JPH06188515A - 半導体光素子及びその使用法 - Google Patents
半導体光素子及びその使用法Info
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- JPH06188515A JPH06188515A JP4356167A JP35616792A JPH06188515A JP H06188515 A JPH06188515 A JP H06188515A JP 4356167 A JP4356167 A JP 4356167A JP 35616792 A JP35616792 A JP 35616792A JP H06188515 A JPH06188515 A JP H06188515A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】導波路幅広くしても、しきい値電流を低くでき
る構造を持つ半導体光素子及びその使用法をである。 【構成】光が進行する方向に垂直な面内で、電流閉じ込
め層4、6、9、10などの活性領域5にキャリアを閉
じ込める構造が、クラッド層2、7などの光を一定領域
内に閉じ込める構造に必須となっていない。また、活性
領域5が前記光が閉じ込められる一定領域内にある。例
えば、半導体レーザのpn接合に水平な方向の少なくと
も一方において、光導波路を構成する構造と活性領域を
構成するための構造とを別々に構成することにより、導
波路幅が広く、かつ、しきい値電流の低い半導体レーザ
を構成できる。
る構造を持つ半導体光素子及びその使用法をである。 【構成】光が進行する方向に垂直な面内で、電流閉じ込
め層4、6、9、10などの活性領域5にキャリアを閉
じ込める構造が、クラッド層2、7などの光を一定領域
内に閉じ込める構造に必須となっていない。また、活性
領域5が前記光が閉じ込められる一定領域内にある。例
えば、半導体レーザのpn接合に水平な方向の少なくと
も一方において、光導波路を構成する構造と活性領域を
構成するための構造とを別々に構成することにより、導
波路幅が広く、かつ、しきい値電流の低い半導体レーザ
を構成できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、対称導波路を有する半
導体レーザ、半導体レーザの端面帰還を抑制した半導体
レーザアンプなどの半導体レーザ構造の半導体光素子及
びその使用法に関するものである。
導体レーザ、半導体レーザの端面帰還を抑制した半導体
レーザアンプなどの半導体レーザ構造の半導体光素子及
びその使用法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体レーザは、成長方向には、
例えば、ダブルヘテロ構造あるいは分離閉じ込め構造
(いわゆるSCH構造)を用い、横方向には、埋め込み
構造、リッジ構造を用いていた。
例えば、ダブルヘテロ構造あるいは分離閉じ込め構造
(いわゆるSCH構造)を用い、横方向には、埋め込み
構造、リッジ構造を用いていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザでは、pn接合に水平な方向(いわゆる横
方向)は、電流注入領域と導波路のコア部が一致してい
るために、いわゆるストライプ幅の広い構造を構成した
場合に、しきい値が上昇し消費電力が増大する欠点があ
った。
半導体レーザでは、pn接合に水平な方向(いわゆる横
方向)は、電流注入領域と導波路のコア部が一致してい
るために、いわゆるストライプ幅の広い構造を構成した
場合に、しきい値が上昇し消費電力が増大する欠点があ
った。
【0004】従って、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、たとえ導波路幅広くしても、しきい値電流を低くで
きる構造を持つ半導体光素子及びその使用法を提供する
ことにある。
み、たとえ導波路幅広くしても、しきい値電流を低くで
きる構造を持つ半導体光素子及びその使用法を提供する
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体光素
子によれば、光が進行する方向に垂直な面内で、活性領
域にキャリアを閉じ込める構造が、高々一部においての
み、光を一定領域内に閉じ込める構造をも兼ね(即ち、
活性領域にキャリアを閉じ込める構造が、光を一定領域
内に閉じ込める構造に必須となっていない)、且つ前記
活性領域が前記光が閉じ込められる一定領域内にあるこ
とを特徴とする。例えば、半導体レーザのpn接合に水
平な方向に対して、光導波路を構成する構造と活性領域
を構成するための構造とを該水平な方向の少なくとも一
方において別々に構成することにより、導波路幅が広
く、かつ、しきい値電流の低い半導体レーザを構成する
ことができるようにしたものである。
子によれば、光が進行する方向に垂直な面内で、活性領
域にキャリアを閉じ込める構造が、高々一部においての
み、光を一定領域内に閉じ込める構造をも兼ね(即ち、
活性領域にキャリアを閉じ込める構造が、光を一定領域
内に閉じ込める構造に必須となっていない)、且つ前記
活性領域が前記光が閉じ込められる一定領域内にあるこ
とを特徴とする。例えば、半導体レーザのpn接合に水
平な方向に対して、光導波路を構成する構造と活性領域
を構成するための構造とを該水平な方向の少なくとも一
方において別々に構成することにより、導波路幅が広
く、かつ、しきい値電流の低い半導体レーザを構成する
ことができるようにしたものである。
【0006】具体的には、幅が広い単一横モード導波路
中に、活性層として導波路を構成する材料とのエネルギ
ーバンドギャップ差が大きく屈折率差が小さい材料を用
いて構成する部分を設ける。
中に、活性層として導波路を構成する材料とのエネルギ
ーバンドギャップ差が大きく屈折率差が小さい材料を用
いて構成する部分を設ける。
【0007】また、具体的には、前記光を閉じ込める構
造がGRIN構造或はでステップインデックス構造であ
ったり、前記光を閉じ込める構造がシングルモード導波
路であったり、前記光を閉じ込める構造が対称導波路で
あったりする。更なる具体的構造は以下の実施例の説明
から明らかとなる。
造がGRIN構造或はでステップインデックス構造であ
ったり、前記光を閉じ込める構造がシングルモード導波
路であったり、前記光を閉じ込める構造が対称導波路で
あったりする。更なる具体的構造は以下の実施例の説明
から明らかとなる。
【0008】
【実施例1】図1〜図5は本発明の第1実施例の構造或
は特徴を最もよく表す図面である。図1において、1は
例えばn型GaAsからなる半導体基板、2は例えばn
型Ga0.51In0.49P(GaAs基板1に格子整合して
いる組成)からなる第1クラッド層、3は例えば半絶縁
性のGa0.51In0.49Pからなる埋め込み層、4は例え
ばn型Ga0.48In0.52Pからなる第1電流閉じ込め
層、5は例えばノンドープのGaAsからなる活性層、
6は例えばp型Ga0.48In0.52Pからなる第2電流閉
じ込め層、7は例えばp型Ga0.51In0.49Pからなる
第2クラッド層、8は例えばp型GaAsからなるキャ
ップ層、9、10は例えば半絶縁性のGa0.48In0.52
Pからなる第3および第4電流閉じ込め層、11は例え
ば金とゲルマニウムの合金からなる第1電極、12は例
えば金とクロムの合金からなる第2電極である。図2
は、図1のA−A′における断面構成図である。
は特徴を最もよく表す図面である。図1において、1は
例えばn型GaAsからなる半導体基板、2は例えばn
型Ga0.51In0.49P(GaAs基板1に格子整合して
いる組成)からなる第1クラッド層、3は例えば半絶縁
性のGa0.51In0.49Pからなる埋め込み層、4は例え
ばn型Ga0.48In0.52Pからなる第1電流閉じ込め
層、5は例えばノンドープのGaAsからなる活性層、
6は例えばp型Ga0.48In0.52Pからなる第2電流閉
じ込め層、7は例えばp型Ga0.51In0.49Pからなる
第2クラッド層、8は例えばp型GaAsからなるキャ
ップ層、9、10は例えば半絶縁性のGa0.48In0.52
Pからなる第3および第4電流閉じ込め層、11は例え
ば金とゲルマニウムの合金からなる第1電極、12は例
えば金とクロムの合金からなる第2電極である。図2
は、図1のA−A′における断面構成図である。
【0009】次に、本実施例に示した素子の寸法につい
て説明する。第1クラッド層2は厚さ約1.5μm、第
1電流閉じ込め層4は厚さ約1.5μm、幅約1μm、
活性層5は厚さ約0.1μm、幅約1μm、第2電流閉
じ込め層6は厚さ約1.5μm、幅約1μm、第2クラ
ッド層7は厚さ約1.5μm、幅約1μm、キャップ層
8は厚さ約0.5μm、幅約1μm、第3および第4電
流閉じ込め層9、10は厚さ約3μm、幅約1μm、埋
め込み層3は厚さ約4.5μmである。
て説明する。第1クラッド層2は厚さ約1.5μm、第
1電流閉じ込め層4は厚さ約1.5μm、幅約1μm、
活性層5は厚さ約0.1μm、幅約1μm、第2電流閉
じ込め層6は厚さ約1.5μm、幅約1μm、第2クラ
ッド層7は厚さ約1.5μm、幅約1μm、キャップ層
8は厚さ約0.5μm、幅約1μm、第3および第4電
流閉じ込め層9、10は厚さ約3μm、幅約1μm、埋
め込み層3は厚さ約4.5μmである。
【0010】次に、本実施例の活性層5付近のバンドギ
ャップエネルギーと屈折率の関係について説明する。図
3は本実施例の素子を図1のD−D′に沿って切断した
場合の断面構成図である。図3におけるB−B′破線お
よびC−C′破線に沿った方向のバンドギャップエネル
ギーおよび屈折率の分布を図4および図5に示した。図
4および図5の横軸の下には対応する領域の番号を示し
た。
ャップエネルギーと屈折率の関係について説明する。図
3は本実施例の素子を図1のD−D′に沿って切断した
場合の断面構成図である。図3におけるB−B′破線お
よびC−C′破線に沿った方向のバンドギャップエネル
ギーおよび屈折率の分布を図4および図5に示した。図
4および図5の横軸の下には対応する領域の番号を示し
た。
【0011】エネルギーバンドの関係では、活性層5が
その周辺部より、バンドギャップエネルギーが小さく、
注入キャリアが活性層5に注入される。また、屈折率は
第1クラッド層2、埋め込み層3、第2クラッド層7
と、第1から第4電流閉じ込め層4、6、9、10との
間の屈折率差は小さく、この実施例では0.01程度、
また活性層5と第1から第4電流閉じ込め層4、6、
9、10との間には0.1程度の比較的大きな屈折率差
が生じる。 上記のような構成で、第1電極11と第2
電極12間に順バイアス電圧を印加すると、キャップ層
8、第2クラッド層7、第2電流閉じ込め層6、活性層
5、第1電流閉じ込め層4、第1クラッド層2、基板1
を通る電流パスにより、活性層6にキャリアが注入さ
れ、反転分布を生じ利得を生じる。一方、内部を導波す
る光は、第1から第4電流閉じ込め層4、6、9、10
と活性層5をコアとし、第1クラッド層2、第2クラッ
ド層7、埋め込み層3をクラッドとした光導波路中を伝
搬し、活性領域の利得により増幅される。注入電流量を
増加させ利得が増加して、共振器中の損失を上まわれば
レーザ発振を生じる。本実施例の素子の場合、約3μm
径の円形の単一横モードの出射ビームを得ることができ
る。
その周辺部より、バンドギャップエネルギーが小さく、
注入キャリアが活性層5に注入される。また、屈折率は
第1クラッド層2、埋め込み層3、第2クラッド層7
と、第1から第4電流閉じ込め層4、6、9、10との
間の屈折率差は小さく、この実施例では0.01程度、
また活性層5と第1から第4電流閉じ込め層4、6、
9、10との間には0.1程度の比較的大きな屈折率差
が生じる。 上記のような構成で、第1電極11と第2
電極12間に順バイアス電圧を印加すると、キャップ層
8、第2クラッド層7、第2電流閉じ込め層6、活性層
5、第1電流閉じ込め層4、第1クラッド層2、基板1
を通る電流パスにより、活性層6にキャリアが注入さ
れ、反転分布を生じ利得を生じる。一方、内部を導波す
る光は、第1から第4電流閉じ込め層4、6、9、10
と活性層5をコアとし、第1クラッド層2、第2クラッ
ド層7、埋め込み層3をクラッドとした光導波路中を伝
搬し、活性領域の利得により増幅される。注入電流量を
増加させ利得が増加して、共振器中の損失を上まわれば
レーザ発振を生じる。本実施例の素子の場合、約3μm
径の円形の単一横モードの出射ビームを得ることができ
る。
【0012】本実施例の具体的な構成では、第1クラッ
ド層2、第2クラッド層7、埋め込み層3および第1か
ら第4電流閉じ込め層4、6、9、10にGaInP系
の半導体材料を用いた場合について説明したが、この領
域をAlGaAs系の半導体材料で構成することも可能
である。ただしこの場合は、活性層5とそれに隣接する
領域(第1から第4電流閉じ込め層4、6、9、10)
との間の屈折率差が大きくなり、活性層5への光の閉じ
込めがGaInP系の半導体材料を用いた場合より大き
くなり、若干出射ビーム径が小さくなる。
ド層2、第2クラッド層7、埋め込み層3および第1か
ら第4電流閉じ込め層4、6、9、10にGaInP系
の半導体材料を用いた場合について説明したが、この領
域をAlGaAs系の半導体材料で構成することも可能
である。ただしこの場合は、活性層5とそれに隣接する
領域(第1から第4電流閉じ込め層4、6、9、10)
との間の屈折率差が大きくなり、活性層5への光の閉じ
込めがGaInP系の半導体材料を用いた場合より大き
くなり、若干出射ビーム径が小さくなる。
【0013】また、本実施例において、左右いずれかの
電流閉じ込め層9または10をなくし、この側において
埋め込み層3を適当な材料で形成することでキャリアと
光とを閉じ込める構造としてもよい。
電流閉じ込め層9または10をなくし、この側において
埋め込み層3を適当な材料で形成することでキャリアと
光とを閉じ込める構造としてもよい。
【0014】
【実施例2】図6に本発明の第2の実施例を示した。同
図において、20は例えばn型GaAsからなる半導体
基板、21は例えばn型Ga0.51In0.49Pからなる第
