JPH06192858A - 集束イオンビーム発生装置 - Google Patents
集束イオンビーム発生装置Info
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- JPH06192858A JPH06192858A JP4349275A JP34927592A JPH06192858A JP H06192858 A JPH06192858 A JP H06192858A JP 4349275 A JP4349275 A JP 4349275A JP 34927592 A JP34927592 A JP 34927592A JP H06192858 A JPH06192858 A JP H06192858A
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタレートの異なる物質が混在しても集
束イオンビームの走査速度を変えて均一なエッチングを
行う集束イオンビーム発生装置を得る。 【構成】 イオン源１から出射されるイオンビームを光
学系を介して試料７表面に照射することによって発生す
るスパッタリング現象を利用して試料７表面にイオンビ
ームを走査することによりエッチングを行う集束イオン
ビーム発生装置において、イオンビームの走査時に試料
７表面から放出されるスパッタ粒子を検出するスパッタ
粒子検出器９と、このスパッタ粒子検出器９の検出信号
に基づいてスパッタレートを判別するスパッタレート判
別部１０と、このスパッタレート判別部１０の出力信号
に応じてイオンビームの走査速度を制御する速度速度制
御部１１とを備える。
束イオンビームの走査速度を変えて均一なエッチングを
行う集束イオンビーム発生装置を得る。 【構成】 イオン源１から出射されるイオンビームを光
学系を介して試料７表面に照射することによって発生す
るスパッタリング現象を利用して試料７表面にイオンビ
ームを走査することによりエッチングを行う集束イオン
ビーム発生装置において、イオンビームの走査時に試料
７表面から放出されるスパッタ粒子を検出するスパッタ
粒子検出器９と、このスパッタ粒子検出器９の検出信号
に基づいてスパッタレートを判別するスパッタレート判
別部１０と、このスパッタレート判別部１０の出力信号
に応じてイオンビームの走査速度を制御する速度速度制
御部１１とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料の特定微小領域
のエッチング機能を備えた集束イオンビーム発生装置に
関するものである。
のエッチング機能を備えた集束イオンビーム発生装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の典型的な集束イオンビーム
発生装置を示す断面構成図である。図において、１はイ
オン源、２はコンデンサレンズ、３は可動絞り、４はス
ティグメータ、５は対物レンズで、上記イオン源１から
出射されたイオンビームは、これら光学系２〜５を通っ
て集束され、ＸＹディフレクタ６により試料台８上に載
置された試料７の表面を走査するようになっている。
発生装置を示す断面構成図である。図において、１はイ
オン源、２はコンデンサレンズ、３は可動絞り、４はス
ティグメータ、５は対物レンズで、上記イオン源１から
出射されたイオンビームは、これら光学系２〜５を通っ
て集束され、ＸＹディフレクタ６により試料台８上に載
置された試料７の表面を走査するようになっている。
【０００３】上記構成の集束イオンビーム発生装置を用
いることにより、イオンビームのススパッタリング現象
を利用して試料表面上の特定微小領域のエッチング、例
えば半導体素子等の特定微小領域におけるエッチングが
可能である。そして、半導体素子等のエッチング開孔し
た特定微小領域の開孔部断面を走査型イオン顕微鏡や走
査型電子顕微鏡で観察することができる。
いることにより、イオンビームのススパッタリング現象
を利用して試料表面上の特定微小領域のエッチング、例
えば半導体素子等の特定微小領域におけるエッチングが
可能である。そして、半導体素子等のエッチング開孔し
た特定微小領域の開孔部断面を走査型イオン顕微鏡や走
査型電子顕微鏡で観察することができる。
【０００４】例えば、図６は半導体素子等の特定微小領
域の断面観察を行うために、集束イオンビーム発生装置
を用いてエッチング開孔をする際の断面模式図で、試料
７に集束イオンビーム１２を照射してエッチング開孔が
なされる。また、図７はそのエッチング開孔後、図示し
ない走査型イオン顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡を用
いてその開孔断面１３を観察する際の模式図である。な
お、図７において、走査型イオン顕微鏡の場合は、一次
ビーム１４としてイオンビームを、走査型電子顕微鏡の
場合は、一次ビーム１４として電子ビームを試料７に照
射することにより、試料７から二次電子１５が放出され
る。
域の断面観察を行うために、集束イオンビーム発生装置
を用いてエッチング開孔をする際の断面模式図で、試料
７に集束イオンビーム１２を照射してエッチング開孔が
なされる。また、図７はそのエッチング開孔後、図示し
ない走査型イオン顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡を用
いてその開孔断面１３を観察する際の模式図である。な
お、図７において、走査型イオン顕微鏡の場合は、一次
ビーム１４としてイオンビームを、走査型電子顕微鏡の
場合は、一次ビーム１４として電子ビームを試料７に照
射することにより、試料７から二次電子１５が放出され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の集束イオンビー
ム発生装置は以上のように構成されているので、例えば
半導体素子等の試料７が複数の材質で構成されている場
合、材質の違いによりエッチングレートに差が発生し、
図７に示すように、断面観察を行うために局所開孔を行
った後も、所望エッチング箇所に低エッチングレート物
質がエッチング残渣１７として残り、このエッチング残
渣１７によって断面観察を行う際に視野を妨げるといっ
た問題があった。
ム発生装置は以上のように構成されているので、例えば
半導体素子等の試料７が複数の材質で構成されている場
合、材質の違いによりエッチングレートに差が発生し、
図７に示すように、断面観察を行うために局所開孔を行
った後も、所望エッチング箇所に低エッチングレート物
質がエッチング残渣１７として残り、このエッチング残
渣１７によって断面観察を行う際に視野を妨げるといっ
た問題があった。
【０００６】例えば、図８に示すように、試料７の表面
が組成の異なる物質であるＳｉＯ2とＷでなる場合、Ｓ
ｉＯ2とＷのスパッタレートを比較すると、Ｗのそれは
ＳｉＯ2に比べて大きく、逆にＳｉＯ2のそれはＷに比べ
て小さい。従って、集束イオンビーム１２の照射により
エッチングする場合に、図９に示すように、Ｗにエッチ
ング残渣１７が生じ、そこで、断面観察する場合に視野
を妨げる。
が組成の異なる物質であるＳｉＯ2とＷでなる場合、Ｓ
ｉＯ2とＷのスパッタレートを比較すると、Ｗのそれは
ＳｉＯ2に比べて大きく、逆にＳｉＯ2のそれはＷに比べ
て小さい。従って、集束イオンビーム１２の照射により
エッチングする場合に、図９に示すように、Ｗにエッチ
ング残渣１７が生じ、そこで、断面観察する場合に視野
を妨げる。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、スパッタレートの異なる複数
の物質で構成されている材質を局所開孔する場合でも均
一なエッチングを可能にする集束イオンビーム発生装置
を得ることを目的とする。
るためになされたもので、スパッタレートの異なる複数
の物質で構成されている材質を局所開孔する場合でも均
一なエッチングを可能にする集束イオンビーム発生装置
を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る集束イオ
ンビーム発生装置は、イオン源から出射されるイオンビ
ームを光学系を介して試料表面に照射することによって
発生するスパッタリング現象を利用して試料表面にイオ
ンビームを走査することによりエッチングを行う集束イ
オンビーム発生装置において、イオンビームの走査時に
試料表面から放出されるスパッタ粒子を検出するスパッ
タ粒子検出器と、このスパッタ粒子検出器の検出信号に
基づいてスパッタレートを判別するスパッタレート判別
部と、このスパッタレート判別部の出力信号に応じてイ
オンビームの走査速度を制御する走査速度制御部とを備
えたことを特徴とするものである。
ンビーム発生装置は、イオン源から出射されるイオンビ
ームを光学系を介して試料表面に照射することによって
発生するスパッタリング現象を利用して試料表面にイオ
ンビームを走査することによりエッチングを行う集束イ
オンビーム発生装置において、イオンビームの走査時に
試料表面から放出されるスパッタ粒子を検出するスパッ
タ粒子検出器と、このスパッタ粒子検出器の検出信号に
基づいてスパッタレートを判別するスパッタレート判別
部と、このスパッタレート判別部の出力信号に応じてイ
オンビームの走査速度を制御する走査速度制御部とを備
えたことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】この発明による集束イオンビーム発生装置にお
いて、スパッタ粒子検出器は、イオンビームの走査時に
試料表面から放出されるスパッタ粒子を検出し、スパッ
タレート判別部により、上記スパッタ粒子検出器の検出
信号に基づいてスパッタレートが判別される。そして、
走査速度制御部によって上記スパッタレート判別部の出
力信号に応じてイオンビームの走査速度が制御され、ス
パッタレートの異なる複数の物質で構成されている材質
を局所開孔する場合でも均一なエッチングを可能にす
る。
いて、スパッタ粒子検出器は、イオンビームの走査時に
試料表面から放出されるスパッタ粒子を検出し、スパッ
タレート判別部により、上記スパッタ粒子検出器の検出
信号に基づいてスパッタレートが判別される。そして、
走査速度制御部によって上記スパッタレート判別部の出
力信号に応じてイオンビームの走査速度が制御され、ス
パッタレートの異なる複数の物質で構成されている材質
を局所開孔する場合でも均一なエッチングを可能にす
る。
【００１０】
実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す集束イオン
ビーム発生装置を示す構成図である。図において、１〜
８は前述した従来装置と同一のものである。すなわち、
１はイオン源、２はコンデンサレンズ、３は可動絞り、
４はスティグメータ、５は対物レンズで、上記イオン源
１から出射されたイオンビームは、これら光学系２〜５
を通って集束され、ＸＹディフレクタ６により試料７の
表面上を走査するようになっている。
ビーム発生装置を示す構成図である。図において、１〜
８は前述した従来装置と同一のものである。すなわち、
１はイオン源、２はコンデンサレンズ、３は可動絞り、
４はスティグメータ、５は対物レンズで、上記イオン源
１から出射されたイオンビームは、これら光学系２〜５
を通って集束され、ＸＹディフレクタ６により試料７の
表面上を走査するようになっている。
【００１１】９はスパッタ粒子の組成を検出するスパッ
タ粒子検出器で、上記イオン源１及び光学系２〜５によ
り試料表面のエッチングの際に集束イオンビームを試料
７表面に照射したときに、試料７の表面近傍の試料原子
が入射イオンの持つエネルギーの一部を得て放出される
スパッタリング時のスパッタ粒子を検出するようになさ
れ、検出信号としては、イオンビーム照射により発生す
る二次イオン、またはスパッタリングにより発生した中
性粒子をイオン化したもの、またはイオンビーム照射に
よって励起されたオージュ電子や特性Ｘ線、可視紫外光
の様な電磁波でもよく、例えば特性Ｘ線の場合、スパッ
タ粒子に応じたエネルギー強度を検出する。
タ粒子検出器で、上記イオン源１及び光学系２〜５によ
り試料表面のエッチングの際に集束イオンビームを試料
７表面に照射したときに、試料７の表面近傍の試料原子
が入射イオンの持つエネルギーの一部を得て放出される
スパッタリング時のスパッタ粒子を検出するようになさ
れ、検出信号としては、イオンビーム照射により発生す
る二次イオン、またはスパッタリングにより発生した中
性粒子をイオン化したもの、またはイオンビーム照射に
よって励起されたオージュ電子や特性Ｘ線、可視紫外光
の様な電磁波でもよく、例えば特性Ｘ線の場合、スパッ
タ粒子に応じたエネルギー強度を検出する。
【００１２】１０は、上記スパッタ粒子検出器９の検出
信号に基づいてスパッタレートを判別するスパッタレー
ト判別部で、上記検出信号、例えばエネルギー強度に応
じた信号から組成の分析が可能で、均一なエッチングを
進行させるべく組成に応じたスパッタレートの電圧信号
を出力する。１１はその電圧信号に応じて試料７の表面
上の集束イオンビームの走査速度を可能にすべくＸＹデ
ィフレクタ６を制御する走査速度制御部で、上記スパッ
タ粒子検出器９及びスパッタレート判別部１０とともに
集束イオンビームの走査速度制御系を構成し、これら構
成は集束イオンビームの走査と同期して動作する。
信号に基づいてスパッタレートを判別するスパッタレー
ト判別部で、上記検出信号、例えばエネルギー強度に応
じた信号から組成の分析が可能で、均一なエッチングを
進行させるべく組成に応じたスパッタレートの電圧信号
を出力する。１１はその電圧信号に応じて試料７の表面
上の集束イオンビームの走査速度を可能にすべくＸＹデ
ィフレクタ６を制御する走査速度制御部で、上記スパッ
タ粒子検出器９及びスパッタレート判別部１０とともに
集束イオンビームの走査速度制御系を構成し、これら構
成は集束イオンビームの走査と同期して動作する。
【００１３】次に上記構成に係る動作について説明す
る。例えば、図２に示されるように、スパッタレートの
異なる物質Ｍ1，Ｍ2(７ａ,７ｂ）でなる試料７の表面上
に集束イオンビーム１２を図示矢印往復方向に走査した
場合に、物質Ｍ1，Ｍ2のそれぞれからスパッタされた粒
子をスパッタ粒子検出器９で検出することにより、物質
Ｍ1，Ｍ2に対応した検出信号ＩM1，ＩM2（図２参照）が
得られ、このことから試料７の組成の分析が可能で、そ
の情報は、スパッタレート判別部１０に送られスパッタ
レートが判別される。そして、このスパッタレート判別
部１０から組成物のスパッタレートに応じた電圧信号が
出力される。
る。例えば、図２に示されるように、スパッタレートの
異なる物質Ｍ1，Ｍ2(７ａ,７ｂ）でなる試料７の表面上
に集束イオンビーム１２を図示矢印往復方向に走査した
場合に、物質Ｍ1，Ｍ2のそれぞれからスパッタされた粒
子をスパッタ粒子検出器９で検出することにより、物質
Ｍ1，Ｍ2に対応した検出信号ＩM1，ＩM2（図２参照）が
得られ、このことから試料７の組成の分析が可能で、そ
の情報は、スパッタレート判別部１０に送られスパッタ
レートが判別される。そして、このスパッタレート判別
部１０から組成物のスパッタレートに応じた電圧信号が
出力される。
【００１４】上記スパッタレート判別部１０からの電圧
信号を入力する走査速度制御部１１は、その電圧信号に
応じて走査速度を可変にすべくＸＹディフレクタ６を制
御して、試料７の異なる物質Ｍ1，Ｍ2間で均一にエッチ
ングが進行するようにする。
信号を入力する走査速度制御部１１は、その電圧信号に
応じて走査速度を可変にすべくＸＹディフレクタ６を制
御して、試料７の異なる物質Ｍ1，Ｍ2間で均一にエッチ
ングが進行するようにする。
【００１５】例えば、図２における物質Ｍ1とＭ2のスパ
ッタレートを比較して、物質Ｍ1のそれが物質Ｍ2に比べ
て大きいと仮定すると、物質Ｍ1の領域では、集束イオ
ンビーム１２の集束速度を速くし、また、物質Ｍ2の領
域では、スパッタレートが物質Ｍ1より小さいことか
ら、集束イオンビーム１２の走査速度を遅くするよう
に、走査速度制御部１１で走査速度を可変する。
ッタレートを比較して、物質Ｍ1のそれが物質Ｍ2に比べ
て大きいと仮定すると、物質Ｍ1の領域では、集束イオ
ンビーム１２の集束速度を速くし、また、物質Ｍ2の領
域では、スパッタレートが物質Ｍ1より小さいことか
ら、集束イオンビーム１２の走査速度を遅くするよう
に、走査速度制御部１１で走査速度を可変する。
【００１６】従って、上記の如く構成によれば、スパッ
タレートの異なる物質があっても均一なエッチングが可
能であり、局所断面観察を行う際もエッチング開孔が容
易に観察される。
タレートの異なる物質があっても均一なエッチングが可
能であり、局所断面観察を行う際もエッチング開孔が容
易に観察される。
【００１７】図３(ａ)は、半導体素子等試料７の特定微
小領域の断面観察１３を行うために、集束イオンビーム
１２の走査速度を自動的に可変できる機能を具備した集
束イオンビーム発生装置を用いて低エッチングレートの
物質が残らない様にエッチング開孔した試料の断面模式
図を示し、また、図３(ｂ)は、エッチング開孔後、走査
型イオン顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡を用い一次ビ
ーム１４の照射により、開孔試料７から放出される二次
電子に基づいて断面１３を観察する際の模式図で、従来
例のようにエッチング残渣が残らないためエッチング開
孔が容易に観察される。
小領域の断面観察１３を行うために、集束イオンビーム
１２の走査速度を自動的に可変できる機能を具備した集
束イオンビーム発生装置を用いて低エッチングレートの
物質が残らない様にエッチング開孔した試料の断面模式
図を示し、また、図３(ｂ)は、エッチング開孔後、走査
型イオン顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡を用い一次ビ
ーム１４の照射により、開孔試料７から放出される二次
電子に基づいて断面１３を観察する際の模式図で、従来
例のようにエッチング残渣が残らないためエッチング開
孔が容易に観察される。
【００１８】また、図４(ａ)は極薄い領域（観察断面１
３）を残す為、この残す領域の両側をエッチングしたと
きの断面模式図であるが、図４(ｂ)に示すように、図４
(ａ)の要領で、エッチングした後、透過電子顕微鏡を用
い透過電子１６に基づいて開孔部断面が観察される。
３）を残す為、この残す領域の両側をエッチングしたと
きの断面模式図であるが、図４(ｂ)に示すように、図４
(ａ)の要領で、エッチングした後、透過電子顕微鏡を用
い透過電子１６に基づいて開孔部断面が観察される。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、イオ
ンビームの走査時に試料表面から放出されるスパッタ粒
子を検出するスパッタ粒子検出器と、このスパッタ粒子
検出器の検出信号に基づいてスパッタレートを判別する
スパッタレート判別部と、このスパッタレート判別部の
出力信号に応じてイオンビームの走査速度を制御する走
査速度制御部とを備えたので、集束イオンビームの照射
によりスパッタされた物質の組成を検知し、その情報か
らスパッタされる物質のスパッタレートを認知して、物
質の組成が変化しても均一にエッチングが進行するよう
にビームの走査速度を自動的に可変でき、スパッタレー
トの異なる複数の材質で構成されている物質を本装置を
用いて局所開孔する場合でも、エッチング開孔部にエッ
チングレートの遅い物質が残らないといった効果があ
る。
ンビームの走査時に試料表面から放出されるスパッタ粒
子を検出するスパッタ粒子検出器と、このスパッタ粒子
検出器の検出信号に基づいてスパッタレートを判別する
スパッタレート判別部と、このスパッタレート判別部の
出力信号に応じてイオンビームの走査速度を制御する走
査速度制御部とを備えたので、集束イオンビームの照射
によりスパッタされた物質の組成を検知し、その情報か
らスパッタされる物質のスパッタレートを認知して、物
質の組成が変化しても均一にエッチングが進行するよう
にビームの走査速度を自動的に可変でき、スパッタレー
トの異なる複数の材質で構成されている物質を本装置を
用いて局所開孔する場合でも、エッチング開孔部にエッ
チングレートの遅い物質が残らないといった効果があ
る。
【図１】この発明の一実施例による集束イオンビーム発
生装置の構成図である。
生装置の構成図である。
【図２】図１の動作を説明する概念図である。
【図３】図１の集束イオンビーム発生装置を用いて、特
定微小領域の断面観察を行うためにエッチング開孔した
際の模式図と開孔断面を観察する際の模式図である。
定微小領域の断面観察を行うためにエッチング開孔した
際の模式図と開孔断面を観察する際の模式図である。
【図４】図１の集束イオンビーム発生装置を用いて透過
電子顕微鏡により観察用試料の作成及び観察の際の模式
図である。
電子顕微鏡により観察用試料の作成及び観察の際の模式
図である。
【図５】従来例の集束イオンビーム発生装置の構成図で
ある。
ある。
【図６】特定微小領域の断面観察を行うために従来の集
束イオンビーム発生装置を用いてエッチング開孔した際
の模式図である。
束イオンビーム発生装置を用いてエッチング開孔した際
の模式図である。
【図７】従来の集束イオンビーム発生装置を用いて開孔
断面を観察する際の模式図である。
断面を観察する際の模式図である。
【図８】試料表面の物質の組成が異なる場合のエッチン
グ時の問題点の説明図である。
グ時の問題点の説明図である。
【図９】図８のエッチング時のエッチング残渣の説明図
である。
である。
【符号の説明】 １ イオン源 ６ ＸＹディフレクタ ７ 試料 ９ スパッタ粒子検出器 １０ スパッタレート制御部 １１ 走査速度制御部
【手続補正書】
【提出日】平成５年５月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】例えば、図８に示すように、試料７の表面
が組成の異なる物質であるＳｉＯ2とＷでなる場合、Ｓ
ｉＯ2とＷのスパッタレートを比較すると、Ｗのそれは
ＳｉＯ2に比べて小さく、逆にＳｉＯ2のそれはＷに比べ
て大きい。従って、集束イオンビーム１２の照射により
エッチングする場合に、図９に示すように、Ｗにエッチ
ング残渣１７が生じ、そこで、断面観察する場合に視野
を妨げる。
が組成の異なる物質であるＳｉＯ2とＷでなる場合、Ｓ
ｉＯ2とＷのスパッタレートを比較すると、Ｗのそれは
ＳｉＯ2に比べて小さく、逆にＳｉＯ2のそれはＷに比べ
て大きい。従って、集束イオンビーム１２の照射により
エッチングする場合に、図９に示すように、Ｗにエッチ
ング残渣１７が生じ、そこで、断面観察する場合に視野
を妨げる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｄ 9277−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン源から出射されるイオンビームを
光学系を介して試料表面に照射することによって発生す
るスパッタリング現象を利用して試料表面にイオンビー
ムを走査することによりエッチングを行う集束イオンビ
ーム発生装置において、イオンビームの走査時に試料表
面から放出されるスパッタ粒子を検出するスパッタ粒子
検出器と、このスパッタ粒子検出器の検出信号に基づい
てスパッタレートを判別するスパッタレート判別部と、
このスパッタレート判別部の出力信号に応じてイオンビ
ームの走査速度を制御する走査速度制御部とを備えたこ
とを特徴とする集束イオンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349275A JPH06192858A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 集束イオンビーム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4349275A JPH06192858A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 集束イオンビーム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192858A true JPH06192858A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18402667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4349275A Pending JPH06192858A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 集束イオンビーム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06192858A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009517839A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| US9012867B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Ion sources, systems and methods |
| US9159527B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4349275A patent/JPH06192858A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9012867B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Ion sources, systems and methods |
| US9159527B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
| US9236225B2 (en) | 2003-10-16 | 2016-01-12 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Ion sources, systems and methods |
| JP2009517839A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| JP2012098293A (ja) * | 2005-12-02 | 2012-05-24 | Arisu Corporation:Kk | イオン源、システム及び方法 |
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