JPH06231049A - 半導体ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 自動訂正できない障害が発生してもシステム
の運用に全く影響を与えないようにする。 【構成】 データを分割して複数のメモリモジュール１
０４〜１０８に記憶する。これ等メモリモジュールのい
ずれかに自動訂正できない障害が発生したことに応答し
て切離部１１０によりその障害メモリモジュールを切離
す。この切離し状態のときに外部装置からアクセスがあ
ったことに応答してメモリ訂正部１０９により障害メモ
リモジュール以外のモジュールの記憶内容に基づいて正
しいデータを作成して送出する。障害モジュールの代わ
りに新たなモジュールが組込まれたことに応答してデー
タ作成部１２１により障害モジュール以外のモジュール
の記憶内容に基づいて障害モジュールが記憶すべき内容
を作成し新たなモジュールに対して書込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ディスク装置に関
し、特に計算機システムの周辺装置の１つである半導体
ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体ディスク装置にお
いては、メモリ障害が発生した場合、エラー訂正符号を
使用して自動訂正を行っていた。その従来の半導体ディ
スク装置について図３を参照して説明する。図３におい
て、従来の半導体ディスク装置３０１は、データを記憶
するためのメモリ３０４及びエラー訂正符号３０５を含
む記憶部３０３と、メモリ３０４に対して読出し及び書
込みを行うメモリ制御部３０２とを含んで構成されてい
る。

【０００３】かかる構成において、ＣＰＵ等の図示せぬ
上位装置からアクセスがあった場合には、メモリ制御部
３０２が記憶部３０３内のメモリ３０４に対してデータ
の読出し又は書込みを行っていた。そして、メモリ障害
が発生した場合には、自動訂正できるものであれば、エ
ラー訂正符号を使用して自動訂正を行っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
ディスク装置においては、エラー訂正符号を使用して自
動訂正を行っていたが、システム運用中に自動訂正でき
ないメモリ障害が発生した場合は、そのメモリを交換す
る必要があり、半導体ディスク装置全体をシステムから
切離さなければならなかった。したがって、システム運
用に影響を与えてしまうという欠点があった。

【０００５】本発明は上述した従来の欠点を解決するた
めになされたものであり、その目的は自動訂正できない
メモリ障害が発生した場合であってもシステムの運用に
影響を与えることのない半導体ディスク装置を提供する
ことである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体ディ
スク装置は、データを分割して記憶する複数のメモリモ
ジュールと、前記複数のメモリモジュールのいずれかに
自動訂正できない障害が発生したことに応答してその障
害メモリモジュールを切離す切離手段と、この切離し状
態のときに外部装置からアクセスがあったことに応答し
て前記障害メモリモジュール以外のメモリモジュールの
記憶内容に基づいて正しいデータを作成して送出する作
成手段と、前記障害メモリモジュールの代りに新たなメ
モリモジュールが組込まれたことに応答して前記障害メ
モリモジュール以外のメモリモジュールの記憶内容に基
づいて前記障害メモリモジュールが記憶すべき内容を作
成し前記新たなメモリモジュールに対して書込む書込手
段とを有することを特徴とする。

【０００７】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。

【０００８】図１は本発明による半導体ディスク装置の
第１の実施例の構成を示すブロック図である。図におい
て、本発明の第１の実施例による半導体ディスク装置１
０１は、メモリ部１０３及びメモリ制御部１０２を含ん
で構成されている。

【０００９】メモリ部１０３は、本例では５個のメモリ
モジュール１０４〜１０８で構成されている。これ等の
メモリモジュールには、パリティを含むデータが分割さ
れて記憶されており、さらに各メモリモジュールにおけ
るエラーを訂正するためのエラー訂正符号が付与されて
いる。また、各メモリモジュール内には、自メモリモジ
ュールが図示せぬ上位装置と論理的に接続されているか
否かを示すためのリレースイッチＲが設けられている。

【００１０】なお、各メモリモジュールはプリント配線
板を用いて構成され、図示せぬコネクタを介してメモリ
部１０３に接続されているものとする。そして、装置の
電源を切らずにメモリモジュールの挿抜が行える構造、
すなわち活線挿抜可能な構造になっているものとする。
これにより、リレースイッチＲを開状態にして上位装置
から論理的に切離した後、コネクタから物理的に切離す
ことが自由にできるようになる。

【００１１】このメモリ部１０３に対して上位装置から
のアクセスがあった場合には、メモリモジュール１０４
〜１０８の記憶内容を組合わせることによりパリティ付
きのデータが作成されて上位装置へ送出される。なお、
メモリモジュール１０８にはパリティが記憶されてお
り、このパリティを用いてデータ全体を作成（修復）で
きるものとする。

【００１２】メモリ制御部１０２は、パリティを用いて
データを作成するメモリ訂正部１０９と、各メモリモジ
ュール１０４〜１０８に対応するビットを有するレジス
タ１及び２と、各メモリモジュール内のリレースイッチ
を切換えてそのメモリモジュールを上位装置から切離
し、アクセスされないようにする切離部１１０と、プル
アップ抵抗１１１とを含んで構成されている。

【００１３】かかる構成において、メモリ部１０３内の
全メモリモジュールが正常である場合には何等問題なく
上位装置からのアクセスに対してデータの読み・書きが
行われる。また、メモリモジュールに自動訂正できる障
害が発生した場合でも、各エラー訂正符号を用いて自動
訂正され何等問題なくデータの読み・書きが行われる。

【００１４】ところが、自動訂正できない障害が発生し
た場合には、以下の動作によりメモリモジュールの切離
しが行われる。例えばメモリモジュール１０５において
自動訂正できない障害が発生した場合、メモリ訂正部１
０９がそのことを検出し、レジスタ２内のメモリモジュ
ール１０５に対応するビットを書換える。このレジスタ
２は、自動訂正できない障害が発生したメモリモジュー
ルを示すことになる。すると、切離部１１０はレジスタ
２の保持内容を参照してメモリモジュール１０５内のリ
レースイッチＲを切換えて開状態にする。これにより、
メモリモジュール１０５は上位装置から論理的に切離さ
れる。

【００１５】次に、切離部１１０は、レジスタ１内のメ
モリモジュール１０５に対応するビットを書換えて、メ
モリモジュール１０５が論理的に切離された旨を表示す
る。これにより、オペレータ等はメモリモジュール１０
５を交換することができる。なお、レジスタ１内の各ビ
ットはプルアップ抵抗１１１で保護されており、リレー
スイッチが閉じているとき値「０」が格納され、リレー
スイッチが開いているとき値「１」が格納される。すな
わち、このレジスタ１は上位装置と論理的に接続されて
いるメモリモジュールを示すことになる。

【００１６】ところで、メモリモジュール１０５が上位
装置から論理的に切離されている状態においても上位装
置からのアクセスは行われる。その場合にはメモリモジ
ュール１０５以外のメモリモジュール１０４及び１０６
〜１０８の記憶内容に基づいてメモリ訂正部１０９が正
しいデータをアクセスの都度作成（修復）して上位装置
に対して送出する。こうすることにより、システムの運
用が中断されることはないのである。

【００１７】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。

【００１８】図２は本発明による半導体ディスク装置の
第２の実施例の構成を示すブロック図であり、図１と同
等部分は同一符号により示されている。図において、本
発明の第２の実施例による半導体ディスク装置２０１
は、図１の装置の構成に、レジスタ１の保持内容の変化
により新たなメモリモジュールが組込まれたことを認識
する組込み認識部１２０と、この組込み認識部１２０か
らの通知に応答して新たに組込まれたメモリモジュール
が記憶すべき内容を作成して書込みを行うデータ作成部
１２１とが追加された構成となっている。なお、新たな
組込まれるメモリモジュール内のリレースイッチは閉状
態になっているものとする。

【００１９】かかる構成とされた本実施例の半導体ディ
スク装置における動作は、切離部１１０により障害の発
生したメモリモジュールの切離しを行う点では第１の実
施例の場合と同様である。本実施例では障害の発生した
メモリモジュールの代りに新たなメモリモジュールが組
込まれたことに応答して障害の発生したメモリモジュー
ル以外のモジュールの記憶内容に基づいて障害モジュー
ルが記憶すべき内容を作成し新たに組込まれたモジュー
ルに対して書込み機能が追加されているのである。

【００２０】すなわち、上述した第１の実施例の場合と
同様に、メモリモジュール１０５に自動訂正できない障
害が発生し、切離部１１０によってメモリモジュール１
０５内のリレースイッチＲが開状態にされ、レジスタ１
内のモジュール１０５に対応するビットが書換えられて
「１」になっているものとする。この状態においてオペ
レータ等が障害メモリモジュールを取りはずし新たなメ
モリモジュールを接続すると、そのメモリモジュール内
のリレースイッチＲが閉状態になっているため、レジス
タ１内の対応ビットがプルアップ抵抗１１１の存在によ
って書換えられ、「０」になる。

【００２１】このレジスタ１の変化を組込み認識部１２
０が検出すると、その旨をデータ作成部１２１に通知す
る。この通知を受けたデータ作成部１２１は、新たに組
込まれたメモリモジュール１０５以外のメモリモジュー
ルの記憶内容を参照し、上位装置からのアクセスが行わ
れない期間にメモリモジュール１０５が記憶すべき内容
を作成（修復）してメモリモジュール１０５内に書込
む。

【００２２】そして、メモリモジュール１０５への書込
みがすべて完了すると、組込み認識部１２０に対して通
知され、組込み認識部１２０はレジスタ２内の対応ビッ
トを書換えてもとに戻す。これにより、通常状態に戻り
以後はメモリ訂正部１０９によるデータ作成（修復）は
行われず、メモリモジュール１０４〜１０８の記憶内容
が読出されるのである。

【００２３】以上のように、自動訂正できない障害が発
生してもメモリモジュール単位で交換自在な構成とした
ため、装置全体をシステムから切離したり、装置の電源
を断としたりする必要はなく、システムの運用に影響を
与えずに済むのである。

【００２４】

【発明の効果】異常説明したように本発明は、自動訂正
できない障害が発生したことに応答してその障害メモリ
モジュールを切離し、また障害メモリモジュールの代わ
りに新たなメモリモジュールが組込まれたことに応答し
障害メモリモジュール以外のメモリモジュールの記憶内
容に基づいて障害メモリモジュールが記憶すべき内容を
作成して書込むことにより、システムの運用に全く影響
を与えずに障害メモリモジュールを交換できるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による半導体ディスク装
置の構成を示すブロック図である。

【図２】本発明の第２の実施例による半導体ディスク装
置の構成を示すブロック図である。

【図３】従来の半導体ディスク装置の構成を示すブロッ
ク図である。

【符号の説明】

１，２ レジスタ １０２，２０２ メモリ制御部 １０３ メモリ部 １０４〜１０８ メモリモジュール １０９ メモリ訂正部 １１０ 切離部 １１１ プルアップ抵抗 １２０ 組込み認識部 １２１ データ作成部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 データを分割して記憶する複数のメモリ
   モジュールと、前記複数のメモリモジュールのいずれか
   に自動訂正できない障害が発生したことに応答してその
   障害メモリモジュールを切離す切離手段と、この切離し
   状態のときに外部装置からアクセスがあったことに応答
   して前記障害メモリモジュール以外のメモリモジュール
   の記憶内容に基づいて正しいデータを作成して送出する
   作成手段とを有することを特徴とする半導体ディスク装
   置。
2. 【請求項２】 前記障害メモリモジュールの代りに新た
   なメモリモジュールが組込まれたことに応答して前記障
   害メモリモジュール以外のメモリモジュールの記憶内容
   に基づいて前記障害メモリモジュールが記憶すべき内容
   を作成し前記新たなメモリモジュールに対して書込む書
   込手段を、さらに追加したことを特徴とする請求項１記
   載の半導体ディスク装置。