JPH06250228A - Production of liquid crystal display device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide the process for production of the liquid crystal display device capable of producing the liquid crystal display device having a high contrast ratio without increasing the production process using an intricate mask of high accuracy. CONSTITUTION:A photoresist 52 contg. a light shielding material is laminated and formed on a substrate 20 while the photoresist patterns used for patterning of pixel electrodes 28 is made to remain after patterning of nonlinear resistance elements 16 and the pixel electrodes 28 connected thereto is finished. The photoresist 52 contg. the light shielding material is, thereafter, exposed from the substrate side. The photoresist 52 contg. the light shielding material is patterned by using the remaining photoresist patterns for patterning of the pixel electrodes 28. The residue of the photoresist 52 contg. the light shielding material remaining on the periphery of the pixel electrodes 28 is removed by removing the photoresist patterns for the pixel electrodes.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、特に、
スイッチング素子として金属−絶縁層−金属（以下、Ｍ
ＩＭと称する）よりなる非線形抵抗素子を用いた液晶表
示装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to
Metal-insulating layer-metal (hereinafter M
And a method for manufacturing a liquid crystal display device using a non-linear resistance element made of IM).

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、パーソナル・コ
ンピューター、ワードプロセッサー、更にはＯＡ用の端
末機器、ＴＶ用画像表示等の大容量情報表示に使用され
てきており、一層高い画質が求められるようになってい
る。液晶表示装置において使用されるスイッチング素子
には種々のものが知られているが、構造が簡単で、製造
の容易な２端子の非線形抵抗素子、中でも、現在のとこ
ろ実用化されているものとしてＭＩＭ素子が挙げられ
る。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been used for displaying large-capacity information such as personal computers, word processors, terminal equipment for office automation, and image display for TV, and higher image quality is required. It has become. Although various types of switching elements used in liquid crystal display devices are known, a two-terminal non-linear resistance element having a simple structure and easy to manufacture, and among them, MIM has been put into practical use at present. An element is mentioned.

【０００３】ＭＩＭ素子の構造をこの素子の製造工程に
従って説明すると、まず、ガラス基板上にＴａ膜をスパ
ッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形成
し、写真食刻法によりパターニングする。これにより、
配線とＭＩＭの片側の電極とがガラス基板上に形成され
る。次に、Ｔａ膜を例えばクエン酸水溶液中で陽極酸化
法により化成し、ＭＩＭの絶縁層として作用する酸化膜
を形成する。更に、ＭＩＭのもう片側の電極としてＣｒ
膜を、薄膜形成・加工法により形成することにより、Ｍ
ＩＭ素子が完成する。その後、ＭＩＭ素子のＣｒ膜と接
するように画像表示用の透明電極を形成する。上記のよ
うな基本的な製造技術は特公昭５５−１６１２７３号公
報に開示され、その改良技術が特開昭５８−１７８３２
０号公報等に示されている。The structure of the MIM element will be described according to the manufacturing process of this element. First, a Ta film is formed on a glass substrate by a thin film forming method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, and patterned by a photolithography method. This allows
The wiring and the electrode on one side of the MIM are formed on the glass substrate. Next, the Ta film is formed by, for example, an anodizing method in an aqueous solution of citric acid to form an oxide film that acts as an insulating layer of MIM. Furthermore, Cr is used as the other electrode of the MIM.
By forming a film by a thin film forming / processing method, M
IM element is completed. Then, a transparent electrode for image display is formed so as to be in contact with the Cr film of the MIM element. The basic manufacturing technique as described above is disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 55-161273, and an improved technique thereof is disclosed in JP-A-58-17832.
No. 0 publication and the like.

【０００４】従来のＭＩＭ素子は、特開昭５５−１６１
２７３号公報に記載されているように、第１の基板上に
は、ＭＩＭ素子および画像表示用の透明電極を３回の薄
膜形成・写真食刻によりパターン形成し、さらに、第２
の基板上に透明電極のパターンを形成している。しかし
ながら、両方の基板を組み合わせてセルを組み立てた場
合、光を偏調できない領域、つまり、裏側から表側に光
の抜ける領域ができてしまい、コントラスト比を悪くし
ていた。また、通常、光の漏洩領域を、遮光部材で覆う
工夫が行われ、クロム等の金属パターンを第１の基板の
画素電極周辺の光漏れ部分に設けることが行われる。特
に、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタ型
の液晶表示装置においては、トランジスタの電流光リー
クを防ぐ目的で遮光部材は不可欠とされている。カラー
表示の場合には、カラーフィルターの色領域間の境界
に、クロム等の金属パターンや黒色部材を配置してい
る。このような、遮光部材は、第１の基板の上に限ら
ず、第２の基板上に施してもよい。A conventional MIM element is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-161.
As described in Japanese Patent No. 273, the MIM element and the transparent electrode for image display are patterned on the first substrate by thin film formation and photolithography three times, and further, on the second substrate.
A transparent electrode pattern is formed on the substrate. However, when a cell is assembled by combining both substrates, a region where light cannot be modulated, that is, a region where light escapes from the back side to the front side is formed, which deteriorates the contrast ratio. Further, usually, a device for covering the light leakage region with a light shielding member is made, and a metal pattern such as chrome is provided in the light leakage portion around the pixel electrode of the first substrate. In particular, in a thin film transistor type liquid crystal display device using amorphous silicon, a light shielding member is indispensable for the purpose of preventing current / light leakage of the transistor. In the case of color display, a metal pattern such as chrome or a black member is arranged at the boundary between the color regions of the color filter. Such a light blocking member may be provided not only on the first substrate but also on the second substrate.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような遮光部材を設ける場合、フォトマスクを用いた微
細高精度の製造工程が必要であるとともに、２枚の基板
上のパタ−ニング相互のずれが必ず生じる。そのため、
遮光部材材が画素電極に被さって、光偏調領域（画素面
積）を減少させたり、横方向に隙間が生じて、光漏洩部
分を生じてしまう問題がある。However, in the case of providing the above-mentioned light-shielding member, a fine and highly accurate manufacturing process using a photomask is required, and the mutual deviation of the patterns on the two substrates. Will always occur. for that reason,
There is a problem that the light shielding member material covers the pixel electrode to reduce the light modulation region (pixel area), or a gap is formed in the lateral direction to generate a light leakage portion.

【０００６】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、複雑高精度のフォトマスクを用いた製造工程を増や
すこと無く、コントラスト比の高い液晶表示装置を製造
することのできる液晶表示装置の製造方法を提供するこ
とにある。The present invention has been made in view of the above points, and is capable of manufacturing a liquid crystal display device having a high contrast ratio without increasing the number of manufacturing steps using a complicated and highly accurate photomask. To provide a method.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の製造方法によれば、液晶表示装置に用いる
マトリクスアレイ基板の製造において、画素電極を構成
する透明電極部を除く領域に、遮光部材を隙間無く形成
している。つまり、非線形抵抗素子およびこれに接続す
る画素電極のパターニングが済んだ後、画素電極のパタ
ーニングに用いたフォトレジストパターンを残したま
ま、遮光材料を含んだフォトレジストを積層形成する。
その後、新たなフォトマスクを用いることなく、基板側
から、遮光材料を含むフォトレジストを露光する。この
場合、残っている画素電極のパターニング用のフォトレ
ジストパターンが、フォトマスクの役割を果たし、遮光
材料を含んだフォトレジストのパターニングができる。
そして、画素電極用のフォトレジストパターンを除去す
ると、その際、画素電極の周辺に１乃至５ミクロン程度
残っていた、遮光材料を含んだフォトレジストの残渣が
除去され、精度の良い、パターニングができる。それに
より、高性能のマトリクスアレイ基板を有する液晶表示
装置を製造することができる。To achieve the above object, according to the manufacturing method of the present invention, in manufacturing a matrix array substrate used for a liquid crystal display device, in a region excluding a transparent electrode portion constituting a pixel electrode, The light shielding member is formed without a gap. That is, after the non-linear resistance element and the pixel electrode connected thereto are patterned, a photoresist containing a light-shielding material is laminated while leaving the photoresist pattern used for the patterning of the pixel electrode.
Then, the photoresist containing the light shielding material is exposed from the substrate side without using a new photomask. In this case, the remaining photoresist pattern for patterning the pixel electrode serves as a photomask, and the photoresist containing the light shielding material can be patterned.
Then, when the photoresist pattern for the pixel electrode is removed, the residue of the photoresist containing the light shielding material, which remains on the periphery of the pixel electrode by about 1 to 5 μm, is removed, and the patterning can be performed with high accuracy. . Thereby, a liquid crystal display device having a high-performance matrix array substrate can be manufactured.

【０００８】[0008]

【作用】既存の層をフォトマスクに用いて裏面露光を行
うことから、新たなフォトマスクのための写真食刻工程
の追加は必要無く、生産性の低下を防止することができ
る。通常、表示の画素は光偏調領域を大きし、コントラ
ストを向上させる目的から可能な限り大きく設計され
る。本発明では、その大きさを規定する画素電極パター
ニング用のレジストを最後に剥離することにより、リフ
トオフ効果で、画素周辺に残って画素領域を狭めてい
た、余分な黒レジスト残渣を取り去り、画素のその大き
さを確実に保持することができる。この結果、設計どお
りの高コントラスト表示を実現でき、高性能の液晶表示
装置の製造が可能となる。Since the backside exposure is performed by using the existing layer as a photomask, it is not necessary to add a photo-etching step for a new photomask, and the productivity can be prevented from being lowered. Usually, the display pixel is designed to be as large as possible for the purpose of increasing the light modulation area and improving the contrast. In the present invention, the resist for patterning the pixel electrode, which defines the size of the pixel electrode, is peeled off at the end, so that the lift-off effect removes the excess black resist residue remaining in the periphery of the pixel and narrowing the pixel region, and The size can be reliably held. As a result, high-contrast display as designed can be realized, and a high-performance liquid crystal display device can be manufactured.

【０００９】[0009]

【実施例】以下、この発明の一実施例に係る液晶表示装
置の製造方法について詳細に説明する。まず、本実施例
に係る製造方法により製造される液晶表示装置の構成に
ついて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail below. First, the configuration of the liquid crystal display device manufactured by the manufacturing method according to this embodiment will be described.

【００１０】図１および図２に示すように、液晶表示装
置は、ガラス基板２０を有する第１の基板としてのマト
リクスアレイ基板２２と、このマトリクスアレイ基板と
所定の間隔を保って保持された第２の基板としての対向
基板２４と、これらの基板間に封入された液晶層２６
と、を備えている。As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device includes a matrix array substrate 22 as a first substrate having a glass substrate 20, and a matrix array substrate 22 held at a predetermined distance from the matrix array substrate. A counter substrate 24 as a second substrate and a liquid crystal layer 26 enclosed between these substrates.
And are equipped with.

【００１１】ガラス基板２０の上面には、互いに平行な
多数の電極配線１２が形成されているとともに、各電極
配線に沿って、多数の透明な画素電極２８が互いに所定
間隔離間して形成されている。各画素電極２８は、非線
形抵抗素子としてのＭＩＭ素子１６を介して対応する電
極配線１２に接続されている。ＭＩＭ素子１６は、ガラ
ス基板２０上面に形成にされ電極配線１２から延出した
Ｔａからなる第１の金属膜１６ａと、第１の金属膜上に
形成された絶縁膜（非線形抵抗膜）１６ｂと、絶縁膜上
に形成されたＴｉからなる第２の金属膜１６ｃと、を有
している。画素電極２８は、ＩＴＯからなり、その一部
が第２の金属膜１６ｃと重なるように形成されている。
また、画素電極２８を除く領域を覆うようにして、遮光
部材としての黒色部材５０が形成されている。そして、
ガラス基板２０上面には、電極配線１２、ＭＩＭ素子１
６、画素電極２８、および黒色部材５０に重ねて、ポリ
イミド樹脂からなる配向膜３２が形成されている。A large number of parallel electrode wirings 12 are formed on the upper surface of the glass substrate 20, and a large number of transparent pixel electrodes 28 are formed along the respective electrode wirings at predetermined intervals. There is. Each pixel electrode 28 is connected to the corresponding electrode wiring 12 via the MIM element 16 as a non-linear resistance element. The MIM element 16 includes a first metal film 16a made of Ta formed on the upper surface of the glass substrate 20 and extending from the electrode wiring 12, and an insulating film (nonlinear resistance film) 16b formed on the first metal film. , And a second metal film 16c made of Ti formed on the insulating film. The pixel electrode 28 is made of ITO, and is formed so that a part thereof overlaps the second metal film 16c.
Further, a black member 50 as a light shielding member is formed so as to cover the area excluding the pixel electrode 28. And
The electrode wiring 12 and the MIM element 1 are provided on the upper surface of the glass substrate 20.
An alignment film 32 made of polyimide resin is formed so as to overlap the pixel electrode 28, the pixel electrode 28, and the black member 50.

【００１２】一方、対向基板２４の内面上には、ＩＴＯ
からなるストライプ状の多数の透明な対向電極１４が形
成され、電極配線１２と直交する方向に延びている。ま
た、対向基板２４の内面上には、対向電極１４に重ね
て、ポリイミド樹脂からなる配向膜３６が形成されてい
る。On the other hand, ITO is formed on the inner surface of the counter substrate 24.
A large number of transparent counter electrodes 14 in the form of stripes are formed and extend in the direction orthogonal to the electrode wiring 12. An alignment film 36 made of polyimide resin is formed on the inner surface of the counter substrate 24 so as to overlap the counter electrode 14.

【００１３】上記のように構成された液晶表示装置は、
以下の製造工程により製造される。まず、図３（ａ）に
示すように、例えば、ＳｉＯ2 のアルカリ防御被膜を表
面に備えた０．７ｍｍ厚のガラス基板２０上に、３００
０オングストロームのＴａからなる薄膜３８をスパッタ
リングにより形成する。次に、薄膜３８上にポジタイプ
のフォトレジスト（感光性樹脂）を全面塗布した後、フ
ォトマスクを用いて露光し、現像にてレジストパターン
４０を形成する。続いて、ケミカルドライエッチング法
により薄膜３８のエッチングを行う。ここでは、ＣＦ4
とＯ2 ガスを等量混合したプラズマ中でエッチングを行
い、パターン周辺（エッヂ）部にテーパー形状が形成さ
れる。それにより、ガラス基板２０上面に電極配線１２
およびＭＩＭ素子１６の第１の金属膜１６ａが形成され
れる。The liquid crystal display device configured as described above is
It is manufactured by the following manufacturing process. First, as shown in FIG. 3A, for example, a glass substrate 20 having a thickness of 0.7 mm and having an alkali protective film of SiO2 on its surface is provided with 300
A thin film 38 of 0 angstrom Ta is formed by sputtering. Next, a positive type photoresist (photosensitive resin) is applied on the entire surface of the thin film 38, exposed by using a photomask, and developed to form a resist pattern 40. Then, the thin film 38 is etched by the chemical dry etching method. Here, CF4
Etching is carried out in plasma in which an equal amount of oxygen gas and O2 gas are mixed to form a tapered shape around the pattern (edge). Thereby, the electrode wiring 12 is formed on the upper surface of the glass substrate 20.
Then, the first metal film 16a of the MIM element 16 is formed.

【００１４】次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト
パターン４０を除去した状態で、電極配線１２および第
１の金属膜１６ａを陽極とし、白金メッシュ板を陰極と
して、電解液（１重量％硼酸アンモニウム水溶液）中で
化成を行う。この時の電圧をコントロールすることによ
り第１の金属膜１６ａの表面上に、絶縁膜１６ｂを所望
の厚さに形成する。実施例では４８Ｖの電圧を印加し、
８００オングストロームの絶縁膜１６ｂを得ている。電
解液に対し、露出しているＴａでは、膜厚３２０オング
ストロームの金属が膜厚８００オングストロームのＴａ
2 Ｏ5 （誘電率２５）に変化する。Next, as shown in FIG. 3B, with the resist pattern 40 removed, the electrode wiring 12 and the first metal film 16a serve as an anode, and the platinum mesh plate serves as a cathode. Chemical formation is carried out in an aqueous solution of ammonium borate (weight%). By controlling the voltage at this time, the insulating film 16b is formed in a desired thickness on the surface of the first metal film 16a. In the embodiment, a voltage of 48V is applied,
An insulating film 16b of 800 Å is obtained. When Ta is exposed to the electrolytic solution, metal having a film thickness of 320 Å is Ta having a film thickness of 800 Å.
It changes to 2 O5 (dielectric constant 25).

【００１５】続いて、図３（ｃ）に示すように、ガラス
基板２０の全面に膜厚１２００オングストロームのＴｉ
からなる薄膜４２をスパッタリングによって形成する。
この薄膜４２上にポジタイプのフォトレジスト（感光性
樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを用いて露光
し、現像にてレジストパターン４４を形成する。続い
て、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン・テトラ・アセティッ
ク・アシッド）９ｇと水４００ｃｃ、過酸化水素２１６
ｃｃ、アンモニア水３０ｍｌとを混ぜ、室温に保って、
Ｔｉの薄膜４２をエッチングし、レジストを除去する。
これによりＭＩＭ素子１６の第２の金属膜１６ｃが形成
される。Then, as shown in FIG. 3C, a Ti film having a thickness of 1200 Å is formed on the entire surface of the glass substrate 20.
A thin film 42 made of is formed by sputtering.
A positive type photoresist (photosensitive resin) is applied to the entire surface of the thin film 42, exposed by using a photomask, and developed to form a resist pattern 44. Subsequently, 9 g of EDTA (ethylenediamine / tetra-acetic acid), 400 cc of water, 216 hydrogen peroxide
Mix cc and 30 ml of ammonia water, keep at room temperature,
The Ti thin film 42 is etched to remove the resist.
As a result, the second metal film 16c of the MIM element 16 is formed.

【００１６】次に、図３（ｄ）に示すように、１０００
オングストロームのＩＴＯからなる透明導電膜４６をス
パッタリングにより形成、その後、透明導電膜上にポジ
タイプのフォトレジスト（感光性樹脂）を全面塗布した
後、フォトマスクを用いて露光し、現像にてレジストパ
ターン４８を形成する。続いて、水、塩酸、硝酸を１
１：０．１の割合（容量比）に混合し、３０℃に加熱し
たエッチング液によりレジストパターン４８と同一の画
素電極２８を形成する。Next, as shown in FIG.
A transparent conductive film 46 made of angstrom ITO is formed by sputtering, and then a positive type photoresist (photosensitive resin) is applied over the entire surface of the transparent conductive film, exposed using a photomask, and developed to form a resist pattern 48. To form. Next, add 1 part of water, hydrochloric acid, and nitric acid.
The same pixel electrode 28 as the resist pattern 48 is formed by an etching solution mixed at a ratio (capacity ratio) of 1: 0.1 and heated to 30 ° C.

【００１７】続いて、図１（ｅ）に示すように、光重合
型のフォトポリマーに黒色有機顔料を分散したネガタイ
プの黒色フォトレジスト５２を１ミクロン形成する。こ
こで、フォトマスクを用いずにガラス基板２０側から露
光し、現像するとＩＴＯレジストパターン４８上の黒色
フォトレジストは溶解し、露光により重合できた部分
の、黒色フォトレジストが残る。さらに、ＩＴＯレジス
トパターン４８のフォトレジストを除去する。この時
に、図３（ｆ）に示すように、ＩＴＯ画素パターンのエ
ッヂ部５３に残っていた黒色フォトレジスト４２もリフ
トオフ効果により完全に除去でき、精度の良いパターン
が形成される。Subsequently, as shown in FIG. 1E, a negative type black photoresist 52 in which a black organic pigment is dispersed in a photopolymerization type photopolymer is formed to a thickness of 1 micron. When the glass substrate 20 is exposed to light and developed without using a photomask, the black photoresist on the ITO resist pattern 48 is dissolved, and the portion of the black photoresist that can be polymerized by the exposure remains. Further, the photoresist of the ITO resist pattern 48 is removed. At this time, as shown in FIG. 3F, the black photoresist 42 remaining on the edge portion 53 of the ITO pixel pattern can also be completely removed by the lift-off effect, and an accurate pattern is formed.

【００１８】形成されたマトリクスアレイ基板を観察し
たところ、画素電極２８と黒色部材５０との領域の重な
り、もしくは隔たりは、通常の顕微鏡観察誤差以下で見
られず、ほぼ完全に一致していた。上記工程により、光
偏調領域が大きく、光漏れ領域の無いマトリクスアレイ
基板が完成する。When the formed matrix array substrate was observed, the overlapping or separation of the regions of the pixel electrode 28 and the black member 50 was not seen within a normal microscope observation error, and they were almost completely in agreement. Through the above steps, a matrix array substrate having a large light modulation region and no light leakage region is completed.

【００１９】なお、上述したマトリックスアレイ基板か
ら、液晶表示装置を形成するには、まず、マトリクスア
レイ基板の素子形成面にポリイミド樹脂からなる配向膜
３２を塗布・焼成しラビングすることにより、液晶配向
方向を規制する。対向基板２４にも同様の処理を行いＩ
ＴＯからなる対向電極１４およびポリイミド樹脂からな
る配向膜３６を形成する。そして、配向膜３６をマトリ
ックアレイ２２側の配向膜３２に対して約９０°ねじっ
た方向にラビングを行う。In order to form a liquid crystal display device from the above-mentioned matrix array substrate, first, an alignment film 32 made of a polyimide resin is applied, baked and rubbed on the element formation surface of the matrix array substrate to align the liquid crystal. Regulate the direction. The same process is performed on the counter substrate 24, I
The counter electrode 14 made of TO and the alignment film 36 made of polyimide resin are formed. Then, the alignment film 36 is rubbed in a direction twisted by about 90 ° with respect to the alignment film 32 on the matrix array 22 side.

【００２０】上記２種類の基板を用意し、液晶の分子長
軸方向が両基板間で約９０°ねじれるように、５μｍな
いし１０μｍの間隔を保って保持し、液晶２６を注入し
て液晶セルを構成する。その後、液晶セルの外側に、つ
まり、ガラス基板２０、２４の外面に、偏光軸を約９０
°ねじった形で偏光板（図示しない）をそれぞれ形成す
る。それにより、液晶表示装置が完成する。The above-mentioned two kinds of substrates are prepared, and the liquid crystal cell is injected by holding the liquid crystal 26 at a distance of 5 μm to 10 μm so that the major axis direction of the liquid crystal is twisted by about 90 ° between the two substrates. Constitute. Then, the polarization axis is set to about 90 on the outside of the liquid crystal cell, that is, on the outer surface of the glass substrates 20 and 24.
° Polarizing plates (not shown) are formed in a twisted form. Thereby, the liquid crystal display device is completed.

【００２１】以上のように構成された液晶表示装置の製
造方法によれば、画素電極のパタ−ニング用のフォトレ
ジストをマスクとして用いて基板の裏面側から露光を行
うことにより、製造工程を増加させることなく、光偏調
領域が大きく、かつ光漏れ領域の無い液晶表示装置を製
造することができる。According to the method of manufacturing the liquid crystal display device having the above-described structure, the number of manufacturing steps is increased by performing the exposure from the back surface side of the substrate using the photoresist for patterning the pixel electrodes as a mask. Without doing so, it is possible to manufacture a liquid crystal display device having a large light modulation region and no light leakage region.

【００２２】[0022]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、複雑高精度のフォトマスクを用いた製造工程を増や
すこと無く、コントラスト比の高い液晶表示装置を製造
することができる。従って、コントラスト比の高い表示
ができ、信頼性の高い、大規模かつ高精細のマトリック
ス型液晶表示装置の実用化に非常に有効である。As described above in detail, according to the present invention, a liquid crystal display device having a high contrast ratio can be manufactured without increasing the number of manufacturing steps using a complicated and highly accurate photomask. Therefore, it is very effective for practical application of a large-scale and high-definition matrix type liquid crystal display device capable of displaying with a high contrast ratio and having high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の実施例に係る製造方法により製造さ
れる液晶表示装置の画素を拡大して示す平面図。FIG. 1 is an enlarged plan view showing a pixel of a liquid crystal display device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

【図２】上記液晶表示装置の断面図。FIG. 2 is a sectional view of the liquid crystal display device.

【図３】上記液晶表示装置のマトリックスアレイ基板の
製造工程を概略的に示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a manufacturing process of a matrix array substrate of the liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１２…電極配線、１４…対向電極、１６…ＭＩＭ素子、
１６ａ…第１の金属膜、１６ｂ…絶縁膜、１６ｃ…第２
の金属膜、２２…マトリックスアレイ基板、２８…画素
電極、５０…黒色部材。12 ... Electrode wiring, 14 ... Counter electrode, 16 ... MIM element,
16a ... 1st metal film, 16b ... Insulating film, 16c ... 2nd
Metal film, 22 ... Matrix array substrate, 28 ... Pixel electrode, 50 ... Black member.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 対向した２枚の基板と、上記２枚の基板
間に挟持された液晶層と、一方の基板上に形成された液
晶駆動用の画素電極と、上記一方の基板上に形成され上
記画素電極に接続されているとともに、第１の金属膜、
絶縁膜、第２の金属膜を積層して形成された非線形抵抗
素子と、を有する液晶表示装置の製造方法において、 上記一方の基板上に上記非線形抵抗素子を形成する工程
と、 上記非線形抵抗素子の形成された上記一方の基板上に、
ポジタイプのフォトレジストパターンを用いてパターニ
ングを行なうことにより上記画素電極を形成する工程
と、 上記画素電極のパターニング後、上記フォトレジストパ
ターンを残した状態で上記一方の基板上全面に、ネガタ
イプの黒色フォトレジストを形成する工程と、 上記黒色フォトレジストを上記一方の基板側から露光
し、現像して黒色フォトレジストパターンを形成を形成
する工程と、 上記黒色フォトレジストパターンの形成後、上記残って
いるポジタイプのフォトレジストパターンを除去する工
程と、 を備えていることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。1. A pair of substrates facing each other, a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates, a pixel electrode for driving a liquid crystal formed on one substrate, and a pixel electrode formed on the one substrate. And is connected to the pixel electrode, and also has a first metal film,
A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a non-linear resistance element formed by laminating an insulating film and a second metal film; a step of forming the non-linear resistance element on the one substrate; On the above-mentioned one substrate formed of
A step of forming the pixel electrode by patterning using a positive type photoresist pattern, and a negative type black photo resist on the entire surface of the one substrate with the photoresist pattern left after patterning the pixel electrode. A step of forming a resist, a step of exposing the black photoresist from the side of the one of the substrates and developing it to form a black photoresist pattern, and a step of forming the black photoresist pattern, and then the remaining positive type And a step of removing the photoresist pattern, and a method for manufacturing a liquid crystal display device.