JPH06252462A - Manufacture of josephson junction device - Google Patents
Manufacture of josephson junction deviceInfo
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- JPH06252462A JPH06252462A JP5033480A JP3348093A JPH06252462A JP H06252462 A JPH06252462 A JP H06252462A JP 5033480 A JP5033480 A JP 5033480A JP 3348093 A JP3348093 A JP 3348093A JP H06252462 A JPH06252462 A JP H06252462A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は生体磁界計測など、極微
弱磁界計測等に利用することのできるジョセフソン接合
素子の製造方法に関し、更に詳しくは、準平面型やマイ
クロブリッジ型等のジョセフソン接合部が弱結合型のジ
ョセフソン接合部を持つ素子の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a Josephson junction element that can be used for measuring extremely weak magnetic fields such as biomagnetic fields, and more particularly to a quasi-plane type or microbridge type Josephson type manufacturing method. The present invention relates to a method of manufacturing an element having a weakly coupled Josephson junction.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ジョセフソン接合素子には、準平面型の
素子やマイクロブリッジ型の素子をはじめとする、いわ
ゆる弱結合（ウィークリンク）型のジョセフソン接合素
子と、トンネル型の接合を持つ素子とがあるが、弱結合
型の素子では、素子製作後に接合臨界電流のトリミング
が可能であるという利点がある。2. Description of the Related Art Josephson junction devices include so-called weak coupling type Josephson junction devices such as quasi-plane type devices and microbridge type devices, and devices having tunnel type junctions. However, the weakly coupled device has an advantage that the junction critical current can be trimmed after the device is manufactured.
【０００３】このような利点を持つ弱結合型のジョセフ
ソン接合素子の製造方法としては、従来、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて２つの電極をパターニングした後、
これらの上に弱結合部を構成する材料の薄膜を一様に成
膜し、その上に一様なレジスト膜を形成した後、そのレ
ジスト膜に対して電子ビーム露光〜現像によってブリッ
ジパターンのマスクを形成し、スパッタエッチング等に
よってマスクの下以外の不要な薄膜を除去する方法が一
般的に用いられている。As a method of manufacturing a weak coupling type Josephson junction element having such advantages, conventionally, after patterning two electrodes by using a photolithography technique,
A thin film of the material that constitutes the weakly-bonded portion is uniformly formed on these, and a uniform resist film is formed on the thin film, and then a mask of a bridge pattern is formed by electron beam exposure to development on the resist film. Is generally used, and an unnecessary thin film other than under the mask is removed by sputter etching or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な弱結合型のジョセフソン素子の従来の製造方法によれ
ば、ブリッジをパターニングするためのレジストパター
ンの微細化に限度があるばかりでなく、その精度のばら
つきと、不要部分のエッチング工程により電極部が受け
るダメージの大小等によって、得られる素子の特性のば
らつきが大きくなるという問題がある。また、ブリッジ
薄膜の成膜の前に、基板ないしは電極の表面の酸化物を
除去してブリッジとの超伝導コンタクトを確実化するた
めに、クリーニング用のスパッタエッチングをする必要
があり、その際のエッチング量は少なすぎると超伝導コ
ンタクトが得られず、また、多すぎると電極部分のダメ
ージが大となる等、そのコントロールが困難であるとい
う問題もある。By the way, according to the conventional method for manufacturing the weak coupling type Josephson device as described above, not only is there a limit to the miniaturization of the resist pattern for patterning the bridge, There is a problem in that the variation in the characteristics of the obtained element becomes large due to the variation in accuracy and the degree of damage to the electrode portion due to the etching process of the unnecessary portion. Before the formation of the bridge thin film, it is necessary to perform sputter etching for cleaning in order to remove the oxide on the surface of the substrate or the electrode to ensure the superconducting contact with the bridge. If the etching amount is too small, a superconducting contact cannot be obtained, and if the etching amount is too large, there is a problem that it is difficult to control the damage of the electrode portion.
【０００５】本発明の目的は、従来の方法に比してより
微細なブリッジを再現性よく高精度に形成することがで
き、特性の優れた低ノイズのＳＱＵＩＤ等を高歩留りで
製造することのできる方法を提供することにある。An object of the present invention is to produce a finer bridge with high reproducibility and high precision as compared with the conventional method, and to manufacture a low noise SQUID having excellent characteristics with a high yield. To provide a way to do it.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のジョセフソン接合素子の製造方法は、２つ
の電極の形成後にこれらを覆うように絶縁膜を形成し、
その後、加速電圧の変更によりイオンビームによるター
ゲットのエッチングと、イオンビーム内のイオンのター
ゲットへの蒸着が可能な集束イオンビーム装置を用い
て、まず弱結合部の形成位置並びにパターンに対応させ
て上記絶縁膜をエッチングし、次に、集束イオンビーム
装置の加速電圧を変更して上記絶縁膜の上から上記のエ
ッチング部を含む所定領域に弱結合部形成部材からなる
薄膜を成膜することによって特徴づけられる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a Josephson junction element according to the present invention comprises forming an insulating film to cover two electrodes after forming them,
After that, using a focused ion beam device capable of etching the target with an ion beam by changing the accelerating voltage and vapor deposition of the ions in the ion beam onto the target, first, according to the formation position and pattern of the weak coupling part, The insulating film is etched, and then the acceleration voltage of the focused ion beam device is changed to form a thin film of a weakly bonded portion forming member on the insulating film in a predetermined region including the etched portion. Be attached.
【０００７】[0007]
【作用】イオン源からのイオンを集束して、所定の加速
エネルギ以上でターゲットに照射するとターゲットはエ
ッチングされるが、その状態からイオンビームをあるエ
ネルギ以下に減速すると、イオンはターゲットに蒸着す
る。また、集束イオンビーム装置では、電子ビーム露光
に比してより微細パターニングのエッチングが可能であ
ることが確かめられている。本発明はこのような集束イ
オンビームを用いてジョセフソン接合素子の弱結合部を
得ようとするものである。When the ions from the ion source are focused and irradiated onto the target with a predetermined acceleration energy or more, the target is etched, but when the ion beam is decelerated from that state to a certain energy or less, the ions are deposited on the target. Further, it has been confirmed that the focused ion beam apparatus can perform finer patterning etching than electron beam exposure. The present invention intends to obtain a weakly coupled portion of a Josephson junction device by using such a focused ion beam.
【０００８】すなわち、集束イオンビーム装置によるビ
ームの加速エネルギを大として、２つの電極の上に形成
された絶縁膜を弱結合部（ブリッジ）のパターンに対応
させてエッチングし、その状態でビームの加速エネルギ
を小さくしてそのエッチング部分を覆うようにブリッジ
形成部材のイオンを蒸着させて成膜すると、その薄膜は
エッチング部分における絶縁膜の段差により分離され、
ブリッジ以外の不要部分をエッチングする必要がなくな
る。That is, the acceleration energy of the beam by the focused ion beam apparatus is increased, and the insulating film formed on the two electrodes is etched in correspondence with the pattern of the weak coupling portion (bridge). When the ions of the bridge forming member are vapor-deposited so as to reduce the acceleration energy and cover the etched portion, the thin film is separated by the step of the insulating film in the etched portion,
It is not necessary to etch unnecessary parts other than the bridge.
【０００９】また、絶縁膜のエッチングと次のブリッジ
薄膜の形成とを同一の真空中で行うことが可能であるた
め、絶縁膜のエッチング時にブリッジ形成部下方の電極
の表面をもエッチングすることで、特に素子表面全体に
対するクリーニング用のエッチング工程を設けることな
く、ブリッジと電極との超伝導コンタクトを確実なもの
となし得る。Since the etching of the insulating film and the formation of the next bridge thin film can be performed in the same vacuum, it is possible to etch the surface of the electrode below the bridge forming portion during the etching of the insulating film. In particular, the superconducting contact between the bridge and the electrode can be ensured without providing an etching step for cleaning the entire device surface.
【００１０】[0010]
【実施例】図１は本発明を適用して準平面型のジョセフ
ソン接合素子を製造する場合の工程例の説明図である。
なお、この図１においては、製造手順に従って、（Ａ）
〜（Ｄ）のそれぞれに素子の要部平面図（左側）とその
Ａ−Ａ断面図（右側）を併記している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an explanatory view of a process example in the case of manufacturing a quasi-plane type Josephson junction device by applying the present invention.
In addition, in FIG. 1, according to the manufacturing procedure, (A)
In each of FIGS. 3A to 3D, a plan view (left side) of a main part of the device and a sectional view (right side) taken along the line AA are shown together.
【００１１】まず、従来の方法と同様にして、基板１の
表面に厚さ約２０００ÅのNbからなる下部電極２をパタ
ーニングした後、その表面に厚さ３００Å程度の NbOX
からなるバリア層３を介して、同じく厚さ約２０００Å
のNb薄膜製の上部電極４をパターニングする。この状態
を（Ａ）に示す。First, in the same manner as in the conventional method, the lower electrode 2 made of Nb having a thickness of about 2000Å is patterned on the surface of the substrate 1, and then NbO X having a thickness of about 300Å is formed on the surface.
Through the barrier layer 3 consisting of the same thickness of about 2000Å
The upper electrode 4 made of Nb thin film is patterned. This state is shown in (A).
【００１２】次に、下部電極２および上部電極４の上面
に、（Ｂ）に示すように、全面的にSiO2等の絶縁膜５を
成膜する。その後、素子を減速機能付きの集束イオンビ
ーム装置のステージ上にセットする。減速機能付きの集
束イオンビーム装置の構成例を図２に示し、以下にその
説明を行う。Next, an insulating film 5 of SiO 2 or the like is formed on the entire surfaces of the lower electrode 2 and the upper electrode 4 as shown in FIG. After that, the element is set on the stage of the focused ion beam device with a deceleration function. An example of the structure of a focused ion beam device with a deceleration function is shown in FIG. 2 and will be described below.
【００１３】加速電源２１により正の電位が与えられる
液体金属イオン源１１のイオン取り出し口に近接して引
き出し電極１２が配設されているとともに、この引き出
し電極１２と液体金属イオン源１１との間には引き出し
電源２２が接続され、両者間にイオン源１１内のイオン
を引き出すに充分な電位差が与えられるようになってい
る。An extraction electrode 12 is arranged in the vicinity of the ion extraction port of the liquid metal ion source 11 to which a positive potential is applied by the acceleration power source 21, and the extraction electrode 12 and the liquid metal ion source 11 are arranged between the extraction electrode 12 and the liquid metal ion source 11. An extraction power source 22 is connected to the above, and a sufficient potential difference for extracting the ions in the ion source 11 is provided between the two.
【００１４】イオン源１１から引き出されたイオンビー
ムは、最終的にはステージ１５上のターゲットＷに照射
されるが、引き出し電極１２とステージ１５の間には、
２つの静電型レンズ１３ａ，１３ｂと、マスフィルタ１
４、偏向電極１６および減速電極１７が配設されてい
る。The ion beam extracted from the ion source 11 is finally applied to the target W on the stage 15. However, between the extraction electrode 12 and the stage 15,
Two electrostatic lenses 13a and 13b and a mass filter 1
4, a deflection electrode 16 and a deceleration electrode 17 are arranged.
【００１５】引き出し電極１２により引き出されたイオ
ンビームは、静電型レンズ１３ａによって集束され、次
段のマスフィルタ１４によって目的イオンのみのビーム
となった後、静電型レンズ１３ｂによって再び集束され
て極微細な径の集束イオンビームとなる。この集束イオ
ンビームは偏向電極１６により所望方向への偏向が与え
られてステージ１５へと向かう。The ion beam extracted by the extraction electrode 12 is focused by the electrostatic lens 13a, becomes a beam of only target ions by the mass filter 14 in the next stage, and is then focused again by the electrostatic lens 13b. It becomes a focused ion beam with an extremely fine diameter. The focused ion beam is deflected in a desired direction by the deflection electrode 16 and heads for the stage 15.
【００１６】ステージ１５の直前に設けられた減速電極
１７には、減速電源２３により正の電位が与えられてお
り、集束イオンビームはこの減速電極１７の電位に応じ
て減速される。A positive potential is applied to the deceleration electrode 17 provided immediately before the stage 15 by the deceleration power supply 23, and the focused ion beam is decelerated according to the potential of the deceleration electrode 17.
【００１７】前記した加速電源２１、引き出し電源２２
および減速電源２３はそれぞれ可変電圧電源である。ま
た、ステージ１５上を含む装置全体を真空引きし得るよ
うになっている。The acceleration power source 21 and the extraction power source 22 described above
The deceleration power supply 23 is a variable voltage power supply. Further, the entire apparatus including the stage 15 can be evacuated.
【００１８】以上のように構成された集束イオンビーム
装置においては、イオンビームのターゲットＷへの到達
エネルギは、加速電源２１と減速電源２３との出力電圧
差に等しいものとなる。すなわち、減速電源２３の調節
によって、０〜加速電源２１の出力までの間で連続的に
集束イオンビームのエネルギを変化させることができ
る。In the focused ion beam apparatus configured as described above, the energy reached by the ion beam to the target W is equal to the output voltage difference between the acceleration power supply 21 and the deceleration power supply 23. That is, the energy of the focused ion beam can be continuously changed from 0 to the output of the acceleration power supply 21 by adjusting the deceleration power supply 23.
【００１９】さて、このような集束イオンビーム装置の
液体金属イオン源１１にNbを用い、図１（Ｂ）の状態の
素子を以上のような集束イオンビーム装置のステージ１
５の上に載せて、装置を真空引きした状態でエッチング
モード（加速電圧２０ｋｅＶ程度）にして、（Ｃ）に示
すように、弱結合部となるブリッジの形成位置に相当す
る部分の絶縁膜５をエッチングする。このとき、そのエ
ッチング幅は０．１μｍ程度が可能であり、長さは４μ
ｍ程度である。このとき同時に、そのエッチング部分の
直下の下部電極２および上部電極４の表面をも少しエッ
チングし、クリーニングしておく。Now, Nb is used for the liquid metal ion source 11 of such a focused ion beam apparatus, and the element in the state of FIG. 1B is used in the stage 1 of the focused ion beam apparatus as described above.
5, the device is evacuated to an etching mode (accelerating voltage of about 20 keV), and as shown in (C), a portion of the insulating film 5 corresponding to the position where the bridge to be the weak coupling portion is formed. To etch. At this time, the etching width can be about 0.1 μm and the length is 4 μm.
It is about m. At the same time, the surfaces of the lower electrode 2 and the upper electrode 4 immediately below the etched portion are also slightly etched and cleaned.
【００２０】次に、その状態で減速電源２３の出力電圧
を上げて蒸着モードとする。この場合、イオンビームの
加速電圧は１００ｅＶ程度である。そして、絶縁膜５の
表面に対して、（Ｃ）においてエッチングした部分を覆
うような所定領域、例えば幅数μｍ、長さ１０μｍ以下
程度の領域に集束イオンビームを照射し、ブリッジ用の
Nb薄膜６０を厚さ１００Å程度で成膜する。この状態を
（Ｄ）に示す。Next, in this state, the output voltage of the deceleration power supply 23 is raised to enter the vapor deposition mode. In this case, the acceleration voltage of the ion beam is about 100 eV. Then, a focused ion beam is applied to the surface of the insulating film 5 to a predetermined region that covers the etched portion in (C), for example, a region having a width of several μm and a length of 10 μm or less, for bridge use.
An Nb thin film 60 is formed with a thickness of about 100Å. This state is shown in (D).
【００２１】（Ｄ）の状態では、Nb薄膜６０は絶縁膜５
のエッチング部分の段差によって、絶縁膜５の表面上の
部分と、下部電極２および上部電極４の表面に直接乗っ
た部分とに分離され、この下部電極２と上部電極４の表
面に直接跨がった部分が、弱結合部を形成するブリッジ
６となる。In the state of (D), the Nb thin film 60 is the insulating film 5
Due to the step of the etched portion, the surface of the insulating film 5 is separated from the portion directly on the surfaces of the lower electrode 2 and the upper electrode 4, and the surface of the lower electrode 2 and the upper electrode 4 is directly extended. The broken portion becomes the bridge 6 forming the weakly coupled portion.
【００２２】以上の製法において特に注目すべき点は、
絶縁膜５のエッチングとそのエッチング部分を覆うNb薄
膜６０の成膜とを同一の真空雰囲気中で行うことができ
る点であり、しかも、そのエッチング時に下部電極２お
よび上部電極４の表面の、ブリッジ６の形成部分に対し
てエッチングによるクリーニングを行うことができ、こ
れにより、従来のようにブリッジ形成前に素子全面をス
パッタエッチングによるクリーニング工程を介在させる
ことなく、下部電極２および上部電極４とブリッジ６と
の間が確実に超伝導接続される。The points to be particularly noted in the above manufacturing method are
This is that the etching of the insulating film 5 and the formation of the Nb thin film 60 covering the etched portion can be performed in the same vacuum atmosphere, and the bridges on the surfaces of the lower electrode 2 and the upper electrode 4 during the etching. 6 can be cleaned by etching, so that the lower electrode 2 and the upper electrode 4 and the bridge can be bridged without interposing a cleaning process by sputter etching on the entire surface of the device before the bridge formation as in the conventional case. A reliable superconducting connection is made between the terminals 6 and 6.
【００２３】また、ブリッジ６を形成するためのNb薄膜
６０の不要部分は、絶縁膜５の上に乗った状態であるか
ら、特にこれを除去するためのエッチング工程を必要と
せず、これにより、集束イオンビームによるエッチング
が、電子ビーム露光を用いたエッチングに比してパター
ン精度のばらつきが少ないことと併せて、素子特性のば
らつきは少ないものとなる。Since the unnecessary portion of the Nb thin film 60 for forming the bridge 6 is on the insulating film 5, an etching process for removing the unnecessary portion is not particularly required. Compared with etching using electron beam exposure, etching with a focused ion beam has less variation in pattern accuracy, and also less variation in element characteristics.
【００２４】なお、集束イオンビーム装置の構成につい
ては特に前記した構成に限定されることなく、要は減速
機能を有し、ターゲットへのイオンの到達エネルギをエ
ッチング可能な値から蒸着可能な値にまで変更可能な機
能を持つ集束イオンビーム装置であれば、任意の構成の
ものを使用することができる。The structure of the focused ion beam apparatus is not particularly limited to the above-mentioned structure, and in short, it has a deceleration function, and the arrival energy of ions to the target is changed from a value that can be etched to a value that can be deposited. Any focused ion beam device having a variable function can be used.
【００２５】また、本発明は準平面型のジョセフソン接
合素子のほか、マイクロブリッジ型等の他の弱結合型の
ジョセフソン接合素子にも同様にして適用し得ることは
勿論であり、更に、素子の各部を構成する材料について
は、上記した実施例のものに限定されるないことは言う
までもない。In addition to the quasi-planar type Josephson junction element, the present invention can be applied to other weak coupling type Josephson junction element such as microbridge type in the same manner. It goes without saying that the material forming each part of the element is not limited to those of the above-mentioned embodiments.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加速エネルギの変更によってエッチングモードと蒸着モ
ードを選択可能な集束イオンビーム装置を用いて、２つ
の電極の上に形成された絶縁膜を弱結合部のパターンに
対応させてエッチングした後、そのエッチング部分を覆
うように弱結合部の形成材料を成膜するから、その膜は
絶縁膜のエッチング部分の段差によって弱結合部と不要
部分とに分離され、従来のように弱結合部をパターニン
グすべく余分な膜のエッチングを施す必要がなくなり、
電子ビーム露光と比較して集束イオンビームによるエッ
チングパターン精度のばらつきの少なさと併せて、素子
の特性のばらつきが大幅に減少する。As described above, according to the present invention,
Using a focused ion beam device capable of selecting an etching mode and a vapor deposition mode by changing the acceleration energy, the insulating film formed on the two electrodes is etched so as to correspond to the pattern of the weak coupling portion, and then the etched portion Since the material for forming the weak coupling part is formed so as to cover the weak coupling part, the film is separated into the weak coupling part and the unnecessary part by the step of the etching part of the insulating film, and it is unnecessary to pattern the weak coupling part as in the past. Eliminates the need to perform etching of various films,
Compared with the electron beam exposure, the variation in the etching pattern accuracy due to the focused ion beam is small, and the variation in the device characteristics is significantly reduced.
【００２７】また、集束イオンビーム装置を用いたエッ
チングでは、０．１μｍ程度のサブミクロンのパターニ
ングが可能なことから、本発明をＳＱＵＩＤ素子の製造
に適用する場合には、磁束侵入長さより細いブリッジの
形成が可能となり、低ノイズのＳＱＵＩＤ素子を得るこ
とが可能となった。Further, in the etching using the focused ion beam device, since submicron patterning of about 0.1 μm is possible, when the present invention is applied to the manufacture of SQUID elements, a bridge thinner than the magnetic flux penetration length is used. Can be formed, and a low noise SQUID element can be obtained.
【００２８】更に、従来の製造方法のように、弱結合部
形成用の薄膜を成膜する前に、２つの電極の表面全体に
クリーニングのためのスパッタエッチングする必要がな
く、弱結合部形成用の薄膜を成膜するときと同一の真空
雰囲気中で、絶縁膜のエッチング時に電極表面の弱結合
部形成部分のみを集束イオンビームによるエッチングに
よってクリーニングすることができることから、電極表
面へのダメージを与える恐れなく、弱結合部と各電極間
の超伝導接続を確実なものとすることが可能となった。Further, unlike the conventional manufacturing method, it is not necessary to perform sputter etching for cleaning the entire surfaces of the two electrodes before forming the thin film for forming the weakly bonded portion, and the weakly bonded portion is formed. In the same vacuum atmosphere as when forming the thin film, the electrode surface can be damaged because the weak ion bond forming part of the electrode surface can be cleaned by the focused ion beam etching when the insulating film is etched. Without fear, it became possible to secure the superconducting connection between the weakly connected part and each electrode.
【図１】本発明実施例の製造手順の説明図FIG. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing procedure according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明実施例において用いられる集束イオンビ
ーム装置の一例を示す構成図FIG. 2 is a configuration diagram showing an example of a focused ion beam device used in an embodiment of the present invention.
１ 基板 ２ 下部電極 ３ バリア層 ４ 上部電極 ５ 絶縁膜 ６ ブリッジ ６０ Nb薄膜 １１ 液体金属イオン源 １２ 引き出し電極 １３ａ，１３ｂ 静電型レンズ １４ マスフィルタ １５ ステージ １６ 偏向電極 ２１ 加速電源 ２２ 引き出し電源 ２３ 減速電源 1 Substrate 2 Lower Electrode 3 Barrier Layer 4 Upper Electrode 5 Insulating Film 6 Bridge 60 Nb Thin Film 11 Liquid Metal Ion Source 12 Extraction Electrodes 13a, 13b Electrostatic Lens 14 Mass Filter 15 Stage 16 Deflection Electrode 21 Acceleration Power Supply 22 Extraction Power Supply 23 Deceleration Power supply
Claims (1)
によって相互に接合された素子の製造方法であって、上
記２つの電極の形成後にこれらを覆うように絶縁膜を形
成し、その後、加速電圧の変更によりイオンビームによ
るターゲットのエッチングと、イオンビーム内のイオン
のターゲットへの蒸着が可能な集束イオンビーム装置を
用いて、まず弱結合部の形成位置並びにパターンに対応
させて上記絶縁膜をエッチングし、次に、集束イオンビ
ーム装置の加速電圧を変更して上記絶縁膜の上から上記
エッチング部を含む所定領域に弱結合部形成部材からな
る薄膜を成膜することを特徴とするジョセフソン接合素
子の製造方法。1. A method of manufacturing an element in which two electrodes of a superconductor thin film are joined to each other by a weakly coupled portion, wherein an insulating film is formed so as to cover these two electrodes, After that, using a focused ion beam apparatus capable of etching the target with an ion beam by changing the accelerating voltage and vapor deposition of the ions in the ion beam onto the target, first, according to the formation position and the pattern of the weak coupling part, The insulating film is etched, and then the accelerating voltage of the focused ion beam apparatus is changed to form a thin film of a weakly bonded portion forming member on the insulating film in a predetermined region including the etched portion. Method for manufacturing Josephson junction device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033480A JPH06252462A (en) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Manufacture of josephson junction device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033480A JPH06252462A (en) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Manufacture of josephson junction device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252462A true JPH06252462A (en) | 1994-09-09 |
Family
ID=12387718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5033480A Pending JPH06252462A (en) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Manufacture of josephson junction device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252462A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013031847A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | シャープ株式会社 | Touch panel and manufacturing method for touch panel |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP5033480A patent/JPH06252462A/en active Pending
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| WO2013031847A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | シャープ株式会社 | Touch panel and manufacturing method for touch panel |
| US10013120B2 (en) | 2011-09-02 | 2018-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Touch panel and manufacturing method for touch panel |
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