JPH0620153B2 - Photovoltaic element - Google Patents
Photovoltaic elementInfo
- Publication number
- JPH0620153B2 JPH0620153B2 JP62330618A JP33061887A JPH0620153B2 JP H0620153 B2 JPH0620153 B2 JP H0620153B2 JP 62330618 A JP62330618 A JP 62330618A JP 33061887 A JP33061887 A JP 33061887A JP H0620153 B2 JPH0620153 B2 JP H0620153B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous semiconductor
- semiconductor layer
- photovoltaic
- transparent electrode
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光起電力素子に関する。さらに詳しくは高温に
なったばあいにも出力低下がおこらない光起電力素子に
関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photovoltaic device. More specifically, the present invention relates to a photovoltaic element that does not decrease its output even when the temperature becomes high.
［従来の技術］ 従来より、絶縁表面を有する透明基板上に透明電極、非
晶質半導体層、裏面電極を順次積層させた光起電力素子
はよく知られている。[Prior Art] Conventionally, a photovoltaic element in which a transparent electrode, an amorphous semiconductor layer, and a back electrode are sequentially laminated on a transparent substrate having an insulating surface is well known.
このような、光起電力素子は、用途に望ましい起電力を
えるために透明基板上に複数個の光起電力素子が互いに
電気的に直列接続された光起電力装置の形で用いられる
ことが多く、その際には、透明基板上に、複数の透明電
極、非晶質半導体層および裏面電極が形成されパターン
化が施される。そのパターン化にはたとえばエッチン
グ、レーザスクライビング、リフトオフ法などの方法の
うちでそれぞれに応じた方法が用いられる。Such a photovoltaic device may be used in the form of a photovoltaic device in which a plurality of photovoltaic devices are electrically connected in series on a transparent substrate in order to obtain a desired electromotive force for an application. In many cases, a plurality of transparent electrodes, an amorphous semiconductor layer, and a back electrode are formed on the transparent substrate and patterned. For patterning, for example, a method corresponding to each of etching, laser scribing, lift-off method and the like is used.
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、このような光起電力装置は、透明電極として用
いられた金属酸化物の酸素原子および非晶質半導体層の
パターン化により端面に生成される酸化物の酸素原子が
使用中に裏面電極を構成する金属中に拡散し、接続界面
において裏面電極が酸化されるという問題を生じる。裏
面電極が酸化されると、光起電力素子と裏面電極との接
続界面で抵抗が大きくなるため、外部にとり出される光
起電力素子の出力が低下する。とりわけ光起電力素子が
高照度下で用いられて高温になるばあいに、接続界面で
の裏面電極の酸化が促進されるため、光起電力素子の出
力低下がいちじるしくなる。[Problems to be Solved by the Invention] However, in such a photovoltaic device, an oxide atom formed on an end face by patterning an oxygen atom of a metal oxide used as a transparent electrode and an amorphous semiconductor layer is used. Oxygen atoms diffuse into the metal forming the back electrode during use, causing a problem that the back electrode is oxidized at the connection interface. When the back electrode is oxidized, the resistance increases at the connection interface between the photovoltaic element and the back electrode, and the output of the photovoltaic element taken out is reduced. In particular, when the photovoltaic element is used under high illuminance and becomes high temperature, oxidation of the back surface electrode at the connection interface is promoted, so that the output of the photovoltaic element is significantly reduced.
本発明は上記のような問題点を改善するため、裏面電極
が酸化されにくく、出力低下がおこさない光起電力素子
を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a photovoltaic device in which the back electrode is hard to be oxidized and the output is not lowered.
