JPH06188180A - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH06188180A JPH06188180A JP33645492A JP33645492A JPH06188180A JP H06188180 A JPH06188180 A JP H06188180A JP 33645492 A JP33645492 A JP 33645492A JP 33645492 A JP33645492 A JP 33645492A JP H06188180 A JPH06188180 A JP H06188180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- amount
- scanning time
- marks
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電粒子ビーム露光方法に関し，装置の熱的
影響を除去して各マークの走査時刻に依存しない真の補
正係数を算出することを目的とする。 【構成】 １）被露光面上に形成された複数のマークの
内ｎ個のマークを荷電粒子ビームで順次走査して, ビー
ム位置と各マークの中心位置のずれ量ｄi（１≦ｉ≦
ｎ）を取得し，最初に走査したマークを再度，最後に走
査して前記ずれ量ｄ1'を取得し，最初のマークの２度の
走査における測定ずれ量の差(ｄ1'−ｄ1)をΔと置き,
全走査時間をＴとすると，各マーク走査時刻におけるド
リフト量Δi を(1) 式Δi ＝Δ×（ｉ−１）／ｎで求
め, 各マークの真のずれ量Ｄi を(2) 式Ｄi ＝ｄi −Δ
i により算出し, Ｄi を用いてビームの偏向位置を補正
する，２）前記(1) 式の代わりに，(3）式Δi ＝Δ×
（ｔi −ｔ1 ）／Ｔ（ｔは時刻）を用いるように構成す
る。
影響を除去して各マークの走査時刻に依存しない真の補
正係数を算出することを目的とする。 【構成】 １）被露光面上に形成された複数のマークの
内ｎ個のマークを荷電粒子ビームで順次走査して, ビー
ム位置と各マークの中心位置のずれ量ｄi（１≦ｉ≦
ｎ）を取得し，最初に走査したマークを再度，最後に走
査して前記ずれ量ｄ1'を取得し，最初のマークの２度の
走査における測定ずれ量の差(ｄ1'−ｄ1)をΔと置き,
全走査時間をＴとすると，各マーク走査時刻におけるド
リフト量Δi を(1) 式Δi ＝Δ×（ｉ−１）／ｎで求
め, 各マークの真のずれ量Ｄi を(2) 式Ｄi ＝ｄi −Δ
i により算出し, Ｄi を用いてビームの偏向位置を補正
する，２）前記(1) 式の代わりに，(3）式Δi ＝Δ×
（ｔi −ｔ1 ）／Ｔ（ｔは時刻）を用いるように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造プロ
セスに用いられる荷電粒子ビーム（電子ビーム等）露光
方法に係り, 特に露光装置の熱的変化に起因するビーム
偏向位置のドリフトを補正する方法に関する。
セスに用いられる荷電粒子ビーム（電子ビーム等）露光
方法に係り, 特に露光装置の熱的変化に起因するビーム
偏向位置のドリフトを補正する方法に関する。
【０００２】近年，荷電粒子ビーム露光装置はLSI のパ
ターン形成等に使用されているが,LSI の高密度化, 微
細化に伴い, 一層高精度, 高解像性が要求されている。
本発明はフィールド（ビームの実用可能な偏向範囲，描
画範囲）のビーム偏向位置を補正する（所謂，フィール
ド補正）ために，マーク上をビームで走査して位置ずれ
量（オフセット）を測定する際に，偏向コイルの発熱に
起因する装置の熱的影響によって生ずる位置ずれ量のド
リフトを補正するために利用できる。
ターン形成等に使用されているが,LSI の高密度化, 微
細化に伴い, 一層高精度, 高解像性が要求されている。
本発明はフィールド（ビームの実用可能な偏向範囲，描
画範囲）のビーム偏向位置を補正する（所謂，フィール
ド補正）ために，マーク上をビームで走査して位置ずれ
量（オフセット）を測定する際に，偏向コイルの発熱に
起因する装置の熱的影響によって生ずる位置ずれ量のド
リフトを補正するために利用できる。
【０００３】
【従来の技術】荷電粒子ビーム露光装置（図３参照）の
主偏向器20の偏向用コイルはコラム下部の狭い空間（最
終レンズの中）に配置されているため，ビーム偏向時に
コイルに流れる電流により発熱する。発熱によるコイル
