性ガスの間の特定比率を確立する。
目的で、下記の３つの手段を同時に用いることができ
る： ― 反応ガスと不活性ガスの間の特定比率を確立する。
【００４２】― 特定の圧力を確立する。
【００４３】― この反応軸に沿って特定の温度／滞留
時間プロファイルを確立する。
時間プロファイルを確立する。
【００４４】この温度／滞留時間プロファイルを下記の
如く確立する： ― 該気体予熱装置（２）から開始して該管反応槽
（４）の末端までに、２個以上の加熱ゾーンを設けるこ
とによる。
如く確立する： ― 該気体予熱装置（２）から開始して該管反応槽
（４）の末端までに、２個以上の加熱ゾーンを設けるこ
とによる。
【００４５】― この反応槽の縦軸に沿ってその断面を
変化させることによる。
変化させることによる。
【００４６】― ガス流量を変化させる、即ち予め決定
した反応槽断面に対して、流速を変化させることによ
る。
した反応槽断面に対して、流速を変化させることによ
る。
【００４７】温度／滞留時間プロファイルが有する可変
性の有意な利点は、核成長ゾーンから核形成ゾーンを分
離することができることである。従って、「比較的粗
い」粉末の製造に関しては、非常に低い温度における短
い滞留時間（即ち特定の長さに対する小さい反応槽断
面）で核を若干のみ生じさせた後、これを高温で長い滞
留時間（大きい反応槽断面）かけて、「粗い」粒子に成
長させることができる。「細かい」粉末を製造すること
も可能である：即ち、高温および比較的長い滞留時間を
有するゾーンの中で数多くの核を生じさせた後、更にこ
の反応槽に沿って、低温で短い滞留時間（小さい反応槽
断面）かけて若干のみ成長させる。ここで定性的に説明
したこれらの極端な場合の間に存在している如何なる過
渡部も調節され得る。
性の有意な利点は、核成長ゾーンから核形成ゾーンを分
離することができることである。従って、「比較的粗
い」粉末の製造に関しては、非常に低い温度における短
い滞留時間（即ち特定の長さに対する小さい反応槽断
面）で核を若干のみ生じさせた後、これを高温で長い滞
留時間（大きい反応槽断面）かけて、「粗い」粒子に成
長させることができる。「細かい」粉末を製造すること
も可能である：即ち、高温および比較的長い滞留時間を
有するゾーンの中で数多くの核を生じさせた後、更にこ
の反応槽に沿って、低温で短い滞留時間（小さい反応槽
断面）かけて若干のみ成長させる。ここで定性的に説明
したこれらの極端な場合の間に存在している如何なる過
渡部も調節され得る。
【００４８】空気に対して高い敏感性を示すか或は発火
性を示すものをいくらか含んでいる粉末は、適切な気体
／蒸気混合物を注入することによって、この冷却用容器
（１２）の中で減感され得る。これらの金属粉末が有す
る粒子表面に、不活性キャリアガス流れの中で、限定し
た厚さを有する酸化物層および適切な有機化合物、例え
ば高級アルコール類、アミン類または焼結助剤、例えば
パラフィン類などの両方をコートすることができる。こ
れらの粉末をコートして、更に一層の加工を容易にする
ことも可能である。
性を示すものをいくらか含んでいる粉末は、適切な気体
／蒸気混合物を注入することによって、この冷却用容器
（１２）の中で減感され得る。これらの金属粉末が有す
る粒子表面に、不活性キャリアガス流れの中で、限定し
た厚さを有する酸化物層および適切な有機化合物、例え
ば高級アルコール類、アミン類または焼結助剤、例えば
パラフィン類などの両方をコートすることができる。こ
れらの粉末をコートして、更に一層の加工を容易にする
ことも可能である。
【００４９】それらが有する機械的、電気的および磁気
的特性のため、本発明に従うナノ規模の粉末は、新しい
センサー、アクター（ａｃｔｏｒｓ）、切断用セラミッ
クおよびサーメットの製造に適切である。
的特性のため、本発明に従うナノ規模の粉末は、新しい
センサー、アクター（ａｃｔｏｒｓ）、切断用セラミッ
クおよびサーメットの製造に適切である。
【００５０】以下に示す実施例は、如何なる方法でも制
限することなく本発明を説明することを意図したもので
ある。
限することなく本発明を説明することを意図したもので
ある。
【００５１】
実施例１ 下記の反応方程式：
【００５２】
【化２】 ＴａＣｌ5 ＋ ２1/2Ｈ2 → Ｔａ ＋ ５ＨＣｌ に従い、図１に示した種類の装置の中で、過剰のＨ２を
用いてＴａＣｌ５を製造した。
用いてＴａＣｌ５を製造した。
【００５３】この最後に、蒸発装置（１ａ）の中にＴａ
Ｃｌ5（固体、沸点２４２℃）を１００ｇ／分で導入
し、蒸発させた後、気体予熱装置（２ａ）中で５０Ｎｌ
／分のＡｒと一緒に１３００℃に加熱した。この気体予
熱装置（２）の中に反応体Ｈ2を２００Ｎｌ／分で導入
した。これらの反応体を別々に予め約１３００℃の温度
に加熱した。図１の印を付けた場所に置いたＷ５Ｒｅ−
Ｗ２６Ｒｅ熱電対（１８）を用いて温度を測定した（１
４５０℃）。この気体予熱装置（２）から出て来る個々
の乱流は、反応管（４）に入る前に、ノズル（５）の外
側部分で一緒にされて、均一で回転対称性を示す層状の
環状流れを生じる。この気体予熱装置（２ａ）から出て
来るガス流れもまた、このノズル（５）の中で層状にな
った後、この環状流れの中に入る。このノズル（５）
は、互いに同軸配置されている３つの成分ノズルから成
っていた。不活性ガス流れ（１６）は、この中心ノズル
から出て、この反応が始まる地点、即ち２つの流れ
（６）と（７）が一緒になる地点に移り、このノズルか
ら離れて、該反応管に入る。３．０ｍｍの特徴的な大き
さを有する障害物（１７）（該ノズルの縦軸に配置され
ている）によって、この内部流れの中にカルマン渦路を
生じさせた。全長が１１００ｍｍのものに関しては、こ
の反応管は該ノズル出口の所で４０ｍｍの内部直径を有
しており、該ノズルの２００ｍｍ下方で３０ｍｍの内部
直径を有しており、そして出口の所で５０ｍｍの内部直
径を有していた。流れ法則を考慮して、この内部断面を
一定に変化させた。この反応管（４）は、スペーサーお
よび中心リングによって連結している１８個のセグメン
トから成っていた。これらの場所に環状溝（８）を作成
した。Ｗ５Ｒｅ−Ｗ２６Ｒｅ熱電対（１９）を用いて、
該ノズルの４００ｍｍ下方の該反応槽の外側壁で測定し
て１２３０℃の温度になるように、この反応管（４）を
調整した。この反応管（４）の圧力は、実質的に、ガス
圧利用フィルター（１０）内の圧力と同じであり、これ
は２５０ミリバール過剰の圧力であった。この反応槽の
壁を、１８個の環状溝（８）を通してＡｒを２００Ｎｌ
／分で流すことによりパージ洗浄した。この反応槽壁を
不活性ガスでパージ洗浄しないと、成長が生じる可能性
があり、そして部分的に、この反応槽の遮断が非常に迅
速にもたらされ、従ってこの工程の停止が生じ得る。如
何なる場合でも、この反応槽の幾何学的構造を変化させ
ることにより、変化した生成物が得られる。ＨＣｌ分圧
を低くする目的で、追加的ガス注入装置を用い、この底
から６番目の環状溝を通してＡｒを２００Ｎｌ／分でこ
の反応管（４）に導入した。この生成物（〜２５ｎｍの
均一な粒子サイズを有するＴａ）を、６００℃の温度の
ガス圧利用フィルター（１０）中で気体（Ｈ2、ＨＣ
ｌ、Ａｒ）から分離した。
Ｃｌ5（固体、沸点２４２℃）を１００ｇ／分で導入
し、蒸発させた後、気体予熱装置（２ａ）中で５０Ｎｌ
／分のＡｒと一緒に１３００℃に加熱した。この気体予
熱装置（２）の中に反応体Ｈ2を２００Ｎｌ／分で導入
した。これらの反応体を別々に予め約１３００℃の温度
に加熱した。図１の印を付けた場所に置いたＷ５Ｒｅ−
Ｗ２６Ｒｅ熱電対（１８）を用いて温度を測定した（１
４５０℃）。この気体予熱装置（２）から出て来る個々
の乱流は、反応管（４）に入る前に、ノズル（５）の外
側部分で一緒にされて、均一で回転対称性を示す層状の
環状流れを生じる。この気体予熱装置（２ａ）から出て
来るガス流れもまた、このノズル（５）の中で層状にな
った後、この環状流れの中に入る。このノズル（５）
は、互いに同軸配置されている３つの成分ノズルから成
っていた。不活性ガス流れ（１６）は、この中心ノズル
から出て、この反応が始まる地点、即ち２つの流れ
（６）と（７）が一緒になる地点に移り、このノズルか
ら離れて、該反応管に入る。３．０ｍｍの特徴的な大き
さを有する障害物（１７）（該ノズルの縦軸に配置され
ている）によって、この内部流れの中にカルマン渦路を
生じさせた。全長が１１００ｍｍのものに関しては、こ
の反応管は該ノズル出口の所で４０ｍｍの内部直径を有
しており、該ノズルの２００ｍｍ下方で３０ｍｍの内部
直径を有しており、そして出口の所で５０ｍｍの内部直
径を有していた。流れ法則を考慮して、この内部断面を
一定に変化させた。この反応管（４）は、スペーサーお
よび中心リングによって連結している１８個のセグメン
トから成っていた。これらの場所に環状溝（８）を作成
した。Ｗ５Ｒｅ−Ｗ２６Ｒｅ熱電対（１９）を用いて、
該ノズルの４００ｍｍ下方の該反応槽の外側壁で測定し
て１２３０℃の温度になるように、この反応管（４）を
調整した。この反応管（４）の圧力は、実質的に、ガス
圧利用フィルター（１０）内の圧力と同じであり、これ
は２５０ミリバール過剰の圧力であった。この反応槽の
壁を、１８個の環状溝（８）を通してＡｒを２００Ｎｌ
／分で流すことによりパージ洗浄した。この反応槽壁を
不活性ガスでパージ洗浄しないと、成長が生じる可能性
があり、そして部分的に、この反応槽の遮断が非常に迅
速にもたらされ、従ってこの工程の停止が生じ得る。如
何なる場合でも、この反応槽の幾何学的構造を変化させ
ることにより、変化した生成物が得られる。ＨＣｌ分圧
を低くする目的で、追加的ガス注入装置を用い、この底
から６番目の環状溝を通してＡｒを２００Ｎｌ／分でこ
の反応管（４）に導入した。この生成物（〜２５ｎｍの
均一な粒子サイズを有するＴａ）を、６００℃の温度の
ガス圧利用フィルター（１０）中で気体（Ｈ2、ＨＣ
ｌ、Ａｒ）から分離した。
【００５４】ＨＣｌによる、この非常に大きい粒子表面
（１８ｍ2／ｇ）の初期コーティングが低レベル（〜
０．８％のＣｌ）になるように、上記温度を選択した。
（１８ｍ2／ｇ）の初期コーティングが低レベル（〜
０．８％のＣｌ）になるように、上記温度を選択した。
【００５５】このようにして製造したＴａを、該ガス圧
利用フィルターの中で４０分間集め（即ち２０００
ｇ）、そしてその後、減圧容器（１１）に移した。この
容器の中で、０．１ミリバール絶対の最終真空度を用い
た８回のポンピング／フラッディング（ｐｕｍｐｉｎｇ
／ｆｌｏｏｄｉｎｇ）サイクルを３５分かけて行った。
この容器をＡｒで溢れさせて、圧力が１１００ミリバー
ル絶対になるようにした。３５分後、このようにして処
理したＴａ粉末を冷却用容器（１２）に移した。この容
器の中で、種々の気体／蒸気混合物に暴露することによ
って、この粉末の「表面仕立て（ｓｕｒｆａｃｅ−ｔａ
ｉｌｏｒｅｄ）」を行ってもよい。＜５０℃に冷却した
後、この粉末を、これが外側の空気に接触しないよう
に、ロック（１３）を通して収集および移送用容器に移
す。
利用フィルターの中で４０分間集め（即ち２０００
ｇ）、そしてその後、減圧容器（１１）に移した。この
容器の中で、０．１ミリバール絶対の最終真空度を用い
た８回のポンピング／フラッディング（ｐｕｍｐｉｎｇ
／ｆｌｏｏｄｉｎｇ）サイクルを３５分かけて行った。
この容器をＡｒで溢れさせて、圧力が１１００ミリバー
ル絶対になるようにした。３５分後、このようにして処
理したＴａ粉末を冷却用容器（１２）に移した。この容
器の中で、種々の気体／蒸気混合物に暴露することによ
って、この粉末の「表面仕立て（ｓｕｒｆａｃｅ−ｔａ
ｉｌｏｒｅｄ）」を行ってもよい。＜５０℃に冷却した
後、この粉末を、これが外側の空気に接触しないよう
に、ロック（１３）を通して収集および移送用容器に移
す。
【００５６】この発火性Ｔａ粉末は、２５ｎｍに相当し
ている１７ｍ2／ｇの比ＢＥＴ表面（ＤＩＮ ６６ １３
１に従うＮ2−１−ポイント方法で測定）で、極めて狭
い粒子サイズ分布を示した。
ている１７ｍ2／ｇの比ＢＥＴ表面（ＤＩＮ ６６ １３
１に従うＮ2−１−ポイント方法で測定）で、極めて狭
い粒子サイズ分布を示した。
【００５７】比表面積が２５ｍ2／ｇのこのＴａ粉末に
関するＳＥＭ顕微鏡写真は、非常に狭い粒子サイズ分布
を示しており、そして過大粒子は存在していなかった。
この顕微鏡写真に従い、平均粒子サイズから１０％以上
逸脱しているのは個々の粒子の１％未満であり、そして
如何なる個々の粒子も、その平均粒子サイズから４０％
以上逸脱していなかった。このように極めて細かい粉末
の粒子サイズ分布に対する信頼できる情報は、測定に関
するこの分野の従来技術に従い、画像方法（例えばＳＥ
Ｍ、ＴＥＭ）によってのみ得ることが可能である。
関するＳＥＭ顕微鏡写真は、非常に狭い粒子サイズ分布
を示しており、そして過大粒子は存在していなかった。
この顕微鏡写真に従い、平均粒子サイズから１０％以上
逸脱しているのは個々の粒子の１％未満であり、そして
如何なる個々の粒子も、その平均粒子サイズから４０％
以上逸脱していなかった。このように極めて細かい粉末
の粒子サイズ分布に対する信頼できる情報は、測定に関
するこの分野の従来技術に従い、画像方法（例えばＳＥ
Ｍ、ＴＥＭ）によってのみ得ることが可能である。
【００５８】このＴａ粉末を分析することにより、その
酸素含有量は７０ｐｐｍでありそして非酸化物不純物の
総合計は４３０ｐｐｍであることが確認された。
酸素含有量は７０ｐｐｍでありそして非酸化物不純物の
総合計は４３０ｐｐｍであることが確認された。
【００５９】本発明の特徴および態様は以下のとうりで
ある。
ある。
【００６０】１．１．０ｎｍから３μｍ未満の限定され
た粒子サイズを有しており、更に平均粒子サイズから４
０％以上逸脱しているのは個々の粒子の１％未満であ
り、そして如何なる個々の粒子も平均粒子サイズから６
０％以上逸脱していない、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／またはＣｒから成る
群から選択される少なくとも１種の金属の微粒子粉末。
た粒子サイズを有しており、更に平均粒子サイズから４
０％以上逸脱しているのは個々の粒子の１％未満であ
り、そして如何なる個々の粒子も平均粒子サイズから６
０％以上逸脱していない、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／またはＣｒから成る
群から選択される少なくとも１種の金属の微粒子粉末。
【００６１】２．該平均粒子サイズから２０％以上逸脱
しているのは上記粉末の個々の粒子の１％未満であり、
そして上記粉末の如何なる個々の粒子も該平均粒子サイ
ズから５０％以上逸脱していない、第１項記載の金属粉
末。
しているのは上記粉末の個々の粒子の１％未満であり、
そして上記粉末の如何なる個々の粒子も該平均粒子サイ
ズから５０％以上逸脱していない、第１項記載の金属粉
末。
【００６２】３．該平均粒子サイズから１０％以上逸脱
しているのは上記粉末の個々の粒子の１％未満であり、
そして上記粉末の如何なる個々の粒子も該平均粒子サイ
ズから４０％以上逸脱していない、第１項記載の金属粉
末。
しているのは上記粉末の個々の粒子の１％未満であり、
そして上記粉末の如何なる個々の粒子も該平均粒子サイ
ズから４０％以上逸脱していない、第１項記載の金属粉
末。
【００６３】４．該粒子サイズが１から５００ｎｍ未満
の範囲である第１項記載の金属粉末。
の範囲である第１項記載の金属粉末。
【００６４】５．該粒子サイズが１から１００ｎｍ未満
の範囲である第１項記載の金属粉末。
の範囲である第１項記載の金属粉末。
【００６５】６．該粉末が５，０００ｐｐｍ未満の酸素
含有量を有する第１項記載の金属粉末。
含有量を有する第１項記載の金属粉末。
【００６６】７．該粉末が１，０００ｐｐｍ未満の酸素
含有量を有する第１項記載の金属粉末。
含有量を有する第１項記載の金属粉末。
【００６７】８．該粉末が１００ｐｐｍ未満の酸素含有
量を有する第１項記載の金属粉末。 ９．酸化物不純物を除く不純物の総合計が５０００ｐｐ
ｍ未満である第１項記載の金属粉末。
量を有する第１項記載の金属粉末。 ９．酸化物不純物を除く不純物の総合計が５０００ｐｐ
ｍ未満である第１項記載の金属粉末。
【００６８】１０．酸化物不純物を除く不純物の総合計
が１０００ｐｐｍ未満である第１項記載の金属粉末。
が１０００ｐｐｍ未満である第１項記載の金属粉末。
【００６９】１１．酸化物不純物を除く不純物の総合計
が２００ｐｐｍ未満である第１項記載の金属粉末。
が２００ｐｐｍ未満である第１項記載の金属粉末。
【００７０】１２．１ｋｇ以上の量で製造された第１項
記載の金属粉末。
記載の金属粉末。
【００７１】１３．該粒子サイズが１から５０ｎｍ未満
の範囲である第１項記載の金属粉末。
の範囲である第１項記載の金属粉末。
【００７２】１４．該粉末が５０ｐｐｍ未満の酸素含有
量を有する第１項記載の金属粉末。
量を有する第１項記載の金属粉末。
【図１】本発明に従う粉末を製造することが可能な装置
を図式的に示すものである。
を図式的に示すものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 テオ・ケーニヒ ドイツ連邦共和国デー7887ラウフエンブル ク−ロツツエル・ヒユベルシユトラーセ７ (72)発明者 デイートマー・フイスター ドイツ連邦共和国デー7886ムルク−ニーデ ルホフ・ツエヘンビールシユトラーセ１
Claims (1)
- 【請求項１】 １．０ｎｍから３μｍ未満の限定された
粒子サイズを有しており、更に平均粒子サイズから４０
％以上逸脱しているのは個々の粒子の１％未満であり、
そして如何なる個々の粒子も平均粒子サイズから６０％
以上逸脱していないことを特徴とする、Ｂ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａおよび／または
Ｃｒから成る群から選択される少なくとも１種の金属の
微粒子粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4214722.0 | 1992-05-04 | ||
| DE4214722A DE4214722C2 (de) | 1992-05-04 | 1992-05-04 | Feinteilige Metallpulver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625701A true JPH0625701A (ja) | 1994-02-01 |
| JP3356325B2 JP3356325B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=6458139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12499593A Expired - Fee Related JP3356325B2 (ja) | 1992-05-04 | 1993-04-28 | 微粒子金属粉末 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5407458A (ja) |
| EP (1) | EP0568863B1 (ja) |
| JP (1) | JP3356325B2 (ja) |
| KR (1) | KR100251664B1 (ja) |
| AT (1) | ATE149110T1 (ja) |
| DE (2) | DE4214722C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6876542B2 (en) | 2001-08-15 | 2005-04-05 | Cabot Supermetals K.K. | Nitrogen containing metal powder, production process therefor, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using same |
| WO2014199480A1 (ja) | 2013-06-13 | 2014-12-18 | 石原ケミカル株式会社 | Ｔａ粉末とその製造方法およびＴａ造粒粉 |
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- 1993-04-21 DE DE59305509T patent/DE59305509D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-21 EP EP93106466A patent/EP0568863B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-21 AT AT93106466T patent/ATE149110T1/de not_active IP Right Cessation
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| EP0568863A1 (de) | 1993-11-10 |
| DE4214722C2 (de) | 1994-08-25 |
| DE4214722A1 (de) | 1993-11-11 |
| ATE149110T1 (de) | 1997-03-15 |
| US5407458A (en) | 1995-04-18 |
| KR930023095A (ko) | 1993-12-18 |
| EP0568863B1 (de) | 1997-02-26 |
| KR100251664B1 (ko) | 2000-04-15 |
| JP3356325B2 (ja) | 2002-12-16 |
| DE59305509D1 (de) | 1997-04-03 |
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| Zhao | Evaluation of novel deposition technique: Enhanced chemical vapor deposition |
Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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