JPH06180886A - 光磁気情報記録再生装置 - Google Patents
光磁気情報記録再生装置Info
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- JPH06180886A JPH06180886A JP4334473A JP33447392A JPH06180886A JP H06180886 A JPH06180886 A JP H06180886A JP 4334473 A JP4334473 A JP 4334473A JP 33447392 A JP33447392 A JP 33447392A JP H06180886 A JPH06180886 A JP H06180886A
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- optical
- magneto
- waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光利用効率を低下させずにＳ／Ｎ比の高い信号
検出が行なえる光磁気情報記録再生装置を提供する。 【構成】本発明は、光源１と集光光学系４と検出系集積
素子６と光導波路カプラー３とを備えた光磁気情報記録
再生装置において、光磁気情報記録媒体５からの反射光
を検出する検出系集積素子６が、ＴＥ，ＴＭモードの等
価屈折率がほぼ等しい第１光導波路と該第１光導波路に
結合されているＴＥ，ＴＭモードの等価屈折率が異なる
第２光導波路と該第２光導波路に結合されている第３光
導波路と第４光導波路を有し、第２光導波路と第３光導
波路と第２光導波路から第３光導波路への結合部からな
るＴＥ／ＴＭモード分離素子と光検出器Ｐ１とで光磁気
信号検出部を構成し、第２光導波路と第４光導波路と第
２光導波路から第４光導波路への結合部と光検出器Ｐ
２，Ｐ３とで焦点誤差信号検出部を構成したことを特徴
とする。
検出が行なえる光磁気情報記録再生装置を提供する。 【構成】本発明は、光源１と集光光学系４と検出系集積
素子６と光導波路カプラー３とを備えた光磁気情報記録
再生装置において、光磁気情報記録媒体５からの反射光
を検出する検出系集積素子６が、ＴＥ，ＴＭモードの等
価屈折率がほぼ等しい第１光導波路と該第１光導波路に
結合されているＴＥ，ＴＭモードの等価屈折率が異なる
第２光導波路と該第２光導波路に結合されている第３光
導波路と第４光導波路を有し、第２光導波路と第３光導
波路と第２光導波路から第３光導波路への結合部からな
るＴＥ／ＴＭモード分離素子と光検出器Ｐ１とで光磁気
信号検出部を構成し、第２光導波路と第４光導波路と第
２光導波路から第４光導波路への結合部と光検出器Ｐ
２，Ｐ３とで焦点誤差信号検出部を構成したことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク、光磁
気カード、光磁気テープ等の光磁気情報記録媒体に対し
て情報の記録・再生を行なう光磁気情報記録再生装置に
関し、特に、光ピックアップ部の構成に特徴を有する光
磁気情報記録再生装置に関する。
気カード、光磁気テープ等の光磁気情報記録媒体に対し
て情報の記録・再生を行なう光磁気情報記録再生装置に
関し、特に、光ピックアップ部の構成に特徴を有する光
磁気情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光情報記録再生装置の光ディスク
用ピックアップなどで焦点誤差信号検出用に広く使われ
ている非点収差法は、光学系が大きくなり装置をコンパ
クトにできないという欠点がある。また、装置をコンパ
クトにできる焦点誤差信号検出法としてＴＡＯＨＳ法
（臨界角法（特開昭６３−９３０５号公報参照））とい
う方法が知られている。以下、この方法の原理を図７、
図８を参照して簡単に説明する。
用ピックアップなどで焦点誤差信号検出用に広く使われ
ている非点収差法は、光学系が大きくなり装置をコンパ
クトにできないという欠点がある。また、装置をコンパ
クトにできる焦点誤差信号検出法としてＴＡＯＨＳ法
（臨界角法（特開昭６３−９３０５号公報参照））とい
う方法が知られている。以下、この方法の原理を図７、
図８を参照して簡単に説明する。
【０００３】図７において、光情報記録媒体（以下、光
ディスクと呼ぶ）からの反射光が合焦状態では平行光線
で検出プリズム２１に入射するようにし、また、検出プ
リズム２１の反射面２２は、この合焦状態での入射光線
に対して臨界角もしくはそれよりやや小さめに設定す
る。すると、光ディスクが合焦状態からずれて、反射光
が検出プリズム２１に収束光の状態（図７の点線）で入
射すると、反射面２２への入射光線は光軸上の中心光線
を除いて臨界角の前後で連続的に変化する。すなわち、
中心光線より図７において右側の光線は、一番右側（外
側）の光線を筆頭として全ての入射光線の入射角は臨界
角よりも小さくなる。従って、この部分では透過光が存
在し、この透過した分だけ中心光線から右側の光束の強
度は弱められる。また、中心光線より図７において左側
の光線の入射角は臨界角よりも大きくなり、この部分で
入射した光線は全て全反射する。
ディスクと呼ぶ）からの反射光が合焦状態では平行光線
で検出プリズム２１に入射するようにし、また、検出プ
リズム２１の反射面２２は、この合焦状態での入射光線
に対して臨界角もしくはそれよりやや小さめに設定す
る。すると、光ディスクが合焦状態からずれて、反射光
が検出プリズム２１に収束光の状態（図７の点線）で入
射すると、反射面２２への入射光線は光軸上の中心光線
を除いて臨界角の前後で連続的に変化する。すなわち、
中心光線より図７において右側の光線は、一番右側（外
側）の光線を筆頭として全ての入射光線の入射角は臨界
角よりも小さくなる。従って、この部分では透過光が存
在し、この透過した分だけ中心光線から右側の光束の強
度は弱められる。また、中心光線より図７において左側
の光線の入射角は臨界角よりも大きくなり、この部分で
入射した光線は全て全反射する。
【０００４】これに対して、光ディスクが反対方向にず
れて反射光が発散光の状態で検出プリズム２１に入射す
ると、反射面２２で反射される反射光の光量分布が変化
し、中心光線を含む紙面に対して垂直な面を境として明
暗の状態が収束光の場合と逆になる。また、合焦状態で
は反射面２２への入射光線は平行光で、その全光線が一
様に反射されるから、上述した明暗は現われない。光検
出器２３は、上述した反射面２２からの反射光の光量分
布を検出するもので、中心光線を含む紙面に垂直な面を
境に二分割した二つの受光領域ａ，ｂを持っている。こ
のようにすれば、合焦状態では受光部ａ，ｂへの入射光
量はそれぞれ等しくなり、反射面２２へ収束光の状態で
光ディスクからの反射光が入射した場合には、ａが明る
くｂが暗くなり、逆に発散光の状態で入射した場合に
は、ａが暗くｂが明るくなるので、各受光領域ａ，ｂの
出力の差を検出することにより焦点誤差信号（フォーカ
スエラー信号）が得られる。
れて反射光が発散光の状態で検出プリズム２１に入射す
ると、反射面２２で反射される反射光の光量分布が変化
し、中心光線を含む紙面に対して垂直な面を境として明
暗の状態が収束光の場合と逆になる。また、合焦状態で
は反射面２２への入射光線は平行光で、その全光線が一
様に反射されるから、上述した明暗は現われない。光検
出器２３は、上述した反射面２２からの反射光の光量分
布を検出するもので、中心光線を含む紙面に垂直な面を
境に二分割した二つの受光領域ａ，ｂを持っている。こ
のようにすれば、合焦状態では受光部ａ，ｂへの入射光
量はそれぞれ等しくなり、反射面２２へ収束光の状態で
光ディスクからの反射光が入射した場合には、ａが明る
くｂが暗くなり、逆に発散光の状態で入射した場合に
は、ａが暗くｂが明るくなるので、各受光領域ａ，ｂの
出力の差を検出することにより焦点誤差信号（フォーカ
スエラー信号）が得られる。
【０００５】尚、図８には検出プリズム２１の屈折率が
１．５０の場合のＰ偏光及びＳ偏光の反射率Ｒp，Ｒsが
示されているが、図８を見ると明らかなように、臨界角
よりも入射角が大きい場合には全反射するが、臨界角よ
りも入射角が小さい場合には、全部が透過するのではな
く一部の光は反射するので、感度が悪いという欠点があ
る。以上のように、非点収差法による焦点誤差信号検出
では光学系が大きくなり装置をコンパクトにできないと
いう欠点があり、また、バルク型光学系を用いた上述の
臨界角法では焦点誤差信号の感度が悪いという欠点があ
る。
１．５０の場合のＰ偏光及びＳ偏光の反射率Ｒp，Ｒsが
示されているが、図８を見ると明らかなように、臨界角
よりも入射角が大きい場合には全反射するが、臨界角よ
りも入射角が小さい場合には、全部が透過するのではな
く一部の光は反射するので、感度が悪いという欠点があ
る。以上のように、非点収差法による焦点誤差信号検出
では光学系が大きくなり装置をコンパクトにできないと
いう欠点があり、また、バルク型光学系を用いた上述の
臨界角法では焦点誤差信号の感度が悪いという欠点があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＴＡＯＨＳ
法の欠点を解決する新しい焦点誤差信号検出法として、
本発明者らは先に、以下に示す導波路臨界角法を提案し
ている（特願平３−２３８３４２号）。以下、図９、図
１０を用いて原理を簡単に説明する。今、図９のよう
に、膜厚方向（Ｚ軸方向）に入射波長に対して十分に緩
やかなテーパ状の結合部を持つ二つの光導波路Ａ，Ｂを
考える。光導波路Ａ，Ｂにおけるモード伝搬定数を、そ
れぞれβA，βB（βA＞βB）とすると、導波光が導波路
Ａから導波路Ｂへ導波するときの入射角度αA が次式で
表わされる臨界角αC よりも大きい場合には全反射が起
こり（図９（ａ））、 αC＝sin~1(βB／βA) 臨界角αC よりも小さい場合には全透過（全て導波路Ｂ
に屈折する）が起こる(図９（ｂ））。
法の欠点を解決する新しい焦点誤差信号検出法として、
本発明者らは先に、以下に示す導波路臨界角法を提案し
ている（特願平３−２３８３４２号）。以下、図９、図
１０を用いて原理を簡単に説明する。今、図９のよう
に、膜厚方向（Ｚ軸方向）に入射波長に対して十分に緩
やかなテーパ状の結合部を持つ二つの光導波路Ａ，Ｂを
考える。光導波路Ａ，Ｂにおけるモード伝搬定数を、そ
れぞれβA，βB（βA＞βB）とすると、導波光が導波路
Ａから導波路Ｂへ導波するときの入射角度αA が次式で
表わされる臨界角αC よりも大きい場合には全反射が起
こり（図９（ａ））、 αC＝sin~1(βB／βA) 臨界角αC よりも小さい場合には全透過（全て導波路Ｂ
に屈折する）が起こる(図９（ｂ））。
【０００７】図７、図８を用いて説明したように、バル
クのメディアの境界における反射の場合には、臨界角よ
りも入射角度が小さい場合にはフレネルの法則に基づく
部分反射が起こり、図９のような二次元光導波路の場合
でも二つの導波路の境界が、入射波長に対して急に変化
している場合には部分反射が起こる。しかし、図９のよ
うに、導波路Ａと導波路Ｂの境界が入射波長に対して十
分緩やかなテーパ状になっている場合には、臨界角αC
を境にして全反射か全透過が起こり、部分反射は起こら
ない。
クのメディアの境界における反射の場合には、臨界角よ
りも入射角度が小さい場合にはフレネルの法則に基づく
部分反射が起こり、図９のような二次元光導波路の場合
でも二つの導波路の境界が、入射波長に対して急に変化
している場合には部分反射が起こる。しかし、図９のよ
うに、導波路Ａと導波路Ｂの境界が入射波長に対して十
分緩やかなテーパ状になっている場合には、臨界角αC
を境にして全反射か全透過が起こり、部分反射は起こら
ない。
【０００８】図１０では、テーパ結合部は合焦状態での
導波光（平行光線）に対して入射角θa が、臨界角（α
C＝sin~1(βB／βA)）近傍に設定してある。すると、光
ディスクが合焦状態からずれて導波光がテーパ結合部に
収束光の状態（図１０の点線の状態）で入射すると、中
心光線から右側の入射光線の入射角は、臨界角よりも小
さくなり導波路Ｂに屈折する。また、中心光線より左側
の入射光線の入射角は臨界角より大きくなり全反射す
る。逆に発散光の状態で入射すると、中心光線から右側
の光線は全反射し、左側の光線は導波路Ｂに屈折する。
従って、図１０に示すような導波路型焦点誤差信号検出
器を構成し、中心光線を境に二分割された導波路型光検
出器１１と１２を作り、出力の差信号を検出することに
より、非常に感度の高い焦点誤差信号が得られる。
導波光（平行光線）に対して入射角θa が、臨界角（α
C＝sin~1(βB／βA)）近傍に設定してある。すると、光
ディスクが合焦状態からずれて導波光がテーパ結合部に
収束光の状態（図１０の点線の状態）で入射すると、中
心光線から右側の入射光線の入射角は、臨界角よりも小
さくなり導波路Ｂに屈折する。また、中心光線より左側
の入射光線の入射角は臨界角より大きくなり全反射す
る。逆に発散光の状態で入射すると、中心光線から右側
の光線は全反射し、左側の光線は導波路Ｂに屈折する。
従って、図１０に示すような導波路型焦点誤差信号検出
器を構成し、中心光線を境に二分割された導波路型光検
出器１１と１２を作り、出力の差信号を検出することに
より、非常に感度の高い焦点誤差信号が得られる。
【０００９】尚、本発明者らは、先に光導波路のＴＥモ
ードとＴＭモードのテーパ結合部における臨界角の差を
利用した光磁気信号検出装置を提案しており（特願平２
−９８４５４号）、この光磁気信号検出装置と前述の導
波路臨界法による焦点誤差信号検出装置（特願平３−２
３８３４２号）とを組み合わせた光磁気情報記録再生装
置も提案している（特願平３−２３８３４２号）。この
光磁気情報記録再生装置の信号検出部を構成する検出系
集積素子の一例を図１１に示す。
ードとＴＭモードのテーパ結合部における臨界角の差を
利用した光磁気信号検出装置を提案しており（特願平２
−９８４５４号）、この光磁気信号検出装置と前述の導
波路臨界法による焦点誤差信号検出装置（特願平３−２
３８３４２号）とを組み合わせた光磁気情報記録再生装
置も提案している（特願平３−２３８３４２号）。この
光磁気情報記録再生装置の信号検出部を構成する検出系
集積素子の一例を図１１に示す。
【００１０】図１１において、光磁気情報記録媒体から
の反射光はプリズムカプラーによって検出系集積素子の
ＳｉＯＮ導波路にカップリングされた後、中心光線近傍
の光は、テーパ結合部と光検出器３２ａ，３２ｂを含む
光磁気信号検出部に導かれ、両端の周辺光線は、テーパ
結合部と光検出器３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂを含
む焦点誤差信号検出部に導かれる。光磁気信号を検出す
るためには、光磁気情報記録媒体からの反射光の直交す
る二つの偏光成分を光導波路のＴＥモード、ＴＭモード
として光導波路にカップリングさせた後、二つのモード
を分離して検出し差信号をとる。ところが、焦点誤差信
号検出部におけるテーパ結合部の導波光に対する入射角
度は、どちらかのモード（ＴＥモードまたはＴＭモー
ド）の臨界角に設定しなければならないので、二つのモ
ードが一緒に導波してきた場合には、もう一方のモード
は焦点誤差信号のノイズになってしまう。この問題を解
決するために、図１１の例では、金属などの吸収膜（図
では金属マスク）を周辺光線の導波する光路上に装荷
し、ＴＭモードを吸収膜で吸収させている。しかしなが
ら、金属などの吸収膜を用いてＴＭモードを吸収する方
法では、光利用効率が低下するという問題がある。
の反射光はプリズムカプラーによって検出系集積素子の
ＳｉＯＮ導波路にカップリングされた後、中心光線近傍
の光は、テーパ結合部と光検出器３２ａ，３２ｂを含む
光磁気信号検出部に導かれ、両端の周辺光線は、テーパ
結合部と光検出器３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂを含
む焦点誤差信号検出部に導かれる。光磁気信号を検出す
るためには、光磁気情報記録媒体からの反射光の直交す
る二つの偏光成分を光導波路のＴＥモード、ＴＭモード
として光導波路にカップリングさせた後、二つのモード
を分離して検出し差信号をとる。ところが、焦点誤差信
号検出部におけるテーパ結合部の導波光に対する入射角
度は、どちらかのモード（ＴＥモードまたはＴＭモー
ド）の臨界角に設定しなければならないので、二つのモ
ードが一緒に導波してきた場合には、もう一方のモード
は焦点誤差信号のノイズになってしまう。この問題を解
決するために、図１１の例では、金属などの吸収膜（図
では金属マスク）を周辺光線の導波する光路上に装荷
し、ＴＭモードを吸収膜で吸収させている。しかしなが
ら、金属などの吸収膜を用いてＴＭモードを吸収する方
法では、光利用効率が低下するという問題がある。
【００１１】そこで、本発明では、前述の光磁気信号検
出装置（特願平２−９８４５４号）と、焦点誤差信号検
出装置（特願平３−２３８３４２号）とを組み合わせた
光磁気情報記録再生装置において、吸収膜を使わずに、
すなわち光利用効率を低下させずに、よりＳ／Ｎ比の高
い焦点誤差信号を検出する方法及び構成を提案すること
を目的としている。
出装置（特願平２−９８４５４号）と、焦点誤差信号検
出装置（特願平３−２３８３４２号）とを組み合わせた
光磁気情報記録再生装置において、吸収膜を使わずに、
すなわち光利用効率を低下させずに、よりＳ／Ｎ比の高
い焦点誤差信号を検出する方法及び構成を提案すること
を目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、光源と、その光源からの光を光
磁気情報記録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光
磁気情報記録媒体からの反射光を検出する検出系集積素
子と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出
系集積素子に導波モードとして導く光導波路カプラーと
からなる光磁気情報記録再生装置において、前記検出系
集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率がほ
ぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路に結合され
ているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率が異なる第
２光導波路と、その第２光導波路に結合されている第３
光導波路と、第４光導波路を有し、前記第２光導波路
と、前記第３光導波路と、第２光導波路から第３光導波
路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／ＴＭモー
ド分離素子と導波路光検出器とで光磁気信号検出部を構
成し、前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、第２
光導波路から第４光導波路への結合部（２−４結合部）
と導波路光検出器とで焦点誤差信号検出部を構成してい
ることを特徴とする。
め、請求項１の発明は、光源と、その光源からの光を光
磁気情報記録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光
磁気情報記録媒体からの反射光を検出する検出系集積素
子と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出
系集積素子に導波モードとして導く光導波路カプラーと
からなる光磁気情報記録再生装置において、前記検出系
集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率がほ
ぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路に結合され
ているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率が異なる第
２光導波路と、その第２光導波路に結合されている第３
光導波路と、第４光導波路を有し、前記第２光導波路
と、前記第３光導波路と、第２光導波路から第３光導波
路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／ＴＭモー
ド分離素子と導波路光検出器とで光磁気信号検出部を構
成し、前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、第２
光導波路から第４光導波路への結合部（２−４結合部）
と導波路光検出器とで焦点誤差信号検出部を構成してい
ることを特徴とする。
【００１３】請求項２の発明は、光源と、その光源から
の光を光磁気情報記録媒体上に集光させる集光光学系
と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を検出する検
出系集積素子と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光
を前記検出系集積素子に導波モードとして導く光導波路
カプラーとからなる光磁気情報記録再生装置において、
前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、前記第２
光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波路から第
３光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／
ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで構成された光
磁気信号検出部を二つ、前記光導波路カプラーでカップ
リングされた導波モードの中心光線に対して線対称な位
置に構成し、前記第２光導波路と、前記第４光導波路
と、第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４
結合部）と導波路光検出器とで構成された焦点誤差信号
検出部に、前記光磁気信号検出部におけるＴＥ／ＴＭモ
ード分離素子で反射されたＴＥモードが導かれる（入射
する）ように、前記焦点誤差信号検出部を二つ構成した
ことを特徴とする。
の光を光磁気情報記録媒体上に集光させる集光光学系
と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を検出する検
出系集積素子と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光
を前記検出系集積素子に導波モードとして導く光導波路
カプラーとからなる光磁気情報記録再生装置において、
前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、前記第２
光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波路から第
３光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／
ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで構成された光
磁気信号検出部を二つ、前記光導波路カプラーでカップ
リングされた導波モードの中心光線に対して線対称な位
置に構成し、前記第２光導波路と、前記第４光導波路
と、第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４
結合部）と導波路光検出器とで構成された焦点誤差信号
検出部に、前記光磁気信号検出部におけるＴＥ／ＴＭモ
ード分離素子で反射されたＴＥモードが導かれる（入射
する）ように、前記焦点誤差信号検出部を二つ構成した
ことを特徴とする。
【００１４】請求項３の発明は、光源と、その光源から
の光を光磁気情報記録媒体上に集光させる集光光学系
と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を検出する検
出系集積素子と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光
を前記検出系集積素子に導波モードとして導く光導波路
カプラーとからなる光磁気情報記録再生装置において、
前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、前記第２
光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波路から第
３光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／
ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで構成された光
磁気信号検出部を二つ、前記光導波路カプラーでカップ
リングされた導波モードの中心光線に対して平行な位置
に構成し、前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、
第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４結合
部）と導波路光検出器とで構成された焦点誤差信号検出
部に、前記光磁気信号検出部におけるＴＥ／ＴＭモード
分離素子で反射されたＴＥモードが導かれる（入射す
る）ように、前記焦点誤差信号検出部を二つ構成したこ
とを特徴とする。
の光を光磁気情報記録媒体上に集光させる集光光学系
と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を検出する検
出系集積素子と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光
を前記検出系集積素子に導波モードとして導く光導波路
カプラーとからなる光磁気情報記録再生装置において、
前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、前記第２
光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波路から第
３光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／
ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで構成された光
磁気信号検出部を二つ、前記光導波路カプラーでカップ
リングされた導波モードの中心光線に対して平行な位置
に構成し、前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、
第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４結合
部）と導波路光検出器とで構成された焦点誤差信号検出
部に、前記光磁気信号検出部におけるＴＥ／ＴＭモード
分離素子で反射されたＴＥモードが導かれる（入射す
る）ように、前記焦点誤差信号検出部を二つ構成したこ
とを特徴とする。
【００１５】請求項４の発明は、請求項１，２，３の光
磁気情報記録再生装置において、光磁気信号検出部にお
ける第３光導波路と焦点誤差信号検出部における第４光
導波路と第１光導波路が同一の層構成であることを特徴
とする。請求項５の発明は、請求項１，２，３の光磁気
情報記録再生装置において、光磁気信号検出部が少なく
とも二つ以上のＴＥ／ＴＭモード分離素子からなること
を特徴とする。請求項６の発明は、請求項１の光磁気情
報記録再生装置において、焦点誤差信号検出部における
２−４結合部と同じ構成の結合部に同じ入射角度で入射
させることを、少なくとも一回以上行なうことを特徴と
する。請求項７の発明は、請求項１，２，３の光磁気情
報記録再生装置において、光磁気信号検出部のＴＥ／Ｔ
Ｍモード分離素子における２−３結合部において、前記
光導波路カプラーでカップリングされた導波モードが、
反射または透過（屈折）する領域よりも光の導波方向に
ある第２光導波路と第３光導波路の境界線の形状が、徐
々に反射光側に近づくようになっていることを特徴とす
る。
磁気情報記録再生装置において、光磁気信号検出部にお
ける第３光導波路と焦点誤差信号検出部における第４光
導波路と第１光導波路が同一の層構成であることを特徴
とする。請求項５の発明は、請求項１，２，３の光磁気
情報記録再生装置において、光磁気信号検出部が少なく
とも二つ以上のＴＥ／ＴＭモード分離素子からなること
を特徴とする。請求項６の発明は、請求項１の光磁気情
報記録再生装置において、焦点誤差信号検出部における
２−４結合部と同じ構成の結合部に同じ入射角度で入射
させることを、少なくとも一回以上行なうことを特徴と
する。請求項７の発明は、請求項１，２，３の光磁気情
報記録再生装置において、光磁気信号検出部のＴＥ／Ｔ
Ｍモード分離素子における２−３結合部において、前記
光導波路カプラーでカップリングされた導波モードが、
反射または透過（屈折）する領域よりも光の導波方向に
ある第２光導波路と第３光導波路の境界線の形状が、徐
々に反射光側に近づくようになっていることを特徴とす
る。
【００１６】
【作用】本発明の光磁気情報記録再生装置においては、
光導波路カプラーで検出系集積素子の第１光導波路にカ
ップリングされ第１光導波路から第２光導波路に導波す
るＴＥモードとＴＭモードの導波光は、第２光導波路か
ら第３光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴ
Ｅ／ＴＭモード分離素子により分離され、ＴＥモードは
２−３結合部において全反射され、ＴＭモードは第３光
導波路へ透過（屈折）され光磁気信号検出部の導波路光
検出器で受光される。また、２−３結合部において全反
射されたＴＥモードは、第２光導波路と、第４光導波路
と、第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４
結合部）と導波路光検出器とからなる焦点誤差信号検出
部に導波され、前述の導波路臨界法により焦点誤差信号
が検出される。このように、本発明によれば、金属膜な
どによりＴＭモードを吸収させたりせずに、焦点誤差信
号検出部へはＴＥモードのみを導波させることができる
ため、光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い焦点誤差信号
が得られる。また、光磁気信号は、光磁気信号検出部の
導波路光検出器の出力（ＴＭモードの出力）と焦点誤差
信号検出部の導波路光検出器の出力（ＴＥモードの出
力）との差信号として得られるため、光利用効率が高
く、Ｓ／Ｎ比の良い光磁気信号が得られる。
光導波路カプラーで検出系集積素子の第１光導波路にカ
ップリングされ第１光導波路から第２光導波路に導波す
るＴＥモードとＴＭモードの導波光は、第２光導波路か
ら第３光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴ
Ｅ／ＴＭモード分離素子により分離され、ＴＥモードは
２−３結合部において全反射され、ＴＭモードは第３光
導波路へ透過（屈折）され光磁気信号検出部の導波路光
検出器で受光される。また、２−３結合部において全反
射されたＴＥモードは、第２光導波路と、第４光導波路
と、第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４
結合部）と導波路光検出器とからなる焦点誤差信号検出
部に導波され、前述の導波路臨界法により焦点誤差信号
が検出される。このように、本発明によれば、金属膜な
どによりＴＭモードを吸収させたりせずに、焦点誤差信
号検出部へはＴＥモードのみを導波させることができる
ため、光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い焦点誤差信号
が得られる。また、光磁気信号は、光磁気信号検出部の
導波路光検出器の出力（ＴＭモードの出力）と焦点誤差
信号検出部の導波路光検出器の出力（ＴＥモードの出
力）との差信号として得られるため、光利用効率が高
く、Ｓ／Ｎ比の良い光磁気信号が得られる。
【００１７】
【実施例】以下、図示の実施例を用いて本発明の構成、
動作について説明する。 ［実施例１］先ず、図１（ａ），（ｂ）を用いて請求項
１の光磁気情報記録再生装置の一実施例を説明する。こ
こで、図１（ａ）は、光源と、その光源からの光を光磁
気情報記録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光磁
気情報記録媒体からの反射光を検出する検出系集積素子
と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出系
集積素子に導波モードとして導く光導波路カプラーの断
面図であり、図１（ｂ）は検出系集積素子の平面図であ
る。図１（ａ）において、符号１は半導体レーザ等の光
源、２はコリメートレンズ、３はプリズムカプラー、４
は対物レンズ、５は光磁気ディスクや光磁気カード等の
光磁気情報記録媒体、６は導波路型の検出系集積素子で
あり、図１（ｂ）において、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は導波路
光検出器である。また、図１（ｂ）において、第１光導
波路のＴＥ0モードとＴＭ0モードの等価屈折率をそれぞ
れＮe1，Ｎm1、第２光導波路のＴＥ0モードとＴＭ0モー
ドの等価屈折率をそれぞれＮe2，Ｎm2、第３光導波路の
ＴＥ0モードとＴＭ0モードの等価屈折率をそれぞれＮ
e3，Ｎm3、第４光導波路のＴＥ0モードとＴＭ0モードの
等価屈折率をそれぞれＮe4，Ｎm4、とすると、第１光導
波路のＮe1とＮm1はほぼ等しく、第２光導波路のＮe2と
Ｎm2は異なっている。
動作について説明する。 ［実施例１］先ず、図１（ａ），（ｂ）を用いて請求項
１の光磁気情報記録再生装置の一実施例を説明する。こ
こで、図１（ａ）は、光源と、その光源からの光を光磁
気情報記録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光磁
気情報記録媒体からの反射光を検出する検出系集積素子
と、前記光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出系
集積素子に導波モードとして導く光導波路カプラーの断
面図であり、図１（ｂ）は検出系集積素子の平面図であ
る。図１（ａ）において、符号１は半導体レーザ等の光
源、２はコリメートレンズ、３はプリズムカプラー、４
は対物レンズ、５は光磁気ディスクや光磁気カード等の
光磁気情報記録媒体、６は導波路型の検出系集積素子で
あり、図１（ｂ）において、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は導波路
光検出器である。また、図１（ｂ）において、第１光導
波路のＴＥ0モードとＴＭ0モードの等価屈折率をそれぞ
れＮe1，Ｎm1、第２光導波路のＴＥ0モードとＴＭ0モー
ドの等価屈折率をそれぞれＮe2，Ｎm2、第３光導波路の
ＴＥ0モードとＴＭ0モードの等価屈折率をそれぞれＮ
e3，Ｎm3、第４光導波路のＴＥ0モードとＴＭ0モードの
等価屈折率をそれぞれＮe4，Ｎm4、とすると、第１光導
波路のＮe1とＮm1はほぼ等しく、第２光導波路のＮe2と
Ｎm2は異なっている。
【００１８】図１（ａ），（ｂ）において、光源１から
の出射光は、コリメートレンズ２により収束され、プリ
ズムカプラー３に入射し、プリズムカプラー３の底面か
らの反射光が対物レンズ４を通って光磁気ディスク等の
光磁気情報記録媒体５に集光し、その反射戻り光が再び
対物レンズ４を通ってプリズムカプラー３に入射し、検
出系集積素子６の第１光導波路にカップリングし、導波
光となる。第１光導波路では、Ｎe1とＮm1はほぼ等しい
ので、光磁気情報記録媒体からの反射光の直交する二つ
の偏光成分が光導波路のＴＥ0モード，ＴＭ0モードとし
て光導波路にカップリングする。その後、導波光は、第
２光導波路と、第３光導波路と、第２光導波路から第３
光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／Ｔ
Ｍモード分離素子と導波路光検出器Ｐ１とで構成されて
いる光磁気信号検出部に導波する。
の出射光は、コリメートレンズ２により収束され、プリ
ズムカプラー３に入射し、プリズムカプラー３の底面か
らの反射光が対物レンズ４を通って光磁気ディスク等の
光磁気情報記録媒体５に集光し、その反射戻り光が再び
対物レンズ４を通ってプリズムカプラー３に入射し、検
出系集積素子６の第１光導波路にカップリングし、導波
光となる。第１光導波路では、Ｎe1とＮm1はほぼ等しい
ので、光磁気情報記録媒体からの反射光の直交する二つ
の偏光成分が光導波路のＴＥ0モード，ＴＭ0モードとし
て光導波路にカップリングする。その後、導波光は、第
２光導波路と、第３光導波路と、第２光導波路から第３
光導波路への結合部（２−３結合部）からなるＴＥ／Ｔ
Ｍモード分離素子と導波路光検出器Ｐ１とで構成されて
いる光磁気信号検出部に導波する。
【００１９】ここで、各導波路におけるＴＥ0モードと
ＴＭ0モードの等価屈折率は、以下のような関係を満足
している。 Ｎe2＞Ｎe3 ，Ｎm2＞Ｎm3 ，Ｎm3／Ｎm2＞Ｎe3／Ｎe2 従って、光磁気信号検出部に導波してきた光束がテーパ
形状の２−３結合部に入射するときの入射角αが、２−
３結合部におけるＴＥ0 モードの臨界角θe、 θe＝sin~1(Ｎe3／Ｎe2) と、ＴＭ0 モードの臨界角θm、 θm＝sin~1(Ｎm3／Ｎm2) の間に設定されていれば、すなわち次式を満足していれ
ば、 sin~1(Ｎe3／Ｎe2)＜α＜sin~1(Ｎm3／Ｎm2) ２−３結合部においてＴＥ0 モードは全反射し、ＴＭ0
モードは第３光導波路に屈折する。従って、光検出器Ｐ
１では、全透過（屈折）したＴＭ0 モードのみを検出す
る。
ＴＭ0モードの等価屈折率は、以下のような関係を満足
している。 Ｎe2＞Ｎe3 ，Ｎm2＞Ｎm3 ，Ｎm3／Ｎm2＞Ｎe3／Ｎe2 従って、光磁気信号検出部に導波してきた光束がテーパ
形状の２−３結合部に入射するときの入射角αが、２−
３結合部におけるＴＥ0 モードの臨界角θe、 θe＝sin~1(Ｎe3／Ｎe2) と、ＴＭ0 モードの臨界角θm、 θm＝sin~1(Ｎm3／Ｎm2) の間に設定されていれば、すなわち次式を満足していれ
ば、 sin~1(Ｎe3／Ｎe2)＜α＜sin~1(Ｎm3／Ｎm2) ２−３結合部においてＴＥ0 モードは全反射し、ＴＭ0
モードは第３光導波路に屈折する。従って、光検出器Ｐ
１では、全透過（屈折）したＴＭ0 モードのみを検出す
る。
【００２０】２−３結合部において全反射したＴＥ0 モ
ードは、次に前記第２光導波路と、前記第４光導波路
と、第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４
結合部）と導波路光検出器Ｐ２，Ｐ３とからなる焦点誤
差信号検出部に導波する。２−４結合部（テーパ結合
部）に前記ＴＥ0 モードが入射するときの入射角度γ
は、２−４結合部におけるＴＥ0 モードの臨界角θe＝s
in~1(Ｎe4／Ｎe2)近傍に設定されており、光磁気情報記
録媒体５が合焦状態からずれてテーパ結合部に収束光の
状態（図１の点線で示す状態）で入射すると、中心光線
から右側の入射光線の入射角は、臨界角よりも小さくな
り、第４光導波路に屈折する。また、中心光線より左側
の入射光線の入射角は臨界角よりも大きくなり全反射す
る。逆に発散光の状態で入射すると、中心光線から右側
の光線は全反射し、左側の光線は第４光導波路に屈折す
る。従って図１に示すように、中心光線を境に二分割さ
れた導波路光検出器Ｐ２とＰ３を作り、出力の差信号を
検出することにより、非常に感度の高い焦点誤差信号が
得られる。また、導波路光検出器Ｐ２とＰ３の和信号が
ＴＥ0 モードの出力なので、光検出器Ｐ１の出力と（Ｐ
２＋Ｐ３）の出力の差信号が光磁気信号となる。このよ
うに、本実施例では、図１１の従来例と違って、金属膜
などによりＴＭモードを吸収させたりしていないため、
光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い信号が得られる。
ードは、次に前記第２光導波路と、前記第４光導波路
と、第２光導波路から第４光導波路への結合部（２−４
結合部）と導波路光検出器Ｐ２，Ｐ３とからなる焦点誤
差信号検出部に導波する。２−４結合部（テーパ結合
部）に前記ＴＥ0 モードが入射するときの入射角度γ
は、２−４結合部におけるＴＥ0 モードの臨界角θe＝s
in~1(Ｎe4／Ｎe2)近傍に設定されており、光磁気情報記
録媒体５が合焦状態からずれてテーパ結合部に収束光の
状態（図１の点線で示す状態）で入射すると、中心光線
から右側の入射光線の入射角は、臨界角よりも小さくな
り、第４光導波路に屈折する。また、中心光線より左側
の入射光線の入射角は臨界角よりも大きくなり全反射す
る。逆に発散光の状態で入射すると、中心光線から右側
の光線は全反射し、左側の光線は第４光導波路に屈折す
る。従って図１に示すように、中心光線を境に二分割さ
れた導波路光検出器Ｐ２とＰ３を作り、出力の差信号を
検出することにより、非常に感度の高い焦点誤差信号が
得られる。また、導波路光検出器Ｐ２とＰ３の和信号が
ＴＥ0 モードの出力なので、光検出器Ｐ１の出力と（Ｐ
２＋Ｐ３）の出力の差信号が光磁気信号となる。このよ
うに、本実施例では、図１１の従来例と違って、金属膜
などによりＴＭモードを吸収させたりしていないため、
光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い信号が得られる。
【００２１】尚、図１において、第３光導波路や第４光
導波路が第１光導波路と同一の層構成であれば、第１光
導波路と第３光導波路、第４光導波路を同時に作製で
き、この場合、上記の第３光導波路や第４光導波路が満
足すべき条件を満たしていれば、本実施例と同じように
光磁気信号、焦点誤差信号が検出でき、かつ、第３光導
波路や第４光導波路が第１光導波路と同一の層構成でな
い場合よりも、製造工程を簡略化できる（請求項４）。
例えば、検出系集積素子６を作製する際に、Ｓｉ基板上
にＳｉＯ2 等からなるバッファ層を形成し、その上に第
２光導波路を構成するＳｉＮ層等を形成し、この時に、
マスク等を用いるかエッチング等の手法により、第１，
第３，第４光導波路部分のＳｉＮは除去し、かつ２−３
結合部と２−４結合部の部分のＳｉＮ層をテーパ状に形
成しておき、次に、ＳｉＮよりも低屈折率のＳｉＯＮ層
等を形成すれば、上記実施例の条件を満たす第３，第４
光導波路を第１光導波路と同一の層構成で同時に形成で
きる。
導波路が第１光導波路と同一の層構成であれば、第１光
導波路と第３光導波路、第４光導波路を同時に作製で
き、この場合、上記の第３光導波路や第４光導波路が満
足すべき条件を満たしていれば、本実施例と同じように
光磁気信号、焦点誤差信号が検出でき、かつ、第３光導
波路や第４光導波路が第１光導波路と同一の層構成でな
い場合よりも、製造工程を簡略化できる（請求項４）。
例えば、検出系集積素子６を作製する際に、Ｓｉ基板上
にＳｉＯ2 等からなるバッファ層を形成し、その上に第
２光導波路を構成するＳｉＮ層等を形成し、この時に、
マスク等を用いるかエッチング等の手法により、第１，
第３，第４光導波路部分のＳｉＮは除去し、かつ２−３
結合部と２−４結合部の部分のＳｉＮ層をテーパ状に形
成しておき、次に、ＳｉＮよりも低屈折率のＳｉＯＮ層
等を形成すれば、上記実施例の条件を満たす第３，第４
光導波路を第１光導波路と同一の層構成で同時に形成で
きる。
【００２２】ところで、検出系集積素子６の焦点誤差信
号検出部における２−４結合部において、導波路断面の
テーパ部の長さが入射光の波長に対して十分に長くなか
ったりすると、前記ＴＥ0 モードの臨界角θe＝sin~
1(Ｎe4／Ｎe2)よりも小さい角度で導波光が入射したと
きに、１００％屈折せずに一部の光が反射してしまい
（部分反射が起こり）、結果的に焦点誤差信号の感度が
悪くなる。そこで、このような場合には、図４に示すよ
うに、２−４結合部で反射した光を再び２−４結合部と
同じ構成の結合部に同じ入射角で入射させることを少な
くとも一回以上行なう構成とする。すなわち、２−４結
合部を二段またはそれ以上の多段に配置すると、一度の
反射では臨界角よりも小さい角度で入射したときに反射
率Ｒｍが０ではなくても、ｎ（ｎ＞１）段の２−４結合
部を通って最終的に光検出器で検出される反射率は、限
り無く０に近づき、焦点誤差信号の感度を上げることが
できる。この時、ｎ段の２−４結合部は、それぞれ平行
な位置関係になっている（請求項６）。
号検出部における２−４結合部において、導波路断面の
テーパ部の長さが入射光の波長に対して十分に長くなか
ったりすると、前記ＴＥ0 モードの臨界角θe＝sin~
1(Ｎe4／Ｎe2)よりも小さい角度で導波光が入射したと
きに、１００％屈折せずに一部の光が反射してしまい
（部分反射が起こり）、結果的に焦点誤差信号の感度が
悪くなる。そこで、このような場合には、図４に示すよ
うに、２−４結合部で反射した光を再び２−４結合部と
同じ構成の結合部に同じ入射角で入射させることを少な
くとも一回以上行なう構成とする。すなわち、２−４結
合部を二段またはそれ以上の多段に配置すると、一度の
反射では臨界角よりも小さい角度で入射したときに反射
率Ｒｍが０ではなくても、ｎ（ｎ＞１）段の２−４結合
部を通って最終的に光検出器で検出される反射率は、限
り無く０に近づき、焦点誤差信号の感度を上げることが
できる。この時、ｎ段の２−４結合部は、それぞれ平行
な位置関係になっている（請求項６）。
【００２３】［実施例２］図２は請求項２の光磁気情報
記録再生装置の一実施例を示すための構成図で、検出系
集積素子の要部平面図である。実施例１では、光磁気情
報記録媒体から反射して光導波路カプラー（プリズムカ
プラー３）を通って第１光導波路にカップリングした導
波光の面内強度分布が時間によって変わらない場合、す
なわち、中心光線に対して右側の導波光の強度と左側の
導波光の強度の比が常に一定の場合を考えている。しか
し、実際の光磁気情報記録再生装置においては、いわゆ
るトラッキングエラーがあるため、導波光の面内強度分
布は一定ではない。請求項２の発明は、上記問題を解決
するためのものであり、実施例１では、光磁気信号検出
部と焦点誤差信号検出部がそれぞれ一つずつしか存在し
なかったのに対して、本実施例では、光磁気信号検出部
と焦点誤差信号検出部が導波光の中心光線に対して対称
に二つずつ構成されている。
記録再生装置の一実施例を示すための構成図で、検出系
集積素子の要部平面図である。実施例１では、光磁気情
報記録媒体から反射して光導波路カプラー（プリズムカ
プラー３）を通って第１光導波路にカップリングした導
波光の面内強度分布が時間によって変わらない場合、す
なわち、中心光線に対して右側の導波光の強度と左側の
導波光の強度の比が常に一定の場合を考えている。しか
し、実際の光磁気情報記録再生装置においては、いわゆ
るトラッキングエラーがあるため、導波光の面内強度分
布は一定ではない。請求項２の発明は、上記問題を解決
するためのものであり、実施例１では、光磁気信号検出
部と焦点誤差信号検出部がそれぞれ一つずつしか存在し
なかったのに対して、本実施例では、光磁気信号検出部
と焦点誤差信号検出部が導波光の中心光線に対して対称
に二つずつ構成されている。
【００２４】ここで、図２に示すように第１光導波路
（図示せず）にカップリングした導波光を中心光線に対
して二つに分けて、右側の光束を２ａ、左側の光束を２
ｂとする。まず、前記光束２ａは、導波路光検出器Ｐ１
を含む光磁気信号検出部に入射し、そして、実施例１と
同じ原理で、２−３結合部においてＴＥ0 モードは全反
射し、ＴＭ0 モードは第３光導波路に屈折する。従っ
て、光検出器Ｐ１では全透過（屈折）したＴＭ0 モード
を検出する。２−３結合部で全反射したＴＥ0 モード
は、次に導波路光検出器Ｐ２とＰ３を含む焦点誤差信号
検出部に導波する。２−４結合部に前記ＴＥ0 モードが
入射する時の入射角度γは、２−４結合部におけるＴＥ
0 モードの臨界角θe＝sin~1(Ｎe4／Ｎe2）近傍に設定
されており、光磁気情報記録媒体５が合焦状態からずれ
て２−４結合部（テーパ結合部）に収束光の状態（図２
の点線の状態）で入射すると、入射角は臨界角よりも小
さくなり第４光導波路に屈折し、導波路光検出器Ｐ３で
検出される。逆に発散光の状態で入射すると、入射角は
臨界角よりも大きくなり、全反射して、導波路光検出器
Ｐ２で検出される。
（図示せず）にカップリングした導波光を中心光線に対
して二つに分けて、右側の光束を２ａ、左側の光束を２
ｂとする。まず、前記光束２ａは、導波路光検出器Ｐ１
を含む光磁気信号検出部に入射し、そして、実施例１と
同じ原理で、２−３結合部においてＴＥ0 モードは全反
射し、ＴＭ0 モードは第３光導波路に屈折する。従っ
て、光検出器Ｐ１では全透過（屈折）したＴＭ0 モード
を検出する。２−３結合部で全反射したＴＥ0 モード
は、次に導波路光検出器Ｐ２とＰ３を含む焦点誤差信号
検出部に導波する。２−４結合部に前記ＴＥ0 モードが
入射する時の入射角度γは、２−４結合部におけるＴＥ
0 モードの臨界角θe＝sin~1(Ｎe4／Ｎe2）近傍に設定
されており、光磁気情報記録媒体５が合焦状態からずれ
て２−４結合部（テーパ結合部）に収束光の状態（図２
の点線の状態）で入射すると、入射角は臨界角よりも小
さくなり第４光導波路に屈折し、導波路光検出器Ｐ３で
検出される。逆に発散光の状態で入射すると、入射角は
臨界角よりも大きくなり、全反射して、導波路光検出器
Ｐ２で検出される。
【００２５】同様に、前記光束２ｂは、導波路光検出器
Ｐ４を含む光磁気信号検出部に入射し、２−３結合部に
おいて第３光導波路に全透過（屈折）したＴＭ0 モード
が光検出器Ｐ４で検出され、全反射したＴＥ0 モード
は、次に導波路光検出器Ｐ５とＰ６を含む焦点誤差信号
検出部に導波する。そして、光磁気情報記録媒体５が合
焦状態からずれて２−４結合部（テーパ結合部）に収束
光の状態（図２の点線の状態）で入射すると、入射角は
臨界角よりも小さくなり第４光導波路に屈折し、導波路
光検出器Ｐ６で検出される。逆に発散光の状態で入射す
ると、入射角は臨界角よりも大きくなり、全反射して、
導波路光検出器Ｐ５で検出される。
Ｐ４を含む光磁気信号検出部に入射し、２−３結合部に
おいて第３光導波路に全透過（屈折）したＴＭ0 モード
が光検出器Ｐ４で検出され、全反射したＴＥ0 モード
は、次に導波路光検出器Ｐ５とＰ６を含む焦点誤差信号
検出部に導波する。そして、光磁気情報記録媒体５が合
焦状態からずれて２−４結合部（テーパ結合部）に収束
光の状態（図２の点線の状態）で入射すると、入射角は
臨界角よりも小さくなり第４光導波路に屈折し、導波路
光検出器Ｐ６で検出される。逆に発散光の状態で入射す
ると、入射角は臨界角よりも大きくなり、全反射して、
導波路光検出器Ｐ５で検出される。
【００２６】従って、各導波路光検出器Ｐ１，Ｐ２，Ｐ
３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６の出力をそれぞれＱ１，Ｑ２，Ｑ
３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６とすると、光磁気信号ＭＯは、 ＭＯ＝（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ５＋Ｑ６）−（Ｑ１＋Ｑ４） という差動信号によって得られ、これは、前記光束２ａ
の光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束２ｂの光量（Ｑ
４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けない。ま
た、焦点誤差信号ＦＯは、 ＦＯ＝（Ｑ２＋Ｑ５）−（Ｑ３＋Ｑ６） という差動信号によって得られ、この信号も前記光束２
ａの光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束２ｂの光量
（Ｑ４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けな
い。すなわち、本構成にすることによって導波光の面内
強度分布に強い信号が得られる。
３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６の出力をそれぞれＱ１，Ｑ２，Ｑ
３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６とすると、光磁気信号ＭＯは、 ＭＯ＝（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ５＋Ｑ６）−（Ｑ１＋Ｑ４） という差動信号によって得られ、これは、前記光束２ａ
の光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束２ｂの光量（Ｑ
４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けない。ま
た、焦点誤差信号ＦＯは、 ＦＯ＝（Ｑ２＋Ｑ５）−（Ｑ３＋Ｑ６） という差動信号によって得られ、この信号も前記光束２
ａの光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束２ｂの光量
（Ｑ４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けな
い。すなわち、本構成にすることによって導波光の面内
強度分布に強い信号が得られる。
【００２７】［実施例３］図３は請求項３の光磁気情報
記録再生装置の一実施例を示すための構成図で、検出系
集積素子の要部平面図である。本実施例では、実施例２
と同じように、光磁気信号検出部と焦点誤差信号検出部
が導波光の中心光線に対して二つずつ構成されている
が、実施例２では対称な位置関係であったのに対して、
本実施例では平行な位置関係と成っている。尚、光磁気
信号、焦点誤差信号検出の原理は実施例２と同じであ
る。
記録再生装置の一実施例を示すための構成図で、検出系
集積素子の要部平面図である。本実施例では、実施例２
と同じように、光磁気信号検出部と焦点誤差信号検出部
が導波光の中心光線に対して二つずつ構成されている
が、実施例２では対称な位置関係であったのに対して、
本実施例では平行な位置関係と成っている。尚、光磁気
信号、焦点誤差信号検出の原理は実施例２と同じであ
る。
【００２８】ここで、図３に示すように、第１光導波路
（図示せず）にカップリングした導波光を中心光線に対
して二つに分けて、右側の光束を３ａ、左側の光束を３
ｂとする。前記光束３ａは、導波路光検出器Ｐ１を含む
光磁気信号検出部に入射し、光検出器Ｐ１で第３光導波
路に全透過（屈折）したＴＭ0 モードが検出された後、
２−３結合部において全反射したＴＥ0 モードが、導波
路光検出器Ｐ２とＰ３を含む焦点誤差信号検出部に導波
する。同様に、前記光束３ｂは、導波路光検出器Ｐ４を
含む光磁気信号検出部に入射し、光検出器Ｐ４で第３光
導波路に全透過（屈折）したＴＭ0 モードが検出された
後、２−３結合部において全反射したＴＥ0 モードが、
導波路光検出器Ｐ５とＰ６を含む焦点誤差信号検出部に
導波する。
（図示せず）にカップリングした導波光を中心光線に対
して二つに分けて、右側の光束を３ａ、左側の光束を３
ｂとする。前記光束３ａは、導波路光検出器Ｐ１を含む
光磁気信号検出部に入射し、光検出器Ｐ１で第３光導波
路に全透過（屈折）したＴＭ0 モードが検出された後、
２−３結合部において全反射したＴＥ0 モードが、導波
路光検出器Ｐ２とＰ３を含む焦点誤差信号検出部に導波
する。同様に、前記光束３ｂは、導波路光検出器Ｐ４を
含む光磁気信号検出部に入射し、光検出器Ｐ４で第３光
導波路に全透過（屈折）したＴＭ0 モードが検出された
後、２−３結合部において全反射したＴＥ0 モードが、
導波路光検出器Ｐ５とＰ６を含む焦点誤差信号検出部に
導波する。
【００２９】従って、各導波路光検出器Ｐ１，Ｐ２，Ｐ
３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６の出力をそれぞれＱ１，Ｑ２，Ｑ
３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６とすると、光磁気信号ＭＯは、 ＭＯ＝（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ５＋Ｑ６）−（Ｑ１＋Ｑ４） という差動信号によって得られ、これは、前記光束３ａ
の光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束３ｂの光量（Ｑ
４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けない。ま
た、焦点誤差信号ＦＯは、 ＦＯ＝（Ｑ２＋Ｑ５）−（Ｑ３＋Ｑ６） という差動信号によって得られ、この信号も前記光束３
ａの光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束３ｂの光量
（Ｑ４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けな
い。
３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６の出力をそれぞれＱ１，Ｑ２，Ｑ
３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６とすると、光磁気信号ＭＯは、 ＭＯ＝（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ５＋Ｑ６）−（Ｑ１＋Ｑ４） という差動信号によって得られ、これは、前記光束３ａ
の光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束３ｂの光量（Ｑ
４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けない。ま
た、焦点誤差信号ＦＯは、 ＦＯ＝（Ｑ２＋Ｑ５）−（Ｑ３＋Ｑ６） という差動信号によって得られ、この信号も前記光束３
ａの光量（Ｑ１＋Ｑ２＋Ｑ３）と前記光束３ｂの光量
（Ｑ４＋Ｑ５＋Ｑ６）の比が変化しても影響を受けな
い。
【００３０】ところで、実際に、本発明の検出系集積素
子を作成する場合には、成膜やエッチング等の各プロセ
スの際の作成誤差によって設計値との違いが生じ、光磁
気信号検出部で、導波光が２−３結合部に入射するとき
の入射角αが、ＴＥ0 モードの臨界角と、ＴＭ0 モード
の臨界角の間に入らなくなったり、焦点誤差信号検出部
で、導波光が２−４結合部に入射するときの入射角度が
ＴＥ0 モードの臨界角近傍からずれたりする場合があ
る。このような場合、実施例２のように、光磁気信号検
出部と焦点誤差信号検出部が導波光の中心光線に対して
対称に二つずつ構成されている場合には補正できない
が、本実施例のように、二つの光磁気信号検出部と焦点
誤差信号検出部が導波光の中心光線に対して平行な位置
関係の場合には、光磁気情報記録媒体から光導波路カプ
ラーを通って検出系集積素子に入射する時の入射角度を
微調整することで、導波光が２−３結合部に入射すると
きの入射角や２−４結合部に入射するときの入射角を補
正できる。
子を作成する場合には、成膜やエッチング等の各プロセ
スの際の作成誤差によって設計値との違いが生じ、光磁
気信号検出部で、導波光が２−３結合部に入射するとき
の入射角αが、ＴＥ0 モードの臨界角と、ＴＭ0 モード
の臨界角の間に入らなくなったり、焦点誤差信号検出部
で、導波光が２−４結合部に入射するときの入射角度が
ＴＥ0 モードの臨界角近傍からずれたりする場合があ
る。このような場合、実施例２のように、光磁気信号検
出部と焦点誤差信号検出部が導波光の中心光線に対して
対称に二つずつ構成されている場合には補正できない
が、本実施例のように、二つの光磁気信号検出部と焦点
誤差信号検出部が導波光の中心光線に対して平行な位置
関係の場合には、光磁気情報記録媒体から光導波路カプ
ラーを通って検出系集積素子に入射する時の入射角度を
微調整することで、導波光が２−３結合部に入射すると
きの入射角や２−４結合部に入射するときの入射角を補
正できる。
【００３１】［実施例４］実施例１，２，３の検出系集
積素子では、いずれも光導波路を光が伝搬するため、導
波路界面の不完全性や導波路の不均質性、導波路内不純
物など、様々な原因で散乱光が存在する。このような導
波路の散乱光が導波路光検出器で検出されると、信号の
Ｓ／Ｎ比が悪くなってしまう。また、導波路内の散乱光
には、導波路内で反射波を発生しない、すなわち散乱光
は進行方向にしか存在しないという特徴がある。そこ
で、本実施例では、光磁気信号検出部を少なくとも二つ
以上のＴＥ／ＴＭモード分離素子（２−３結合部）で構
成する（請求項５）。
積素子では、いずれも光導波路を光が伝搬するため、導
波路界面の不完全性や導波路の不均質性、導波路内不純
物など、様々な原因で散乱光が存在する。このような導
波路の散乱光が導波路光検出器で検出されると、信号の
Ｓ／Ｎ比が悪くなってしまう。また、導波路内の散乱光
には、導波路内で反射波を発生しない、すなわち散乱光
は進行方向にしか存在しないという特徴がある。そこ
で、本実施例では、光磁気信号検出部を少なくとも二つ
以上のＴＥ／ＴＭモード分離素子（２−３結合部）で構
成する（請求項５）。
【００３２】すなわち、実施例１，２，３の検出系集積
素子における光磁気信号検出部の２−３結合部を二段ま
たはそれ以上の多段に配置し、ＴＥ0 モード光を二回以
上全反射させてから焦点誤差信号検出部に導波すれば、
より散乱光成分の少ないＴＥ0 モード光が焦点誤差信号
検出部に入射するため、焦点誤差信号のＳ／Ｎ比が良く
なる。この時、２−３結合部は、それぞれ平行な位置関
係に成っている。ここで、図５は、請求項２に記載の光
磁気情報記録再生装置に本発明を実施した場合の一実施
例を示す検出系集積素子の要部平面図であり、光磁気信
号検出部と焦点誤差信号検出部を導波光の中心光線に対
して対称に二つずつ構成すると共に、光磁気信号検出部
のＴＥ／ＴＭモード分離素子（２−３結合部）を二段に
構成した例である。尚、光磁気信号、焦点誤差信号検出
の原理は実施例２と同じである。
素子における光磁気信号検出部の２−３結合部を二段ま
たはそれ以上の多段に配置し、ＴＥ0 モード光を二回以
上全反射させてから焦点誤差信号検出部に導波すれば、
より散乱光成分の少ないＴＥ0 モード光が焦点誤差信号
検出部に入射するため、焦点誤差信号のＳ／Ｎ比が良く
なる。この時、２−３結合部は、それぞれ平行な位置関
係に成っている。ここで、図５は、請求項２に記載の光
磁気情報記録再生装置に本発明を実施した場合の一実施
例を示す検出系集積素子の要部平面図であり、光磁気信
号検出部と焦点誤差信号検出部を導波光の中心光線に対
して対称に二つずつ構成すると共に、光磁気信号検出部
のＴＥ／ＴＭモード分離素子（２−３結合部）を二段に
構成した例である。尚、光磁気信号、焦点誤差信号検出
の原理は実施例２と同じである。
【００３３】［実施例５］実施例１，２，３の検出系集
積素子の光磁気信号検出部の２−３結合部では、ＴＥ0
モードとＴＭ0 モードの臨界角の違いによってＴＥ0 モ
ードが反射し、ＴＭ0 モードが屈折するが、この時一般
にＴＭ0 モードの屈折角は９０°に近く、透過したＴＭ
0 モードは、第２光導波路と第３光導波路の境界線にほ
とんど平行に導波する。実施例４で述べたような、導波
路内の散乱光は、特に、導波路と導波路の結合部分の界
面で起こりやすいので、前記透過したＴＭ0 モードを検
出する導波路光検出器には、２−３結合部のテーパ形状
の不完全性による散乱光が入りやすい。そこで、図６の
実施例に示すように、２−３結合部に導波光が入射する
領域よりも光の導波方向側にある第２光導波路と第３光
導波路の境界が、透過光(ＴＭ0モード）から離れて反射
光（ＴＥ0 モード）側に近づくようになっていれば、前
記透過したＴＭ0 モードを検出する導波路光検出器に前
記テーパ形状の不完全性による散乱光が入りにくくなる
（請求項７）。
積素子の光磁気信号検出部の２−３結合部では、ＴＥ0
モードとＴＭ0 モードの臨界角の違いによってＴＥ0 モ
ードが反射し、ＴＭ0 モードが屈折するが、この時一般
にＴＭ0 モードの屈折角は９０°に近く、透過したＴＭ
0 モードは、第２光導波路と第３光導波路の境界線にほ
とんど平行に導波する。実施例４で述べたような、導波
路内の散乱光は、特に、導波路と導波路の結合部分の界
面で起こりやすいので、前記透過したＴＭ0 モードを検
出する導波路光検出器には、２−３結合部のテーパ形状
の不完全性による散乱光が入りやすい。そこで、図６の
実施例に示すように、２−３結合部に導波光が入射する
領域よりも光の導波方向側にある第２光導波路と第３光
導波路の境界が、透過光(ＴＭ0モード）から離れて反射
光（ＴＥ0 モード）側に近づくようになっていれば、前
記透過したＴＭ0 モードを検出する導波路光検出器に前
記テーパ形状の不完全性による散乱光が入りにくくなる
（請求項７）。
【００３４】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
請求項１の光磁気情報記録再生装置においては、金属膜
などによりＴＭモードを吸収させたりせずに、焦点誤差
信号検出部へはＴＥモードのみを導波させることができ
るため、従来装置に比べて光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比
の良い焦点誤差信号が得られ、また、光磁気信号は、光
磁気信号検出部の導波路光検出器の出力（ＴＭモードの
出力）と焦点誤差信号検出部の導波路光検出器の出力
（ＴＥモードの出力）との差信号として得られるため、
光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い光磁気信号が得られ
る。
請求項１の光磁気情報記録再生装置においては、金属膜
などによりＴＭモードを吸収させたりせずに、焦点誤差
信号検出部へはＴＥモードのみを導波させることができ
るため、従来装置に比べて光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比
の良い焦点誤差信号が得られ、また、光磁気信号は、光
磁気信号検出部の導波路光検出器の出力（ＴＭモードの
出力）と焦点誤差信号検出部の導波路光検出器の出力
（ＴＥモードの出力）との差信号として得られるため、
光利用効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い光磁気信号が得られ
る。
【００３５】請求項２の光磁気情報記録再生装置におい
ては、請求項１と同様の作用効果に加えて、請求項１の
検出系集積素子では光磁気信号検出部と焦点誤差信号検
出部がそれぞれ一つずつしか存在しなかったのに対し
て、検出系集積素子の光磁気信号検出部と焦点誤差信号
検出部が導波光の中心光線に対して対称に二つずつ構成
されているため、導波光の面内強度分布に強い信号が得
られる。また、請求項３の光磁気情報記録再生装置にお
いては、請求項１と同様の作用効果に加えて、検出系集
積素子の光磁気信号検出部と焦点誤差信号検出部を導波
光の中心光線に対して平行に二つずつ構成することによ
って、導波光の面内強度分布に強い信号が得られると共
に、導波光が２−３結合部に入射するときの入射角や２
−４結合部に入射するときの入射角を補正できる。
ては、請求項１と同様の作用効果に加えて、請求項１の
検出系集積素子では光磁気信号検出部と焦点誤差信号検
出部がそれぞれ一つずつしか存在しなかったのに対し
て、検出系集積素子の光磁気信号検出部と焦点誤差信号
検出部が導波光の中心光線に対して対称に二つずつ構成
されているため、導波光の面内強度分布に強い信号が得
られる。また、請求項３の光磁気情報記録再生装置にお
いては、請求項１と同様の作用効果に加えて、検出系集
積素子の光磁気信号検出部と焦点誤差信号検出部を導波
光の中心光線に対して平行に二つずつ構成することによ
って、導波光の面内強度分布に強い信号が得られると共
に、導波光が２−３結合部に入射するときの入射角や２
−４結合部に入射するときの入射角を補正できる。
【００３６】請求項４の光磁気情報記録再生装置におい
ては、請求項１，２，３の装置構成に加えて、検出系集
積素子の第３光導波路や第４光導波路を第１光導波路と
同一の層構成にすることにより、第３光導波路や第４光
導波路が第１光導波路と同一でない場合よりも、製造工
程を簡略化できる。請求項５の光磁気情報記録再生装置
においては、請求項１，２，３の検出系集積素子におけ
る光磁気信号検出部の２−３結合部を二段またはそれ以
上の多段に配置する構成としたことにより、より散乱光
成分の少ないＴＥ0 モード光が焦点誤差信号検出部に入
射し、Ｓ／Ｎ比のよい焦点誤差信号が得られる。
ては、請求項１，２，３の装置構成に加えて、検出系集
積素子の第３光導波路や第４光導波路を第１光導波路と
同一の層構成にすることにより、第３光導波路や第４光
導波路が第１光導波路と同一でない場合よりも、製造工
程を簡略化できる。請求項５の光磁気情報記録再生装置
においては、請求項１，２，３の検出系集積素子におけ
る光磁気信号検出部の２−３結合部を二段またはそれ以
上の多段に配置する構成としたことにより、より散乱光
成分の少ないＴＥ0 モード光が焦点誤差信号検出部に入
射し、Ｓ／Ｎ比のよい焦点誤差信号が得られる。
【００３７】請求項６の光磁気情報記録再生装置におい
ては、請求項１の検出系集積素子における焦点誤差信号
検出部の２−４結合部を二段またはそれ以上の多段に配
置する構成としたことにより、焦点誤差信号の感度を上
げることができる。請求項７の光磁気情報記録再生装置
においては、請求項１，２，３の検出系集積素子におけ
る光磁気信号検出部の２−３結合部において、導波光が
２−３結合部に入射する領域よりも光の導波方向側にあ
る第２光導波路と第３光導波路の境界が、透過光（ＴＭ
0 モード）から離れて反射光（ＴＥ0 モード）側に近づ
くようになっている構成としたことにより、２−３結合
部を透過したＴＭ0 モードを検出する導波路光検出器に
２−３結合部のテーパ形状の不完全性による散乱光が入
りにくくなり、Ｓ／Ｎ比のよい光磁気信号が得られる。
ては、請求項１の検出系集積素子における焦点誤差信号
検出部の２−４結合部を二段またはそれ以上の多段に配
置する構成としたことにより、焦点誤差信号の感度を上
げることができる。請求項７の光磁気情報記録再生装置
においては、請求項１，２，３の検出系集積素子におけ
る光磁気信号検出部の２−３結合部において、導波光が
２−３結合部に入射する領域よりも光の導波方向側にあ
る第２光導波路と第３光導波路の境界が、透過光（ＴＭ
0 モード）から離れて反射光（ＴＥ0 モード）側に近づ
くようになっている構成としたことにより、２−３結合
部を透過したＴＭ0 モードを検出する導波路光検出器に
２−３結合部のテーパ形状の不完全性による散乱光が入
りにくくなり、Ｓ／Ｎ比のよい光磁気信号が得られる。
【図１】請求項１の一実施例を示す図であって、（ａ）
は光磁気情報記録再生装置の概略構成を示す断面図、
（ｂ）は検出系集積素子の平面図である。
は光磁気情報記録再生装置の概略構成を示す断面図、
（ｂ）は検出系集積素子の平面図である。
【図２】請求項２の一実施例を示す検出系集積素子の要
部平面図である。
部平面図である。
【図３】請求項３の一実施例を示す検出系集積素子の要
部平面図である。
部平面図である。
【図４】請求項６の一実施例を示す検出系集積素子の要
部平面図である。
部平面図である。
【図５】請求項５の一実施例を示す検出系集積素子の要
部平面図である。
部平面図である。
【図６】請求項７の一実施例を示す光磁気信号検出部の
平面図である。
平面図である。
【図７】従来のバルク型光学素子を用いた臨界角法によ
る焦点誤差信号検出方法の説明図である。
る焦点誤差信号検出方法の説明図である。
【図８】図７における検出プリズムの屈折率が１．５０
の場合の入射角度に対するＰ偏光及びＳ偏光の反射率
（Ｒｐ，Ｒｓ）の変化を示すグラフである。
の場合の入射角度に対するＰ偏光及びＳ偏光の反射率
（Ｒｐ，Ｒｓ）の変化を示すグラフである。
【図９】光導波路Ａと光導波路Ｂとをテーパ結合部で結
合してなる二次元光学系を用いた導波路臨界角法の原理
説明図である。
合してなる二次元光学系を用いた導波路臨界角法の原理
説明図である。
【図１０】従来技術の一例を示す図であって、導波路臨
界角法を応用した導波路型焦点誤差信号検出器の平面図
である。
界角法を応用した導波路型焦点誤差信号検出器の平面図
である。
【図１１】従来技術の一例を示す図であって、光磁気情
報記録再生装置の導波路型検出系集積素子の平面図であ
る。
報記録再生装置の導波路型検出系集積素子の平面図であ
る。
１・・・光源 ２・・・コリメートレンズ ３・・・プリズムカプラー ４・・・対物レンズ ５・・・光磁気情報記録媒体 ６・・・検出系集積素子 Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６・・・導波路光検
出器
出器
Claims (7)
- 【請求項１】光源と、その光源からの光を光磁気情報記
録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光磁気情報記
録媒体からの反射光を検出する検出系集積素子と、前記
光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出系集積素子
に導波モードとして導く光導波路カプラーとからなる光
磁気情報記録再生装置において、 前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、 前記第２光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波
路から第３光導波路への結合部（２−３結合部）からな
るＴＥ／ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで光磁
気信号検出部を構成し、 前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、第２光導波
路から第４光導波路への結合部（２−４結合部）と導波
路光検出器とで焦点誤差信号検出部を構成していること
を特徴とする光磁気情報記録再生装置。 - 【請求項２】光源と、その光源からの光を光磁気情報記
録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光磁気情報記
録媒体からの反射光を検出する検出系集積素子と、前記
光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出系集積素子
に導波モードとして導く光導波路カプラーとからなる光
磁気情報記録再生装置において、 前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、 前記第２光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波
路から第３光導波路への結合部（２−３結合部）からな
るＴＥ／ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで構成
された光磁気信号検出部を二つ、前記光導波路カプラー
でカップリングされた導波モードの中心光線に対して線
対称な位置に構成し、 前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、第２光導波
路から第４光導波路への結合部（２−４結合部）と導波
路光検出器とで構成された焦点誤差信号検出部に、前記
光磁気信号検出部におけるＴＥ／ＴＭモード分離素子で
反射されたＴＥモードが導かれる（入射する）ように、
前記焦点誤差信号検出部を二つ構成したことを特徴とす
る光磁気情報記録再生装置。 - 【請求項３】光源と、その光源からの光を光磁気情報記
録媒体上に集光させる集光光学系と、前記光磁気情報記
録媒体からの反射光を検出する検出系集積素子と、前記
光磁気情報記録媒体からの反射光を前記検出系集積素子
に導波モードとして導く光導波路カプラーとからなる光
磁気情報記録再生装置において、 前記検出系集積素子が、ＴＥモードとＴＭモードの等価
屈折率がほぼ等しい第１光導波路と、その第１光導波路
に結合されているＴＥモードとＴＭモードの等価屈折率
が異なる第２光導波路と、その第２光導波路に結合され
ている第３光導波路と、第４光導波路を有し、 前記第２光導波路と、前記第３光導波路と、第２光導波
路から第３光導波路への結合部（２−３結合部）からな
るＴＥ／ＴＭモード分離素子と導波路光検出器とで構成
された光磁気信号検出部を二つ、前記光導波路カプラー
でカップリングされた導波モードの中心光線に対して平
行な位置に構成し、 前記第２光導波路と、前記第４光導波路と、第２光導波
路から第４光導波路への結合部（２−４結合部）と導波
路光検出器とで構成された焦点誤差信号検出部に、前記
光磁気信号検出部におけるＴＥ／ＴＭモード分離素子で
反射されたＴＥモードが導かれる（入射する）ように、
前記焦点誤差信号検出部を二つ構成したことを特徴とす
る光磁気情報記録再生装置。 - 【請求項４】請求項１，２，３記載の光磁気情報記録再
生装置において、光磁気信号検出部における第３光導波
路と焦点誤差信号検出部における第４光導波路と第１光
導波路が同一の層構成であることを特徴とする光磁気情
報記録再生装置。 - 【請求項５】請求項１，２，３記載の光磁気情報記録再
生装置において、光磁気信号検出部が少なくとも二つ以
上のＴＥ／ＴＭモード分離素子からなることを特徴とす
る光磁気情報記録再生装置。 - 【請求項６】請求項１記載の光磁気情報記録再生装置に
おいて、焦点誤差信号検出部における２−４結合部と同
じ構成の結合部に同じ入射角度で入射させることを、少
なくとも一回以上行なうことを特徴とする光磁気情報記
録再生装置。 - 【請求項７】請求項１，２，３記載の光磁気情報記録再
生装置において、光磁気信号検出部のＴＥ／ＴＭモード
分離素子における２−３結合部において、前記光導波路
カプラーでカップリングされた導波モードが、反射また
は透過（屈折）する領域よりも光の導波方向にある第２
光導波路と第３光導波路の境界線の形状が、徐々に反射
光側に近づくようになっていることを特徴とする光磁気
情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334473A JPH06180886A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 光磁気情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4334473A JPH06180886A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 光磁気情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180886A true JPH06180886A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18277785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4334473A Pending JPH06180886A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 光磁気情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06180886A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006275568A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Institute Of Physical & Chemical Research | フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP4334473A patent/JPH06180886A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006275568A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Institute Of Physical & Chemical Research | フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置 |
| JP4657775B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-03-23 | 独立行政法人理化学研究所 | フォトニック結晶導波路のフォトニックバンド構造の測定方法およびその装置 |
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