自体の熱膨張により，コイル形状が変形したり位置ずれ
を起こす。また，コイルで発生したジュール熱は熱伝導
や熱輻射により，レンズの磁界を形成するポールピース
の変形，位置ずれを引き起こす。そのために偏向ずれや
原点ずれを発生してしまう。
主偏向器20の偏向用コイルはコラム下部の狭い空間（最
終レンズの中）に配置されているため，ビーム偏向時に
コイルに流れる電流により発熱する。発熱によるコイル
自体の熱膨張により，コイル形状が変形したり位置ずれ
を起こす。また，コイルで発生したジュール熱は熱伝導
や熱輻射により，レンズの磁界を形成するポールピース
の変形，位置ずれを引き起こす。そのために偏向ずれや
原点ずれを発生してしまう。
【０００４】実際に露光する場合には，ビームの補正係
数，例えば，フィールド補正係数をある一定時間ごとに
求めて更新する操作と露光とを繰り返して行っていた。
従来の補正係数算出の過程は以下のように行われてい
る。ステージを移動させることによってウエハ上の描画
範囲中の所定位置に配置されたマークを順次ビーム位置
に移動させ, ビームを偏向させてマークを走査すること
によりビーム位置と各マーク位置のずれ量を取得してい
き, 取得したずれ量より補正係数を算出していた。
数，例えば，フィールド補正係数をある一定時間ごとに
求めて更新する操作と露光とを繰り返して行っていた。
従来の補正係数算出の過程は以下のように行われてい
る。ステージを移動させることによってウエハ上の描画
範囲中の所定位置に配置されたマークを順次ビーム位置
に移動させ, ビームを偏向させてマークを走査すること
によりビーム位置と各マーク位置のずれ量を取得してい
き, 取得したずれ量より補正係数を算出していた。
【０００５】ところが，上記偏向用コイルの発熱による
コイル自体の熱変形により，ビームの偏向位置にずれが
生じてしまう。そのため長時間のビーム走査によって取
得された，ビームと各マークのずれ量は真のずれ量に装
置の熱的影響によるドリフト量を含んだままであり，こ
れを基にして補正係数を算出していた。
コイル自体の熱変形により，ビームの偏向位置にずれが
生じてしまう。そのため長時間のビーム走査によって取
得された，ビームと各マークのずれ量は真のずれ量に装
置の熱的影響によるドリフト量を含んだままであり，こ
れを基にして補正係数を算出していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例では，各マーク
の位置測定が進行するほど，各マークのずれ量は装置の
熱的変化を受けるため，ウエハ全面の各領域に対するス
テージの位置補正は，その領域の走査時刻に依存した量
になってしまい，正確な補正係数を算出できないという
問題を生じていた。
の位置測定が進行するほど，各マークのずれ量は装置の
熱的変化を受けるため，ウエハ全面の各領域に対するス
テージの位置補正は，その領域の走査時刻に依存した量
になってしまい，正確な補正係数を算出できないという
問題を生じていた。
【０００７】本発明は露光装置の熱的影響を除去して各
マークの走査時刻に依存しない真の補正係数を算出し，
高精度，高解像性を実現することを目的とする。
マークの走査時刻に依存しない真の補正係数を算出し，
高精度，高解像性を実現することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
被露光面上に形成された複数のマークの内ｎ個のマーク
を荷電粒子ビームで順次走査して, ビーム位置と各マー
クの中心位置のずれ量ｄi （１≦ｉ≦ｎ）を取得し，最
初に走査したマークを再度，最後に走査して前記ずれ量
ｄ1'を取得し，最初のマークの２度の走査における測定
ずれ量の差 (ｄ1'−ｄ1)をΔと置き,全走査時間をＴと
すると，各マーク走査時刻におけるドリフト量Δi を
(1) 式で求め, Δi ＝Δ×（ｉ−１）／ｎ (1) 各マークの真のずれ量Ｄi を(2) 式により算出し, Ｄi ＝ｄi −Δi (2) このＤi 値を用いてビームの偏向位置を補正する荷電粒
子ビーム露光方法，あるいは２）請求項１記載の前記
(1) 式の代わりに次の(3）式 Δi ＝Δ×（ｔi −ｔ1 ）／Ｔ (3） ここで，ｔ1 は１番目のマークの走査時刻，ｔi はｉ番
目のマークの走査時刻．を用いる荷電粒子ビーム露光方
法により達成される。
被露光面上に形成された複数のマークの内ｎ個のマーク
を荷電粒子ビームで順次走査して, ビーム位置と各マー
クの中心位置のずれ量ｄi （１≦ｉ≦ｎ）を取得し，最
初に走査したマークを再度，最後に走査して前記ずれ量
ｄ1'を取得し，最初のマークの２度の走査における測定
ずれ量の差 (ｄ1'−ｄ1)をΔと置き,全走査時間をＴと
すると，各マーク走査時刻におけるドリフト量Δi を
(1) 式で求め, Δi ＝Δ×（ｉ−１）／ｎ (1) 各マークの真のずれ量Ｄi を(2) 式により算出し, Ｄi ＝ｄi −Δi (2) このＤi 値を用いてビームの偏向位置を補正する荷電粒
子ビーム露光方法，あるいは２）請求項１記載の前記
(1) 式の代わりに次の(3）式 Δi ＝Δ×（ｔi −ｔ1 ）／Ｔ (3） ここで，ｔ1 は１番目のマークの走査時刻，ｔi はｉ番
目のマークの走査時刻．を用いる荷電粒子ビーム露光方
法により達成される。
【０００９】
【作用】本発明では，複数のマークをビームで走査した
後, 走査時間の経過に伴う装置の熱的影響によって生ず
るオフセットドリフト量〔位置ずれ量（オフセット）の
ドリフト〕の経時変化を取得し，これを基に各マークの
位置ずれの測定量に対して熱的影響分のドリフト量を差
し引いて補正を行うことにより, 測定量の走査時刻依存
性をなくするようにしている。この結果, ビームを偏向
させてマークを走査することによりビーム位置と各マー
ク位置のずれ量より単純に算出される従来の熱的影響を
含んだ補正係数から，装置の熱的影響によって生ずる位
置ずれ量のドリフト分が差し引かれた正確な補正係数を
算出することができる。
後, 走査時間の経過に伴う装置の熱的影響によって生ず
るオフセットドリフト量〔位置ずれ量（オフセット）の
ドリフト〕の経時変化を取得し，これを基に各マークの
位置ずれの測定量に対して熱的影響分のドリフト量を差
し引いて補正を行うことにより, 測定量の走査時刻依存
性をなくするようにしている。この結果, ビームを偏向
させてマークを走査することによりビーム位置と各マー
ク位置のずれ量より単純に算出される従来の熱的影響を
含んだ補正係数から，装置の熱的影響によって生ずる位
置ずれ量のドリフト分が差し引かれた正確な補正係数を
算出することができる。
【００１０】
【実施例】図１(A) 〜(C) は本発明の実施例の説明図で
ある。図１(A) にウエハ上に形成されたｎ個のマークの
配置図を示す。ウエハを載置したステージを矢印の方向
に移動させていき，各マークがビームの直下にきた時点
でビームを走査させ，その反射電子の波形を解析するこ
とによって，ビームとマークの中心のずれ量ｄi （１≦
ｉ≦ｎ）を取得する。これをウエハ上の全マークについ
て行い，その際，最初に走査したマークを再度，最後に
走査する。
ある。図１(A) にウエハ上に形成されたｎ個のマークの
配置図を示す。ウエハを載置したステージを矢印の方向
に移動させていき，各マークがビームの直下にきた時点
でビームを走査させ，その反射電子の波形を解析するこ
とによって，ビームとマークの中心のずれ量ｄi （１≦
ｉ≦ｎ）を取得する。これをウエハ上の全マークについ
て行い，その際，最初に走査したマークを再度，最後に
走査する。
【００１１】図１(B) は測定ずれ量と経過時間の関係を
示す。２度の走査における測定ずれ量（ｄ1'−ｄ1 ) の
差は全マークを走査している時間Ｔの経過によって生じ
たオフセットドリフト量Δを示している。各マーク走査
時刻におけるオフセットドリフト量Δi をリニア補間に
よって求める。この際，各マーク走査時刻の間隔は全マ
ークの走査時間Ｔをマークの個数ｎで等分した時間で近
似すると次式が得られる。
示す。２度の走査における測定ずれ量（ｄ1'−ｄ1 ) の
差は全マークを走査している時間Ｔの経過によって生じ
たオフセットドリフト量Δを示している。各マーク走査
時刻におけるオフセットドリフト量Δi をリニア補間に
よって求める。この際，各マーク走査時刻の間隔は全マ
ークの走査時間Ｔをマークの個数ｎで等分した時間で近
似すると次式が得られる。
【００１２】 Δi ＝（ｄ1'−ｄ1 ）×（ｉ−１）／ｎ (1) この式を用いて，装置の熱的変化によるオフセットドリ
フト量Δi を考慮した真のずれ量Ｄi は次式により算出
する。
フト量Δi を考慮した真のずれ量Ｄi は次式により算出
する。
【００１３】 Ｄi ＝ｄi −Δi (2) この値を用いてゲインＧ，ローテイションＲ，台形Ｈ，
オフセットＯの補正係数を求める。
オフセットＯの補正係数を求める。
【００１４】図１(C) はリニア補間の説明図である。図
はオフセットドリフト量の時間経過を示し，１番目のマ
ークの走査時刻ｔ1，最後に走査した再度の１番目のマ
ークの走査時刻ｔ1 ' とすると, ｉ番目のマークの走査
時刻ｔi のオフセットドリフト量Δi は図のようにリニ
ア補間によって求められる。
はオフセットドリフト量の時間経過を示し，１番目のマ
ークの走査時刻ｔ1，最後に走査した再度の１番目のマ
ークの走査時刻ｔ1 ' とすると, ｉ番目のマークの走査
時刻ｔi のオフセットドリフト量Δi は図のようにリニ
ア補間によって求められる。
【００１５】図２は測定ずれ量に対する補正の説明図で
ある。各マークの走査時刻ごとのずれ量ｄi から，装置
の熱的変化によるドリフト量Δi を差し引いた値が真の
ずれ量Ｄi となる。
ある。各マークの走査時刻ごとのずれ量ｄi から，装置
の熱的変化によるドリフト量Δi を差し引いた値が真の
ずれ量Ｄi となる。
【００１６】実施例では，ウエハ上の全マークを走査し
てオフセットドリフト量Δを求めたが，マークを或る個
数単位で区切り，その単位内の全マークを走査して単位
ごとのオフセットドリフト量を求めてもよい。
てオフセットドリフト量Δを求めたが，マークを或る個
数単位で区切り，その単位内の全マークを走査して単位
ごとのオフセットドリフト量を求めてもよい。
【００１７】また，実施例では各マークの走査時刻の間
隔を，全走査時間Ｔをマークの個数ｎで等分した時間で
近似したが，実際の露光においては，各マークの走査時
刻を順次メモリに格納し，次式によりｉ番目のマークの
走査時刻ｔi のオフセットドリフト量Δi を求める方が
より厳密である。
隔を，全走査時間Ｔをマークの個数ｎで等分した時間で
近似したが，実際の露光においては，各マークの走査時
刻を順次メモリに格納し，次式によりｉ番目のマークの
走査時刻ｔi のオフセットドリフト量Δi を求める方が
より厳密である。
【００１８】 Δi ＝（ｄ1'−ｄ1 ）×（ｔi −ｔ1 ）／Ｔ (3） ここで，ｔ1 は１番目のマークの走査時刻である。次
に，実施例の過程の流れを説明する。
に，実施例の過程の流れを説明する。
【００１９】(1) マークの逐次照射：ステージによる移
動 (2) マークの位置情報の取得：マーク走査のためのビー
ム偏向 (3）マークの位置情報と偏向制御情報の比較：マーク中
心と偏向中心のずれ (4）全マークの照射完了 (5) 最初のマークの再照射 (6) 最初のマークの位置情報取得：ｄ1 ，ｄ1' (7) 最初のマークの２回の位置情報の比較：ドリフトに
よる位置ずれ抽出 Δ＝ｄ1'−ｄ1 (8) 各マークのドリフトによる位置ずれ量を内挿：Δi (9) 各マークの位置ずれ量からドリフトによる位置ずれ
量の除去： Ｄi ＝ｄi −Δi (10) 各マークに対応する領域に露光するパターン情報
に対する補正： (A) フィールド補正 ここで補正される値は, ビームの偏向位置ｘ，ｙを次式
により，ｘ’，ｙ’に補正するゲインＧ，ローテイショ
ンＲ，台形Ｈ，位置ずれ量（オフセット）Ｏの補正係数
である。
動 (2) マークの位置情報の取得：マーク走査のためのビー
ム偏向 (3）マークの位置情報と偏向制御情報の比較：マーク中
心と偏向中心のずれ (4）全マークの照射完了 (5) 最初のマークの再照射 (6) 最初のマークの位置情報取得：ｄ1 ，ｄ1' (7) 最初のマークの２回の位置情報の比較：ドリフトに
よる位置ずれ抽出 Δ＝ｄ1'−ｄ1 (8) 各マークのドリフトによる位置ずれ量を内挿：Δi (9) 各マークの位置ずれ量からドリフトによる位置ずれ
量の除去： Ｄi ＝ｄi −Δi (10) 各マークに対応する領域に露光するパターン情報
に対する補正： (A) フィールド補正 ここで補正される値は, ビームの偏向位置ｘ，ｙを次式
により，ｘ’，ｙ’に補正するゲインＧ，ローテイショ
ンＲ，台形Ｈ，位置ずれ量（オフセット）Ｏの補正係数
である。
【００２０】 ｘ’＝Ｇｘ＊ｘ＋Ｒｘ＊ｙ＋Ｈｘ＊ｘ＊ｙ＋Ｏｘ ｙ’＝Ｇｙ＊ｙ＋Ｒｙ＊ｘ＋Ｈｙ＊ｘ＊ｙ＋Ｏｙ ここで，ゲインＧはパターンの大きさに対する補正係
数, ローテイションＲはパターンの方向に対する補正係
数, 台形Ｈは矩形パターンの形状歪みに対する補正係
数, 位置ずれ量（オフセット）Ｏはパターンの位置ずれ
に対する補正係数である。
数, ローテイションＲはパターンの方向に対する補正係
数, 台形Ｈは矩形パターンの形状歪みに対する補正係
数, 位置ずれ量（オフセット）Ｏはパターンの位置ずれ
に対する補正係数である。
【００２１】偏向器はフィールド補正をするため，露光
装置のパターン発生器に補正係数を入れたフィールド補
正レジスタを設けている。これは，ビームの偏向位置
ｘ，ｙを上記の補正係数Ｇ，Ｒ，Ｈ，Ｏにより補正を行
う。
装置のパターン発生器に補正係数を入れたフィールド補
正レジスタを設けている。これは，ビームの偏向位置
ｘ，ｙを上記の補正係数Ｇ，Ｒ，Ｈ，Ｏにより補正を行
う。
【００２２】フィールド補正は, ステージを移動させて
１つのマークをフィールドの四隅の点に移動させ，ビー
ムで追随させたときの前記本発明の真の位置ずれ量Ｄi
より補正項目である上記のＧ，Ｒ，Ｈ，Ｏを算出し，フ
ィールド補正レジスタに格納する。
１つのマークをフィールドの四隅の点に移動させ，ビー
ムで追随させたときの前記本発明の真の位置ずれ量Ｄi
より補正項目である上記のＧ，Ｒ，Ｈ，Ｏを算出し，フ
ィールド補正レジスタに格納する。
【００２３】(B) 歪み補正 実際の露光においては，フィールド補正が終わると，さ
らにビームの偏向位置に対してフィールド内の各点の位
置ずれ（歪み）を補正し，フィールド補正後のビーム位
置に加算することにより偏向器の位置補正を行ってい
る。
らにビームの偏向位置に対してフィールド内の各点の位
置ずれ（歪み）を補正し，フィールド補正後のビーム位
置に加算することにより偏向器の位置補正を行ってい
る。
【００２４】次に, 実施例に使用した露光装置の構成例
を示す。図３は電子ビーム露光装置の構成の一例を示す
図である。図において，３は試料，９は電子ビーム露光
装置，10はカソード, 11はグリッド, 12はアノード, 13
a は矩形孔, 14は集束レンズ, 15は可変調整デフレク
タ,16a は矩形孔, 17は集束レンズ, 18aはアパーチャ,
19a はリフォーカスレンズ, 20は主偏向器, 22は中央
処理装置, 24a, 24b, 24c, 24dはメモリ, 25は補正演算
回路, 26, 27, 33，34はDAC(DAコンバータ), 28, 29, 3
5, 36 はAMP(増幅器),30はレジスタ, 31は積算器, 32は
加算及び補正演算回路（本発明の補正に関連する）であ
る。
を示す。図３は電子ビーム露光装置の構成の一例を示す
図である。図において，３は試料，９は電子ビーム露光
装置，10はカソード, 11はグリッド, 12はアノード, 13
a は矩形孔, 14は集束レンズ, 15は可変調整デフレク
タ,16a は矩形孔, 17は集束レンズ, 18aはアパーチャ,
19a はリフォーカスレンズ, 20は主偏向器, 22は中央
処理装置, 24a, 24b, 24c, 24dはメモリ, 25は補正演算
回路, 26, 27, 33，34はDAC(DAコンバータ), 28, 29, 3
5, 36 はAMP(増幅器),30はレジスタ, 31は積算器, 32は
加算及び補正演算回路（本発明の補正に関連する）であ
る。
【００２５】次に，位置ずれ量Ｄi より補正係数Ｇ，
Ｒ，Ｈ，Ｏを算出する具体例を簡単に説明する。電子ビ
ームをウエハ上に走査してマーク検出したときのマーク
位置からのずれ量の各成分を（ΔＸ，ΔＹ）とすると，
式(1) が得られる。
Ｒ，Ｈ，Ｏを算出する具体例を簡単に説明する。電子ビ
ームをウエハ上に走査してマーク検出したときのマーク
位置からのずれ量の各成分を（ΔＸ，ΔＹ）とすると，
式(1) が得られる。
【００２６】
【数１】 ここで，Ｘ，Ｙは電子ビームの偏向位置，Ａ，Ｂ，・・
・・，Ｏ，Ｐは補正係数である。いま，式(1) の高次の
項をεｘ（Ｘ，Ｙ），εｙ（Ｘ，Ｙ）とすると式(2) を
得る。
・・，Ｏ，Ｐは補正係数である。いま，式(1) の高次の
項をεｘ（Ｘ，Ｙ），εｙ（Ｘ，Ｙ）とすると式(2) を
得る。
【００２７】
【数２】 直接描画では，一般にチップの４隅にマークを設け，マ
ーク検出を行って補正係数Ａ，Ｂ，・・・・，Ｇ，Ｈを
決定し，電子ビームの偏向位置の位置合わせを行う。
ーク検出を行って補正係数Ａ，Ｂ，・・・・，Ｇ，Ｈを
決定し，電子ビームの偏向位置の位置合わせを行う。
【００２８】更に，高次の項εｘ（Ｘ，Ｙ），εｙ
（Ｘ，Ｙ）を補正すると論理的に正しい電子ビーム偏向
が可能となる。いま，４隅のマークでの（ΔＸ，ΔＹ）
をそれぞれ（ΔＸ1 ，ΔＹ1) ,（ΔＸ2 ，ΔＹ2) ,（Δ
Ｘ3 ，ΔＹ3) ,（ΔＸ4 ，ΔＹ4)とすると, 式(2) の低
次の項より, 式(3),(4）を得る。
（Ｘ，Ｙ）を補正すると論理的に正しい電子ビーム偏向
が可能となる。いま，４隅のマークでの（ΔＸ，ΔＹ）
をそれぞれ（ΔＸ1 ，ΔＹ1) ,（ΔＸ2 ，ΔＹ2) ,（Δ
Ｘ3 ，ΔＹ3) ,（ΔＸ4 ，ΔＹ4)とすると, 式(2) の低
次の項より, 式(3),(4）を得る。
【００２９】
【数３】 式(3),(4）より, 次の式(5),(6）を得る。
【００３０】
【数４】 式(5),(6）により，補正係数Ａ，Ｂ，・・・・，Ｇ，Ｈ
が求まり，正しい位置に電子ビームを照射するには，式
(7) で示される次の位置に照射すればよい。
が求まり，正しい位置に電子ビームを照射するには，式
(7) で示される次の位置に照射すればよい。
【００３１】
【数５】 式(7) は一般的に次の式(8) のように書かれる。
【００３２】
【数６】 ここで， Ｇx ＝Ｂ，Ｇy ＝Ｇ ：ゲイン Ｒx ＝Ｃ，Ｒy ＝Ｆ ：ローテイション Ｈx ＝Ｄ，Ｈy ＝Ｈ ：台形 Ｏx ＝Ａ，Ｏy ＝Ｅ ：オフセット Ｄx ＝εｘ（Ｘ，Ｙ）, Ｄy ＝εｙ（Ｘ，Ｙ）：歪み である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば，露光装置の熱的影響を
除外して，各マークの走査時刻に依存しない真の補正係
数を算出し，高精度，高解像性を実現することができ
た。
除外して，各マークの走査時刻に依存しない真の補正係
数を算出し，高精度，高解像性を実現することができ
た。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 測定ずれ量に対する補正の説明図
【図３】 電子ビーム露光装置の構成の一例を示す図
Claims (2)
- 【請求項１】 被露光面上に形成された複数のマークの
内ｎ個のマークを荷電粒子ビームで順次走査して, ビー
ム位置と各マークの中心位置のずれ量ｄi（１≦ｉ≦
ｎ）を取得し，最初に走査したマークを再度，最後に走
査して前記ずれ量ｄ1'を取得し，最初のマークの２度の
走査における測定ずれ量の差(ｄ1'−ｄ1)をΔと置き,
全走査時間をＴとすると，各マーク走査時刻におけるド
リフト量Δi を(1) 式で求め, Δi ＝Δ×（ｉ−１）／ｎ (1) 各マークの真のずれ量Ｄi を(2) 式により算出し, Ｄi ＝ｄi −Δi (2) このＤi 値を用いてビームの偏向位置を補正することを
特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の前記(1) 式の代わりに次
の(3）式 Δi ＝Δ×（ｔi −ｔ1 ）／Ｔ (3） ここで，ｔ1 は１番目のマークの走査時刻，ｔi はｉ番
目のマークの走査時刻．を用いることを特徴とする荷電
粒子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33645492A JPH06188180A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33645492A JPH06188180A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188180A true JPH06188180A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18299309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33645492A Withdrawn JPH06188180A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7122809B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam writing method and writing tool |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33645492A patent/JPH06188180A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7122809B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged beam writing method and writing tool |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222195B1 (en) | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method | |
| US5301124A (en) | Registration of patterns formed of multiple fields | |
| JPH1064799A (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
| TWI639895B (zh) | Multi-charged particle beam drawing device and adjusting method thereof | |
| JP2008085120A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法及び荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数更新方法 | |
| EP0024884A2 (en) | Method of detecting the position of a substrate using an electron beam | |
| JP6791051B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
| US5798528A (en) | Correction of pattern dependent position errors in electron beam lithography | |
| US6624430B2 (en) | Method of measuring and calibrating inclination of electron beam in electron beam proximity exposure apparatus, and electron beam proximity exposure apparatus | |
| US6177680B1 (en) | Correction of pattern-dependent errors in a particle beam lithography system | |
| US6352799B1 (en) | Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same | |
| US6182369B1 (en) | Pattern forming apparatus | |
| KR102429977B1 (ko) | 멀티-빔 라이터 내의 패턴 노출 밀도의 변동에 기인하는 패턴 위치 에러를 보상하는 방법 | |
| TWI773329B (zh) | 圖案檢查裝置以及圖案檢查方法 | |
| JPH06188180A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP3689097B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
| JP2786660B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP3388066B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及びこの装置における偏向効率調整方法 | |
| JP3569273B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
| JP2786661B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2786662B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP7484491B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JPH05175106A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 | |
| JPH10209008A (ja) | 荷電ビーム露光方法およびマスク | |
| JPH0897120A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |