JPH06177663A - 光電気変換トランジスタ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、電源電圧変動の影響が少な
いベース接地型光電気変換トランジスタ回路を提供する
ことにある。 【構成】 トランジスタＱ１のコレクタを負荷抵抗Ｒ１
を介して電源ＶＣＣ１に接続し、エミッタを負荷抵抗Ｒ
２を介して接続点Ｎ１において電源ＶＥＥ１に接続す
る。ベースは負荷抵抗Ｒ３を介して電源ＶＣＣ１に接続
すると共にダイオードＤ１、Ｄ２を介してＮ１に接続す
る。ホトダイオードＰＤのアノードをエミッタと負荷抵
抗Ｒ２との接続点に接続し、カソードにはバイアス電圧
ＶＨを与える。出力はコレクタと負荷抵抗Ｒ１との接続
点ＯＵＴ１から得る。 【効果】 トランジスタＱ１のベースとＮ１の電位差を
ダイオードＤ１、Ｄ２により一定に保つことにより、電
源ＶＥＥの変動の影響を受けないベース接地型光電気変
換トランジスタ回路を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光電気変換トランジス
タ回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ベース接地型増幅回路はエミッ
タ接地型増幅回路と比較して、高周波領域での特性が良
いことが知られている。従って、光検出器の出力信号を
ベース接地型増幅回路に入力することにより、エミッタ
接地型光電気変換回路に比べて高速な光電気変換回路の
実現が期待できる。従来の技術としては、特開平３―７
０３０５号に記載されている光信号受信装置の等価増幅
回路における前置増幅回路がある。該前置増幅回路の一
例を図１１に示す。該回路は、コレクタを出力端子ＯＵ
Ｔ及び負荷抵抗ＲＬを介して電源ＶＣＣに接続し、エミ
ッタを入力端子ＩＮ及び負荷抵抗ＲＥを介して電源ＶＥ
Ｅに接続し、ベースをダイオードＤ１及びＤ２を介して
電源ＶＣＣに接続してバイアス電流を供給すると共に、
負荷抵抗ＲＢを介して電源ＶＥＥに接続して動作点を設
定するトランジスタＱ１と、入力端子ＩＮに接続した光
検出器１０１によって構成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
電源ＶＥＥが変動する場合、トランジスタＱ１のベース
電位が電源ＶＣＣに対して固定されているので、負荷抵
抗ＲＥと電源ＶＥＥとの接続点Ｎ１に対するベース電位
が変動する。該ベース電位が変動すると該回路はエミッ
タ接地型増幅器として動作する。その結果、電源ＶＥＥ
の変動を増幅して出力してしまう問題点を生ずる。ま
た、電源ＶＣＣが変動する場合は、その変動に追従して
電源ＶＥＥに対するトランジスタＱ１のベース電位が変
動することになり、電源ＶＣＣの変動を増幅して出力し
てしまう問題点を生ずる。

【０００４】本発明の目的は、電源電圧変動の影響が少
ないベース接地型光電気変換トランジスタ回路を提供す
ることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の原理を図１２に
示す。本発明の目的は、ベース接地トランジスタＱ１の
ベースに与えるバイアスＶＢを、負荷抵抗ＲＥと電源Ｖ
ＥＥとの接続点Ｎ１の電位の変動に追従する手段によっ
て与えることにより達成できる。

【０００６】

【作用】ベース接地トランジスタＱ１のベースとＮ１と
の電位差は、Ｎ１の電位の変動に追従するバイアス手段
ＶＢによって一定に保たれているので、該回路はエミッ
タ接地型増幅回路として動作せず、電源ＶＥＥ及び電源
ＶＣＣの変動を増幅して出力することはない。従って、
本発明によれば、電源電圧変動の影響が少ないベース接
地型光電気変換回路を提供することが可能となる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

【０００８】第１の実施例を図１に示す。トランジスタ
Ｑ１のコレクタを負荷抵抗Ｒ１を介して電源ＶＣＣ１に
接続し、エミッタを負荷抵抗Ｒ２を介して電源ＶＥＥ１
に接続する。ここで、負荷抵抗Ｒ２と電源ＶＥＥ１との
接続点をＮ１とする。ベースは接続点Ｎ２において、負
荷抵抗Ｒ３を介して電源ＶＣＣ１に接続すると共にダイ
オードＤ１、Ｄ２を介してＮ１に接続する。ホトダイオ
ードＰＤのアノードをトランジスタＱ１のエミッタと負
荷抵抗Ｒ２との接続点に接続し、カソードにはバイアス
電圧ＶＨを与える。出力はコレクタと負荷抵抗Ｒ１との
接続点ＯＵＴ１から得る。ホトダイオードＰＤに光信号
を入力すると光電流が発生し、負荷抵抗Ｒ２に流れる。
Ｎ２とＮ１の電位差は、ダイオードＤ１、Ｄ２の順方向
電圧によって一定に保持されているので、トランジスタ
Ｑ１は、ベース・エミッタ間電圧とＲ２の電圧降下の和
が一定となるようにエミッタ電流を変化させる。エミッ
タ電流の変化はコレクタ電流の変化となり、ＯＵＴ１の
電位が変化して出力信号となる。今、電源ＶＥＥ１の電
位が変動した場合のＮ１とＮ２の電位変動を考える。Ｎ
１の電位は該変動に追従して変化する。一方、Ｎ２の電
位はＮ１に対し、ダイオードＤ１、Ｄ２の順方向電圧を
加えた値となり、Ｎ１と同様に電源ＶＥＥ１の電位変動
に追従して変動することになる。しかし、Ｎ２とＮ１の
電位差は電源ＶＥＥ１の変動に係わらず一定の値となる
ので、該回路はエミッタ接地回路として動作しない。従
って、本実施例は電源ＶＥＥ１の変動の影響を受けず、
かつ電源ＶＣＣ１の変動を増幅して出力しない。また、
ベース電位は、ダイオード１個当たりの順方向電圧、直
列に接続するダイオードの個数、或いはダイオードに流
す電流を変更することにより、所望の電位に設定でき
る。

【０００９】本発明の第２の実施例を図２に示す。第１
の実施例と同様にトランジスタＱ１と負荷抵抗Ｒ１、Ｒ
２によってベース接地回路を構成し、負荷抵抗Ｒ２と電
源ＶＥＥ１との接続点をＮ１とする。ホトダイオードＰ
ＤのアノードをトランジスタＱ１のエミッタと負荷抵抗
Ｒ２との接続点に接続し、カソードにはバイアス電圧Ｖ
Ｈを与える。出力はトランジスタＱ１のコレクタと負荷
抵抗Ｒ１との接続点ＯＵＴ１から得る。トランジスタＱ
１のベースに与えるバイアスは、トランジスタＱ２、Ｑ
３及び負荷抵抗Ｒ４、Ｒ５及びＲ６からなる回路によっ
て与える。トランジスタＱ２のコレクタを負荷抵抗Ｒ４
を介して電源ＶＣＣ１に接続し、ベースを負荷抵抗Ｒ５
を介して電源ＶＣＣ１に接続し、エミッタを負荷抵抗Ｒ
６を介してＮ１に接続する。ここで、トランジスタＱ２
のベースと負荷抵抗Ｒ５の接続点をＮ２とする。次に、
トランジスタＱ３のコレクタをＮ２に接続し、ベースを
トランジスタＱ２のエミッタと負荷抵抗Ｒ６との接続点
に接続し、エミッタをＮ１に接続する。そして、トラン
ジスタＱ１のベースをＮ２に接続する。第１の実施例と
同様な原理に従い、Ｎ２とＮ１の電位差はトランジスタ
Ｑ２とＱ３のベース・エミッタ間電圧によって一定に保
持される。従って、本実施例は電源ＶＥＥ１の変動の影
響を受けず、かつ電源ＶＣＣ１の変動を増幅して出力し
ない。次に、本実施例特有の効果について述べる。今、
温度変化や製造ばらつきなどの原因により、トランジス
タＱ２、Ｑ３のベース・エミッタ間電圧が増加した場合
を考える。すると、トランジスタＱ１のベース電位が上
昇しようとするが、同時に負荷抵抗Ｒ５を流れる電流が
増加し、負荷抵抗Ｒ５に生ずる電圧降下が増大し、Ｎ２
の電位は降下する。逆に、トランジスタＱ２、Ｑ３のベ
ース・エミッタ間電圧が減少した場合には、トランジス
タＱ１のベース電位は降下しようとするが、同時に負荷
抵抗Ｒ５を流れる電流が減少し、負荷抵抗Ｒ５が生ずる
電圧降下が減少し、Ｎ２の電位は上昇する。以上の動作
により、Ｎ２とＮ１の電位差は、トランジスタＱ２、Ｑ
３のベース・エミッタ間電圧の増減及び電源ＶＥＥ１の
変動に係わらず一定値に保持される。

【００１０】本発明の第３の実施例を図３に示す。第２
の実施例おける負荷抵抗Ｒ６の代わりにトランジスタＱ
Ｃ１を設け、トランジスタＱ３とカレントミラー回路を
構成している。この場合も、第２の実施例と同様の効果
を期待できる。

【００１１】本発明の第４の実施例を図４に示す。本実
施例において、トランジスタＱ１のベースに与えるバイ
アスＶＢを供給する手段は図示していない。本実施例
は、トランジスタＱ１と負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２からなるベ
ース接地回路と、トランジスタＱ４と負荷抵抗Ｒ７から
なるエミッタホロワ回路によって構成される。ホトダイ
オードＰＤのアノードをトランジスタＱ１のエミッタと
負荷抵抗Ｒ２との接続点に接続し、カソードにはバイア
ス電圧ＶＨを与える。トランジスタＱ４のコレクタを電
源ＶＣＣ２に接続し、ベースはトランジスタＱ１のコレ
クタと負荷抵抗Ｒ１との接続点に接続し、エミッタは負
荷抵抗Ｒ７を介して電源ＶＥＥ２と接続する。出力はト
ランジスタＱ４のエミッタと負荷抵抗Ｒ７との接続点Ｏ
ＵＴ２から得る。エミッタホロワ回路が無い場合、ベー
ス接地回路の出力インピーダンスは負荷抵抗Ｒ１の値と
なり、出力信号線が長い場合には、このＲ１と配線によ
る浮遊容量がローパス・フィルタを形成することがあ
る。また、該出力インピーダンスと出力端子に接続した
負荷によって出力が分圧され、出力信号振幅が減少する
場合がある。本実施例は、ベース接地型光電気変換回路
にエミッタホロワ回路を接続することにより、回路の出
力インピーダンスを低下させると共に負荷駆動能力を高
め、前記の浮遊容量と負荷に対する影響を少なくする効
果がある。

【００１２】本発明の第５の実施例を図５に示す。本実
施例において、トランジスタＱ１、Ｑ５のベースに与え
るバイアスＶＢを供給する手段は図示していない。本実
施例は、少なくともトランジスタＱ１、Ｑ５と負荷抵抗
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８、Ｒ９からなるベース接地回路群と、
トランジスタＱ４、Ｑ６と負荷抵抗Ｒ７、Ｒ１０からな
るエミッタホロワ回路群と、差動増幅器Ａ１によって構
成される。ホトダイオードＰＤのアノードをトランジス
タＱ１のエミッタと負荷抵抗Ｒ２との接続点に接続し、
カソードにはバイアス電圧ＶＨを与える。トランジスタ
Ｑ４のエミッタと負荷抵抗Ｒ７との接続点Ｎ１と、トラ
ンジスタＱ６のエミッタと負荷抵抗Ｒ１０との接続点Ｎ
２とを、差動増幅器Ａ１の入力端子、すなわちトランジ
スタＱＡ１とトランジスタＱＡ２のベースと接続する。
差動増幅器Ａ１は、トランジスタＱＡ１、ＱＡ２と負荷
抵抗ＲＡ１、ＲＡ２及び定電流源ＩＧからなる。トラン
ジスタＱＡ１とＱＡ２のコレクタは、それぞれ、出力端
子Ｔ１、出力端子Ｔ２に接続するとともに、それぞれ、
負荷抵抗ＲＡ１、ＲＡ２を介して電源ＶＣＣ３に接続す
る。トランジスタＱＡ１とＱＡ２のエミッタを直結し、
定電流源ＩＧを介して電源ＶＥＥ３に接続する。本実施
例によれば、電源ＶＣＣ１の変動は、エミッタホロワ回
路を介して、差動増幅器Ａ１に対し同相信号として入力
される。差動増幅器は同相信号を抑圧する働きがあるの
で、本実施例によれば、電源ＶＣＣ１の変動の影響を受
けないベース接地型光電気変換回路を実現できる。

【００１３】本発明の第６の実施例を図６に示す。本実
施例は、第５の実施例におけるバイアスＶＢを供給する
手段の一例である。第５の実施例に対し、トランジスタ
Ｑ７と負荷抵抗Ｒ１１を付加する。トランジスタＱ７の
コレクタを負荷抵抗Ｒ１１を介して電源ＶＣＣ１に接続
し、ベースをトランジスタＱ５のエミッタと負荷抵抗Ｒ
９との接続点に接続し、エミッタを負荷抵抗Ｒ２と電源
ＶＥＥ１との接続点に接続する。そして、負荷抵抗Ｒ１
１とトランジスタＱ７のコレクタの接続点からバイアス
ＶＢを供給する。本実施例におけるトランジスタＱ５と
Ｑ７、負荷抵抗Ｒ８、Ｒ９及びＲ１１からなる回路は、
第２の実施例におけるトランジスタＱ１のベースにバイ
アスを与える回路と同じ構成である。従って、本実施例
は第２の実施例と第５の実施例の効果を兼ね備えてお
り、第２の実施例と第５の実施例を別々に構成して組み
合わせるよりも、部品数を少なくできる効果がある。

【００１４】本発明の第７の実施例を図７に示す。本実
施例は、第５の実施例に対してホトダイオードＰＤの接
続方法が異なる。本実施例では、ホトダイオードＰＤの
カソードを負荷抵抗Ｒ１２を介してバイアスＶＨと接続
するとともに、該カソードと負荷抵抗Ｒ１２の接続点を
コンデンサＣ１を介してトランジスタＱ５のエミッタと
負荷抵抗Ｒ９との接続点に接続する。負荷抵抗Ｒ１２と
コンデンサＣ１で決まる時定数を受信する光パルスの周
期より十分長く設定することにより、光電流は、トラン
ジスタＱ５のエミッタ電流を増加させ、トランジスタＱ
１のエミッタ電流を減少させる様に流れる。従って、ト
ランジスタＱ１が構成するベース接地回路とトランジス
タＱ５が構成するベース接地回路とでは、互いに逆相の
信号が入力されるので、互いに逆相の信号を出力するこ
とになる。その結果、差動増幅器Ａ１に互いに逆相の信
号が入力されることになり、単相の信号を入力する場合
に比べて２倍の出力信号振幅を得ることになる。つま
り、本実施例によれば、第５の実施例に比べて２倍の増
幅率を持つ光電気変換回路を実現できる。

【００１５】本発明の第８の実施例を図８に示す。本実
施例は、４個のベース接地型光電気変換回路２０１〜２
０４を基板３０１上に集積し、かつ各回路毎にベース接
地トランジスタのためのバイアス回路４０１〜４０４を
備えたものである。複数の光電気変換回路を同一基板上
に集積することにより、１個のチップで多チャンネルの
光信号を受信できる。ところが、１個のチップに複数の
ベース接地型光電気変換回路を集積した場合、チップ内
の場所による電源電位の変動によって、回路毎に動作点
がばらつくことがある。本実施例によれば、各回路毎に
ベース接地トランジスタのためのバイアス回路を備えて
いるので、場所による電源電位の変動の影響を抑制でき
る効果がある。また、光検出器を含む回路素子を同一基
板上に集積することにより、配線の寄生リアクタンスの
影響を最小にでき、回路の高速動作が期待できる。光検
出器とトランジスタ素子が集積可能な基板材料として
は、例えばＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰがある。

【００１６】本発明の第９の実施例を図９に示す。本実
施例は、光検出器を除いたベース接地型光電気変換回路
の回路部分５０１を基板３０１上に集積し、光検出器１
０１を基板３０１に対してフリップチップ実装したもの
である。光検出器１０１は、基板３０１上に作製された
回路５０１と半田バンプ６０１、６０２によって接続さ
れる。第８の実施例のように光検出器と他の回路素子を
モノリシックに集積する技術に比べ、フリッチップ実装
技術による光検出器の集積化は容易である。従って、本
実施例によれば、高速動作可能な回路を容易に実現でき
る。

【００１７】本発明の第１０の実施例を図１０に示す。
本実施例は、光検出器を除いた回路部分５０１を基板３
０１上に集積し、光検出器１０１を基板３０１に設けた
穴７０１に埋め込み、充填材７０２により固定したもの
である。光検出器１０１は該基板上に作製された回路５
０１と配線７０３によって接続される。本実施例によれ
ば、第９の実施例記載のフリップチップ実装技術に比
べ、基板３０１の表面は平らな面となり、該基板面に対
してさらにフリップチップ実装により、他の電子回路チ
ップ７０４を集積できる。従って、本実施例によれば、
集積密度の高いトランジスタ回路を実現できる。

【００１８】本発明の第１１の実施例を図１３に示す。
本実施例は、第１の実施例においてＮ１とＮ２をコンデ
ンサＣ２で接続し、電源ＶＣＣ１とＮ２をコンデンサＣ
３で接続したものである。本実施例によれば、電源ＶＣ
Ｃ１および、電源ＶＥＥ１の変動はコンデンサＣ２およ
びＣ３によって吸収されるので、第１の実施例に比べ
て、より電源電圧の変動の影響を受けないベース接地型
光電気変換回路を実現できる。

【００１９】本発明の第１２の実施例を図１４に示す。
ホトダイオードＰＤ１のカソードをバイアスＶＨ１に接
続し、該アノードをトランジスタＱ１のエミッタと第２
の負荷手段との接続点に接続する。そしてホトダイオー
ドＰＤ２のカソードをバイアスＶＨ２に接続し、該アノ
ードをトランジスタＱ５のエミッタと負荷抵抗Ｒ９との
接続点に接続する。本実施例によれば、ホトダイオード
ＰＤ１とＰＤ２に互いに逆相の信号を入力することによ
り、差動の光信号を受信するトランジスタ回路を実現で
きる。

【００２０】なお、本実施例に用いられるトランジスタ
は、シリコン或いは化合物半導体によるバイポーラトラ
ンジスタだけでなく、電界効果トランジスタを用いても
実現可能であることは容易に類推できる。

【００２１】また、本実施例に用いられるホトダイオー
ドは、ＰＩＮホトダイオード或いはＭＳＭホトダイオー
ドのいずれか、もしくはホトダイオードの代わりに光検
出器としてホトコンダクタを用いることができる。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電源電圧の変動に対して安定なベース接地型光電気変換
回路を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。

【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。

【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。

【図４】本発明の第４の実施例を示す図である。

【図５】本発明の第５の実施例を示す図である。

【図６】本発明の第６の実施例を示す図である。

【図７】本発明の第７の実施例を示す図である。

【図８】本発明の第８の実施例を示す図である。

【図９】本発明の第９の実施例を示す図である。

【図１０】本発明の第１０の実施例を示す図である。

【図１１】従来の技術を説明する図である。

【図１２】本発明の原理を説明する図である。

【図１３】本発明の第１１の実施例を示す図である。

【図１４】本発明の第１２の実施例を示す図である。

【符号の説明】

Ｑ１〜Ｑ７、ＱＡ１、ＱＡ２、ＱＣ１：トランジスタ、 ＲＬ、ＲＥ、ＲＢ、Ｒ１〜Ｒ１２、ＲＡ１、ＲＡ２：負
荷抵抗、 Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３：コンデンサ、 Ｄ１、Ｄ２：ダイオード、 ＰＤ、ＰＤ１、ＰＤ２：ホトダイオード、 ＶＣＣ、ＶＣＣ１、ＶＣＣ２、ＶＣＣ３、 ＶＥＥ、ＶＥＥ１、ＶＥＥ２、ＶＥＥ３：電源、 ＶＢ、ＶＨ、ＶＨ１、ＶＨ２：バイアス、 Ａ１：差動増幅器、 ＩＧ：定電流源、 Ｎ１、Ｎ２：素子の接続点、 ＩＮ：入力端子、 ＯＵＴ、ＯＵＴ１、ＯＵＴ２、Ｔ１、Ｔ２：出力端子、 １０１：光検出器、 ２０１〜２０４：ベース接地型光電気変換回路、 ３０１：基板、 ４０１〜４０４：バイアス回路、 ５０１：光検出器を除いたベース接地型光電気変換回路
の回路部分、 ６０１、６０２：半田バンプ、 ７０１：穴、 ７０２：充填材、 ７０３：配線、 ７０４：電子回路チップ。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のコレクタを第１の負荷手段を介して
   第１の電源に接続し、第１のベースを第１のバイアスに
   接続し、第１のエミッタを第２の負荷手段を介して第２
   の電源に接続した第１のトランジスタと、 第１のエミッタと第２の負荷手段との接続点に第１の端
   子を接続し、第２のバイアスに第２の端子を接続した第
   １の光検出器と、 第１の負荷手段と第１のコレクタとの接続点に接続した
   第１の出力端子を備えるトランジスタ回路において、 第２の負荷手段と第２の電源との接続点の電位に対し、
   第１のバイアスの電位を追従させるバイアス手段を備え
   ることを特徴とするトランジスタ回路。
2. 【請求項２】請求項１記載のトランジスタ回路におい
   て、 前記バイアス手段は、１つのダイオード、または２つ以
   上のダイオードを直列接続したダイオード回路からな
   り、 該ダイオード回路のアノードを第３の負荷手段を介して
   第１の電源に接続し、前記ダイオード回路のカソードを
   第２の負荷手段と第２の電源との接続点に接続し、 前記アノードと第３の負荷手段との接続点から第１のバ
   イアスを得ることを特徴とするトランジスタ回路。
3. 【請求項３】請求項１記載のトランジスタ回路におい
   て、 前記バイアス手段は、 第２のコレクタを第４の負荷手段を介して第１の電源に
   接続し、第２のベースを第５の負荷手段を介して第１の
   電源に接続し、第２のエミッタを第６の負荷手段を介し
   て第２の負荷手段と第２の電源との接続点に接続した第
   ２のトランジスタと、 第３のコレクタを第２のベースと第５の負荷手段との接
   続点に接続し、第３のベースを第２のエミッタと第６の
   負荷手段との接続点に接続し、第３のエミッタを第２の
   負荷手段と第２の電源との接続点に接続した第３のトラ
   ンジスタからなり、 第３のコレクタと第５の負荷手段との接続点から第１の
   バイアスを得ることを特徴とするトランジスタ回路。
4. 【請求項４】第４のコレクタを第３の電源に接続し、第
   ４のベースを第１の出力端子に接続し、第４のエミッタ
   を第７の負荷手段を介して第４の電源に接続した第４の
   トランジスタと、 第４のエミッタと第７の負荷手段との接続点に接続した
   第２の出力端子をさらに備えることを特徴とする請求項
   １から請求項３のいずれか一つに記載のトランジスタ回
   路。
5. 【請求項５】第５のコレクタを第８の負荷手段を介して
   第１の電源に接続し、第５のベースを第１のバイアスに
   接続し、第５のエミッタを第９の負荷手段を介して第２
   の負荷手段と第２の電源との接続点に接続した第５のト
   ランジスタと、 第６のコレクタを第３の電源に接続し、第６のベースを
   第５のコレクタと第８の負荷手段との接続点に接続し、
   第６のエミッタを第１０の負荷手段を介して第４の電源
   に接続した第６のトランジスタと、 第１０の負荷手段と第６のエミッタとの接続点に接続し
   た第３の出力端子と、 第２の出力端子と第３の出力端子が入力として接続され
   た差動増幅器をさらに備えることを特徴とする請求項４
   記載のトランジスタ回路。
6. 【請求項６】第７のコレクタを第１１の負荷手段を介し
   て第１の電源に接続し、第７のベースを第５のエミッタ
   と第９の負荷手段との接続点に接続し、第７のエミッタ
   を第２の負荷手段と第２の電源との接続点に接続した第
   ７のトランジスタをさらに備え、第７のコレクタと第１
   １の負荷手段との接続点から第１のバイアスを得ること
   を特徴とする請求項５記載のトランジスタ回路。
7. 【請求項７】請求項５記載のトランジスタ回路におい
   て、 第２の端子を第１２の負荷手段を介して第２のバイアス
   に接続し、 第２の端子と第１２の負荷手段との接続点と、第５のエ
   ミッタと第９の負荷手段との接続点を、第１の容量手段
   を介して接続したことを特徴とするトランジスタ回路。
8. 【請求項８】前記トランジスタ回路、または該回路から
   光検出器を除いたトランジスタ回路が、少なくとも１つ
   以上、同一基板にモノリシック集積されていることを特
   徴とする請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の
   トランジスタ回路。
9. 【請求項９】請求項８記載のトランジスタ回路におい
   て、 前記トランジスタ回路ごとに第１のバイアスを与えるバ
   イアス手段を備えることを特徴とするトランジスタ回
   路。
10. 【請求項１０】請求項８記載のトランジスタ回路におい
    て、 前記光検出器は、ホトダイオードまたはホトコンダクタ
    から成ることを特徴とするトランジスタ回路。
11. 【請求項１１】請求項８記載のトランジスタ回路におい
    て、 前記光検出器が前記基板上にフリップチップ実装、また
    はハイブリッド実装されていることを特徴とするトラン
    ジスタ回路。
12. 【請求項１２】請求項８記載のトランジスタ回路におい
    て、 前記基板がシリコンまたは化合物半導体からなり、 第１から第７のトランジスタが、バイポーラトランジス
    タまたは電界効果トランジスタから成ることを特徴とす
    るトランジスタ回路。
13. 【請求項１３】請求項２または請求項３記載のトランジ
    スタ回路において、 第２の負荷手段と第２の電源との接続点、或いは第１の
    電源の少なくとも一方に、第１のベースと第１のバイア
    スとの接続点を容量手段を介して接続したことを特徴と
    するトランジスタ回路。
14. 【請求項１４】請求項５記載のトランジスタ回路におい
    て、 第３の端子を第３のバイアスに接続し、 第４の端子を第５のエミッタと第９の負荷手段との接続
    点に接続した第２の光検出器を備えることを特徴とする
    トランジスタ回路。