［問題点を解決するための手段］ 本発明は絶縁表面を有する透明基板上に酸素を含む透光
性導電膜からなる透明電極と、光照射により光起電力を
発生する非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上に形成
される金属からなる裏面電極とを有する光起電力素子を
複数個互いに電気的に直列接続されるように配設された
光起電力装置に用いられる光起電力素子であって、裏面
電極の少なくとも透明電極および非晶質半導体層に接す
る部分に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギーが
前記透明電極の主成分を構成する元素および前記非晶質
半導体の主成分を構成する元素のいずれの酸化物標準生
成エネルギーより大きいことを特徴とする光起電力素子
に関する。[Means for Solving Problems] The present invention provides a transparent electrode made of a translucent conductive film containing oxygen on a transparent substrate having an insulating surface, and an amorphous semiconductor layer that generates a photoelectromotive force by light irradiation. A photovoltaic device used in a photovoltaic device in which a plurality of photovoltaic elements having a metal back electrode formed on the amorphous semiconductor layer are electrically connected in series to each other. In the element, an element whose standard formation energy of an oxide of a metal used in at least a portion of the back surface electrode which is in contact with the transparent electrode and the amorphous semiconductor layer and a main component of the amorphous semiconductor are main elements of the transparent electrode. The present invention relates to a photovoltaic element, which has a standard energy of formation greater than that of any of the elements constituting the element.
本明細書において酸化物標準生成エネルギーが大きいこ
とは、「金属データハンドブック」日本金属学会編、丸
善株式会社発行、昭和49年７月20日、81頁に記載されて
いるように、酸化物の標準生成自由エネルギーΔＧｆ゜
〔cal／ｇ・mol O2〕値が大きいことを言う。In the present specification, the large standard energy of oxide formation means that as described in “Metal Data Handbook” edited by The Japan Institute of Metals, published by Maruzen Co., Ltd., July 20, 1974, p. 81, It means that the standard free energy of formation ΔG f ° [cal / g · mol O 2 ] is large.
前記金属データハンドブック78〜79頁に記載されている
物性のエンタルピー値〔−ΔＨ゜２７８（kcal／mo
l）〕を用いて金属、非金属材料の反応式を記せば、25
℃で、 である。これらを用いて金属、非金属間の反応式を示せ
ば、 となる。反応が右に進まないものは、エネルギー項が正
の値を示すものである。Enthalpy value [-ΔH ° 278 (kcal / mo
l)] is used to describe the reaction equations for metallic and non-metallic materials,
At ℃, Is. If you show the reaction formula between metal and non-metal using these, Becomes If the reaction does not proceed to the right, the energy term shows a positive value.
したがって、酸化物標準生成自由エネルギーが大きいと
いう表現は、本明細書においては前記反応式のエネルギ
ー項の値がプラスであることを示している。Therefore, the expression that the standard free energy of formation of oxide is large indicates that the value of the energy term in the above reaction formula is positive in this specification.
以上、説明のため、反応式は25℃におけるものを用いた
が、望ましくは−40℃から100℃の範囲で満足されなけ
ればならない。For the sake of explanation, the reaction formula used is at 25 ° C., but it should preferably be satisfied in the range of −40 ° C. to 100 ° C.
［実施例〕 つぎに図面にもとづき本発明の光起電力素子につき説明
する。第１図は４個の光起電力素子を電気的に直列接続
させたばあいの本発明の一実施例の概略断面図である。[Examples] Next, a photovoltaic element of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view of an embodiment of the present invention when four photovoltaic elements are electrically connected in series.
第１図において、(1)は絶縁表面を有する透明基板であ
り、(2)はパターン化された、酸素を含む透光性導電膜
からなる透明電極である。(3)は光起電力を発生する非
晶質半導体層であり、レーザスクライビング法によりパ
ターン化されている。(4)は多層構造からなるパターン
化された裏面電極である。In FIG. 1, (1) is a transparent substrate having an insulating surface, and (2) is a patterned transparent electrode made of a translucent conductive film containing oxygen. (3) is an amorphous semiconductor layer that generates a photovoltaic force, and is patterned by a laser scribing method. (4) is a patterned back electrode having a multilayer structure.
本発明に用いる透明基板(1)としては、ソーダライムガ
ラス、ソーダライムガラスにSiO2をコーティングしたガ
ラスなどが用いられるが絶縁表面を有するものであれば
よく、とくにこれらに限定されるものではない。As the transparent substrate (1) used in the present invention, soda lime glass, glass obtained by coating SiO 2 on soda lime glass or the like is used, but it is sufficient if it has an insulating surface, and is not particularly limited thereto. .
本発明に用いる透明電極(2)としては、たとえばITO、Sn
O2、In2O3、CdSnOなどの金属酸化物が代表例としてあげ
られるが、これらにとくに限定されるものではない。Examples of the transparent electrode (2) used in the present invention include ITO and Sn.
Typical examples thereof include metal oxides such as O 2 , In 2 O 3 and CdSnO, but they are not particularly limited to these.
本発明に用いる非晶質半導体層(3)を構成する非晶質半
導体としては、非晶質半導体または結晶質を含む非晶質
半導体であればとくに限定はない。このような半導体の
具体例としては、a-Si:H、a-Si:F:H、a-SiGe:H、a-SiS
n:H、a-SiN:H、a-SiGe:F:H、a-Si:N:F:H、a-SiC:H、a-S
iC:F:Hなどがあげられる。The amorphous semiconductor constituting the amorphous semiconductor layer (3) used in the present invention is not particularly limited as long as it is an amorphous semiconductor or an amorphous semiconductor containing a crystalline substance. Specific examples of such semiconductors include a-Si: H, a-Si: F: H, a-SiGe: H, and a-SiS.
n: H, a-SiN: H, a-SiGe: F: H, a-Si: N: F: H, a-SiC: H, aS
iC: F: H is an example.
前記非晶質半導体層(3)は前記非晶質半導体をたとえばP
IN接合にすることによって光起電力を発生するように構
成される。接合には前記PIN の接合ほかPN接合、ショッ
トキー接合、ヘテロ接合などのさまざまな接合が用いら
れる。The amorphous semiconductor layer (3) is made of, for example, P
It is configured to generate a photovoltaic by making an IN junction. In addition to the PIN junction described above, various junctions such as PN junction, Schottky junction, and hetero junction are used.
前記透明電極(2)および前記非晶質半導体層(3)は第１図
に示されるようにそれぞれパターン化されている。前記
パターン化は、複数個の光起電力素子が互いに電気的に
直列接続された形になるように行なわれ、それによって
外部に取出される起電力を大きくするためのものであ
る。このパターン化の方法としてはレーザスクライビン
グ法、エッチング法、マスク法、リフトオフ法などを用
いることができるが、比較的微細パターン化ができ、連
続工程中に組み入れることができるという点でレーザス
クライビング法が好ましい。レーザスクライビング法に
用いるレーザ装置の具体例としてはNd:YAGレーザなどが
あげられる。The transparent electrode (2) and the amorphous semiconductor layer (3) are patterned as shown in FIG. The patterning is performed so that a plurality of photovoltaic elements are electrically connected in series to each other, thereby increasing the electromotive force extracted to the outside. As a method of patterning, a laser scribing method, an etching method, a mask method, a lift-off method or the like can be used, but the laser scribing method is preferable because it can be relatively finely patterned and can be incorporated in a continuous process. preferable. A specific example of the laser device used in the laser scribing method is an Nd: YAG laser.
レーザスクライビング後の非晶質半導体層(3)について
のEPMA法（electron probe micro analysis法）の波長
分散による分析によるば、スクライビングの中心線の両
端には第２図に示される斜線部分に数μｍ程度の大きさ
の酸化物が形成されており、これは非晶質半導体を構成
する主成分の元素の酸化物（例えばSiO2）である。According to the analysis of the amorphous semiconductor layer (3) after laser scribing by wavelength dispersion of the EPMA method (electron probe micro analysis method), both ends of the center line of scribing are several μm in the shaded area shown in FIG. An oxide having a size of the order of magnitude is formed, which is an oxide (for example, SiO 2 ) of a main element that constitutes an amorphous semiconductor.
本発明に用いる裏面電極(4)を構成する金属としては、
その金属の酸化物標準生成エネルギーが透明電極(2)の
主成分を構成する元素および非晶質半導体層(3)の主成
分を構成する元素のいずれの酸化物標準生成エネルギー
より大きい金属が選ばれる。The metal constituting the back electrode (4) used in the present invention,
A metal whose standard oxide energy of formation of the oxide is higher than the standard oxide energy of oxide of the element constituting the main component of the transparent electrode (2) and the element constituting the main component of the amorphous semiconductor layer (3) is selected. Be done.
なお本明細書において酸化物標準生成エネルギーとある
温度における酸素と金属の親和力を意味する概念であ
る。また主成分を構成する元素とは透明電極(2)または
非晶質半導体層(3)中に原子比でもっとも多く含まれて
いる金属および非金属元素を意味する概念である。In the present specification, the standard energy of oxide formation and the concept of the affinity between oxygen and metal at a certain temperature. The element constituting the main component is a concept that means a metal or non-metal element that is contained most in the transparent electrode (2) or the amorphous semiconductor layer (3) in atomic ratio.
したがって裏面電極(4)に用いられる金属は透明電極(2)
の主成分を構成するIn、Snなどの元素および非晶質半導
体層(3)の主成分を構成するSiなどの元素のいずれの元
素が作る酸化物組成の酸化物標準生成エネルギーより大
きい酸化物標準生成エネルギーを有する金属が選ばれ
る。Therefore, the metal used for the back electrode (4) is the transparent electrode (2).
An oxide having an oxide composition larger than the standard formation energy of an oxide formed by any one of the elements such as In and Sn that form the main constituent of Si and the element such as Si that forms the main constituent of the amorphous semiconductor layer (3) A metal with a standard energy of formation is selected.
たとえば透明電極(2)の主成分を構成するSnやInの酸化
物標準生成エネルギーより大きい酸化物標準生成エネル
ギーをもつ金属としてはNi、Co、Fe、Cuなどの金属があ
げられ、また非晶質半導体層(3)の主成分を構成するSi
の酸化物標準生成エネルギーより大きい酸化物標準生成
エネルギーをもつ金属としては、Cr、Ni、Fe、V 、Co、
W などの金属があげられる。For example, metals having a standard oxide formation energy higher than the standard oxide formation energy of Sn or In, which form the main component of the transparent electrode (2), include metals such as Ni, Co, Fe, and Cu. Which constitutes the main component of the porous semiconductor layer (3)
The standard oxide energies of oxides are larger than those of Cr, Ni, Fe, V, Co,
Metals such as W are given.
これらの金属のうちではIn、Sn、Siの酸化物に対してよ
り大きい酸化物標準生成エネルギーをもつという点でNi
などが好ましいが、本発明においてはもとよりこれらに
かぎられるものではない。Among these metals, Ni has the larger standard oxide formation energy for In, Sn, and Si oxides.
Etc. are preferred, but the present invention is not limited to these.
また、裏面電極(4)を多層構造として、透明電極(2)また
は非晶質半導体層(3)に直接被着する層の金属が上記条
件をみたすように構成してもよい。Further, the back electrode (4) may have a multi-layer structure so that the metal of the layer directly deposited on the transparent electrode (2) or the amorphous semiconductor layer (3) satisfies the above conditions.
裏面電極(4)を多層構造としたばあい、たとえば透明電
極(2)または非晶質半導体層(3)からみて２層目の導電性
および光の反射率のすぐれた金属を用いることなどによ
り、裏面電極(4)の導電性および光の反射率を向上させ
ることができる。When the back surface electrode (4) has a multi-layer structure, for example, by using a metal having excellent conductivity and light reflectance in the second layer when viewed from the transparent electrode (2) or the amorphous semiconductor layer (3), The conductivity and light reflectance of the back electrode (4) can be improved.
実施例１ EB蒸着法により形成された湿式エッチング法によりパタ
ーン化された厚さ1200ÅのITO 透明電極を設けた厚さ１
mmのソーダライムガラス基板上に、平行平板型プラズマ
CVD 法によりP 型、I 型、N 型の非晶質シリコン層を以
下に記載するように順次設けた。Example 1 1200 Å ITO transparent electrode patterned by wet etching method formed by EB vapor deposition method and provided with thickness 1
Parallel plate type plasma on mm soda lime glass substrate
P-type, I-type, and N-type amorphous silicon layers were sequentially formed by the CVD method as described below.
P 型非晶質シリコン層は容積約10の真空槽を10-5Torr
まで減圧したのちマスフローコントローラによりSiH4ガ
ス、B2H6 ガス、CH4 ガスが1:0.006:0.5 の容積比で混
合されたガスを毎分100ccの流量で上記真空槽内に導入
し、同槽を0.8Torrの圧力に調整しながら、放電電力0.1
W/cm2の高周波グロー放電を生じさせることにより約150
Åの膜厚に作成した。The P-type amorphous silicon layer is stored in a vacuum chamber with a volume of about 10 -5 Torr.
After depressurizing to, the mass flow controller introduced SiH 4 gas, B 2 H 6 gas, and CH 4 gas at a volume ratio of 1: 0.006: 0.5 into the above vacuum chamber at a flow rate of 100 cc per minute. Discharge power 0.1 while adjusting the pressure of the tank to 0.8 Torr.
About 150 by generating high frequency glow discharge of W / cm 2.
Created with a film thickness of Å.
ついで、Ｉ型非晶質シリコン層はSiH4ガスを毎分 200cc
の流量で真空槽に導入し、1.0Torrのもとでグロー放電
を行なったほかはP 型非晶質シリコン層を作成した方法
と同様な方法を用いて約5000Åの膜厚に作成した。Next, the I-type amorphous silicon layer is filled with SiH 4 gas at 200 cc / min.
Was introduced into the vacuum chamber at a flow rate of, and glow discharge was performed under 1.0 Torr, and a thickness of about 5000Å was formed by the same method as the method of forming the P-type amorphous silicon layer.
さらに、N 型非晶質シリコン層はSiH4ガスにPH3 ガスを
0.6 容積％混合したガスを真空槽に毎分200cずつ導入さ
せながらグロー放電させたほかはP 型非晶質シリコン層
を作成した方法と同様な方法を用いて約300 Åの膜厚に
作成した。Furthermore, the N-type amorphous silicon layer contains PH 3 gas in addition to SiH 4 gas.
A film having a thickness of about 300 Å was formed by the same method as the method for forming the P-type amorphous silicon layer, except that a 0.6% by volume mixed gas was introduced into the vacuum chamber at 200 c / min for glow discharge. .
つぎにYAV レーザの基本波を用い波長1.06μｍで前記非
晶質シリコン層をパターン化した。The amorphous silicon layer was then patterned with a fundamental wave of a YAV laser at a wavelength of 1.06 μm.
その後裏面電極としてＳｉおよびＩｎのいずれの酸化物
標準生成エネルギーよりも大きい酸化物標準生成エネル
ギーをもつNiをEB蒸着法により２〜20Å／secの蒸着速
度で厚さ 100Åになるように蒸着後、純度99.999％のAl
を同様の方法により厚さ1400Åで蒸着し、この裏面電極
をマスク法によりパターン化した。ここで透明電極
(2)、非晶質半導体層(3)、裏面電極(4)のパターン化は
第１図に示されるように光起電力素子が互いに電気的に
直列接されるように行なわれる。After that, Ni having a standard oxide formation energy higher than that of any of Si and In oxides was deposited as a back electrode by the EB deposition method at a deposition rate of 2 to 20 Å / sec to a thickness of 100 Å. 99.999% pure Al
Was vapor-deposited in the same manner with a thickness of 1400Å, and this back electrode was patterned by a mask method. Transparent electrode here
(2) The amorphous semiconductor layer (3) and the back electrode (4) are patterned so that the photovoltaic elements are electrically connected to each other in series as shown in FIG.
えられた光起電力素子の特性および 180℃で30分間加熱
したのち特性をAM-1、100mW/cm2ソーラーシュミレータ
ーを用いて測定した。その結果を第１表に示す。The characteristics of the obtained photovoltaic device and the characteristics after heating at 180 ° C for 30 minutes were measured using AM-1, 100 mW / cm 2 solar simulator. The results are shown in Table 1.
参考例 裏面電極における厚さ１００ÅのＮｉに代えて厚さ１０
０ÅのＣｒを用いたほかは実施例１と同様にして光起電
力素子を作製し、えられた光起電力素子の特性および１
８０℃で３０分間加熱したのち特性を測定した。その結
果を第３図および第１表にそれぞれ示す 比較例１ 裏面電極(4)を膜厚1500ÅのAlの単層蒸着膜にしたほか
は実施例と同様にして光起電力素子を作製し、えられた
光起電力素子の特性および180℃で30分間加熱したのち
特性を測定した。その結果を第４図および第１表にそれ
ぞれ示す。Reference example Thickness of 10 Å in the back electrode instead of Ni of 10
A photovoltaic element was produced in the same manner as in Example 1 except that 0Å Cr was used, and the characteristics of the obtained photovoltaic element and 1
The characteristics were measured after heating at 80 ° C. for 30 minutes. The results are shown in FIG. 3 and Table 1, respectively. Comparative Example 1 A photovoltaic element was prepared in the same manner as in Example 1 except that the back electrode (4) was a single-layer vapor-deposited film of Al having a thickness of 1500 Å. The characteristics of the obtained photovoltaic element and the characteristics were measured after heating at 180 ° C for 30 minutes. The results are shown in FIG. 4 and Table 1, respectively.
表中の変換効率Effは Eff＝（Voc×lsc×FF／太陽光入射エネルギー）×100
％ で与えられる。またFFはフィル−ファクター（fill-fac
tor）と呼ばれる量である。 The conversion efficiency E ff in the table is E ff = (Voc x lsc x FF / sunlight incident energy) x 100
Given in%. FF is the fill-factor (fill-fac
tor) is the amount called.
第１表、第３図および第４図より本発明の光起電力素子
を高温下で使用したばあいにも出力低下が起こらないこ
とがわかる。It can be seen from Table 1, FIG. 3 and FIG. 4 that output reduction does not occur even when the photovoltaic element of the present invention is used at high temperature.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の光起電力素子において
は、裏面電極として透光性導電膜からなる透明電極の主
成分を構成する元素および非晶質半導体層の主成分を構
成する元素のいずれとの酸化物標準生成エネルギーより
も大きい酸化物標準生成エネルギーをもつ金属が用いら
れるので、光起電力素子が高照度下で用いられて高温に
なったばあいでも、透明電極として用いられている金属
酸化物の酸素原子およびスクライビングされた非晶質半
導体層の端面に生じた酸化物の酸素原子が裏面電極を構
成する金属中に拡散することが防止され、透明電極と裏
面電極との接続界面での接続抵抗を安定させるので外部
に取り出される光起電力素子の出力の低下が防止され
る。[Effects of the Invention] As described above, in the photovoltaic element of the present invention, the element constituting the main component of the transparent electrode formed of the transparent conductive film as the back electrode and the main component of the amorphous semiconductor layer are used. Since a metal having an oxide standard formation energy that is higher than the oxide standard formation energy of any of the constituent elements is used, even if the photovoltaic element is used under high illuminance and becomes high temperature, the transparent electrode Oxygen atoms of the metal oxide used as and oxygen atoms of the oxide generated at the end surface of the scribed amorphous semiconductor layer are prevented from diffusing into the metal forming the back electrode, and the transparent electrode and the back surface are prevented. Since the connection resistance at the connection interface with the electrode is stabilized, it is possible to prevent a decrease in the output of the photovoltaic element taken out.
第１図は４個の光起電力素子を電気的に直列接続したば
あいの本発明の光電力素子の一実施例の断面説明図、第
２図は第１図のレーザスクライビング部分を示す拡大説
明図、第３図は本発明の実施例にかかわる光起電力素子
のV-I 曲線を示すグラフ、第４図は従来の光起電力素子
のV-I 曲線を示すグラフである。 （図面の主要符号） (2)：透明電極 (3)：非晶質半導体層 (4)：裏面電極FIG. 1 is a cross-sectional explanatory view of an embodiment of the photovoltaic element of the present invention when four photovoltaic elements are electrically connected in series, and FIG. 2 is an enlarged explanation showing the laser scribing portion of FIG. FIG. 3 is a graph showing a VI curve of a photovoltaic element according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a graph showing a VI curve of a conventional photovoltaic element. (Main symbols in the drawing) (2): Transparent electrode (3): Amorphous semiconductor layer (4): Backside electrode
Claims (3)
む透光性導電膜からなる透明電極と、光照射により光起
電力を発生する非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上
に形成される金属からなる裏面電極とを有する光起電力
素子を複数個互いに電気的に直列接続されるように配設
された光起電力装置に用いられる光起電力素子であっ
て、裏面電極の少なくとも透明電極および非晶質半導体
層に接する部分に用いられる金属の酸化物標準生成エネ
ルギーが前記透明電極の主成分を構成する元素および前
記非晶質半導体の主成分を構成する元素のいずれの酸化
物標準生成エネルギーより大きいことを特徴とする光起
電力素子。1. A transparent substrate having an insulating surface, a transparent electrode made of a translucent conductive film containing oxygen, an amorphous semiconductor layer generating a photoelectromotive force by light irradiation, and the amorphous semiconductor layer on the amorphous semiconductor layer. A photovoltaic element used in a photovoltaic device in which a plurality of photovoltaic elements having a metal back electrode formed on the Of at least one of the element forming the main component of the transparent electrode and the oxide forming standard energy of the metal used in the portion in contact with the transparent electrode and the amorphous semiconductor layer of the element forming the main component of the amorphous semiconductor. Photovoltaic device characterized by being larger than oxide standard energy of formation.
構成する金属のうち透明電極および非晶質半体層に直接
被着する層に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギ
ーが透明電極の主成分を構成する元素および非晶質半導
体層の主成分を構成する元素のいずれの酸化物標準生成
エネルギーより大きい特許請求の範囲第１項記載の光起
電力素子。2. The back electrode has a multi-layer structure, and among the metals constituting the back electrode, the standard production energy of oxides of the metal used for the transparent electrode and the layer directly deposited on the amorphous half layer is the transparent electrode. 2. The photovoltaic element according to claim 1, which has a standard energy of formation larger than that of any of the element forming the main component of the amorphous semiconductor layer and the element forming the main component of the amorphous semiconductor layer.
によりパターン化されたものからなる特許請求の範囲第
１項または第２項記載の光起電力素子。3. The photovoltaic device according to claim 1, wherein the amorphous semiconductor layer is patterned by a laser scribing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62330618A JPH0620153B2 (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Photovoltaic element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62330618A JPH0620153B2 (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Photovoltaic element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171282A JPH01171282A (en) | 1989-07-06 |
| JPH0620153B2 true JPH0620153B2 (en) | 1994-03-16 |
Family
ID=18234674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62330618A Expired - Lifetime JPH0620153B2 (en) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | Photovoltaic element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620153B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167608A (en) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Furon Tec:Kk | Wirings structure and liquid crystal element |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623785A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar battery |
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
| JPS59103383A (en) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture for photovoltaic force generating device |
| JPS59103983A (en) * | 1982-12-06 | 1984-06-15 | Diesel Kiki Co Ltd | Variable displacement type sliding vane compressor |
| JPS60182757A (en) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Integrated type solar cell |
| JPS60240170A (en) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous solar battery |
| JPS61225877A (en) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Kyocera Corp | Photovoltaic device |
| JPH065777B2 (en) * | 1985-05-13 | 1994-01-19 | 鐘淵化学工業株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPS62147784A (en) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | Teijin Ltd | Amorphous solar cell and manufacture thereof |
| JPS62126849U (en) * | 1986-01-31 | 1987-08-12 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62330618A patent/JPH0620153B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01171282A (en) | 1989-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100237661B1 (en) | Back reflector layer, method for forming it, and photovoltaic element using it and manufacturing method thereof | |
| US4196438A (en) | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication | |
| KR950001956B1 (en) | Multi-junctional semiconductor device | |
| US4142195A (en) | Schottky barrier semiconductor device and method of making same | |
| US5127964A (en) | Flexible photovoltaic device | |
| CA1113594A (en) | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal schottky barrier | |
| JPH06151916A (en) | Multijunction photoelectric device and its manufacture | |
| US20130089943A1 (en) | Method of manufacturing a solar cell | |
| JP2010123859A (en) | Solar battery element and production process of solar battery element | |
| US4956023A (en) | Integrated solar cell device | |
| JP3619681B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US4064522A (en) | High efficiency selenium heterojunction solar cells | |
| Tao et al. | High‐efficiency front junction n‐type crystalline silicon solar cells | |
| JPH0658971B2 (en) | Photovoltaic device manufacturing method | |
| JP2680579B2 (en) | Photovoltaic device | |
| JPH065765B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
| JPH0125235B2 (en) | ||
| JPH05129640A (en) | Solar cell and manufacture thereof | |
| JP2692964B2 (en) | Solar cell | |
| JPH0620153B2 (en) | Photovoltaic element | |
| JPS60258975A (en) | Photovoltaic device | |
| JP2775460B2 (en) | Manufacturing method of amorphous solar cell | |
| JP2846639B2 (en) | Amorphous solar cell | |
| JPS60210825A (en) | Solar battery | |
| JP3649948B2 (en) | Photovoltaic device and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080316 Year of fee payment: 14 |