JPH06252061A - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPH06252061A JPH06252061A JP3768393A JP3768393A JPH06252061A JP H06252061 A JPH06252061 A JP H06252061A JP 3768393 A JP3768393 A JP 3768393A JP 3768393 A JP3768393 A JP 3768393A JP H06252061 A JPH06252061 A JP H06252061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- counter electrode
- substrate
- large number
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマCVD装置において、ガス供給条件
に関係なく、膜の堆積量の違いを無くし、均一な厚さで
膜を堆積する。 【構成】 高周波電極3と対向電極(基板トレー)6の
間の空間9の両側に互いに対向して反応ガス供給手段1
1と反応ガス排気手段12を配設し、多数の噴出口13
から噴出した反応ガスが多数の吸入口14に向かって空
間9を均一に層流状態で流れるようにし、対向電極6上
の基板8に均一な厚さに膜を堆積する。
に関係なく、膜の堆積量の違いを無くし、均一な厚さで
膜を堆積する。 【構成】 高周波電極3と対向電極(基板トレー)6の
間の空間9の両側に互いに対向して反応ガス供給手段1
1と反応ガス排気手段12を配設し、多数の噴出口13
から噴出した反応ガスが多数の吸入口14に向かって空
間9を均一に層流状態で流れるようにし、対向電極6上
の基板8に均一な厚さに膜を堆積する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、グロー放電により反応
ガスを励起分解し、基板表面と低温域で反応を生じさせ
て膜堆積を行い、例えば基板表面にSi3 N4 やa−S
iやSiO2などの絶縁膜や半導体膜や保護膜を形成す
るプラズマCVD装置に関するものである。
ガスを励起分解し、基板表面と低温域で反応を生じさせ
て膜堆積を行い、例えば基板表面にSi3 N4 やa−S
iやSiO2などの絶縁膜や半導体膜や保護膜を形成す
るプラズマCVD装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の容量結合形のプラズマCVD装置
は、例えば図2に示すように、反応室21内に高周波が
印加される高周波電極22とアース電位の対向電極23
を配設するとともに、反応ガス供給管24から高周波電
極22内を通ってその下面に設けられた多数のガス噴出
口25から対向電極23に向けて反応ガス(SiH4 +
NH3 、SiH4 +N2 Oなど)を均一に噴出させるよ
うに構成されている。また、対向電極23上に配置した
基板27をヒーター26にて加熱するように構成されて
いる。
は、例えば図2に示すように、反応室21内に高周波が
印加される高周波電極22とアース電位の対向電極23
を配設するとともに、反応ガス供給管24から高周波電
極22内を通ってその下面に設けられた多数のガス噴出
口25から対向電極23に向けて反応ガス(SiH4 +
NH3 、SiH4 +N2 Oなど)を均一に噴出させるよ
うに構成されている。また、対向電極23上に配置した
基板27をヒーター26にて加熱するように構成されて
いる。
【0003】そして、多数のガス噴出口25から反応ガ
スを均一に噴出させた状態で高周波電極22と対向電極
23の間でグロー放電を行わせてプラズマを発生させ、
反応ガスを励起、イオン化させ、電離したイオンと反応
性の高い中性分子とをつくり、反応性の高い中性分子を
ガス流拡散により対向電極23上で加熱された基板27
の表面に運び、基板27の表面と反応させることによ
り、Six Ny やSiO x などの絶縁薄膜を堆積形成し
ている。
スを均一に噴出させた状態で高周波電極22と対向電極
23の間でグロー放電を行わせてプラズマを発生させ、
反応ガスを励起、イオン化させ、電離したイオンと反応
性の高い中性分子とをつくり、反応性の高い中性分子を
ガス流拡散により対向電極23上で加熱された基板27
の表面に運び、基板27の表面と反応させることによ
り、Six Ny やSiO x などの絶縁薄膜を堆積形成し
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
プラズマCVD装置によるSix Ny やa−Siなどの
薄膜形成において、均一な膜質を得るために形成膜厚の
均一性が重要であるが、ガス噴出口25から噴出したガ
ス流は直接基板27上に到達することから、図3に示す
ように、基板27のガス噴出口25に対向した部分への
膜堆積が多くなり、ガス供給条件によっては基板27上
の膜厚分布が均一でなくなることがあるという問題があ
った。
プラズマCVD装置によるSix Ny やa−Siなどの
薄膜形成において、均一な膜質を得るために形成膜厚の
均一性が重要であるが、ガス噴出口25から噴出したガ
ス流は直接基板27上に到達することから、図3に示す
ように、基板27のガス噴出口25に対向した部分への
膜堆積が多くなり、ガス供給条件によっては基板27上
の膜厚分布が均一でなくなることがあるという問題があ
った。
【0005】本発明は上記従来の問題点に鑑み、ガス供
給条件に関係なく、均一な厚さで膜を堆積することがで
きるプラズマCVD装置を提供することを目的とする。
給条件に関係なく、均一な厚さで膜を堆積することがで
きるプラズマCVD装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室内に高
周波又はマイクロ波が印加される高周波電極とこの高周
波電極に対向するアース電位の対向電極とを配設し、高
周波電極と対向電極の間でグロー放電させるとともに反
応ガスを供給してプラズマを発生するようにしたプラズ
マCVD装置において、高周波電極と対向電極の間の空
間の両側に互いに対向するように多数の噴出口を有する
反応ガス供給手段と多数の吸入口を有する反応ガス排気
手段を配設したことを特徴とする。
周波又はマイクロ波が印加される高周波電極とこの高周
波電極に対向するアース電位の対向電極とを配設し、高
周波電極と対向電極の間でグロー放電させるとともに反
応ガスを供給してプラズマを発生するようにしたプラズ
マCVD装置において、高周波電極と対向電極の間の空
間の両側に互いに対向するように多数の噴出口を有する
反応ガス供給手段と多数の吸入口を有する反応ガス排気
手段を配設したことを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明によると、高周波電極と対向電極の間の
空間の両側に互いに対向して反応ガス供給手段と反応ガ
ス排気手段を配設しているので、多数の噴出口から噴出
した反応ガスが高周波電極と対向電極の間の空間を多数
の吸入口に向かって均一に層流状態で流れるため、ガス
供給条件に関係なく空間内に反応ガスの均一な流れが形
成され、そのため対向電極上の基板に均一な厚さに膜を
堆積することができる。
空間の両側に互いに対向して反応ガス供給手段と反応ガ
ス排気手段を配設しているので、多数の噴出口から噴出
した反応ガスが高周波電極と対向電極の間の空間を多数
の吸入口に向かって均一に層流状態で流れるため、ガス
供給条件に関係なく空間内に反応ガスの均一な流れが形
成され、そのため対向電極上の基板に均一な厚さに膜を
堆積することができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明に係るプラズマCVD装置の一
実施例を図1を参照しながら説明する。
実施例を図1を参照しながら説明する。
【0009】図1において、1は平面視方形状でかつア
ース電位にされた反応室で、適当箇所に配設された排気
口2から所定の真空度に真空排気可能に構成されてい
る。反応室1内の上部には絶縁体4を介して高周波電極
3が配設されている。この高周波電極3には高周波電源
5が接続されている。なお、高周波の代わりにマイクロ
波を印加するようにしてもよい。反応室1内の下部に
は、高周波電極3に対向して対向電極としての基板トレ
ー6が配設されている。この基板トレー6は電気的には
反応室1に接続されてアース電位に保持されるととも
に、その下部に配設されたヒーター7にて基板トレー6
上に配置された基板8を加熱するように構成されてい
る。
ース電位にされた反応室で、適当箇所に配設された排気
口2から所定の真空度に真空排気可能に構成されてい
る。反応室1内の上部には絶縁体4を介して高周波電極
3が配設されている。この高周波電極3には高周波電源
5が接続されている。なお、高周波の代わりにマイクロ
波を印加するようにしてもよい。反応室1内の下部に
は、高周波電極3に対向して対向電極としての基板トレ
ー6が配設されている。この基板トレー6は電気的には
反応室1に接続されてアース電位に保持されるととも
に、その下部に配設されたヒーター7にて基板トレー6
上に配置された基板8を加熱するように構成されてい
る。
【0010】反応室1内における高周波電極3と基板ト
レー6の間の空間9の両側には、互いに対向して反応ガ
ス供給手段11と反応ガス排気手段12が配設されてい
る。反応ガス供給手段11には反応ガス排気手段12に
向かって反応ガスを噴出する多数の噴出口13が設けら
れ、反応ガス排気手段12にも反応ガスを吸入する多数
の吸入口14が設けられ、これにより図1に矢印で示す
ように多数の噴出口13から噴出した反応ガスが空間9
を多数の吸入口14に向かって均一に層流状態で流れる
ように構成されている。反応ガス供給手段11におい
て、多数の噴出口13は反応ガス均分室15の側壁に形
成され、この反応ガス均分室15に反応室1の側壁を貫
通した反応ガス供給管16が接続されている。また、反
応ガス排気手段12において、多数の吸入口14は排気
チャンバー17の側壁に形成され、この排気チャンバー
17から反応室1の側壁を貫通して排気管18が延出さ
れている。
レー6の間の空間9の両側には、互いに対向して反応ガ
ス供給手段11と反応ガス排気手段12が配設されてい
る。反応ガス供給手段11には反応ガス排気手段12に
向かって反応ガスを噴出する多数の噴出口13が設けら
れ、反応ガス排気手段12にも反応ガスを吸入する多数
の吸入口14が設けられ、これにより図1に矢印で示す
ように多数の噴出口13から噴出した反応ガスが空間9
を多数の吸入口14に向かって均一に層流状態で流れる
ように構成されている。反応ガス供給手段11におい
て、多数の噴出口13は反応ガス均分室15の側壁に形
成され、この反応ガス均分室15に反応室1の側壁を貫
通した反応ガス供給管16が接続されている。また、反
応ガス排気手段12において、多数の吸入口14は排気
チャンバー17の側壁に形成され、この排気チャンバー
17から反応室1の側壁を貫通して排気管18が延出さ
れている。
【0011】以上の構成において、高周波電源5から高
周波電極3に高周波を印加して放電を行わせるととも
に、原料となる反応ガスを反応ガス供給手段11から空
間9に供給することにより空間9にプラズマが発生し、
プラズマ中で反応ガス(SiH 4 +NH3 、SiH4 +
N2 Oなど)が励起、イオン化され、イオンと反応性の
高い中性分子がつくられ、この反応性の高い中性分子が
ガス流とともにヒーター7にて加熱された基板8表面に
運ばれて反応し、Six Ny などの絶縁膜などが堆積形
成される。
周波電極3に高周波を印加して放電を行わせるととも
に、原料となる反応ガスを反応ガス供給手段11から空
間9に供給することにより空間9にプラズマが発生し、
プラズマ中で反応ガス(SiH 4 +NH3 、SiH4 +
N2 Oなど)が励起、イオン化され、イオンと反応性の
高い中性分子がつくられ、この反応性の高い中性分子が
ガス流とともにヒーター7にて加熱された基板8表面に
運ばれて反応し、Six Ny などの絶縁膜などが堆積形
成される。
【0012】この薄膜形成に際して、高周波電極3と対
向電極としての基板トレー6との間の空間9の両側に互
いに対向して反応ガス供給手段11と反応ガス排気手段
12が配設され、多数の噴出口13から噴出した反応ガ
スが多数の吸入口14に向かって空間9を均一に層流状
態で流れるため、ガス供給条件に関係なく空間9内に反
応ガスの均一な流れが形成される。これにより、基板ト
レー6上の基板8表面上に均一な厚さに膜が堆積され
る。
向電極としての基板トレー6との間の空間9の両側に互
いに対向して反応ガス供給手段11と反応ガス排気手段
12が配設され、多数の噴出口13から噴出した反応ガ
スが多数の吸入口14に向かって空間9を均一に層流状
態で流れるため、ガス供給条件に関係なく空間9内に反
応ガスの均一な流れが形成される。これにより、基板ト
レー6上の基板8表面上に均一な厚さに膜が堆積され
る。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように高周波電
極と対向電極の間の空間の両側に互いに対向して反応ガ
ス供給手段と反応ガス排気手段を配設し、多数の噴出口
から噴出した反応ガスを多数の吸入口に向かって流すよ
うに構成しているので、高周波電極と対向電極の間の空
間を反応ガスが均一に層流状態で流れ、ガス供給条件に
関係なく空間内に反応ガスの均一な流れが形成され、そ
のため対向電極上の基板に均一な厚さに膜を堆積するこ
とができ、膜厚や膜質にむらのない薄膜を形成すること
ができる。
極と対向電極の間の空間の両側に互いに対向して反応ガ
ス供給手段と反応ガス排気手段を配設し、多数の噴出口
から噴出した反応ガスを多数の吸入口に向かって流すよ
うに構成しているので、高周波電極と対向電極の間の空
間を反応ガスが均一に層流状態で流れ、ガス供給条件に
関係なく空間内に反応ガスの均一な流れが形成され、そ
のため対向電極上の基板に均一な厚さに膜を堆積するこ
とができ、膜厚や膜質にむらのない薄膜を形成すること
ができる。
【図1】本発明の一実施例におけるプラズマCVD装置
を示し、(a)は横断平面図、(b)は縦断正面図であ
る。
を示し、(a)は横断平面図、(b)は縦断正面図であ
る。
【図2】従来例のプラズマCVD装置の縦断正面図であ
る。
る。
【図3】従来例のプラズマCVD装置による膜堆積状態
の説明図である。
の説明図である。
1 反応室 3 高周波電極 6 基板トレー(対向電極) 8 基板 9 空間 11 反応ガス供給手段 12 反応ガス排気手段 13 噴出口 14 吸入口
Claims (1)
- 【請求項1】 反応室内に高周波又はマイクロ波が印加
される高周波電極とこの高周波電極に対向するアース電
位の対向電極とを配設し、高周波電極と対向電極の間で
グロー放電させるとともに反応ガスを供給してプラズマ
を発生するようにしたプラズマCVD装置において、高
周波電極と対向電極の間の空間の両側に互いに対向する
ように多数の噴出口を有する反応ガス供給手段と多数の
吸入口を有する反応ガス排気手段を配設したことを特徴
とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3768393A JPH06252061A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3768393A JPH06252061A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | プラズマcvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252061A true JPH06252061A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12504401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3768393A Pending JPH06252061A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06252061A (ja) |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP3768393A patent/JPH06252061A/ja active Pending
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