JPH06232105A - 洗浄液および洗浄方法 - Google Patents
洗浄液および洗浄方法Info
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- JPH06232105A JPH06232105A JP3734693A JP3734693A JPH06232105A JP H06232105 A JPH06232105 A JP H06232105A JP 3734693 A JP3734693 A JP 3734693A JP 3734693 A JP3734693 A JP 3734693A JP H06232105 A JPH06232105 A JP H06232105A
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- Japan
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- cleaning
- washing
- resist
- liquid
- wafer
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ等の被洗浄物からレジストを剥離液で
剥離後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄するための洗
浄液および洗浄方法であって、人体に対する安全性が高
く、オゾン層破壊の問題がなく、かつ洗浄効果が大きい
洗浄剤および洗浄方法を提供する。 【構成】 炭素数が８個以上のナフテン系炭化水素化合
物を３０重量％以上含有し、かつ沸点範囲が１７０〜２
００℃の炭化水素系洗浄剤で洗浄後、炭素数６個以下の
ケトン、炭素数６個以下のアルコール、あるいはそれら
の組み合わせからなる洗浄剤でさらに洗浄する洗浄方法
により目的を達成できる。
剥離後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄するための洗
浄液および洗浄方法であって、人体に対する安全性が高
く、オゾン層破壊の問題がなく、かつ洗浄効果が大きい
洗浄剤および洗浄方法を提供する。 【構成】 炭素数が８個以上のナフテン系炭化水素化合
物を３０重量％以上含有し、かつ沸点範囲が１７０〜２
００℃の炭化水素系洗浄剤で洗浄後、炭素数６個以下の
ケトン、炭素数６個以下のアルコール、あるいはそれら
の組み合わせからなる洗浄剤でさらに洗浄する洗浄方法
により目的を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子工業におけるリソ
グラフイ工程においてウエハ等の被洗浄物からレジスト
を剥離液で剥離後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄す
るための洗浄液および洗浄方法に関するものであり、さ
らに詳しくは剥離液とともに、レジスト剥離工程までに
生じた異物、微粒子などの付着している被洗浄物を損傷
することなく、かつ洗浄液による地球環境汚染などの問
題を起こすことなく効果的に洗浄できる洗浄液および洗
浄方法に関するものである。
グラフイ工程においてウエハ等の被洗浄物からレジスト
を剥離液で剥離後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄す
るための洗浄液および洗浄方法に関するものであり、さ
らに詳しくは剥離液とともに、レジスト剥離工程までに
生じた異物、微粒子などの付着している被洗浄物を損傷
することなく、かつ洗浄液による地球環境汚染などの問
題を起こすことなく効果的に洗浄できる洗浄液および洗
浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】放射線に感光する有機高分子系の感光性
樹脂からなるレジストの塗布→プリベーク→マスク合わ
せ→露光→現像→ポストベーク→エッチング→レジスト
剥離などの工程からなる電子工業におけるリソグラフイ
工程においては、レジスト剥離後、ウエハ等の被洗浄物
に同伴され持ち込まれた剥離液およびレジスト剥離工程
までに生じた異物、微粒子などを洗浄工程において洗浄
することによりウエハ等の被洗浄物から除去している。
樹脂からなるレジストの塗布→プリベーク→マスク合わ
せ→露光→現像→ポストベーク→エッチング→レジスト
剥離などの工程からなる電子工業におけるリソグラフイ
工程においては、レジスト剥離後、ウエハ等の被洗浄物
に同伴され持ち込まれた剥離液およびレジスト剥離工程
までに生じた異物、微粒子などを洗浄工程において洗浄
することによりウエハ等の被洗浄物から除去している。
【０００３】従来、この洗浄液としては、トリクロロエ
チレン、１，１，１−トリクロロエタン、テトラクロロ
エチレン、塩化メチレン等の塩素系溶剤、フロン１１
２、フロン１１３等のフロン系溶剤あるいは芳香族系溶
剤が使用されてきた。また、洗浄方法としては、これら
の洗浄液で洗浄後、ケトン系およびアルコール系溶剤を
組み合わせて洗浄する方法が行われており、例えば剥離
液でレジストを剥離した後、前記の塩素系またはフロン
系洗浄液で洗浄し、ついでメチルエチルケトン（以下、
ＭＥＫと略す）、アセトン等で洗浄し、更にメタノー
ル、イソプロパノール（以下、ＩＰＡと略す）等で洗浄
する洗浄方法が用いられてきた。
チレン、１，１，１−トリクロロエタン、テトラクロロ
エチレン、塩化メチレン等の塩素系溶剤、フロン１１
２、フロン１１３等のフロン系溶剤あるいは芳香族系溶
剤が使用されてきた。また、洗浄方法としては、これら
の洗浄液で洗浄後、ケトン系およびアルコール系溶剤を
組み合わせて洗浄する方法が行われており、例えば剥離
液でレジストを剥離した後、前記の塩素系またはフロン
系洗浄液で洗浄し、ついでメチルエチルケトン（以下、
ＭＥＫと略す）、アセトン等で洗浄し、更にメタノー
ル、イソプロパノール（以下、ＩＰＡと略す）等で洗浄
する洗浄方法が用いられてきた。
【０００４】しかし、塩素系溶剤は洗浄力が抜群に優れ
ているが、水を含有した場合などには塩素が遊離し、被
洗浄物に損傷をもたらす場合があり、また作業員の健康
を損なう恐れがある。一方、フロン系溶剤は溶剤そのも
のの安定性は良いが、洗浄力は塩素系よりも劣る。更
に、塩素系溶剤およびフロン系溶剤に共通した欠点とし
て、環境汚染などの問題がある。両者はいずれも常温に
おいて蒸気圧が高く、被洗浄物の乾燥性には優れている
が、使用中に多量のガスとなって大気中に放散し、大気
中を上昇し、オゾン層の破壊をもたらす。このため、塩
素系溶剤およびフロン系溶剤使用の全面的禁止の検討が
世界各国で行われている。一方、芳香族炭化水素系溶剤
は塩素系溶剤と同等の溶解洗浄力があり、常温において
蒸気圧が低く、ガスの発生が少ないが、毒性がフロン系
溶剤より高いという問題がある。また各種の脂肪族炭化
水素系溶剤を洗浄液として用いる試みがなされている
が、いずれも塩素系、フロン系もしくは芳香族系溶剤を
用いた場合に比べて洗浄力が劣るという問題がある。
ているが、水を含有した場合などには塩素が遊離し、被
洗浄物に損傷をもたらす場合があり、また作業員の健康
を損なう恐れがある。一方、フロン系溶剤は溶剤そのも
のの安定性は良いが、洗浄力は塩素系よりも劣る。更
に、塩素系溶剤およびフロン系溶剤に共通した欠点とし
て、環境汚染などの問題がある。両者はいずれも常温に
おいて蒸気圧が高く、被洗浄物の乾燥性には優れている
が、使用中に多量のガスとなって大気中に放散し、大気
中を上昇し、オゾン層の破壊をもたらす。このため、塩
素系溶剤およびフロン系溶剤使用の全面的禁止の検討が
世界各国で行われている。一方、芳香族炭化水素系溶剤
は塩素系溶剤と同等の溶解洗浄力があり、常温において
蒸気圧が低く、ガスの発生が少ないが、毒性がフロン系
溶剤より高いという問題がある。また各種の脂肪族炭化
水素系溶剤を洗浄液として用いる試みがなされている
が、いずれも塩素系、フロン系もしくは芳香族系溶剤を
用いた場合に比べて洗浄力が劣るという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の課題を解決し、洗浄力がフロン系もしくは芳香族系溶
剤と同等またはそれ以上であって、ウエハーなどの被洗
浄物を損傷せず、かつ安全性が高く、環境破壊の問題の
ない洗浄液および洗浄方法を提供することである。
の課題を解決し、洗浄力がフロン系もしくは芳香族系溶
剤と同等またはそれ以上であって、ウエハーなどの被洗
浄物を損傷せず、かつ安全性が高く、環境破壊の問題の
ない洗浄液および洗浄方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題に鑑み本発明者
が鋭意検討した結果、特定のナフテン系炭化水素化合物
を使用することにより課題を解決することができること
を見いだし、本発明を成すにいたった。本発明の請求項
１の発明は、リソグラフイ工程においてレジストを剥離
液で剥離した後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄する
ための洗浄液であって、炭素数が８個以上のナフテン系
炭化水素化合物を３０重量％以上含有し、かつ沸点範囲
が１７０〜２００℃であることを特徴とする炭化水素系
洗浄剤である。
が鋭意検討した結果、特定のナフテン系炭化水素化合物
を使用することにより課題を解決することができること
を見いだし、本発明を成すにいたった。本発明の請求項
１の発明は、リソグラフイ工程においてレジストを剥離
液で剥離した後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄する
ための洗浄液であって、炭素数が８個以上のナフテン系
炭化水素化合物を３０重量％以上含有し、かつ沸点範囲
が１７０〜２００℃であることを特徴とする炭化水素系
洗浄剤である。
【０００７】本発明の請求項２の発明は、請求項１記載
の洗浄液で被洗浄物を洗浄後、炭素数６個以下のケト
ン、炭素数６個以下のアルコール、あるいはそれらの組
み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの洗
浄剤でさらに洗浄することを特徴とする洗浄方法であ
る。
の洗浄液で被洗浄物を洗浄後、炭素数６個以下のケト
ン、炭素数６個以下のアルコール、あるいはそれらの組
み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの洗
浄剤でさらに洗浄することを特徴とする洗浄方法であ
る。
【０００８】本発明で用いる炭素数が８個以上のナフテ
ン系炭化水素化合物としては、例えば、（１−メチルエ
チル）−シクロペンタン、（１−メチルプロピル）−シ
クロペンタン、１−メチル−１−エチルシクロペンタ
ン、１−メチル−１−（２−メチル−２−プロペニル）
シクロペンタン等のシクロペンタン類、１−エチル−４
メチル−シクロヘキサン、（１−メチルエチル）−シク
ロヘキサン、１−メチル−３−プロピルシクロヘキサ
ン、ブチルシクロヘキサン等のシクロヘキサン類、ｔｒ
ａｎｓ−デカヒドロナフタレン、１，２，３，４−テト
ラヒドロナフタレン等のヒドロナフタレン類などを挙げ
ることができるが、ナフテン系炭化水素化合物であれ
ば、上記化合物に限定されるものではない。本発明の洗
浄剤中には上記ナフテン系炭化水素化合物を３０重量％
以上含まれていることが肝要である。しかし上記ナフテ
ン系炭化水素化合物の他に、通常は少量の脂肪族炭化水
素類、芳香族炭化水素類などが含まれるが、上記ナフテ
ン系炭化水素化合物が３０重量％以上含まれていれば差
し支えなく、洗浄剤としての性能上も問題がない。
ン系炭化水素化合物としては、例えば、（１−メチルエ
チル）−シクロペンタン、（１−メチルプロピル）−シ
クロペンタン、１−メチル−１−エチルシクロペンタ
ン、１−メチル−１−（２−メチル−２−プロペニル）
シクロペンタン等のシクロペンタン類、１−エチル−４
メチル−シクロヘキサン、（１−メチルエチル）−シク
ロヘキサン、１−メチル−３−プロピルシクロヘキサ
ン、ブチルシクロヘキサン等のシクロヘキサン類、ｔｒ
ａｎｓ−デカヒドロナフタレン、１，２，３，４−テト
ラヒドロナフタレン等のヒドロナフタレン類などを挙げ
ることができるが、ナフテン系炭化水素化合物であれ
ば、上記化合物に限定されるものではない。本発明の洗
浄剤中には上記ナフテン系炭化水素化合物を３０重量％
以上含まれていることが肝要である。しかし上記ナフテ
ン系炭化水素化合物の他に、通常は少量の脂肪族炭化水
素類、芳香族炭化水素類などが含まれるが、上記ナフテ
ン系炭化水素化合物が３０重量％以上含まれていれば差
し支えなく、洗浄剤としての性能上も問題がない。
【０００９】上記ナフテン系炭化水素は市販されている
ので容易に入手することができ、市販品を本発明の洗浄
剤の原料成分として使用することができる。電子工業な
どにおける用途に用いる場合は不純物として含まれてい
る微粒子および微量の金属などの含有量が大きな問題と
なるので、必要に応じて精製して使用することが望まし
い。
ので容易に入手することができ、市販品を本発明の洗浄
剤の原料成分として使用することができる。電子工業な
どにおける用途に用いる場合は不純物として含まれてい
る微粒子および微量の金属などの含有量が大きな問題と
なるので、必要に応じて精製して使用することが望まし
い。
【００１０】通常のリソグラフイ工程において、レジス
トを剥離液を用いて剥離する場合は一般的にレジストが
均一に分解されて剥離するのではなく、レジストの分子
が剥離液によって適宜切断されて剥離液中に溶解した
り、一部の中間分解物はコロイド状になって剥離液中に
存在すると考えられている。その結果、レジスト剥離
後、このコロイド状の分解物を含む微粒子等が剥離液と
共に同伴され、ウエハ等の被洗浄物の表面の微粒子を増
大させている。
トを剥離液を用いて剥離する場合は一般的にレジストが
均一に分解されて剥離するのではなく、レジストの分子
が剥離液によって適宜切断されて剥離液中に溶解した
り、一部の中間分解物はコロイド状になって剥離液中に
存在すると考えられている。その結果、レジスト剥離
後、このコロイド状の分解物を含む微粒子等が剥離液と
共に同伴され、ウエハ等の被洗浄物の表面の微粒子を増
大させている。
【００１１】汚染された被洗浄物を洗浄液を用いて洗浄
するには、洗浄工程において微粒子を洗浄液に溶解させ
る方法と被洗浄物に微粒子が付着することを防止する方
法が考えられる。本発明において用いるナフテン系炭化
水素を主成分とする洗浄液は油脂等の低分子化合物に対
する溶解力があり、かつ剥離液に対して適度な溶解力を
持っているものの塩素系、フロン系、芳香族系洗浄液と
比べると溶解力は劣るのでレジスト硬化物等に対する溶
解力は小さく、従ってレジスト剥離工程までに発生した
上記微粒子を完全に溶解除去することは困難であるが、
剥離液との相溶性がすぐれているため、剥離液の置換と
同時に上記微粒子の除去が可能になるものと考えられ
る。しかし、本発明の洗浄液により洗浄するとウエハな
どの被洗浄物の表面に付着する上記微粒子を極端に減少
させることができるという卓越した洗浄効果を得ること
ができる理由はこれに限定されるものではない。
するには、洗浄工程において微粒子を洗浄液に溶解させ
る方法と被洗浄物に微粒子が付着することを防止する方
法が考えられる。本発明において用いるナフテン系炭化
水素を主成分とする洗浄液は油脂等の低分子化合物に対
する溶解力があり、かつ剥離液に対して適度な溶解力を
持っているものの塩素系、フロン系、芳香族系洗浄液と
比べると溶解力は劣るのでレジスト硬化物等に対する溶
解力は小さく、従ってレジスト剥離工程までに発生した
上記微粒子を完全に溶解除去することは困難であるが、
剥離液との相溶性がすぐれているため、剥離液の置換と
同時に上記微粒子の除去が可能になるものと考えられ
る。しかし、本発明の洗浄液により洗浄するとウエハな
どの被洗浄物の表面に付着する上記微粒子を極端に減少
させることができるという卓越した洗浄効果を得ること
ができる理由はこれに限定されるものではない。
【００１２】本発明においては、ついでアセトン、ＭＥ
Ｋ、ジエチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の炭素数が６
個以下のケトンまたはメタノール、エタノール、プロパ
ノール、ＩＰＡ、ｎ−ブタノール、２−メチルブタノー
ル、ｔ−ブタノール、ヘキサノール等の炭素数が６個以
下のアルコールあるいはそれらの組み合わせによる第二
の洗浄液で、ウエハ等の被洗浄物に付着したナフテン系
炭化水素を主成分とする洗浄液等を置換することにより
ウエハ等の被洗浄物の表面に付着している微粒子数をよ
り少なくすることができる。
Ｋ、ジエチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の炭素数が６
個以下のケトンまたはメタノール、エタノール、プロパ
ノール、ＩＰＡ、ｎ−ブタノール、２−メチルブタノー
ル、ｔ−ブタノール、ヘキサノール等の炭素数が６個以
下のアルコールあるいはそれらの組み合わせによる第二
の洗浄液で、ウエハ等の被洗浄物に付着したナフテン系
炭化水素を主成分とする洗浄液等を置換することにより
ウエハ等の被洗浄物の表面に付着している微粒子数をよ
り少なくすることができる。
【００１３】第二の洗浄液として、上記ケトンと上記ア
ルコールの混合物を用いると、ウエハ等の被洗浄物の表
面に付着している微粒子数をより減少させることができ
るので好ましい。上記混合物の混合割合は剥離液の種類
などによっても変わるので適宜決められるものであり、
特に限定されるものではない。具体例としては、例え
ば、上記ケトンの濃度が２０〜８０重量％、残りが上記
アルコールのものを挙げることができる。
ルコールの混合物を用いると、ウエハ等の被洗浄物の表
面に付着している微粒子数をより減少させることができ
るので好ましい。上記混合物の混合割合は剥離液の種類
などによっても変わるので適宜決められるものであり、
特に限定されるものではない。具体例としては、例え
ば、上記ケトンの濃度が２０〜８０重量％、残りが上記
アルコールのものを挙げることができる。
【００１４】また、ナフテン系炭化水素化合物を主成分
とする第一の洗浄液による洗浄においても、炭素数が６
個以下のケトン、炭素数が６個以下のアルコール、ある
いはそれらの組み合わせ、またはそれらの混合物による
第二の洗浄液による洗浄においても、前工程からの汚染
物質の持ち込みを避けるために、必要に応じて、それぞ
れ複数槽を用いる洗浄を行うことが好ましい。更に必要
に応じて、純水による洗浄、あるいはＩＰＡ等を用いた
蒸気乾燥等の工程を組み合わせても差し支えない。
とする第一の洗浄液による洗浄においても、炭素数が６
個以下のケトン、炭素数が６個以下のアルコール、ある
いはそれらの組み合わせ、またはそれらの混合物による
第二の洗浄液による洗浄においても、前工程からの汚染
物質の持ち込みを避けるために、必要に応じて、それぞ
れ複数槽を用いる洗浄を行うことが好ましい。更に必要
に応じて、純水による洗浄、あるいはＩＰＡ等を用いた
蒸気乾燥等の工程を組み合わせても差し支えない。
【００１５】本発明における洗浄方法を適用する場合、
通常は浸漬法により充分その効果を発揮することができ
るが、必要によっては超音波を使用してもよく、またシ
ャワー法、スピンナー法、その他、公知の方法を使用す
ることができ、いずれの方法を用いても良好な洗浄効果
を得ることができる。
通常は浸漬法により充分その効果を発揮することができ
るが、必要によっては超音波を使用してもよく、またシ
ャワー法、スピンナー法、その他、公知の方法を使用す
ることができ、いずれの方法を用いても良好な洗浄効果
を得ることができる。
【００１６】本発明の洗浄液を電子工業などにおける用
途に用いる場合は不純物として含まれている水分、微粒
子、微量の金属等を可及的に減少させたものを使用する
ことが望ましいが、本発明の主旨を逸脱しない範囲にお
いて、洗浄効果を確実にし、かつ増大させるなどの目的
のために微量の添加物を添加しても差し支えない。
途に用いる場合は不純物として含まれている水分、微粒
子、微量の金属等を可及的に減少させたものを使用する
ことが望ましいが、本発明の主旨を逸脱しない範囲にお
いて、洗浄効果を確実にし、かつ増大させるなどの目的
のために微量の添加物を添加しても差し支えない。
【００１７】本発明における被洗浄物としては、具体的
には、例えば、電子工業などにおける半導体ウエハ、各
種部品、ガラス基板等を挙げることができるがこれらに
限定されるものではない。
には、例えば、電子工業などにおける半導体ウエハ、各
種部品、ガラス基板等を挙げることができるがこれらに
限定されるものではない。
【００１８】本発明において用いる第一の洗浄液の主要
構成成分のナフテン系炭化水素化合物は石油溜分の水添
物であり、また本発明において用いる第二の洗浄液はケ
トン、アルコールまたはそれらの混合物であるので、人
体に対する安全性が高く、またオゾン層破壊の問題がな
く、しかも使用後の洗浄液は廃棄することなくボイラー
等の良好な燃料として活用することができる利点があ
る。
構成成分のナフテン系炭化水素化合物は石油溜分の水添
物であり、また本発明において用いる第二の洗浄液はケ
トン、アルコールまたはそれらの混合物であるので、人
体に対する安全性が高く、またオゾン層破壊の問題がな
く、しかも使用後の洗浄液は廃棄することなくボイラー
等の良好な燃料として活用することができる利点があ
る。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （ウエハの洗浄テスト）環境からの汚染の影響を避ける
ため、クリーンルームの中に設置されたクリーンベンチ
を使用した。効果の判定には表面検査機（商品名；ＬＳ
−５０００、日立製作所製）を使用し、下記の条件でテ
ストした。試料としたウエハは、ミラー表面の４インチ
シリコンウエハを使用した。レジストとしてネガレジス
ト（商品名；ＯＭＲ−８３、東京応化製）を用い通常の
方法によって塗布、焼き付け、露光、現像を行って得た
ウエハを試料とした。 ［表面検査条件］洗浄テスト後に得られた微粒子数から
洗浄テスト前の微粒子数を差し引いた値をウエハ表面微
粒子数とし、各洗浄テストにおいておのおの２枚処理
し、その平均値をその洗浄テストにおけるウエハ表面の
平均微粒子数とした。 検査条件；フォトマル電圧（Ｖ） ：５００ 微粒子スライスサイズ（μｍ）：0.28〜0.40、 0.40〜1.
57、 1.57〜2.70、
2.70 以上 ウエハサイズ （インチ）：４ エッジカット （ｍｍ）：９
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （ウエハの洗浄テスト）環境からの汚染の影響を避ける
ため、クリーンルームの中に設置されたクリーンベンチ
を使用した。効果の判定には表面検査機（商品名；ＬＳ
−５０００、日立製作所製）を使用し、下記の条件でテ
ストした。試料としたウエハは、ミラー表面の４インチ
シリコンウエハを使用した。レジストとしてネガレジス
ト（商品名；ＯＭＲ−８３、東京応化製）を用い通常の
方法によって塗布、焼き付け、露光、現像を行って得た
ウエハを試料とした。 ［表面検査条件］洗浄テスト後に得られた微粒子数から
洗浄テスト前の微粒子数を差し引いた値をウエハ表面微
粒子数とし、各洗浄テストにおいておのおの２枚処理
し、その平均値をその洗浄テストにおけるウエハ表面の
平均微粒子数とした。 検査条件；フォトマル電圧（Ｖ） ：５００ 微粒子スライスサイズ（μｍ）：0.28〜0.40、 0.40〜1.
57、 1.57〜2.70、
2.70 以上 ウエハサイズ （インチ）：４ エッジカット （ｍｍ）：９
【００２０】（実施例１〜６）テストに用いた洗浄シス
テムを図１に示す。第１槽にはレジスト剥離液（商品
名；剥離液−７１０、東京応化製）を入れ、１２０℃で
５分間処理してレジストの剥離を行った。第２槽には下
記組成のナフテン系炭化水素化合物を入れ、５０℃で５
分間処理した。第３槽には表１に示すようにＭＥＫ、Ｉ
ＰＡあるいはそれらの混合物を入れ、常温で５分間処理
した。第４槽には表１に示すようにＩＰＡあるいはＩＰ
ＡとＭＥＫの混合物を入れ、常温で５分間処理した。第
５槽においては、常温の超純水に５分浸漬処理（オーバ
ーフロー）した。次いで第６槽においてＩＰＡの蒸気中
に５分置いて後、取り出して乾燥した。直ちにウエハ表
面に付着している微粒子数を表面検査機によって測定し
た結果を表２に示す。
テムを図１に示す。第１槽にはレジスト剥離液（商品
名；剥離液−７１０、東京応化製）を入れ、１２０℃で
５分間処理してレジストの剥離を行った。第２槽には下
記組成のナフテン系炭化水素化合物を入れ、５０℃で５
分間処理した。第３槽には表１に示すようにＭＥＫ、Ｉ
ＰＡあるいはそれらの混合物を入れ、常温で５分間処理
した。第４槽には表１に示すようにＩＰＡあるいはＩＰ
ＡとＭＥＫの混合物を入れ、常温で５分間処理した。第
５槽においては、常温の超純水に５分浸漬処理（オーバ
ーフロー）した。次いで第６槽においてＩＰＡの蒸気中
に５分置いて後、取り出して乾燥した。直ちにウエハ表
面に付着している微粒子数を表面検査機によって測定し
た結果を表２に示す。
【００２１】 （参考例）（フロンを用いたウエハの洗浄テスト）実施
例１〜６と同じ洗浄システムを用いて洗浄テストを行っ
た。第１槽にはレジスト剥離液（商品名；剥離液−７１
０、東京応化製）を入れ、１２０℃で５分間処理してレ
ジストの剥離を行った。第２槽にはフロン（商品名；マ
イテイソルブ、主成分フロン１１２、旭硝子株式会社
製）を入れ、５０℃で５分間処理した。第３槽にはＭＥ
Ｋを入れ、常温で５分間処理した。第４槽にはＩＰＡを
入れ、常温で５分間処理した。第５槽においては、常温
の超純水に５分浸漬処理（オーバーフロー）した。次い
で第６槽においてＩＰＡの蒸気中に５分置いて後、取り
出して乾燥した。直ちにウエハ表面に付着している微粒
子数を表面検査機によって測定した結果を表２に示す。
例１〜６と同じ洗浄システムを用いて洗浄テストを行っ
た。第１槽にはレジスト剥離液（商品名；剥離液−７１
０、東京応化製）を入れ、１２０℃で５分間処理してレ
ジストの剥離を行った。第２槽にはフロン（商品名；マ
イテイソルブ、主成分フロン１１２、旭硝子株式会社
製）を入れ、５０℃で５分間処理した。第３槽にはＭＥ
Ｋを入れ、常温で５分間処理した。第４槽にはＩＰＡを
入れ、常温で５分間処理した。第５槽においては、常温
の超純水に５分浸漬処理（オーバーフロー）した。次い
で第６槽においてＩＰＡの蒸気中に５分置いて後、取り
出して乾燥した。直ちにウエハ表面に付着している微粒
子数を表面検査機によって測定した結果を表２に示す。
【００２２】（テストに用いたナフテン系炭化水素化合
物）下記成分からなる炭素数８個以上のナフテン系炭化
水素化合物を主成分とする混合物であって、沸点範囲１
７０〜２００℃のものを用いた。 成分；ｔｒａｎｓ−デカヒドロナフタレン、２−メチル
デカン、（１−メチルエチル）−シクロヘキサン、３−
メチルデカン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼ
ン、５−メチルデカン、４−メチルデカン、Ｓｐｉｒｏ
（４．５）デカン、ｃｉｓ−１−エチル−４−メチル−
シクロヘキサン、（Ｚ）−３−メチル−４−ノネン、ｔ
ｒａｎｓ−１−エチル−４−メチルシクロヘキサン、
（１−メチルエチル）シクロヘキサン、４−メチルノネ
ン、１−メチル−３−プロピルシクロヘキサン、デカヒ
ドロナフタレン、１−エチル−４−メチルベンゼン、１
−メチル−１−（２−メチル−２−プロペニル）−シク
ロペンタン、（１−メチルプロピル）ベンゼン、１−メ
チル−４−（２−メチルプロピル）ベンゼン、（１，１
ジメチルプロピル）ベンゼン、ペンチルシクロヘキサ
ン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、ｔｒａｎ
ｓ−ａｎｔｉ−１−メチルデカヒドロナフタレン、１−
メチル−２−（２−プロペニル）ベンゼン、ペンチルシ
クロヘキサン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレ
ン等。
物）下記成分からなる炭素数８個以上のナフテン系炭化
水素化合物を主成分とする混合物であって、沸点範囲１
７０〜２００℃のものを用いた。 成分；ｔｒａｎｓ−デカヒドロナフタレン、２−メチル
デカン、（１−メチルエチル）−シクロヘキサン、３−
メチルデカン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼ
ン、５−メチルデカン、４−メチルデカン、Ｓｐｉｒｏ
（４．５）デカン、ｃｉｓ−１−エチル−４−メチル−
シクロヘキサン、（Ｚ）−３−メチル−４−ノネン、ｔ
ｒａｎｓ−１−エチル−４−メチルシクロヘキサン、
（１−メチルエチル）シクロヘキサン、４−メチルノネ
ン、１−メチル−３−プロピルシクロヘキサン、デカヒ
ドロナフタレン、１−エチル−４−メチルベンゼン、１
−メチル−１−（２−メチル−２−プロペニル）−シク
ロペンタン、（１−メチルプロピル）ベンゼン、１−メ
チル−４−（２−メチルプロピル）ベンゼン、（１，１
ジメチルプロピル）ベンゼン、ペンチルシクロヘキサ
ン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、ｔｒａｎ
ｓ−ａｎｔｉ−１−メチルデカヒドロナフタレン、１−
メチル−２−（２−プロペニル）ベンゼン、ペンチルシ
クロヘキサン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレ
ン等。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】表２に示した結果から、本発明の洗浄剤お
よび洗浄方法を用いることにより、参考例のフロンを用
いたウエハの洗浄テストの結果と同等または優れた洗浄
効果を得ることができることが判る。
よび洗浄方法を用いることにより、参考例のフロンを用
いたウエハの洗浄テストの結果と同等または優れた洗浄
効果を得ることができることが判る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の洗浄液と洗
浄方法は、従来の洗浄液と洗浄方法に比較して洗浄効果
が高く、特に剥離液中に存在する、レジスト剥離工程に
おいて生じたコロイド状のレジスト分解物のウエハ表面
への再付着の防止に卓効を示す効果がある。ウエハの微
細加工においてウエハの表面に存在する微粒子の数、大
きさ等は歩留まりに直接影響する大問題であるので、本
発明の洗浄液と洗浄方法は有用である上、従来の塩素系
洗浄液、フロン系洗浄液、あるいは芳香族系洗浄液と比
較して人体に対する安全性が格段に高く、オゾン層破壊
の問題がなく、かつ使用後の洗浄液は燃料として有効に
利用することができるなど多くの利点を有するので産業
上の利用価値が高い。
浄方法は、従来の洗浄液と洗浄方法に比較して洗浄効果
が高く、特に剥離液中に存在する、レジスト剥離工程に
おいて生じたコロイド状のレジスト分解物のウエハ表面
への再付着の防止に卓効を示す効果がある。ウエハの微
細加工においてウエハの表面に存在する微粒子の数、大
きさ等は歩留まりに直接影響する大問題であるので、本
発明の洗浄液と洗浄方法は有用である上、従来の塩素系
洗浄液、フロン系洗浄液、あるいは芳香族系洗浄液と比
較して人体に対する安全性が格段に高く、オゾン層破壊
の問題がなく、かつ使用後の洗浄液は燃料として有効に
利用することができるなど多くの利点を有するので産業
上の利用価値が高い。
【図１】本発明の洗浄液と洗浄方法を用いる洗浄システ
ムを示す概略説明図である。
ムを示す概略説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 // Ｈ０５Ｋ 3/26 7511−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 リソグラフイ工程においてレジストを剥
離液で剥離した後、剥離液が付着した被洗浄物を洗浄す
るための洗浄液であって、炭素数が８個以上のナフテン
系炭化水素化合物を３０重量％以上含有し、かつ沸点範
囲が１７０〜２００℃であることを特徴とする炭化水素
系洗浄剤。 - 【請求項２】 請求項１記載の洗浄液で被洗浄物を洗浄
後、炭素数６個以下のケトン、炭素数６個以下のアルコ
ール、あるいはそれらの組み合わせからなる群から選択
される少なくとも１つの洗浄剤でさらに洗浄することを
特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3734693A JPH06232105A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 洗浄液および洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3734693A JPH06232105A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 洗浄液および洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232105A true JPH06232105A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12495023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3734693A Pending JPH06232105A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 洗浄液および洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232105A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277152A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Nippon Shokubai Co Ltd | ボラジン化合物用装置の洗浄方法およびボラジン化合物用装置 |
| JP2012015232A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP3734693A patent/JPH06232105A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277152A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Nippon Shokubai Co Ltd | ボラジン化合物用装置の洗浄方法およびボラジン化合物用装置 |
| JP2012015232A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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