1クラッド層、22は例えばn型Ga0.48In0.52Pか
らなる第1電流閉じ込め層、23は例えばノンドープの
GaAsからなる活性層、24は例えばp型Ga0.48I
n0.52Pからなる第2電流閉じ込め層、25は例えばp
型Ga0.51In0.49Pからなる第2クラッド層、26は
例えばp型GaAsからなるキャップ層、27は例えば
半絶縁性のGa0.48In0.52Pからなる埋め込み層、2
8は例えば金とゲルマニウムの合金からなる第1電極、
29は例えばSi3N4からなる絶縁膜、30は例えば金
とクロムの合金からなる第2電極である。
図において、20は例えばn型GaAsからなる半導体
基板、21は例えばn型Ga0.51In0.49Pからなる第
1クラッド層、22は例えばn型Ga0.48In0.52Pか
らなる第1電流閉じ込め層、23は例えばノンドープの
GaAsからなる活性層、24は例えばp型Ga0.48I
n0.52Pからなる第2電流閉じ込め層、25は例えばp
型Ga0.51In0.49Pからなる第2クラッド層、26は
例えばp型GaAsからなるキャップ層、27は例えば
半絶縁性のGa0.48In0.52Pからなる埋め込み層、2
8は例えば金とゲルマニウムの合金からなる第1電極、
29は例えばSi3N4からなる絶縁膜、30は例えば金
とクロムの合金からなる第2電極である。
【0015】次に本実施例の素子の主要部分の寸法につ
いて説明する。第1クラッド層21は厚さ約1.5μ
m、第1および第2電流閉じ込め層22、24は厚さ約
1.5μm、幅約1μm、活性層23は厚さ約0.1μ
m、幅約1μm、第2クラッド層25はリッジ部で厚さ
約1.5μmそれ以外の部分で厚さ約1.3μm、キャ
ップ層28は厚さ約0.5μmである。
いて説明する。第1クラッド層21は厚さ約1.5μ
m、第1および第2電流閉じ込め層22、24は厚さ約
1.5μm、幅約1μm、活性層23は厚さ約0.1μ
m、幅約1μm、第2クラッド層25はリッジ部で厚さ
約1.5μmそれ以外の部分で厚さ約1.3μm、キャ
ップ層28は厚さ約0.5μmである。
【0016】本実施例と実施例1との差は、pn接合に
水平な方向(横方向)の導波構造をリッジ構造によって
構成している点であり、基本的な動作は実施例1と同じ
である。
水平な方向(横方向)の導波構造をリッジ構造によって
構成している点であり、基本的な動作は実施例1と同じ
である。
【0017】なお、実施例1、2の構成の素子は、既存
の成膜装置、半導体プロセスで形成できる。また、実施
例中には具体的な半導体材料を示したが、材料はこの組
み合わせに限定されることなく、半導体レーザ構造を構
成できる半導体であれば、どのような材料でも構成可能
である。
の成膜装置、半導体プロセスで形成できる。また、実施
例中には具体的な半導体材料を示したが、材料はこの組
み合わせに限定されることなく、半導体レーザ構造を構
成できる半導体であれば、どのような材料でも構成可能
である。
【0018】また、実施例中では、活性領域としてバル
ク結晶を示したが、量子井戸構造、量子箱、量子細線な
ど、半導体レーザの活性層として使用可能なものであれ
ば、どのようなものでも使用可能である。
ク結晶を示したが、量子井戸構造、量子箱、量子細線な
ど、半導体レーザの活性層として使用可能なものであれ
ば、どのようなものでも使用可能である。
【0019】
【実施例3】図7に実施例1、2に示されるような導波
路構造を有している半導体レーザの使用例を示す。図7
において、701が本発明の構成を有している半導体レ
ーザ(実施例1、2のような構成)、711が半導体レ
ーザ701からの出力光を光ファイバへ導くための先球
光ファイバ、702が半導体レーザ701の出力光が光
ファイバの中へ導かれたもの、703は先球光ファイバ
が接していない側の半導体レーザ701の端面からの出
力光を検出するためのフォトダイオード、705は変調
信号である入力、706は電流源、704は加算器、7
07はフォトダイオード703での検出信号を増幅する
ための増幅器、708は抵抗である。本実施例のフィー
ドバック制御の構成で、半導体レーザ701はAPC
(Automatic Power Control)
動作する。
路構造を有している半導体レーザの使用例を示す。図7
において、701が本発明の構成を有している半導体レ
ーザ(実施例1、2のような構成)、711が半導体レ
ーザ701からの出力光を光ファイバへ導くための先球
光ファイバ、702が半導体レーザ701の出力光が光
ファイバの中へ導かれたもの、703は先球光ファイバ
が接していない側の半導体レーザ701の端面からの出
力光を検出するためのフォトダイオード、705は変調
信号である入力、706は電流源、704は加算器、7
07はフォトダイオード703での検出信号を増幅する
ための増幅器、708は抵抗である。本実施例のフィー
ドバック制御の構成で、半導体レーザ701はAPC
(Automatic Power Control)
動作する。
【0020】実施例1、2の構成の半導体レーザ701
と先球光ファイバ711との光学的結合は、半導体レー
ザ701からの出射光の広がりが狭く(半導体レーザ端
面でのビーム径約3μm、広がり角2θ⊥≒2θ‖≒1
1°)かつ円形状であるためにファイバとの結合も容易
に高効率にできた。
と先球光ファイバ711との光学的結合は、半導体レー
ザ701からの出射光の広がりが狭く(半導体レーザ端
面でのビーム径約3μm、広がり角2θ⊥≒2θ‖≒1
1°)かつ円形状であるためにファイバとの結合も容易
に高効率にできた。
【0021】
【実施例4】図8に本発明の実施例1、2に示されるよ
うな導波路構造を有している半導体光増幅素子の使用例
を示す。同図において、30が本発明の半導体光増幅素
子、31が先球光ファイバ、32がインダクタンスとキ
ャパシターから構成されるバイアスT、33が制御回
路、34は半導体光増幅素子30へ電流を注入する電
源、35が制御回路33から電源34へ送られる制御信
号、36が半導体光増幅素子30の端面に形成された反
射防止膜である。この様な構成で、いわゆる進行波型光
増幅素子として動作する。
うな導波路構造を有している半導体光増幅素子の使用例
を示す。同図において、30が本発明の半導体光増幅素
子、31が先球光ファイバ、32がインダクタンスとキ
ャパシターから構成されるバイアスT、33が制御回
路、34は半導体光増幅素子30へ電流を注入する電
源、35が制御回路33から電源34へ送られる制御信
号、36が半導体光増幅素子30の端面に形成された反
射防止膜である。この様な構成で、いわゆる進行波型光
増幅素子として動作する。
【0022】図8に示した構成で、光信号としてディジ
タル信号が伝送されていて、伝送されているビットレー
トより十分遅い周波数の正弦波信号が重畳されているも
のとする。先球光ファイバ31を通ってきた光信号は、
半導体光増幅素子30の導波路に結合される。光信号
は、半導体光増幅素子30により増幅され、再び先球光
ファイバ31へ結合される。定電流動作の半導体光増幅
素子30中で光信号が増幅される時、半導体光増幅素子
30の両端電圧が変化し、この変調周波数と同じ周波数
成分の電圧変化が制御回路33で検出される。よって、
制御回路33から電源34へ送られる制御信号35によ
り、この電圧変化が一定となるように電源34が半導体
光増幅素子30へ注入する電流を調整して、APC(A
utomatic Power Control)動作
を実現する。
タル信号が伝送されていて、伝送されているビットレー
トより十分遅い周波数の正弦波信号が重畳されているも
のとする。先球光ファイバ31を通ってきた光信号は、
半導体光増幅素子30の導波路に結合される。光信号
は、半導体光増幅素子30により増幅され、再び先球光
ファイバ31へ結合される。定電流動作の半導体光増幅
素子30中で光信号が増幅される時、半導体光増幅素子
30の両端電圧が変化し、この変調周波数と同じ周波数
成分の電圧変化が制御回路33で検出される。よって、
制御回路33から電源34へ送られる制御信号35によ
り、この電圧変化が一定となるように電源34が半導体
光増幅素子30へ注入する電流を調整して、APC(A
utomatic Power Control)動作
を実現する。
【0023】尚、実施例3、4共に、先球ファイバを用
いているが、光ファイバと半導体導波路間の結合方法は
先球ファイバに限られるものではない。レンズ等を用い
て光ファイバと半導体導波路を結合する方法をとること
もできる。
いているが、光ファイバと半導体導波路間の結合方法は
先球ファイバに限られるものではない。レンズ等を用い
て光ファイバと半導体導波路を結合する方法をとること
もできる。
【0024】
【実施例5】図9に実施例3、4に示した半導体レーザ
及び半導体光増幅素子を光伝送システムに適用した場合
を示す。図9において、501は光送信機、502は本
発明の半導体光増幅素子が内蔵されている半導体光増幅
装置、503は光受信機、504は光ファイバである。
及び半導体光増幅素子を光伝送システムに適用した場合
を示す。図9において、501は光送信機、502は本
発明の半導体光増幅素子が内蔵されている半導体光増幅
装置、503は光受信機、504は光ファイバである。
【0025】光送信機501は、図15に示されるよう
に構成される。図15において、522は例えば実施例
3に示した様な構成の半導体レーザ、523は例えば実
施例4に示した様な構成の半導体光増幅素子、524は
制御回路である。半導体レーザ522と半導体光増幅素
子523には注入電流を流す電源が必要であるがここで
は制御回路524中に含めた。
に構成される。図15において、522は例えば実施例
3に示した様な構成の半導体レーザ、523は例えば実
施例4に示した様な構成の半導体光増幅素子、524は
制御回路である。半導体レーザ522と半導体光増幅素
子523には注入電流を流す電源が必要であるがここで
は制御回路524中に含めた。
【0026】ここで、制御回路524は端末装置からの
信号を半導体レーザ522へ送り、光信号を発生し、半
導体光増幅素子523をAPC動作させるための制御を
行う。半導体レーザ522から入力された光信号は、半
導体光増幅素子523により増幅され、光ファイバ50
4へ入力される。この場合、半導体光増幅素子523
は、いわゆるブースターアンプとして用いられている。
このアンプは光伝送システム全体との整合をとって用い
ればよく、図15に示したように、1つ用いてもよい
し、2つ以上を用いてもよい。また、使用しなくても光
送信機として機能することは言うまでもない。
信号を半導体レーザ522へ送り、光信号を発生し、半
導体光増幅素子523をAPC動作させるための制御を
行う。半導体レーザ522から入力された光信号は、半
導体光増幅素子523により増幅され、光ファイバ50
4へ入力される。この場合、半導体光増幅素子523
は、いわゆるブースターアンプとして用いられている。
このアンプは光伝送システム全体との整合をとって用い
ればよく、図15に示したように、1つ用いてもよい
し、2つ以上を用いてもよい。また、使用しなくても光
送信機として機能することは言うまでもない。
【0027】光受信機503は図16に示されるような
構成である。図16において、523は例えば実施例4
に示した様な構成の半導体光増幅素子、525は制御回
路、526は光検出器である。光ファイバ504から入
力された光信号は、半導体光増幅素子523でAPC増
幅され、光検出器526で電気信号に変換される。制御
回路525は、半導体光増幅素子523のAPC動作の
制御と、光検出器526から得られた電気信号を整形
し、所望の端末装置へと送信する。図16に示される光
受信機503には、1つの半導体増幅素子523がいわ
ゆる前置増幅器として用いられている。この前置増幅器
は2つ以上の複数個用いられていても、1つも用いられ
ていなくても光受信機として機能する。
構成である。図16において、523は例えば実施例4
に示した様な構成の半導体光増幅素子、525は制御回
路、526は光検出器である。光ファイバ504から入
力された光信号は、半導体光増幅素子523でAPC増
幅され、光検出器526で電気信号に変換される。制御
回路525は、半導体光増幅素子523のAPC動作の
制御と、光検出器526から得られた電気信号を整形
し、所望の端末装置へと送信する。図16に示される光
受信機503には、1つの半導体増幅素子523がいわ
ゆる前置増幅器として用いられている。この前置増幅器
は2つ以上の複数個用いられていても、1つも用いられ
ていなくても光受信機として機能する。
【0028】図9の半導体光増幅装置502は、例えば
実施例4に示した様に構成される。次に、図9で示され
る光伝送システムの動作について説明する。光送信機5
01に1つの端末装置が接続されている場合、つまり、
1対1あるいは1対N(Nは任意の整数)間での端末装
置の片方向通信の場合、通信方式としては、どのような
ものでもよく、垂れ流し的に信号を送ればよい(無手順
非周期)。また、N対Nの片方向通信の場合、例えば時
分割方式(TDMA)のように、1つの伝送路を時間で
区切って、複数の伝送路を提供できる通信方式を用いれ
ばよい。この時、光受信機503の中の制御回路525
は、受信した信号から、宛て先情報を判断して、所望の
端末装置へ信号を送り出す機能が必要である。また、光
送信器501中の制御回路524には、複数の端末装置
から受け取った信号に相手先を示す宛て先用の信号をつ
けて、信号方式にしたがって半導体レーザ522を駆動
する。
実施例4に示した様に構成される。次に、図9で示され
る光伝送システムの動作について説明する。光送信機5
01に1つの端末装置が接続されている場合、つまり、
1対1あるいは1対N(Nは任意の整数)間での端末装
置の片方向通信の場合、通信方式としては、どのような
ものでもよく、垂れ流し的に信号を送ればよい(無手順
非周期)。また、N対Nの片方向通信の場合、例えば時
分割方式(TDMA)のように、1つの伝送路を時間で
区切って、複数の伝送路を提供できる通信方式を用いれ
ばよい。この時、光受信機503の中の制御回路525
は、受信した信号から、宛て先情報を判断して、所望の
端末装置へ信号を送り出す機能が必要である。また、光
送信器501中の制御回路524には、複数の端末装置
から受け取った信号に相手先を示す宛て先用の信号をつ
けて、信号方式にしたがって半導体レーザ522を駆動
する。
【0029】
【実施例6】図10に、実施例3、4に示した半導体レ
ーザ及び半導体光増幅素子を双方向光伝送システムに用
いた場合を示した。図10において、505は光送受信
機、502は図9と同じ構成の半導体光増幅装置、50
4は光ファイバである。
ーザ及び半導体光増幅素子を双方向光伝送システムに用
いた場合を示した。図10において、505は光送受信
機、502は図9と同じ構成の半導体光増幅装置、50
4は光ファイバである。
【0030】光送受信機505は、例えば実施例5の光
送信機501および光受信機503が1つになった構成
を持っている。つまり、光送信機501の出力と光受信
機503の入力が光分岐合流素子で1つにされている。
この光送受信機505中の光送信機の部分と光受信機の
部分は実施例5で説明したので、ここでは説明を省く。
また、半導体レーザ522半導体光増幅装置502も実
施例5と同一のものなので、ここでは説明を省く。通信
方式も実施例5のものがそれぞれの方向に適用できる。
送信機501および光受信機503が1つになった構成
を持っている。つまり、光送信機501の出力と光受信
機503の入力が光分岐合流素子で1つにされている。
この光送受信機505中の光送信機の部分と光受信機の
部分は実施例5で説明したので、ここでは説明を省く。
また、半導体レーザ522半導体光増幅装置502も実
施例5と同一のものなので、ここでは説明を省く。通信
方式も実施例5のものがそれぞれの方向に適用できる。
【0031】
【実施例7】図11は、実施例3、4に示した半導体レ
ーザ及び半導体光増幅素子を、片方向N対N波長多重伝
送システムに用いた場合を示す図である。図11におい
て、506は光送信機(#1〜#N)、508は光合流
素子、509は光分岐素子、507は光受信機(#1〜
#N)である。また他の実施例と同一部材は同一番号を
つけてある(光ファイバ504、半導体光増幅装置50
2)。光送信機#1〜#N 506−(1)〜(N)
は、図15に示される構成を持っていて、各々で半導体
レーザ522の発振波長が異なっている(図15そのも
のの説明は実施例5でしたのでここでは省略する)。
ーザ及び半導体光増幅素子を、片方向N対N波長多重伝
送システムに用いた場合を示す図である。図11におい
て、506は光送信機(#1〜#N)、508は光合流
素子、509は光分岐素子、507は光受信機(#1〜
#N)である。また他の実施例と同一部材は同一番号を
つけてある(光ファイバ504、半導体光増幅装置50
2)。光送信機#1〜#N 506−(1)〜(N)
は、図15に示される構成を持っていて、各々で半導体
レーザ522の発振波長が異なっている(図15そのも
のの説明は実施例5でしたのでここでは省略する)。
【0032】光受信機#1〜#N 507−(1)〜
(N)は、例えば図17に示される構成となっている。
図17において、526は光検出器、527は制御回
路、528は光バンドパスフィルタ、523は半導体光
増幅素子(例えば図8の構成であり、ここでは前置増幅
器として用いている)である。
(N)は、例えば図17に示される構成となっている。
図17において、526は光検出器、527は制御回
路、528は光バンドパスフィルタ、523は半導体光
増幅素子(例えば図8の構成であり、ここでは前置増幅
器として用いている)である。
【0033】光バンドパスフィルタ528は、それが含
まれている光受信機#kに対応する光送信機#kの波長
だけを通すように調整されている。この様にすることに
より、光送信機#i 506−(i)から光受信機#i
507−(i)への伝送路(1つの伝送路光ファイバ
504と半導体光増幅装置502で形成されている)中
を複数の波長の光が通り、等価的に複数の伝送路が形成
されることになる。光送信機#i 506(i)から光
受信機#i 506−(i)で構成される1つの波長の
伝送路の伝送方式は実施例5と同じなのでここでは省略
する。
まれている光受信機#kに対応する光送信機#kの波長
だけを通すように調整されている。この様にすることに
より、光送信機#i 506−(i)から光受信機#i
507−(i)への伝送路(1つの伝送路光ファイバ
504と半導体光増幅装置502で形成されている)中
を複数の波長の光が通り、等価的に複数の伝送路が形成
されることになる。光送信機#i 506(i)から光
受信機#i 506−(i)で構成される1つの波長の
伝送路の伝送方式は実施例5と同じなのでここでは省略
する。
【0034】また、図11において、光分岐素子509
を光分波素子にすることによって、光受信機507中の
光バンドパスフィルタ528は不要となる。
を光分波素子にすることによって、光受信機507中の
光バンドパスフィルタ528は不要となる。
【0035】
【実施例8】図12に、実施例3、4に示した半導体レ
ーザ及び半導体光増幅素子をループ型光LANに用いた
場合を示している。
ーザ及び半導体光増幅素子をループ型光LANに用いた
場合を示している。
【0036】図12において、511は再生中継機、5
12は制御局、513は端末装置、504は光ファイ
バ、502は半導体光増幅装置(実施例4で説明)であ
る。ループ型LANの動作としては、従来用いられてい
る方式、例えばトークンリング方式を用いることができ
る。
12は制御局、513は端末装置、504は光ファイ
バ、502は半導体光増幅装置(実施例4で説明)であ
る。ループ型LANの動作としては、従来用いられてい
る方式、例えばトークンリング方式を用いることができ
る。
【0037】この例では、再生中継機間にブースターア
ンプとして、本発明の半導体光増幅素子を用いた半導体
光増幅装置502を用いることにより、再生中継機51
1−(i)が再生中継機511−(i−1)から送られ
る光信号を常に一定のパワーで受信することが可能とな
る。
ンプとして、本発明の半導体光増幅素子を用いた半導体
光増幅装置502を用いることにより、再生中継機51
1−(i)が再生中継機511−(i−1)から送られ
る光信号を常に一定のパワーで受信することが可能とな
る。
【0038】また、再生中継機511は、一般に光検出
器(O/E変換器)、半導体レーザ(E/O変換器)、
電気の再生中継機から構成されるが、この再生中継機に
も本発明の半導体光増幅素子を光検出器前に設置する前
置増幅器として、また、半導体レーザのブースターアン
プとして用いることも可能である。中継機内で、本発明
の半導体光増幅素子をAPC動作で用いることにより、
光検出器への入力パワーや中継機からの出力パワーを、
使用しない時より安定にすることが可能となる。半導体
レーザは図7(実施例3)の構成を用いることができ
る。
器(O/E変換器)、半導体レーザ(E/O変換器)、
電気の再生中継機から構成されるが、この再生中継機に
も本発明の半導体光増幅素子を光検出器前に設置する前
置増幅器として、また、半導体レーザのブースターアン
プとして用いることも可能である。中継機内で、本発明
の半導体光増幅素子をAPC動作で用いることにより、
光検出器への入力パワーや中継機からの出力パワーを、
使用しない時より安定にすることが可能となる。半導体
レーザは図7(実施例3)の構成を用いることができ
る。
【0039】また、再生中継機間の半導体光増幅装置5
02は、1つの場合を示したが必要に応じて2つ以上の
複数個にすることができる。
02は、1つの場合を示したが必要に応じて2つ以上の
複数個にすることができる。
【0040】
【実施例9】図13に、実施例、4に示した半導体レー
ザ及び半導体光増幅素子をバス型光LANに用いた場合
を示した。
ザ及び半導体光増幅素子をバス型光LANに用いた場合
を示した。
【0041】図13において、514は光分岐合流素
子、515は光トランシーバー、516は端末装置、5
02は半導体光増幅装置(実施例4で説明済み)、50
4は光ファイバである。
子、515は光トランシーバー、516は端末装置、5
02は半導体光増幅装置(実施例4で説明済み)、50
4は光ファイバである。
【0042】光トランシーバー515は、例えば図18
のような構成になっている。図18において、529は
制御回路、530は半導体レーザ(例えば図7の実施例
3で示される)、532は光検出器、533は光分岐合
流素子、523は実施例4で示される様な半導体光増幅
素子である。
のような構成になっている。図18において、529は
制御回路、530は半導体レーザ(例えば図7の実施例
3で示される)、532は光検出器、533は光分岐合
流素子、523は実施例4で示される様な半導体光増幅
素子である。
【0043】バス型光LANの部分は、例えばCSMA
/CD方式の通信方式を用いる(もちろん他のトークン
パッシング、TDMAなどの通信方式でもかまわな
い)。
/CD方式の通信方式を用いる(もちろん他のトークン
パッシング、TDMAなどの通信方式でもかまわな
い)。
【0044】端末装置516からの通信要求は光トラン
シーバー515へ送られ、光トランシーバー515中の
制御回路529は、光LANの通信方式にしたがって、
半導体レーザ530を駆動し、光パルス(光ディジタル
信号)を送信する。送信された光信号は、半導体光増幅
素子523でAPC増幅され、光分岐合流素子533を
介して、光分岐合流素子514へ送られ、バスライン上
へ信号を送り出す、バスライン上には、適当なところに
半導体光増幅装置502があり、光信号をAPC増幅す
る。一方、受信の過程は、バスライン上を伝送される光
信号が光分岐合流素子514で分岐され光トランシーバ
ー515へ入力される。光トランシーバー515へ入力
された光信号は、光分岐合流素子533で分岐され、半
導体光増幅素子523を通してAPC増幅され、光検出
器532で受信され電気信号に変換される。この電気信
号は制御回路529で整形再生などをうけ、端末装置5
16へ送られる。
シーバー515へ送られ、光トランシーバー515中の
制御回路529は、光LANの通信方式にしたがって、
半導体レーザ530を駆動し、光パルス(光ディジタル
信号)を送信する。送信された光信号は、半導体光増幅
素子523でAPC増幅され、光分岐合流素子533を
介して、光分岐合流素子514へ送られ、バスライン上
へ信号を送り出す、バスライン上には、適当なところに
半導体光増幅装置502があり、光信号をAPC増幅す
る。一方、受信の過程は、バスライン上を伝送される光
信号が光分岐合流素子514で分岐され光トランシーバ
ー515へ入力される。光トランシーバー515へ入力
された光信号は、光分岐合流素子533で分岐され、半
導体光増幅素子523を通してAPC増幅され、光検出
器532で受信され電気信号に変換される。この電気信
号は制御回路529で整形再生などをうけ、端末装置5
16へ送られる。
【0045】本実施例では、光トランシーバー515中
で、実施例4で示される様な本発明の半導体光増幅素子
523をブースターアンプおよび前置増幅器として用い
ているが、これらは、複数個から構成されていてもよ
く、またなくてもよい。更に、バスライン上の半導体光
増幅装置502は、光分岐合流素子514の間に必ず少
なくとも1つ設置されていてもよいし、また、跳び跳び
に設置されていてもよい。
で、実施例4で示される様な本発明の半導体光増幅素子
523をブースターアンプおよび前置増幅器として用い
ているが、これらは、複数個から構成されていてもよ
く、またなくてもよい。更に、バスライン上の半導体光
増幅装置502は、光分岐合流素子514の間に必ず少
なくとも1つ設置されていてもよいし、また、跳び跳び
に設置されていてもよい。
【0046】
【実施例10】図14に、実施例9のバスライン上の光
分岐合流素子514のかわりに、増幅機能を有する光増
幅素子内蔵光分岐素子517を設置した場合を示した。
分岐合流素子514のかわりに、増幅機能を有する光増
幅素子内蔵光分岐素子517を設置した場合を示した。
【0047】光増幅素子内蔵光分岐合流素子517は、
例えば、図19に示す構成で実現できる。図19に示す
ように、光分岐合流素子534の入力部分(3ケ所)
に、実施例4で示される様な本発明の半導体光増幅素子
523を設けてある。伝送方法は、実施例9と同じであ
るのでここでは省略する。
例えば、図19に示す構成で実現できる。図19に示す
ように、光分岐合流素子534の入力部分(3ケ所)
に、実施例4で示される様な本発明の半導体光増幅素子
523を設けてある。伝送方法は、実施例9と同じであ
るのでここでは省略する。
【0048】また、本実施例では、バスライン上の光増
幅素子内蔵光分岐素子517の間には、半導体光増幅装
置502を必要に応じて設置してもよい。
幅素子内蔵光分岐素子517の間には、半導体光増幅装
置502を必要に応じて設置してもよい。
【0049】以上、実施例5〜10で実施例3、4に示
した半導体レーザ及び半導体光増幅素子を光通信システ
ムに適用した例を示したが、適用できる光通信システム
は、この実施例だけに限られるものではなく、光を情報
の伝達媒体としている光通信システムで実施例5〜10
に示したような使用法で使用することが可能である。実
施例5〜10では、光増幅素子をAPC動作する例とし
て示したが、定電流動作(一定利得動作)させてもよ
い。
した半導体レーザ及び半導体光増幅素子を光通信システ
ムに適用した例を示したが、適用できる光通信システム
は、この実施例だけに限られるものではなく、光を情報
の伝達媒体としている光通信システムで実施例5〜10
に示したような使用法で使用することが可能である。実
施例5〜10では、光増幅素子をAPC動作する例とし
て示したが、定電流動作(一定利得動作)させてもよ
い。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、光導波路と活性層
に対するキャリアの閉じ込めとを、少なくともpn接合
に水平な方向(横方向)の少なくとも一方で別々に形成
することにより、ビーム径が大きく広がり角が小さく且
つしきい値の低い半導体レーザを構成することができ
る。また、この様な構成のデバイスと光ファイバとの高
効率な結合が容易に達成できる。
に対するキャリアの閉じ込めとを、少なくともpn接合
に水平な方向(横方向)の少なくとも一方で別々に形成
することにより、ビーム径が大きく広がり角が小さく且
つしきい値の低い半導体レーザを構成することができ
る。また、この様な構成のデバイスと光ファイバとの高
効率な結合が容易に達成できる。
【0051】更に、本構成の半導体レーザ構造、或は本
発明の半導体レーザ構造の両端に反射防止膜を形成した
いわゆる進行波型光増幅素子に入出力用光ファイバを設
けたモジュールを用いることによって、安定した光通信
線路を実現できる。
発明の半導体レーザ構造の両端に反射防止膜を形成した
いわゆる進行波型光増幅素子に入出力用光ファイバを設
けたモジュールを用いることによって、安定した光通信
線路を実現できる。
【図1】本発明を実施した半導体レーザの構成図。
【図2】図1のA−A´断面図。
【図3】図1のD−D´断面図。
【図4】図3のB−B´断面でのエネルギーギャップ及
び屈折率の関係を示す図。
び屈折率の関係を示す図。
【図5】図3のC−C´断面でのエネルギーギャップ及
び屈折率の関係を示す図。
び屈折率の関係を示す図。
【図6】本発明の第2の実施例の構成図。
【図7】本発明の半導体レーザをピッグテールした場合
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図8】本発明の半導体光増幅素子をピッグテールした
場合の構成を示す図。
場合の構成を示す図。
【図9】本発明の半導体光素子を片方向光通信システム
に適用した場合を説明するための図。
に適用した場合を説明するための図。
【図10】本発明の半導体光素子を双方向光通信システ
ムに適用した場合を説明するための図。
ムに適用した場合を説明するための図。
【図11】本発明の半導体光素子を片方向波長多重光通
信システムに適用した場合を説明するための図。
信システムに適用した場合を説明するための図。
【図12】本発明の半導体光素子をループ型光LANに
適用した場合を説明するための図。
適用した場合を説明するための図。
【図13】本発明の半導体光素子をパッシブバス型光L
ANに適用した場合を説明するための図。
ANに適用した場合を説明するための図。
【図14】本発明の半導体光素子をバス型光LANに適
用した場合を説明するための図。
用した場合を説明するための図。
【図15】本発明の半導体光素子を光通信システムの光
送信機に適用した場合を説明するための図。
送信機に適用した場合を説明するための図。
【図16】本発明の半導体光素子を光通信システムの光
受信機に適用した場合を説明するための図。
受信機に適用した場合を説明するための図。
【図17】本発明の半導体光素子を光通信システムの光
受信機に適用した場合を説明するための図。
受信機に適用した場合を説明するための図。
【図18】本発明の半導体光素子を光通信システムの光
トランシーバーに適用した場合を説明するための図。
トランシーバーに適用した場合を説明するための図。
【図19】本発明の半導体光素子を光通信システムの光
分岐合流素子に適用した場合を説明するための図。
分岐合流素子に適用した場合を説明するための図。
1,20 基板 2,7,21,25 クラッド層 3,27 埋め込み層 4,22 第1電流閉
じ込め層 5,23 活性層 6,24 第2電流閉
じ込め層 8,26 キャップ層 9 第3電流閉
じ込め層 10 第4電流閉
じ込め層 11,12,28,30 電極 29 絶縁層 30,523 半導体光増
幅素子 31 先球光ファ
イバ 32 バイアスT 33,524,525,527,529 制御回路 34 電源 35 制御回路 36 反射防止膜 501,506 光送信機 502 半導体光増
幅装置 503,507 光受信機 504 光ファイバ 505 光送受信機 508 光合流素子 509 光分岐素子 511 再生中継機 512 制御局 513,516 端末装置 514,533,534 光分岐合流
素子 515 光トランシ
ーバー 517 光増幅素子
内蔵光分岐合流素子 522,530 半導体レー
ザ 526,532 光検出器 528 光バンドパ
スフィルター 701 半導体レー
ザ 703 フォトダイ
オード 704 加算器 706 電流源 707 増幅器 708 抵抗 711 先球光ファ
イバ
じ込め層 5,23 活性層 6,24 第2電流閉
じ込め層 8,26 キャップ層 9 第3電流閉
じ込め層 10 第4電流閉
じ込め層 11,12,28,30 電極 29 絶縁層 30,523 半導体光増
幅素子 31 先球光ファ
イバ 32 バイアスT 33,524,525,527,529 制御回路 34 電源 35 制御回路 36 反射防止膜 501,506 光送信機 502 半導体光増
幅装置 503,507 光受信機 504 光ファイバ 505 光送受信機 508 光合流素子 509 光分岐素子 511 再生中継機 512 制御局 513,516 端末装置 514,533,534 光分岐合流
素子 515 光トランシ
ーバー 517 光増幅素子
内蔵光分岐合流素子 522,530 半導体レー
ザ 526,532 光検出器 528 光バンドパ
スフィルター 701 半導体レー
ザ 703 フォトダイ
オード 704 加算器 706 電流源 707 増幅器 708 抵抗 711 先球光ファ
イバ
Claims (28)
- 【請求項1】 半導体レーザ構造において、光が進行す
る方向に垂直な面内で、活性領域にキャリアを閉じ込め
る構造が、高々一部においてのみ、光を一定領域内に閉
じ込める構造をも兼ね、且つ前記活性領域が前記光が閉
じ込められる一定領域内にあることを特徴とする半導体
光素子。 - 【請求項2】 半導体レーザ構造のpn接合に水平な方
向に対して、光導波路を構成する構造と活性領域を構成
するための構造とが少なくとも該水平方向の一方におい
て別々に構成されることを特徴とする請求項1記載の半
導体光素子。 - 【請求項3】 前記光を閉じ込める構造がGRIN構造
であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体
光素子。 - 【請求項4】 前記光を閉じ込める構造がステップイン
デックス構造であることを特徴とする請求項1または2
記載の半導体光素子。 - 【請求項5】 前記光を閉じ込める構造がシングルモー
ド導波路であることを特徴とする請求項1または2記載
の半導体光素子。 - 【請求項6】 前記光を閉じ込める構造が対称導波路で
あることを特徴とする請求項1または2記載の半導体光
素子。 - 【請求項7】 前記活性領域にキャリアを閉じ込める構
造が活性領域を取り巻く複数の電流閉じ込め層であるこ
とを特徴とする請求項1または2記載の半導体光素子。 - 【請求項8】 前記光を閉じ込める構造が前記複数の電
流閉じ込め層と活性領域をコアとする導波路であること
を特徴とする請求項7記載の半導体光素子。 - 【請求項9】 前記光を閉じ込める構造が上下クラッド
層と埋め込み層をクラッドとする導波路であることを特
徴とする請求項8記載の半導体光素子。 - 【請求項10】 前記活性領域にキャリアを閉じ込める
構造が活性領域の上下にある電流閉じ込め層を含むこと
を特徴とする請求項1または2記載の半導体光素子。 - 【請求項11】 前記光を閉じ込める構造がリッジ構造
を含むことを特徴とする請求項1または2記載の半導体
光素子。 - 【請求項12】 半導体光増幅素子として機能する様に
前記半導体レーザ構造端面に反射防止膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項1または2記載の半導体光素
子。 - 【請求項13】 請求項1記載の半導体光素子と光ファ
イバと該半導体光素子からの出射光を該光ファイバへと
結合する光学系と、該半導体光素子を動作させる駆動回
路から構成されていることを特徴とする半導体レーザモ
ジュール。 - 【請求項14】 前記光学系と光ファイバが先球光ファ
イバで構成されていることを特徴とする請求項13記載
の半導体レーザモジュール。 - 【請求項15】 請求項1記載の半導体光素子と、該光
素子への入力光および該光素子からの出力光を導く光フ
ァイバと、該光ファイバと該半導体光素子とを光学的に
結合する光学系と、該半導体光素子を駆動するための回
路から構成されることを特徴とする半導体レーザアンプ
モジュール。 - 【請求項16】 発光部としての請求項13または14
記載の半導体レーザモジュールと、端末装置からの信号
をもとに光信号を出力させるように該発光部を駆動する
制御部からなることを特徴とする光送信機。 - 【請求項17】 更に請求項15記載の半導体レーザア
ンプモジュールを有することを特徴とする請求項16記
載の光送信機。 - 【請求項18】 光信号を増幅する請求項15記載の半
導体レーザアンプモジュールと、増幅された光信号を電
気信号へ変換する光検出部と、光検出部からの電気信号
を再生して端末装置へ信号を送る機能を有する制御回路
からなることを特徴とする光受信機。 - 【請求項19】 更にバンドパスフィルターが付加され
たことを特徴とする請求項18記載の光受信機。 - 【請求項20】 請求項15記載の半導体レーザアンプ
モジュールと請求項16記載の光送信機と請求項18記
載の光受信機のうち少なくとも1つを含むことを特徴と
する片方向光通信システム。 - 【請求項21】 電気信号にしたがって光信号を発生す
る発光デバイスと、該発光デバイスから出力された光信
号を増幅する請求項15記載の半導体レーザアンプモジ
ュールと、光信号を電気信号に変換する光検出部と、光
検出部へ入力される光信号を増幅する請求項15記載の
半導体レーザアンプモジュールと、光分岐合流素子と、
端末装置からの信号をもとに発光デバイスを駆動し光信
号を出力させる機能と光検出部からの電気信号を再生中
継して端末装置へ送る機能を持つ制御部とから構成され
ることを特徴とする光送受信機。 - 【請求項22】 前記発光デバイスが請求項1記載の半
導体レーザとしての半導体光素子であることを特徴とす
る請求項21記載の光送受信機。 - 【請求項23】 請求項15記載の半導体レーザアンプ
モジュールと請求項21記載の光送受信機を少なくとも
1つ以上を含むことを特徴とする双方向光通信システ
ム。 - 【請求項24】 請求項16記載の光送信機を2つ以上
の複数個と、請求項18記載の光受信機と請求項15記
載の半導体レーザアンプモジュールを少なくとも1つ以
上含むことを特徴とする片方向波長多重光通信システ
ム。 - 【請求項25】 請求項15記載の半導体レーザアンプ
モジュールを少なくとも1つ以上含むことを特徴とする
ループ型光LAN。 - 【請求項26】 請求項15記載の半導体レーザアンプ
モジュールと請求項21記載の光送受信機を少なくとも
1つ以上含むことを特徴とするパッシブバス型光LA
N。 - 【請求項27】 光分岐合流素子と、請求項15記載の
半導体レーザアンプモジュールが、該光分岐合流素子の
入出力部の少なくとも1カ所に接続されていることを特
徴とする損失補償型光分岐合流素子。 - 【請求項28】 請求項27記載の損失補償型光分岐合
流素子を少なくとも1つ用いることを特徴とする請求項
26記載のパッシブバス型光LAN。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4356167A JPH06188515A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 半導体光素子及びその使用法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4356167A JPH06188515A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 半導体光素子及びその使用法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06188515A true JPH06188515A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18447673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4356167A Pending JPH06188515A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 半導体光素子及びその使用法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06188515A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021010116A1 (ja) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | 住友電気工業株式会社 | 光ネットワークシステム及び自動運転システム |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4356167A patent/JPH06188515A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021010116A1 (ja) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | 住友電気工業株式会社 | 光ネットワークシステム及び自動運転システム |
US11863235B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-01-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical network system and automatic operation system |
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