JPH06231614A - Conductive paste - Google Patents
Conductive pasteInfo
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- JPH06231614A JPH06231614A JP3614993A JP3614993A JPH06231614A JP H06231614 A JPH06231614 A JP H06231614A JP 3614993 A JP3614993 A JP 3614993A JP 3614993 A JP3614993 A JP 3614993A JP H06231614 A JPH06231614 A JP H06231614A
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の組立てや
各種部品類の接着等に使用される耐湿性、耐熱性、低応
力性等に優れた導電性ペーストに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste having excellent moisture resistance, heat resistance and low stress used for assembling semiconductor devices and adhering various parts.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属薄板（リードフレーム）上の所定部
分にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップを接続する工程は、
素子の長期信頼性に影響を与える重要な工程の一つであ
る。従来からこの接続方法の一つとしてチップのシリコ
ン面をリードフレーム上の金メッキ面に加圧圧着すると
いうＡu −Ｓi 共晶法が主流であった。しかし、近年の
の貴金属、特に金の高騰を契機として、樹脂封止型半導
体装置ではＡu −Ｓi 共晶法から半田を使用する方法、
導電性ペーストを使用する方法等に急速に移行しつつあ
る。2. Description of the Related Art The process of connecting a semiconductor chip such as IC or LSI to a predetermined portion on a thin metal plate (lead frame) is
This is one of the important processes that affects the long-term reliability of the device. Conventionally, the Au-Si eutectic method in which the silicon surface of the chip is pressure-bonded to the gold-plated surface of the lead frame has been the mainstream of this connection method. However, in recent years, the price of precious metals, especially gold has risen, and in a resin-sealed semiconductor device, a method of using solder from the Au-Si eutectic method,
The method using a conductive paste is rapidly shifting.
【０００３】しかし、半田を使用する方法は一部実用化
されているが、半田や半田ボールが飛散して電極等に付
着し、腐蝕断線の原因となることが指摘されている。一
方、導電性ペーストを使用する方法では、通常銀粉末を
配合したエポキシ樹脂が用いられて一部実用化されてき
たが、信頼性面でＡu −Ｓi 共晶法に比較して満足すべ
きものが得られなかった。導電性ペーストを使用する場
合は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長所を有して
いるが、その反面、樹脂や硬化剤が半導体素子用接着剤
としてつくられたものでないため、ボイドの発生や、耐
湿性、耐加水分解性に劣りアルミニウム電極の腐蝕を促
進し、断線不良の原因となることが多く、素子の信頼性
はＡu −Ｓi 共晶法に比較して劣っていた。また、近年
ＩＣ／ＬＳＩやＬＥＤ等の半導体チップの大型化に伴
い、チップクラックの発生や接着力の低下が起こり問題
となっていた。However, although some methods using solder have been put into practical use, it has been pointed out that solder or solder balls scatter and adhere to electrodes or the like, which causes corrosion breakage. On the other hand, in the method using a conductive paste, an epoxy resin mixed with silver powder is usually used and it has been partially put into practical use. However, in terms of reliability, what is more satisfactory than the Au-Si eutectic method. I couldn't get it. When using a conductive paste, it has advantages such as superior heat resistance compared to the soldering method, but on the other hand, since the resin and curing agent were not created as an adhesive for semiconductor elements, voids And the moisture resistance and the hydrolysis resistance are inferior, which promotes the corrosion of the aluminum electrode and often causes the disconnection failure, and the reliability of the device is inferior to that of the Au-Si eutectic method. In addition, with the recent increase in the size of semiconductor chips such as IC / LSI and LEDs, chip cracks and decrease in adhesive strength have been a problem.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、半導体チップの大型化の傾向
に対応して、チップクラックやボイドの発生がなく、耐
湿性、耐熱性、耐加水分解性、接着性に優れ、特に大型
チップの反りを低減した、信頼性の高い導電性ペースト
を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and in response to the tendency of large-sized semiconductor chips, there is no occurrence of chip cracks or voids, and moisture resistance and heat resistance are high. It is an object of the present invention to provide a highly reliable conductive paste which is excellent in hydrolysis resistance and adhesiveness, and particularly reduces warpage of large chips.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述するポリイ
ミド樹脂を用いることによって、耐湿性、耐熱性、耐加
水分解性、接着性に優れ、半導体チップの大型化に対応
した導電性ペーストが得られることを見いだし、本発明
を完成したものである。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventor has found that by using a polyimide resin described later, moisture resistance, heat resistance, hydrolysis resistance and adhesiveness can be improved. The inventors have found that a conductive paste that is excellent in terms of heat resistance and that is compatible with the increase in size of semiconductor chips can be obtained, and completed the present invention.
【０００６】即ち、本発明は、 （Ａ）次の一般式で示されるポリイミド樹脂であって、That is, the present invention provides (A) a polyimide resin represented by the following general formula:
【０００７】[0007]
【化５】 （a ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ1 は4
価の有機酸残基を示して、Ｒ1 を構成する全酸成分のう
ちの 50 mol ％以上が、次の一般式で示されるビフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸成分であり、[Chemical 5] (A) R 1 in the general formula of the polyimide resin is 4
Showing a divalent organic acid residue, 50 mol% or more of all the acid components constituting R 1 is a biphenyl ether tetracarboxylic acid component represented by the following general formula,
【０００８】[0008]
【化６】 （b ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ2 は2
価のジアミン残基を示し、（b-1 ）Ｒ2 を構成する全ジ
アミン成分のうちの 50 〜99 mol％が、次の一般式で示
されるジアミン化合物であり、[Chemical 6] (B) R 2 in the general formula of the polyimide resin is 2
A diamine residue having a valence of 50 to 99 mol% of all the diamine components constituting (b-1) R 2 is a diamine compound represented by the following general formula:
【０００９】[0009]
【化７】 （但し、式中Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す） （b-2 ）Ｒ2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜
1 mol ％が、次の一般式で示されるジアミノシロキサン
であるもの、および[Chemical 7] (However, where X is -CH 2 -, - O -, - C (CH 3)
2 -, - SO 2 -, - C (CF 3) 2 - are expressed) (b-2) 50 of the total diamine component constituting the R 2 ~
1 mol% is a diaminosiloxane represented by the following general formula, and
【００１０】[0010]
【化８】 （但し、式中Ｒ3 及びＲ4 は 2価の有機基を、Ｒ5 〜Ｒ
8 炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下の
正の整数を表す） （Ｂ）導電性粉末を必須成分としてなることを特徴とす
る導電性ペーストである。[Chemical 8] (However, in the formula, R 3 and R 4 are divalent organic groups, R 5 to R 4
8 represents a hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, and n represents a positive integer of 0 or 12 or less) (B) A conductive paste characterized by containing a conductive powder as an essential component.
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below.
【００１２】本発明の導電性ペーストは前記の一般式化
５で示した（Ａ）ポリイミド樹脂と（Ｂ）導電性粉末と
からなり、（Ａ）ポリイミド樹脂は（a ）酸成分と（b
）ジアミン成分とを反応させて得られるものである。
ここで用いる（a ）酸成分としては前記の一般式化６で
示したビフェニルエーテルテトラカルボン酸成分を使用
することができる。ビフェニルエーテルテトラカルボン
酸成分の具体的な化合物としては、 3,4,3′,4′−ビフ
ェニルエーテルテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′−フェ
ニルエーテルテトラカルボン酸、又はそれらの酸無水物
若しくは低級アルキルエステル等が挙げられ、これらは
単独又は混合して使用することができる。ビフェニルエ
ーテルテトラカルボン酸成分は、全酸成分の 50 mol ％
以上使用することが望ましい。50 mol％未満では耐酸性
に劣り好ましくない。The conductive paste of the present invention comprises the (A) polyimide resin represented by the above general formula 5 and the (B) conductive powder, and the (A) polyimide resin comprises (a) an acid component and (b).
) It is obtained by reacting with a diamine component.
As the (a) acid component used here, the biphenyl ether tetracarboxylic acid component represented by the above general formula 6 can be used. Specific examples of the biphenyl ether tetracarboxylic acid component include 3,4,3 ′, 4′-biphenyl ether tetracarboxylic acid, 2,3,3 ′, 4′-phenyl ether tetracarboxylic acid, or acid thereof. An anhydride, a lower alkyl ester, etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture. Biphenyl ether tetracarboxylic acid component is 50 mol% of the total acid component.
It is desirable to use above. If it is less than 50 mol%, the acid resistance is poor and it is not preferable.
【００１３】ビフェニルエーテルテトラカルボン酸以外
の酸成分としては、例えば、ピロメリット酸、 3,4,
3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′
−ビフェニルテトラカルボン酸、 3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸、 2,3,3′,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸、1,4,5,8-ナフタレンテトラカル
ボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,
6-ナフタレンテトラカルボン酸、 3,4,9,10-テトラカル
ボキシフェニレン、 3,3′,4,4′−ジフェニルメタンテ
トラカルボン酸、2,2-ビス（ 3,4−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（ 3,4−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、 3,3′,4,4′−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸、2,2-ビス（［4-（3,4-ジ
カルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロ
パン等と、それらの無水物又は低級アルキルエステル等
が挙げられ、これらは単独又は混合して前記ビフェニル
エーテルテトラカルボン酸と併用することができる。Acid components other than biphenyl ether tetracarboxylic acid include, for example, pyromellitic acid, 3,4,
3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3', 4 '
-Biphenyl tetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid, 2 , 3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,2,5,
6-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,4,9,10-tetracarboxyphenylene, 3,3 ', 4,4'-diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid, 2,2-bis ([4- (3,4-dicarboxy Phenoxy) phenyl] hexafluoropropane and the like and their anhydrides or lower alkyl esters and the like can be used, and these can be used alone or in combination with the above-mentioned biphenyl ether tetracarboxylic acid.
【００１４】ポリイミド樹脂の他の成分である（b ）ジ
アミン成分としては、（b-1 ）ジアミン化合物と（b-2
）ジアミノシロキサンとを一定の割合で併用する。 （b-1 ）ジアミン化合物は、次の一般式で示されるもの
である。The (b) diamine component, which is another component of the polyimide resin, includes (b-1) diamine compound and (b-2) diamine compound.
) Use together with diaminosiloxane in a fixed ratio. The (b-1) diamine compound is represented by the following general formula.
【００１５】[0015]
【化９】 （但し、式中Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す）具体的
な化合物として例えば、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス
［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン等が
挙げられ、これらは単独または混合して使用することが
できる。このジアミン化合物と後述のジアミノシロキサ
ンとを一定の割合で併用する。[Chemical 9] (However, where X is -CH 2 -, - O -, - C (CH 3)
2 -, - SO 2 -, - C (CF 3) 2 - , for example, as a representative) specific compounds, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [ 4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-amino Examples thereof include phenoxy) phenyl] sulfone, which can be used alone or in combination. This diamine compound and the below-mentioned diaminosiloxane are used together in a fixed ratio.
【００１６】（b-2 ）ジアミノシロキサンとしては、次
の一般式を有するものを使用する。As the (b-2) diaminosiloxane, one having the following general formula is used.
【００１７】[0017]
【化１０】 （但し、式中Ｒ3 及びＲ4 は 2基の有機基を、Ｒ5 〜Ｒ
8 は炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下
の正の整数を表す）この具体的な化合物としては、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビ
ス（4-アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、ビス
（γ−アミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン、
1,4-ビス（γ−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼ
ン等が挙げられ、これらは単独または混合して使用する
ことができる。[Chemical 10] (However, in the formula, R 3 and R 4 are two organic groups, R 5 to R 4
8 represents a hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, and n represents a positive integer of 0 or 12 or less). Specific examples of the compound include bis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and bis (4- Aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane,
1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination.
【００１８】上述した（b-1 ）ジアミン化合物と（b-2
）ジアミノシロキサンとを一定の割合で併用すること
が重要である。これらの配合割合は、全ジアミン成分に
対して（b-1 ）のジアミン化合物が 50 〜 99 mol ％、
（b-2 ）ジアミノシロキサンが50 〜 1 mol％の割合と
なるように配合することが望ましい。（b-1 ）ジアミン
化合物が 50 mol ％未満では、耐酸性が低下し、また
（b-2 ）ジアミノシロキサンが 1 mol％未満では接着性
が低下し好ましくない。The above-mentioned (b-1) diamine compound and (b-2)
) It is important to use diaminosiloxane together in a fixed ratio. The blending ratio of these is 50 to 99 mol% of the diamine compound (b-1) with respect to all diamine components,
It is desirable that (b-2) diaminosiloxane be blended in a proportion of 50 to 1 mol%. When the content of the (b-1) diamine compound is less than 50 mol%, the acid resistance is lowered, and when the content of the (b-2) diaminosiloxane is less than 1 mol%, the adhesiveness is deteriorated, which is not preferable.
【００１９】本発明に用いるポリイミド樹脂は、その前
駆体であるポリアミック酸樹脂 0.5g ／Ｎ−メチル−2-
ピロリドン10 ml の濃度溶液として、30℃における対数
粘度が 0.2〜 4.0の範囲であることが好ましく、より好
ましくは 0.3〜 2.0の範囲である。ポリアミック酸樹脂
は、ほぼ等モルの酸成分とジアミン成分とを有機溶媒中
で30℃以下、好ましくは20℃以下の反応温度下に 3〜12
時間、付加重合反応させて得られる。この重合反応にお
ける有機溶媒としては、例えばＮ，Ｎ′−ジメチルスル
ホオキシド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ′−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ′−ジエチルメチルアセトアミド、Ｎ
−メチル−2-ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド
等が挙げられ、これらは単独または混合して使用するこ
とができる。The polyimide resin used in the present invention is a precursor polyamic acid resin 0.5 g / N-methyl-2-
As a solution of pyrrolidone in a concentration of 10 ml, the logarithmic viscosity at 30 ° C. is preferably in the range of 0.2 to 4.0, more preferably 0.3 to 2.0. The polyamic acid resin has an acid component and a diamine component of approximately equimolar amounts in an organic solvent at 30 ° C or lower, preferably 3 to 12 at a reaction temperature of 20 ° C or lower.
It can be obtained by addition polymerization reaction for a period of time. Examples of the organic solvent in this polymerization reaction include N, N'-dimethyl sulfoxide, N, N'-dimethylformamide, N,
N'-diethylformamide, N, N'-dimethylacetamide, N, N'-diethylmethylacetamide, N
-Methyl-2-pyrrolidone, hexamethylenephosphoamide and the like can be used, and these can be used alone or in combination.
【００２０】本発明に用いる（Ｂ）導電性粉末として
は、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、アルミニウム粉
末、表面に金属層を有する粉末等が挙げられこれらは単
独または混合して使用することができる。これらの導電
性粉末は、いずれも平均粒径が10μm 以下であることが
望ましい。平均粒径が10μm を超えると、組成物の性状
がペースト状にならず塗布性能が低下し好ましくない。
導電性粉末とポリイミド樹脂との配合割合は、重量比で
70／30〜90／10であることが望ましい。導電性粉末が70
重量部未満では満足な導電性が得られず、また、90重量
部を超えると作業性および接着性が低下し、好ましくな
い。The (B) conductive powder used in the present invention includes silver powder, copper powder, nickel powder, aluminum powder, powder having a metal layer on the surface, and the like, and these may be used alone or in combination. it can. It is desirable that all of these conductive powders have an average particle diameter of 10 μm or less. If the average particle size exceeds 10 μm, the composition does not become paste-like and the coating performance deteriorates, which is not preferable.
The mixing ratio of the conductive powder and the polyimide resin is a weight ratio.
It is preferably 70/30 to 90/10. 70 conductive powder
If it is less than part by weight, satisfactory conductivity cannot be obtained, and if it exceeds 90 parts by weight, workability and adhesiveness are deteriorated, which is not preferable.
【００２１】本発明の導電性ペーストは、粘度調整のた
め必要に応じて有機溶剤を使用することができる。それ
らの溶剤としては、前述のポリアミック酸反応に使用し
た溶剤が使用可能である。In the conductive paste of the present invention, an organic solvent can be used as necessary for adjusting the viscosity. As the solvent, the solvent used for the above polyamic acid reaction can be used.
【００２２】本発明の導電性ペーストの製造方法は、常
法に従い、各原料成分を十分混合した後、更に例えば三
本ロールによる混練処理をし、その後、減圧脱泡して製
造することができる。こうして製造された導電性ペース
トは半導体素子のボンディング等に使用される。The method for producing the conductive paste of the present invention can be produced by a conventional method in which the respective raw material components are sufficiently mixed, and then, for example, a kneading process is performed with a three-roll mill, followed by defoaming under reduced pressure. . The conductive paste produced in this way is used for bonding semiconductor elements and the like.
【００２３】[0023]
【作用】本発明の導電性ペーストは、特定のポリイミド
樹脂を用いることによって、耐湿性、耐熱性、耐加水分
解性、接着性等に優れ、チップクラックやボイドの発生
がなく信頼性の高いものとすることができた。The conductive paste of the present invention is excellent in moisture resistance, heat resistance, hydrolysis resistance, adhesiveness, etc. by using a specific polyimide resin and is highly reliable without chip cracks or voids. I was able to
【００２４】[0024]
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。EXAMPLES Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２５】合成例１ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに、
2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ン36.9g （ 0.09mol）と、ビス（γ−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン 2.49g（ 0.01mol）と、Ｎ−
メチル-2−ピロリドン 268.3g を投入し、室温で窒素雰
囲気下に 3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸二無水物30.38 g （ 0.098mol ）を溶液温度の上
昇に注意しながら分割して加え、室温で12時間攪拌して
ポリアミック酸樹脂（Ａ）溶液を製造した。このポリア
ミック酸樹脂溶液の一部をメタノールで再沈澱し、得ら
れたポリアミック酸樹脂粉末をＮ−メチル-2−ピロリド
ンで溶解し、0.5g／100 ml濃度とし、30℃で対数粘度を
測定したところ、0.95dl／g であった。Synthesis Example 1 A flask equipped with a stirrer, a cooler and a nitrogen inlet tube,
2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 36.9g (0.09mol) and bis (γ-aminopropyl)
2.49 g (0.01 mol) of tetramethyldisiloxane and N-
268.3 g of methyl-2-pyrrolidone was added, and 30.38 g (0.098 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride was added at room temperature under a nitrogen atmosphere while paying attention to the rise of the solution temperature. The solution was added in portions and stirred at room temperature for 12 hours to prepare a polyamic acid resin (A) solution. A part of this polyamic acid resin solution was reprecipitated with methanol, and the obtained polyamic acid resin powder was dissolved with N-methyl-2-pyrrolidone to a concentration of 0.5 g / 100 ml, and the logarithmic viscosity was measured at 30 ° C. However, it was 0.95 dl / g.
【００２６】合成例２ 攪拌機、冷却器および窒素導入管を設けたフラスコに、
2,2-［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン46.6g （ 0.09mol）と、ビス（γ−アミノ
プロピル）テトラフェニルジシロキサン 4.97g（ 0.01m
ol）と、Ｎ−メチル−2-ピロリドン 268.3g を投入し、
室温で窒素雰囲気下に 3,3′,4,4′−ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物15.50g（ 0.050mol ）とピ
ロメリット酸二無水物10.46g（ 0.048mol ）を溶液温度
の上昇に注意しながら分割して加え、室温で10時間攪拌
してポリアミック酸樹脂（Ｂ）溶液を製造した。このポ
リアミック酸樹脂溶液の一部をメタノールで再沈澱し、
得られたポリアミック酸樹脂粉末をＮ−メチル-2−ピロ
リドンで溶解し、0.5g／100 ml濃度とし、30℃で対数粘
度を測定したところ、0.88dl／g であった。Synthesis Example 2 In a flask equipped with a stirrer, a cooler and a nitrogen introducing tube,
2,2- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane 46.6g (0.09mol) and bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane 4.97g (0.01m
ol) and 268.3 g of N-methyl-2-pyrrolidone,
At room temperature, under nitrogen atmosphere, pay attention to the rise of the solution temperature of 3,3 ', 4,4'-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride 15.50g (0.050mol) and pyromellitic dianhydride 10.46g (0.048mol). While adding in portions, the mixture was stirred at room temperature for 10 hours to prepare a polyamic acid resin (B) solution. A portion of this polyamic acid resin solution was reprecipitated with methanol,
The obtained polyamic acid resin powder was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone to a concentration of 0.5 g / 100 ml, and the logarithmic viscosity was measured at 30 ° C., and it was 0.88 dl / g.
【００２７】実施例１ 表１に示した組成で、ポリアミック酸樹脂（Ａ）、Ｎ−
メチル−2-ピロリドン、フレーク状銀分の各成分を三本
ロールにより３回混練して導電性ペーストを製造した。Example 1 Polyamic acid resin (A), N-, having the composition shown in Table 1
Each component of methyl-2-pyrrolidone and flake silver was kneaded three times with a three-roll to produce a conductive paste.
【００２８】実施例２ 表１に示した組成で、ポリアミック酸樹脂（Ｂ）、Ｎ−
メチル−2-ピロリドン、アルミニウム粉末の各成分を三
本ロールにより３回混練して導電性ペーストを製造し
た。Example 2 With the composition shown in Table 1, polyamic acid resin (B), N-
Each component of methyl-2-pyrrolidone and aluminum powder was kneaded with a triple roll three times to produce a conductive paste.
【００２９】比較例 市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型導電性ペーストを入
手した。Comparative Example A commercially available epoxy resin-based solvent-type conductive paste was obtained.
【００３０】実施例１〜２および比較例の導電性ペース
トを用いて、表１に示した半導体素子接着条件で試料を
作成し、接着性、加水分解性イオン、耐湿性の試験を行
ったので、その結果を表１に示した。いずれも本発明の
特性が優れており、本発明の効果を確認することができ
た。Samples were prepared using the conductive pastes of Examples 1 and 2 and Comparative Example under the semiconductor element bonding conditions shown in Table 1 and tested for adhesion, hydrolyzable ions and moisture resistance. The results are shown in Table 1. In all cases, the characteristics of the present invention were excellent, and the effects of the present invention could be confirmed.
【００３１】[0031]
【表１】 ＊1 ：厚さ200 μm のリードフレーム（銅系）上に4 ×
12mmのシリコンチップを接着し、それぞれの温度でプッ
シュプルゲージを用いて測定した。 ＊2 ：加水分解性イオンは、半導体素子接着条件で硬化
させた後、100 メッシュに粉砕して、180 ℃で2 時間加
熱抽出を行ったＣl イオンの量をイオンクロマトグラフ
ィーで測定した。 ＊3 ：吸湿試験は、温度121 ℃，圧力2 気圧の水蒸気中
における吸湿量を測定した。[Table 1] * 1: 4 x on 200 μm thick lead frame (copper)
A 12 mm silicon chip was adhered and measured at each temperature using a push-pull gauge. * 2: Hydrolyzable ions were cured under the conditions for bonding semiconductor devices, then pulverized to 100 mesh and subjected to heat extraction at 180 ° C. for 2 hours, and the amount of Cl ions was measured by ion chromatography. * 3: In the moisture absorption test, the amount of moisture absorption was measured in water vapor at a temperature of 121 ° C and a pressure of 2 atm.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の導電性ペーストは、半導体チップの大型化
に対応して、チップクラックやボイドの発生がなく、耐
湿性、耐加水分解性、耐熱性、接着性に優れ、特にチッ
プの反りを低減した信頼性の高いものである。As is clear from the above description and Table 1, the conductive paste of the present invention is free from chip cracks and voids, has moisture resistance and hydrolysis resistance in response to the increase in size of semiconductor chips. It has excellent properties, heat resistance, and adhesiveness, and in particular has high reliability with reduced chip warpage.
Claims (1)
樹脂であって、 【化１】 （a ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ1 は4
価の有機酸残基を示して、Ｒ1 を構成する全酸成分のう
ちの 50 mol ％以上が、次の一般式で示されるビフェニ
ルエーテルテトラカルボン酸成分であり、 【化２】 （b ）上記ポリイミド樹脂の一般式中におけるＲ2 は2
価のジアミン残基を示し、（b-1 ）Ｒ2 を構成する全ジ
アミン成分のうちの 50 〜99 mol％が、次の一般式で示
されるジアミン化合物であり、 【化３】 （但し、式中Ｘは−ＣＨ2 −、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−ＳＯ2 −、−Ｃ（ＣＦ3 ）2 −を表す） （b-2 ）Ｒ2 を構成する全ジアミン成分のうちの 50 〜
1 mol ％が、次の一般式で示されるジアミノシロキサン
であるもの、および 【化４】 （但し、式中Ｒ3 及びＲ4 は 2価の有機基を、Ｒ5 〜Ｒ
8 は炭素数 1〜6 の炭化水素を表し、n は 0又は12以下
の正の整数を表す） （Ｂ）導電性粉末を必須成分としてなることを特徴とす
る導電性ペースト。1. A polyimide resin represented by the following general formula (A), wherein: (A) R 1 in the general formula of the polyimide resin is 4
A bivalent ether tetracarboxylic acid component represented by the following general formula accounts for 50 mol% or more of all the acid components constituting R 1 and represents a valent organic acid residue. (B) R 2 in the general formula of the polyimide resin is 2
A diamine residue having a valence of 50 to 99 mol% of all the diamine components constituting (b-1) R 2 is a diamine compound represented by the following general formula: (However, where X is -CH 2 -, - O -, - C (CH 3)
2 -, - SO 2 -, - C (CF 3) 2 - are expressed) (b-2) 50 of the total diamine component constituting the R 2 ~
1 mol% is a diaminosiloxane represented by the following general formula, and (However, in the formula, R 3 and R 4 are divalent organic groups, R 5 to R 4
8 represents a hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms, and n represents 0 or a positive integer of 12 or less.) (B) A conductive paste comprising a conductive powder as an essential component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3614993A JPH06231614A (en) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Conductive paste |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3614993A JPH06231614A (en) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Conductive paste |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06231614A true JPH06231614A (en) | 1994-08-19 |
Family
ID=12461736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3614993A Pending JPH06231614A (en) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Conductive paste |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06231614A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07252459A (en) * | 1993-03-29 | 1995-10-03 | Hitachi Chem Co Ltd | Heat-resistant adhesive |
| JPH08127657A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Dow Corning Asia Ltd | Production of cured diphenylsiloxane and cured product |
| KR100715758B1 (en) * | 2004-02-25 | 2007-05-08 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Composition of conductive paste |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP3614993A patent/JPH06231614A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07252459A (en) * | 1993-03-29 | 1995-10-03 | Hitachi Chem Co Ltd | Heat-resistant adhesive |
| JPH08127657A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Dow Corning Asia Ltd | Production of cured diphenylsiloxane and cured product |
| KR100715758B1 (en) * | 2004-02-25 | 2007-05-08 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Composition of conductive paste |
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