JPH06209067A - 電子部品用リードフレーム - Google Patents
電子部品用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH06209067A JPH06209067A JP275493A JP275493A JPH06209067A JP H06209067 A JPH06209067 A JP H06209067A JP 275493 A JP275493 A JP 275493A JP 275493 A JP275493 A JP 275493A JP H06209067 A JPH06209067 A JP H06209067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- die pad
- electronic component
- partition
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
- H01L2224/48996—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/48998—Alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属細線の変形によるショートや断線を確実
に防止して品質に対する信頼性を向上できる電子部品用
リードフレームを提供する。 【構成】 電子部品素子５が配置されるダイパット４
と、該電子部品素子５を外部に導出するリード３とから
なるリードフレーム２を構成し、このリード３と電子部
品素子５とを金属細線６で接続する場合に、上記ダイパ
ット４に各金属細線６を非接触状態に保持する仕切り部
１０を設ける。
に防止して品質に対する信頼性を向上できる電子部品用
リードフレームを提供する。 【構成】 電子部品素子５が配置されるダイパット４
と、該電子部品素子５を外部に導出するリード３とから
なるリードフレーム２を構成し、このリード３と電子部
品素子５とを金属細線６で接続する場合に、上記ダイパ
ット４に各金属細線６を非接触状態に保持する仕切り部
１０を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＩＣ，ＬＳＩ等
の半導体素子を製品に組立てる際に用いられる電子部品
用リードフレームに関し、詳細には金属細線の変形によ
るショートや断線を防止して品質に対する信頼性を向上
できるようにした構造に関する。
の半導体素子を製品に組立てる際に用いられる電子部品
用リードフレームに関し、詳細には金属細線の変形によ
るショートや断線を防止して品質に対する信頼性を向上
できるようにした構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＩＣ等の半導体部品を組立てる
場合、図８及び図９に示すような方法が一般に採用され
ている。まず、帯状の金属板１をエッチング，あるいは
プレスで打ち抜いて多数のリードフレーム２を形成す
る。このリードフレーム２は、平行に延びる一対のフレ
ーム２ａ，２ｂに内側に延びる多数のリード３，及びダ
イパット４を一体形成した構造である（図８(a),図８
(b) 参照) 。
場合、図８及び図９に示すような方法が一般に採用され
ている。まず、帯状の金属板１をエッチング，あるいは
プレスで打ち抜いて多数のリードフレーム２を形成す
る。このリードフレーム２は、平行に延びる一対のフレ
ーム２ａ，２ｂに内側に延びる多数のリード３，及びダ
イパット４を一体形成した構造である（図８(a),図８
(b) 参照) 。
【０００３】そして上記リードフレーム２のダイパット
４上に半導体チップ５を接着固定し、該半導体チップ５
の各入出力電極５ａと各リード３のインナリード部３ａ
とをワイヤボンディング法により金属細線６で接続して
配線を行う（図９(a) 参照）。次いで、上記半導体チッ
プ５のインナリード部３ａの外表面をエポキシ樹脂７で
モールドするとともに、各リード３のアウタリード部３
ｂを外方に突出させる。この後、上記両フレーム２ａ，
２ｂをアウタリード部３ｂから切断し、これにより半導
体部品８を製造する。
４上に半導体チップ５を接着固定し、該半導体チップ５
の各入出力電極５ａと各リード３のインナリード部３ａ
とをワイヤボンディング法により金属細線６で接続して
配線を行う（図９(a) 参照）。次いで、上記半導体チッ
プ５のインナリード部３ａの外表面をエポキシ樹脂７で
モールドするとともに、各リード３のアウタリード部３
ｂを外方に突出させる。この後、上記両フレーム２ａ，
２ｂをアウタリード部３ｂから切断し、これにより半導
体部品８を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のリードフレーム２では、図１０に示すように、ワイヤ
ボンディング法で金属細線６を配線する場合、該金属細
線６の線径は極めて細いことから何らかの外力で変形し
易く、その結果金属細線６同士が接触したり，ダイパッ
ト４に接触したりしてショートするおそれがある。また
樹脂モールドする際に該樹脂により金属細線６が押し流
されて断線する場合もあり、品質に対する信頼性が低い
という問題点がある。
のリードフレーム２では、図１０に示すように、ワイヤ
ボンディング法で金属細線６を配線する場合、該金属細
線６の線径は極めて細いことから何らかの外力で変形し
易く、その結果金属細線６同士が接触したり，ダイパッ
ト４に接触したりしてショートするおそれがある。また
樹脂モールドする際に該樹脂により金属細線６が押し流
されて断線する場合もあり、品質に対する信頼性が低い
という問題点がある。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するため
になされたもので、金属細線の変形によるショートや断
線を防止でき、品質に対する信頼性を向上できる電子部
品用リードフレームを提供することを目的としている。
になされたもので、金属細線の変形によるショートや断
線を防止でき、品質に対する信頼性を向上できる電子部
品用リードフレームを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子部品素子
が配置されるダイパットと、該電子部品素子を外部に導
出するリードとからなり、該リードと上記電子部品素子
とを金属細線で接続するようにした電子部品用リードフ
レームにおいて、上記ダイパットに、各金属細線を非接
触状態に保持する仕切り部を設けたことを特徴としてい
る。
が配置されるダイパットと、該電子部品素子を外部に導
出するリードとからなり、該リードと上記電子部品素子
とを金属細線で接続するようにした電子部品用リードフ
レームにおいて、上記ダイパットに、各金属細線を非接
触状態に保持する仕切り部を設けたことを特徴としてい
る。
【０００７】
【作用】本発明に係る電子部品用リードフレームによれ
ば、ダイパットに仕切り部を設けたので、この仕切り部
の間に各金属細線を配線することにより金属細線同士，
ダイパットとの接触を防止できる。また金属細線を仕切
り部間で支持することから、モールド樹脂の注入時に押
し流されることはない。その結果、金属細線の変形によ
るショートや断線を確実に防止でき、品質に対する信頼
性を向上できる。
ば、ダイパットに仕切り部を設けたので、この仕切り部
の間に各金属細線を配線することにより金属細線同士，
ダイパットとの接触を防止できる。また金属細線を仕切
り部間で支持することから、モールド樹脂の注入時に押
し流されることはない。その結果、金属細線の変形によ
るショートや断線を確実に防止でき、品質に対する信頼
性を向上できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の第１実施例による電子部品
用リードフレームを説明するための図である。図中、図
８及び図９と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実
施例のリードフレーム２は、一対のフレーム２ａ，２ｂ
と該フレーム２ａ，２ｂから内側に延びる多数のリード
３，及びダイパット４とを一体形成してなり、基本的構
造は上述のものと同様である。また、上記ダイパット４
の上面にはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子５が接着固定さ
れており、該半導体素子５の電極５ａと上記各リード３
のインナリード部３ａとは金属細線６で接続されてい
る。
る。図１及び図２は本発明の第１実施例による電子部品
用リードフレームを説明するための図である。図中、図
８及び図９と同一符号は同一又は相当部分を示す。本実
施例のリードフレーム２は、一対のフレーム２ａ，２ｂ
と該フレーム２ａ，２ｂから内側に延びる多数のリード
３，及びダイパット４とを一体形成してなり、基本的構
造は上述のものと同様である。また、上記ダイパット４
の上面にはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子５が接着固定さ
れており、該半導体素子５の電極５ａと上記各リード３
のインナリード部３ａとは金属細線６で接続されてい
る。
【０００９】上記ダイパット４の両縁部４ａ，４ｂには
本実施例の特徴をなす仕切り部１０が配設されている。
この仕切り部１０は大略円錐状の絶縁性樹脂からなり、
この各仕切り部１０は接着剤で固着されている。また各
仕切り部１０の下部は互いに密着しており、両側部の仕
切り部１０の間に半導体素子５が配置されている。そし
て各仕切り部１０の間に上記金属細線６が配線されてお
り、これにより各金属細線６は非接触状態に保持されて
いる。ここで、上記仕切り部１０は、例えば絶縁性接着
剤を採用し、該接着剤をダイパット４上に略円錐状をな
すように直接塗布し、この後硬化させて形成してもよ
い。
本実施例の特徴をなす仕切り部１０が配設されている。
この仕切り部１０は大略円錐状の絶縁性樹脂からなり、
この各仕切り部１０は接着剤で固着されている。また各
仕切り部１０の下部は互いに密着しており、両側部の仕
切り部１０の間に半導体素子５が配置されている。そし
て各仕切り部１０の間に上記金属細線６が配線されてお
り、これにより各金属細線６は非接触状態に保持されて
いる。ここで、上記仕切り部１０は、例えば絶縁性接着
剤を採用し、該接着剤をダイパット４上に略円錐状をな
すように直接塗布し、この後硬化させて形成してもよ
い。
【００１０】本実施例によれば、各仕切り部１０をダイ
パット４上に配置し、該各仕切り部１０の間に金属細線
６を配線したので、何らかの外力が加わっても金属細線
６同士が接触したり，あるいはダイパット４と接触した
りすることはない。また各仕切り部１０の間で金属細線
６を支持したので、モールディング時の樹脂で押し流さ
れることはない。その結果、金属細線６の変形によるシ
ョートや断線を確実に防止でき、製品の歩留まりを向上
できるとともに、品質に対する信頼性を向上できる。
パット４上に配置し、該各仕切り部１０の間に金属細線
６を配線したので、何らかの外力が加わっても金属細線
６同士が接触したり，あるいはダイパット４と接触した
りすることはない。また各仕切り部１０の間で金属細線
６を支持したので、モールディング時の樹脂で押し流さ
れることはない。その結果、金属細線６の変形によるシ
ョートや断線を確実に防止でき、製品の歩留まりを向上
できるとともに、品質に対する信頼性を向上できる。
【００１１】また、本実施例では、ダイパット４の両縁
部４ａ，４ｂに仕切り部１０を配設し、この両側部の仕
切り部１０の間に半導体素子５を配置したので、この仕
切り部１０で半導体素子５を位置決めでき、該素子５を
搭載する際の位置ずれを防止できる。
部４ａ，４ｂに仕切り部１０を配設し、この両側部の仕
切り部１０の間に半導体素子５を配置したので、この仕
切り部１０で半導体素子５を位置決めでき、該素子５を
搭載する際の位置ずれを防止できる。
【００１２】図３及び図４は、本発明の第２実施例を説
明するための図である。本実施例は、上記ダイパット４
と略同じ大きさからなる絶縁性樹脂板１１の両縁部に所
定間隔をあけて凸状の仕切り部１２を一体形成した例で
ある。また上記樹脂板１１の中央部には半導体素子５が
挿入配置される位置決め孔１１ａが形成されており、こ
の樹脂板１１は接着剤１３を介して上記ダイパット４に
固着されている。さらに上記各仕切り部１２の金属細線
６が当接するエッジにはＲ部１２ａが形成されており、
これにより金属細線６への応力集中を回避するようにな
っている。
明するための図である。本実施例は、上記ダイパット４
と略同じ大きさからなる絶縁性樹脂板１１の両縁部に所
定間隔をあけて凸状の仕切り部１２を一体形成した例で
ある。また上記樹脂板１１の中央部には半導体素子５が
挿入配置される位置決め孔１１ａが形成されており、こ
の樹脂板１１は接着剤１３を介して上記ダイパット４に
固着されている。さらに上記各仕切り部１２の金属細線
６が当接するエッジにはＲ部１２ａが形成されており、
これにより金属細線６への応力集中を回避するようにな
っている。
【００１３】本実施例によれば、各仕切り部１２の間に
金属細線６を配線することによりショート，断線を防止
でき、また素子搭載時の位置ずれを防止でき、上記実施
例と同様の効果が得られる。
金属細線６を配線することによりショート，断線を防止
でき、また素子搭載時の位置ずれを防止でき、上記実施
例と同様の効果が得られる。
【００１４】図５ないし図７は、本発明の第３実施例を
説明するための図である。この実施例は、リードフレー
ム２のダイパット４の両縁部４ａ，４ｂを波状に折り曲
げ形成し、このダイパット４の上面に絶縁層１６を被覆
形成することにより仕切り部１５を構成した例である。
この仕切り部１５は、図６に示すように、上記ダイパッ
ト４の両縁部４ａ，４ｂを少し大きめに形成して加工代
Ａを設けるとともに、ダイパット４の上面に絶縁層１６
を被覆し、この状態で上記両縁部４ａ，４ｂを折り曲げ
加工して形成されたものである。この場合、仕切り部１
５を折り曲げ形成した後、絶縁層１６を形成してもよ
い。
説明するための図である。この実施例は、リードフレー
ム２のダイパット４の両縁部４ａ，４ｂを波状に折り曲
げ形成し、このダイパット４の上面に絶縁層１６を被覆
形成することにより仕切り部１５を構成した例である。
この仕切り部１５は、図６に示すように、上記ダイパッ
ト４の両縁部４ａ，４ｂを少し大きめに形成して加工代
Ａを設けるとともに、ダイパット４の上面に絶縁層１６
を被覆し、この状態で上記両縁部４ａ，４ｂを折り曲げ
加工して形成されたものである。この場合、仕切り部１
５を折り曲げ形成した後、絶縁層１６を形成してもよ
い。
【００１５】本実施例においても、各仕切り部１５の間
に金属細線６を配線することによりショート，断線を防
止でき、上記実施例と同様の効果が得られる。また、本
実施例では、ダイパット４の両縁部４ａ，４ｂを波状に
湾曲形成して仕切り部１５を形成したので、上記各実施
例に比べて部品点数の増加を回避できる。
に金属細線６を配線することによりショート，断線を防
止でき、上記実施例と同様の効果が得られる。また、本
実施例では、ダイパット４の両縁部４ａ，４ｂを波状に
湾曲形成して仕切り部１５を形成したので、上記各実施
例に比べて部品点数の増加を回避できる。
【００１６】なお、上記仕切り部１５は、上述の金属板
をプレスで打ち抜いてリードフレーム２を形成する際に
同時に形成してもよく、このようにした場合は部品点数
の増加を回避しながら、製造工程を簡略化できる。
をプレスで打ち抜いてリードフレーム２を形成する際に
同時に形成してもよく、このようにした場合は部品点数
の増加を回避しながら、製造工程を簡略化できる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明に係る電子部品用リ
ードフレームによれば、ダイパットに各金属細線を非接
触状態に保持する仕切り部を設けたので、金属細線の変
形によるショートや断線を確実に防止でき、品質に対す
る信頼性を向上できる効果がある。
ードフレームによれば、ダイパットに各金属細線を非接
触状態に保持する仕切り部を設けたので、金属細線の変
形によるショートや断線を確実に防止でき、品質に対す
る信頼性を向上できる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例による電子部品用リードフ
レームを説明するための斜視図である。
レームを説明するための斜視図である。
【図２】上記実施例の仕切り部を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例によるリードフレームを説
明するための斜視図である。
明するための斜視図である。
【図４】上記実施例の仕切り部を示す分解斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３実施例によるリードフレームを説
明するための斜視図である。
明するための斜視図である。
【図６】上記実施例の仕切り部の加工方法を示す図であ
る。
る。
【図７】上記実施例の仕切り部を示す斜視図である。
【図８】一般的なリードフレームの製造方法を説明する
ための図である。
ための図である。
【図９】一般的な半導体部品の製造方法を説明するため
の図である。
の図である。
【図１０】従来のリードフレームの問題点を示す斜視図
である。
である。
２ リードフレーム ３ リード ４ ダイパット ５ 半導体素子（電子部品素子） ６ 金属細線 １０，１２，１５ 仕切り部
Claims (1)
- 【請求項１】 電子部品素子が配置されるダイパット
と、該電子部品素子を外部に導出するリードとからな
り、該リードと上記電子部品素子とを金属細線で接続す
るようにした電子部品用リードフレームにおいて、上記
ダイパットに、各金属細線を非接触状態に保持する仕切
り部を設けたことを特徴とする電子部品用リードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP275493A JPH06209067A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 電子部品用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP275493A JPH06209067A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 電子部品用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209067A true JPH06209067A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11538139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP275493A Withdrawn JPH06209067A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 電子部品用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209067A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP275493A patent/JPH06209067A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
| US6177725B1 (en) | 1995-10-24 | 2001-01-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| US6459145B1 (en) * | 1995-10-24 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor |
| US6569755B2 (en) | 1995-10-24 | 2003-05-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH098205A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| WO1994024698A1 (en) | Semiconductor device | |
| WO1998043297A1 (fr) | Substrat pour dispositif a semi-conducteurs, araignee de connexions, semi-conducteur et procede de fabrication des memes, carte et equipement electronique | |
| JPH04233244A (ja) | 集積回路アセンブリ | |
| KR970000219B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH06209067A (ja) | 電子部品用リードフレーム | |
| JPS63310151A (ja) | 集積回路電子部品のチップの支持パッド | |
| JP2715810B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置とその製造方法 | |
| JPH05144988A (ja) | 半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置及びリードフレーム | |
| KR100321149B1 (ko) | 칩사이즈 패키지 | |
| JP2000124383A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3192238B2 (ja) | 半導体装置の組立方法 | |
| KR0155441B1 (ko) | 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지 | |
| JPH01216563A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3793752B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001127184A (ja) | 中空モールドパッケージ装置 | |
| KR200141173Y1 (ko) | 리드돌출형 반도체 패키지 | |
| JPH05326801A (ja) | 半導体装置及びそのリードフレーム | |
| KR0120186B1 (ko) | 버퍼칩을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0837264A (ja) | リ−ドフレームの製造方法 | |
| JP3076948B2 (ja) | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2515882B2 (ja) | リ―ドフレ―ム、リ―ドフレ―ムの製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH08330501A (ja) | 半導体のリードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH05315531A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2000260921A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |