JPH06163397A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH06163397A JPH06163397A JP31346792A JP31346792A JPH06163397A JP H06163397 A JPH06163397 A JP H06163397A JP 31346792 A JP31346792 A JP 31346792A JP 31346792 A JP31346792 A JP 31346792A JP H06163397 A JPH06163397 A JP H06163397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- resist
- exposure
- pattern
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定の特性を有するレジスト層を用いた２層
構造のレジストパターンを形成することができるパター
ン形成方法を提供する。 【構成】 基板１上に所定の特性を有する第１のレジス
ト層２を形成し、その上に露光により露光部の光透過率
が低下する第２のレジスト層３を形成する。露光後、第
２のレジスト層３は露光部の光透過率が低下し、第２の
レジスト層３を第１のレジスト層２のフォトマスクとし
て使用することができる。
構造のレジストパターンを形成することができるパター
ン形成方法を提供する。 【構成】 基板１上に所定の特性を有する第１のレジス
ト層２を形成し、その上に露光により露光部の光透過率
が低下する第２のレジスト層３を形成する。露光後、第
２のレジスト層３は露光部の光透過率が低下し、第２の
レジスト層３を第１のレジスト層２のフォトマスクとし
て使用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路等の製造に
おいて、レジスト層を形成する方法に関し、特に、２層
構造のレジスト層により微細なパターンを形成する方法
に関するものである。
おいて、レジスト層を形成する方法に関し、特に、２層
構造のレジスト層により微細なパターンを形成する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体集積回路素子、集積回路製
造用マスク、プリント配線板、印刷板などを製造する場
合、下地基板に対して、たとえばエッチングや拡散など
により選択的な加工が施される。この際、下地基板の被
加工部分を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、電
子線などの活性光線に感光する組成物、いわゆる感光性
レジスト被膜を下地基板上に形成する。次に、紫外線、
Ｘ線の場合、マスクを用いて、あるいは電子線の場合は
直接描画によって下地基板の上にレジストパターンを形
成する。このレジストにはポジ型とネガ型があり、前者
は露光部が現像液に溶解するが、未露光部が溶解しない
タイプであり、後者は逆のタイプである。現在、半導体
集積回路素子の製造にはポジ型レジストの方が多く用い
られ、しかもそれはベース樹脂であるアルカリ可溶性樹
脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物とから構
成されるものが主流である。
造用マスク、プリント配線板、印刷板などを製造する場
合、下地基板に対して、たとえばエッチングや拡散など
により選択的な加工が施される。この際、下地基板の被
加工部分を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、電
子線などの活性光線に感光する組成物、いわゆる感光性
レジスト被膜を下地基板上に形成する。次に、紫外線、
Ｘ線の場合、マスクを用いて、あるいは電子線の場合は
直接描画によって下地基板の上にレジストパターンを形
成する。このレジストにはポジ型とネガ型があり、前者
は露光部が現像液に溶解するが、未露光部が溶解しない
タイプであり、後者は逆のタイプである。現在、半導体
集積回路素子の製造にはポジ型レジストの方が多く用い
られ、しかもそれはベース樹脂であるアルカリ可溶性樹
脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物とから構
成されるものが主流である。
【０００３】ところで、半導体集積回路素子の高集積化
は驚異的な勢いで進んでおり、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉ
ｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を例
にとると現在では１６ＭビットＤＲＡＭが量産レベル
に、６４ＭビットＤＲＡＭが試作開発レベルにある。こ
のような集積化の向上に伴い、最小パターン寸法は１６
ＭビットＤＲＡＭでは０．５μｍであり、６４Ｍビット
ＤＲＡＭでは０．３５μｍが予想されている。現在、１
６ＭビットＤＲＡＭの量産、６４ＭビットＤＲＡＭの試
作開発にはｉ線ステッパが用いられるのが主流であり、
レジストにはノボラック−キノンジアジド系レジストが
用いられている。しかし、６４ＭビットＤＲＡＭの量産
やそれ以降のデバイス開発に対してさらに高い解像性が
必要とされる。
は驚異的な勢いで進んでおり、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉ
ｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を例
にとると現在では１６ＭビットＤＲＡＭが量産レベル
に、６４ＭビットＤＲＡＭが試作開発レベルにある。こ
のような集積化の向上に伴い、最小パターン寸法は１６
ＭビットＤＲＡＭでは０．５μｍであり、６４Ｍビット
ＤＲＡＭでは０．３５μｍが予想されている。現在、１
６ＭビットＤＲＡＭの量産、６４ＭビットＤＲＡＭの試
作開発にはｉ線ステッパが用いられるのが主流であり、
レジストにはノボラック−キノンジアジド系レジストが
用いられている。しかし、６４ＭビットＤＲＡＭの量産
やそれ以降のデバイス開発に対してさらに高い解像性が
必要とされる。
【０００４】そこで、解像力、プロセスマージンを向上
させる方法として、２層構造のレジスト層を用いるＰＣ
Ｍ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｃｏｍｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍａ
ｓｋｉｎｇ）法が提案されている。
させる方法として、２層構造のレジスト層を用いるＰＣ
Ｍ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｃｏｍｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍａ
ｓｋｉｎｇ）法が提案されている。
【０００５】以下、この方法の基本的な工程フローを図
３を参照しながら解説する。まず、図３の（ａ）に示す
ように、基板１上にＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）からなる第１のレジスト層７を形成し、その上にノ
ボラック系材料からなるポジ型の第２のレジスト層８を
形成する。
３を参照しながら解説する。まず、図３の（ａ）に示す
ように、基板１上にＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）からなる第１のレジスト層７を形成し、その上にノ
ボラック系材料からなるポジ型の第２のレジスト層８を
形成する。
【０００６】次に、図３の（ｂ）に示すように、一般に
露光に使用される紫外線９をフォトマスク１０で被覆さ
れた第２のレジスト層８に照射して露光を行なう。この
とき第２のレジスト８は紫外線９に反応して照射部が露
光されるが、ＰＭＭＡからなる第１のレジスト層７は紫
外線に反応しないので露光されない。
露光に使用される紫外線９をフォトマスク１０で被覆さ
れた第２のレジスト層８に照射して露光を行なう。この
とき第２のレジスト８は紫外線９に反応して照射部が露
光されるが、ＰＭＭＡからなる第１のレジスト層７は紫
外線に反応しないので露光されない。
【０００７】次に、図３の（ｃ）に示すように、第２の
レジスト層８だけを現像し、フォトマスク１０で被覆さ
れた部分だけが残留する。
レジスト層８だけを現像し、フォトマスク１０で被覆さ
れた部分だけが残留する。
【０００８】次に、図３の（ｄ）に示すように、基板全
面を短波長紫外線１１により照射する。第２のレジスト
層８は短波長紫外線１１を通さないため、第１のレジス
ト層７のフォトマスクとして機能する。一方、第１のレ
ジスト層７のＰＭＭＡは短波長紫外線１１に反応してポ
ジ型レジストの性質を示すため、露出部だけが短波長紫
外線１１により露光される。
面を短波長紫外線１１により照射する。第２のレジスト
層８は短波長紫外線１１を通さないため、第１のレジス
ト層７のフォトマスクとして機能する。一方、第１のレ
ジスト層７のＰＭＭＡは短波長紫外線１１に反応してポ
ジ型レジストの性質を示すため、露出部だけが短波長紫
外線１１により露光される。
【０００９】最後に、図３の（ｅ）に示すように、適当
な溶媒たとえばクロルベンゼン等を用いて現像すること
により、第２のレジスト層８を残したまま第１のレジス
ト層７だけを現像することができ、高精度なレジストパ
ターンを基板１上に形成することができる。
な溶媒たとえばクロルベンゼン等を用いて現像すること
により、第２のレジスト層８を残したまま第１のレジス
ト層７だけを現像することができ、高精度なレジストパ
ターンを基板１上に形成することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のパターン形成方法では、下層のレジスト層に短波
長紫外線に反応するレジスト層を用いなければならなか
った。このような特性を有するレジスト層はＰＭＭＡし
かなく、ＰＭＭＡ以外に所定の特性を有するレジスト層
を用いることができないという問題点があった。
従来のパターン形成方法では、下層のレジスト層に短波
長紫外線に反応するレジスト層を用いなければならなか
った。このような特性を有するレジスト層はＰＭＭＡし
かなく、ＰＭＭＡ以外に所定の特性を有するレジスト層
を用いることができないという問題点があった。
【００１１】本発明の目的は、所定の特性を有するレジ
スト層を用いた２層構造のレジストパターンを形成する
ことができるパターン形成方法を提供することである。
スト層を用いた２層構造のレジストパターンを形成する
ことができるパターン形成方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成方
法は、基板上に所定の特性を有する第１のレジスト層を
形成する工程と、第１のレジスト層の上に露光により露
光部の光透過率が低下する第２のレジスト層を形成する
工程と、第１および第２のレジスト層を露光して所定の
パターンを転写する工程とを含んでいる。
法は、基板上に所定の特性を有する第１のレジスト層を
形成する工程と、第１のレジスト層の上に露光により露
光部の光透過率が低下する第２のレジスト層を形成する
工程と、第１および第２のレジスト層を露光して所定の
パターンを転写する工程とを含んでいる。
【００１３】
【作用】本発明のパターン形成方法においては、上層に
露光により露光部の光透過率が低下する第２のレジスト
層を形成しているので、露光後、第２のレジスト層の露
光部の光透過率が低下し、現像により露光部以外を除去
することにより、第２のレジスト層を第１のレジスト層
のフォトマスクとして使用することができる。したがっ
て、第１のレジスト層は一般的な露光反応を示すもので
あれば、所定の特性を有するレジスト層を使用すること
ができる。
露光により露光部の光透過率が低下する第２のレジスト
層を形成しているので、露光後、第２のレジスト層の露
光部の光透過率が低下し、現像により露光部以外を除去
することにより、第２のレジスト層を第１のレジスト層
のフォトマスクとして使用することができる。したがっ
て、第１のレジスト層は一般的な露光反応を示すもので
あれば、所定の特性を有するレジスト層を使用すること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例であるパターン形成
方法について図１の工程フローを参照しながら説明す
る。
方法について図１の工程フローを参照しながら説明す
る。
【００１５】まず、図１の（ａ）に示すように、基板１
上に第１のレジスト層２を約１〜２μｍの膜厚で塗布す
る。第１のレジスト層２は所定の特性たとえばドライエ
ッチング耐性が高いポジ型レジストでナフトキノンジア
ジド基を含む感光剤とノボラック樹脂とから構成される
ものである。その後、８０〜１００℃で約７０秒間プリ
ベークを行なう。次に第１のレジスト層２の上に第２の
レジスト層３を約０．８μｍの膜厚で塗布する。第１の
レジスト層３はネガ型レジストでビスアジド化合物とノ
ボラック樹脂から構成されるものである。その後、約８
０℃で約７０秒間のプリベークを行なう。以上の工程に
より、基板１上に第１のレジスト層２および第２のレジ
スト層３が形成される。
上に第１のレジスト層２を約１〜２μｍの膜厚で塗布す
る。第１のレジスト層２は所定の特性たとえばドライエ
ッチング耐性が高いポジ型レジストでナフトキノンジア
ジド基を含む感光剤とノボラック樹脂とから構成される
ものである。その後、８０〜１００℃で約７０秒間プリ
ベークを行なう。次に第１のレジスト層２の上に第２の
レジスト層３を約０．８μｍの膜厚で塗布する。第１の
レジスト層３はネガ型レジストでビスアジド化合物とノ
ボラック樹脂から構成されるものである。その後、約８
０℃で約７０秒間のプリベークを行なう。以上の工程に
より、基板１上に第１のレジスト層２および第２のレジ
スト層３が形成される。
【００１６】次に、図１の（ｂ）に示すように、所望の
パターンを描いたフォトマスク５を介してステッパによ
りｉ線４を照射して露光する。その後、約８０℃で約７
０秒間のベークを行なう。このとき、第２のレジスト層
３は露光により光透過率が低下する。この現象を以下に
説明すると、第２のレジスト層３はアジド基（−Ｎ3）
を含むアジド化合物とベース樹脂（たとえばノボラック
樹脂）から構成されているため、以下の反応を示す。
パターンを描いたフォトマスク５を介してステッパによ
りｉ線４を照射して露光する。その後、約８０℃で約７
０秒間のベークを行なう。このとき、第２のレジスト層
３は露光により光透過率が低下する。この現象を以下に
説明すると、第２のレジスト層３はアジド基（−Ｎ3）
を含むアジド化合物とベース樹脂（たとえばノボラック
樹脂）から構成されているため、以下の反応を示す。
【００１７】
【化１】
【００１８】上記の反応により、露光によりナイトレン
ラジカルがベース樹脂と架橋反応を起こして光透過率が
低下する。露光の前後での光の波長に対する光透過率の
変化を図２に示す。図２より波長３６５ｎｍのｉ線４に
対する光透過率は８３．５％から３９．５％まで低下し
ていることがわかる。この結果、第２のレジスト層３を
第１のレジスト層２のフォトマスクとして使用すること
が可能となり、第１のレジスト層２は一般的な露光反応
を示すものであれば、所定の特性を有するレジスト層を
任意に選択して使用することが可能となる。
ラジカルがベース樹脂と架橋反応を起こして光透過率が
低下する。露光の前後での光の波長に対する光透過率の
変化を図２に示す。図２より波長３６５ｎｍのｉ線４に
対する光透過率は８３．５％から３９．５％まで低下し
ていることがわかる。この結果、第２のレジスト層３を
第１のレジスト層２のフォトマスクとして使用すること
が可能となり、第１のレジスト層２は一般的な露光反応
を示すものであれば、所定の特性を有するレジスト層を
任意に選択して使用することが可能となる。
【００１９】次に、図１の（ｃ）に示すように、約２．
３８％の濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液等のアルカリ性現像液で現像すると、第２のレジ
スト層３の露光されていない部分だけが除去され、第２
のレジスト層３の露光部と第１のレジスト層２はそのま
ま残った状態となる。
３８％の濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液等のアルカリ性現像液で現像すると、第２のレジ
スト層３の露光されていない部分だけが除去され、第２
のレジスト層３の露光部と第１のレジスト層２はそのま
ま残った状態となる。
【００２０】次に、図１の（ｄ）に示すように、基板全
面にステッパによりｉ線６を１５０〜２００ｍＪ／ｃｍ
2 の強度で露光する。このとき、第２のレジスト層３は
光透過率が低下しているため、ｉ線６を通さず、第２の
レジスト層３がフォトマスクとして機能し、第１のレジ
スト層２の露出した部分だけが露光される。
面にステッパによりｉ線６を１５０〜２００ｍＪ／ｃｍ
2 の強度で露光する。このとき、第２のレジスト層３は
光透過率が低下しているため、ｉ線６を通さず、第２の
レジスト層３がフォトマスクとして機能し、第１のレジ
スト層２の露出した部分だけが露光される。
【００２１】最後に図１の（ｅ）に示すように、１１０
〜１２０℃の温度で約９０秒間のベークを行なった後、
約２．３８％の濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液等のアルカリ性現像液で現像する。このと
き、第１のレジスト層２の露光された部分だけがアルカ
リ性現像液と反応して除去され、最終的に高精度なレジ
ストパターンを形成することができる。
〜１２０℃の温度で約９０秒間のベークを行なった後、
約２．３８％の濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液等のアルカリ性現像液で現像する。このと
き、第１のレジスト層２の露光された部分だけがアルカ
リ性現像液と反応して除去され、最終的に高精度なレジ
ストパターンを形成することができる。
【００２２】上記のパターン形成方法に用いた第１のレ
ジスト層２は、特性として高いドライエッチング耐性を
有しているので、この後、ドライエッチングを行なって
も高精度なレジストパターンのままドライエッチングを
行なうことができ、高精度なドライエッチングを行なう
ことができる。
ジスト層２は、特性として高いドライエッチング耐性を
有しているので、この後、ドライエッチングを行なって
も高精度なレジストパターンのままドライエッチングを
行なうことができ、高精度なドライエッチングを行なう
ことができる。
【００２３】上記実施例では、第１のレジスト層２に一
般のポジ型レジストを用いたが、短波長紫外線用ポジ型
レジストを用い、第２のレジスト層３をパターニングし
た後、エキシマ光や短波長紫外線により全面露光するこ
とにより、第１のレジスト層２の光透過率がさらに低下
してフォトマスクとしての遮光機能を向上させることが
できる。また、第２のレジスト層３を電子線直接描画に
よりパターニングしても同様の効果を得ることができ
る。
般のポジ型レジストを用いたが、短波長紫外線用ポジ型
レジストを用い、第２のレジスト層３をパターニングし
た後、エキシマ光や短波長紫外線により全面露光するこ
とにより、第１のレジスト層２の光透過率がさらに低下
してフォトマスクとしての遮光機能を向上させることが
できる。また、第２のレジスト層３を電子線直接描画に
よりパターニングしても同様の効果を得ることができ
る。
【００２４】また上記実施例では、第２のレジスト層２
をｉ線４を用いて露光したが、ＫｒＦエキシマ光を用い
て露光すれば、ｉ線４より短波長であるため、さらに高
解像力を得ることができるとともに、第１のレジスト層
２の光透過率がさらに低下してフォトマスクとしての遮
光機能を向上させることができる。
をｉ線４を用いて露光したが、ＫｒＦエキシマ光を用い
て露光すれば、ｉ線４より短波長であるため、さらに高
解像力を得ることができるとともに、第１のレジスト層
２の光透過率がさらに低下してフォトマスクとしての遮
光機能を向上させることができる。
【００２５】また、フォトマスク５としてレベンソン型
の位相シフトマスクを用いることにより、さらに微細な
レジストパターンを得ることができる。
の位相シフトマスクを用いることにより、さらに微細な
レジストパターンを得ることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明のパターン形成方法においては、
露光により第２のレジスト層の露光部は光透過率が低下
して第２のレジスト層を第１のレジスト層のフォトマス
クとして使用することができるので、第１のレジスト層
は一般的な露光反応を示すレジスト層であればよく、特
に限定されるものではない。したがって、所定の特性を
有するレジスト層を用いた２層構造のレジストパターン
を形成することが可能となる。
露光により第２のレジスト層の露光部は光透過率が低下
して第２のレジスト層を第１のレジスト層のフォトマス
クとして使用することができるので、第１のレジスト層
は一般的な露光反応を示すレジスト層であればよく、特
に限定されるものではない。したがって、所定の特性を
有するレジスト層を用いた２層構造のレジストパターン
を形成することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例のパターン形成方法の工程フ
ロー図である。
ロー図である。
【図２】第２のレジスト層の露光前後での光透過率を示
す図である。
す図である。
【図３】従来のパターン形成方法の工程フロー図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 第１のレジスト層 ３ 第２のレジスト層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に所定の特性を有する第１のレジ
スト層を形成する工程と、 前記第１のレジスト層の上に露光により露光部の光透過
率が低下する第２のレジスト層を形成する工程と、 前記第１および第２のレジスト層を露光して所定のパタ
ーンを転写する工程とを含むパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記第１のレジスト層は高いドライエッ
チング耐性を有するレジスト層を含む請求項１記載のパ
ターン形成方法。 - 【請求項３】 前記第２のレジスト層はアジド系ネガ型
レジスト層を含む請求項１記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31346792A JPH06163397A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31346792A JPH06163397A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163397A true JPH06163397A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18041660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31346792A Withdrawn JPH06163397A (ja) | 1992-11-24 | 1992-11-24 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163397A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574999B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
-
1992
- 1992-11-24 JP JP31346792A patent/JPH06163397A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574999B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의 패턴 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4211834A (en) | Method of using a o-quinone diazide sensitized phenol-formaldehyde resist as a deep ultraviolet light exposure mask | |
| JP3355239B2 (ja) | パターンの形成方法 | |
| US5455145A (en) | Method of manufacturing double layer resist pattern and double layer resist structure | |
| US20060160028A1 (en) | Method of forming fine patterns of a semiconductor device | |
| JP2000315647A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR20040094706A (ko) | 이중 파장을 이용한 자기정렬 패턴 형성 방법 | |
| US6900134B1 (en) | Method for forming openings in a substrate using bottom antireflective coatings | |
| KR101698661B1 (ko) | 감광성 재료의 제조 및 이용 방법 | |
| JP3028816B2 (ja) | フォトレジストシステムおよびフォトエッチング方法 | |
| US20080318153A1 (en) | Photosensitive layer stack | |
| JPH06163397A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02262319A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH06267890A (ja) | 小さなマスク開口部を製造するためのリソグラフィー方法およびその製造物 | |
| KR101168393B1 (ko) | 이중 노광 공정을 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR100272519B1 (ko) | 반도체소자의 패터닝방법 | |
| JPH01106049A (ja) | パターン形成方法 | |
| WO1986001914A1 (en) | Photolithography process using positive photoresist containing unbleachable light absorbing agent | |
| JP5008275B2 (ja) | 液浸リソグラフィ・プロセスとそのプロセス用構造 | |
| JP2714967B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR920003808B1 (ko) | 미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법 | |
| KR100422956B1 (ko) | 미세패턴형성방법 | |
| KR20020000351A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH06291024A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH11153867A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR940011204B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |