JPH06151529A - 半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置Info
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- JPH06151529A JPH06151529A JP30528892A JP30528892A JPH06151529A JP H06151529 A JPH06151529 A JP H06151529A JP 30528892 A JP30528892 A JP 30528892A JP 30528892 A JP30528892 A JP 30528892A JP H06151529 A JPH06151529 A JP H06151529A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハテストにおけるAl電極上のアルミナ
膜による探針劣化やトラブルの発生を防ぐ。 【構成】 ウエハプロセスS1が終了して半導体装置が
形成されている半導体ウエハが保管工程S2で保管され
ている。不良導体除去工程S3において、保管工程S2
で保管している間に半導体ウエハの表面に発生した不良
導体を除去する。その後、ウエハテスト工程S4におい
て、探針を使って半導体ウエハとの導通を取りながら半
導体ウエハの電気的特性を測定する。 【効果】 アルミナなどの微量の絶縁物が半導体ウエハ
の電極上に存在することによるウエハテスト時のトラブ
ルを防止することができる。
膜による探針劣化やトラブルの発生を防ぐ。 【構成】 ウエハプロセスS1が終了して半導体装置が
形成されている半導体ウエハが保管工程S2で保管され
ている。不良導体除去工程S3において、保管工程S2
で保管している間に半導体ウエハの表面に発生した不良
導体を除去する。その後、ウエハテスト工程S4におい
て、探針を使って半導体ウエハとの導通を取りながら半
導体ウエハの電気的特性を測定する。 【効果】 アルミナなどの微量の絶縁物が半導体ウエハ
の電極上に存在することによるウエハテスト時のトラブ
ルを防止することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法におけるウエハテスト工程に関し、特に探針を使った
電気的特性の測定を行うウエハテスト工程の前処置に関
するもの及びその測定に用いられるウエハテスト装置に
関するものである。
法におけるウエハテスト工程に関し、特に探針を使った
電気的特性の測定を行うウエハテスト工程の前処置に関
するもの及びその測定に用いられるウエハテスト装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】図13〜15に従来の半導体装置の製造
工程及び製造装置の一例を示す。図13は、従来の半導
体装置の製造工程の一部を示すフローチャートであり、
図において、S01は半導体ウエハに薄膜形成技術やド
ーピング技術等を用いて半導体素子を形成するウエハプ
ロセス、S02はウエハプロセスS01で半導体素子の
形成が完了した半導体ウエハの保管を行う保管工程、S
03は保管工程S02で保管されている半導体ウエハの
電気的特性などの試験を行うウエハテスト工程、S04
はウエハテスト工程S03が終了した半導体ウエハの保
管を行う保管工程、S05は保管工程S04で保管され
ている半導体ウエハより個々の半導体装置の組み立てを
行うアセンブリ工程を示す。
工程及び製造装置の一例を示す。図13は、従来の半導
体装置の製造工程の一部を示すフローチャートであり、
図において、S01は半導体ウエハに薄膜形成技術やド
ーピング技術等を用いて半導体素子を形成するウエハプ
ロセス、S02はウエハプロセスS01で半導体素子の
形成が完了した半導体ウエハの保管を行う保管工程、S
03は保管工程S02で保管されている半導体ウエハの
電気的特性などの試験を行うウエハテスト工程、S04
はウエハテスト工程S03が終了した半導体ウエハの保
管を行う保管工程、S05は保管工程S04で保管され
ている半導体ウエハより個々の半導体装置の組み立てを
行うアセンブリ工程を示す。
【0003】ウエハプロセスS01において、ウエハプ
ロセスが終了して半導体素子の形成が完了した半導体ウ
エハは一旦保管され(保管工程S02)、この後ウエハ
テスト工程S03にて電気特性などのテストをされ、こ
の後また一旦保管され(保管工程S04)、アセンブリ
工程S05で半導体装置へと組み立てられる。
ロセスが終了して半導体素子の形成が完了した半導体ウ
エハは一旦保管され(保管工程S02)、この後ウエハ
テスト工程S03にて電気特性などのテストをされ、こ
の後また一旦保管され(保管工程S04)、アセンブリ
工程S05で半導体装置へと組み立てられる。
【0004】次に、図13に示した従来のウエハテスト
工程S03において用いられる半導体ウエハに形成され
た半導体素子の電気的特性を測定するウエハテスト装置
を図14に示す。図14は従来のウエハテスト装置の概
略を示す図であり、10は半導体素子の形成が終了した
測定前の半導体ウエハ、11は測定前のウエハ10を収
納するケース、18は電気的特性の測定等が終了した半
導体ウエハ、19は測定後の半導体ウエハ18を収納す
るケース、12はケース11から半導体ウエハ10を搬
出して電気的特性を測定する位置の真下までx軸方向に
搬送する搬送部、13は搬送部12によって搬送されて
きた半導体ウエハ14を載せて上下方向、即ちy軸方向
に移動して半導体ウエハ14を測定位置に移送し、また
測定の終了した半導体ウエハ14を搬出する位置まで移
送するステージ、16は半導体ウエハの測定を行うため
の周辺回路をもつテストヘッド、15は測定位置に移送
された半導体ウエハ14に接触してテストヘッド16と
半導体ウエハ14内の半導体素子と電気的接続を行うた
めの測定用探針、20はテストヘッド16に対して測定
のための信号を出力するテスタ、17はステージ13上
の測定が終了した半導体ウエハ14をケース19まで搬
送する搬送部、21は搬送部12,17及びステージ1
3を測定の状況に応じてテスタ20と信号の送受信を行
いながら動かすためのコントローラである。
工程S03において用いられる半導体ウエハに形成され
た半導体素子の電気的特性を測定するウエハテスト装置
を図14に示す。図14は従来のウエハテスト装置の概
略を示す図であり、10は半導体素子の形成が終了した
測定前の半導体ウエハ、11は測定前のウエハ10を収
納するケース、18は電気的特性の測定等が終了した半
導体ウエハ、19は測定後の半導体ウエハ18を収納す
るケース、12はケース11から半導体ウエハ10を搬
出して電気的特性を測定する位置の真下までx軸方向に
搬送する搬送部、13は搬送部12によって搬送されて
きた半導体ウエハ14を載せて上下方向、即ちy軸方向
に移動して半導体ウエハ14を測定位置に移送し、また
測定の終了した半導体ウエハ14を搬出する位置まで移
送するステージ、16は半導体ウエハの測定を行うため
の周辺回路をもつテストヘッド、15は測定位置に移送
された半導体ウエハ14に接触してテストヘッド16と
半導体ウエハ14内の半導体素子と電気的接続を行うた
めの測定用探針、20はテストヘッド16に対して測定
のための信号を出力するテスタ、17はステージ13上
の測定が終了した半導体ウエハ14をケース19まで搬
送する搬送部、21は搬送部12,17及びステージ1
3を測定の状況に応じてテスタ20と信号の送受信を行
いながら動かすためのコントローラである。
【0005】このウエハテスト装置において、ケース1
1内の半導体ウエハ10は、搬送部12によりステージ
13に搬送される。この後ステージ13が上下に動き、
測定用探針15が、ウエハに接触した時点で、テストヘ
ッド16及びテスタ20により半導体ウエハ内に形成さ
れている半導体素子の電気的特性が測定される。この測
定はふつうの大気中で常温で行なわれるのが一般的であ
る。
1内の半導体ウエハ10は、搬送部12によりステージ
13に搬送される。この後ステージ13が上下に動き、
測定用探針15が、ウエハに接触した時点で、テストヘ
ッド16及びテスタ20により半導体ウエハ内に形成さ
れている半導体素子の電気的特性が測定される。この測
定はふつうの大気中で常温で行なわれるのが一般的であ
る。
【0006】次に、図13に示した従来のウエハテスト
工程S03における電気的特性を測定する半導体ウエハ
14の測定用電極と測定用探針15との状態を図15に
示す。図15はウエハテスト工程における測定用電極に
測定用探針が接触しているところを拡大して示した断面
図である。図15において、C11は半導体素子の形成
されている半導体ウエハ、C12は半導体ウエハC11
に形成された半導体素子と外部との電気的接続を取るた
め半導体ウエハC11上に設けられたのAl電極、C1
3はAl電極C12の上にできたアルミナの膜、C14
は半導体素子を保護するため半導体ウエハC11上に設
けられたガラスコート膜、C15は半導体素子の電気的
特性を測定するためAl電極C12と接触している測定
用探針を示している。
工程S03における電気的特性を測定する半導体ウエハ
14の測定用電極と測定用探針15との状態を図15に
示す。図15はウエハテスト工程における測定用電極に
測定用探針が接触しているところを拡大して示した断面
図である。図15において、C11は半導体素子の形成
されている半導体ウエハ、C12は半導体ウエハC11
に形成された半導体素子と外部との電気的接続を取るた
め半導体ウエハC11上に設けられたのAl電極、C1
3はAl電極C12の上にできたアルミナの膜、C14
は半導体素子を保護するため半導体ウエハC11上に設
けられたガラスコート膜、C15は半導体素子の電気的
特性を測定するためAl電極C12と接触している測定
用探針を示している。
【0007】ここで、ウエハテスト工程S03で行われ
るウエハテストは半導体ウエハC11上に形成されたA
l電極C12に測定用探針C15を接触させて行なう
が、Al電極C12上には絶縁物であるアルミナの膜C
13ができているため、測定用探針C15を、Al電極
C12に強くおしつけてAl電極C12と測定用探針C
15とを接触させる必要がある。
るウエハテストは半導体ウエハC11上に形成されたA
l電極C12に測定用探針C15を接触させて行なう
が、Al電極C12上には絶縁物であるアルミナの膜C
13ができているため、測定用探針C15を、Al電極
C12に強くおしつけてAl電極C12と測定用探針C
15とを接触させる必要がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法および装置は以上のように構成されているので、
ウエハプロセスS01後、またウエハ保管中にAl電極
C12上に一定の厚さのアルミナの膜C13が形成され
るので十分に低い抵抗値での接触を得るためには、探針
C15を強い力でAl電極C12におしつける必要があ
るが、強く押しつけすぎると、探針C15の劣化が激し
くなる。
造方法および装置は以上のように構成されているので、
ウエハプロセスS01後、またウエハ保管中にAl電極
C12上に一定の厚さのアルミナの膜C13が形成され
るので十分に低い抵抗値での接触を得るためには、探針
C15を強い力でAl電極C12におしつける必要があ
るが、強く押しつけすぎると、探針C15の劣化が激し
くなる。
【0009】また、探針C15を強く押しつけすぎると
Al電極C12や、場合によってはガラスコートC14
を破損する場合もあり、探針C15の押しつける圧力の
調節が困難であるなどの問題点があった。
Al電極C12や、場合によってはガラスコートC14
を破損する場合もあり、探針C15の押しつける圧力の
調節が困難であるなどの問題点があった。
【0010】さらに、探針の先端に酸化物が形成された
り、アルミナC13等がAl電極C12よりはがれて探
針C15に付着したりすることにより、測定装置に不具
合が発生したり、探針C15が酸化して半導体素子・半
導体測定装置間を電気信号が流れにくくなるという問題
点があった。
り、アルミナC13等がAl電極C12よりはがれて探
針C15に付着したりすることにより、測定装置に不具
合が発生したり、探針C15が酸化して半導体素子・半
導体測定装置間を電気信号が流れにくくなるという問題
点があった。
【0011】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、アルミナの膜がない、あるい
は非常にうすい状態で測定できる半導体装置の製造方法
及び製造装置を得るものである。
るためになされたもので、アルミナの膜がない、あるい
は非常にうすい状態で測定できる半導体装置の製造方法
及び製造装置を得るものである。
【0012】また、探針の表面上の酸化物を還元しなが
ら測定できる半導体装置の製造方法を得ることを目的と
する。
ら測定できる半導体装置の製造方法を得ることを目的と
する。
【0013】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る半導体
装置の製造方法は、半導体ウエハあるいは半導体ウエハ
上に形成された半導体素子の電気的特性を測定するた
め、半導体ウエハの所定部位に探針を接触させて電気的
特性を測定するウエハテスト工程を有する半導体装置の
製造方法であって、前記ウエハテスト工程の前に、前記
探針が接触する前記半導体ウエハ上の不良導体を除去す
る工程を備えて構成されている。
装置の製造方法は、半導体ウエハあるいは半導体ウエハ
上に形成された半導体素子の電気的特性を測定するた
め、半導体ウエハの所定部位に探針を接触させて電気的
特性を測定するウエハテスト工程を有する半導体装置の
製造方法であって、前記ウエハテスト工程の前に、前記
探針が接触する前記半導体ウエハ上の不良導体を除去す
る工程を備えて構成されている。
【0014】第2の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第1の発明の不良導体を除去する工程に、前記半導
体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるい
は前記還元作用を有する物質を含む気体の中に放置する
工程を含むことを特徴とする。
は、第1の発明の不良導体を除去する工程に、前記半導
体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるい
は前記還元作用を有する物質を含む気体の中に放置する
工程を含むことを特徴とする。
【0015】第3の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第2の発明の半導体ウエハを気体中に放置する工程
に、前記還元作用を有する気体、あるいは前記還元作用
を有する物質を含む気体、または前記半導体ウエハのい
ずれかあるいは両方が加熱されている状態で、前記半導
体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるい
は前記還元作用を有する物質を含む気体の中に放置する
工程を含むことを特徴とする。
は、第2の発明の半導体ウエハを気体中に放置する工程
に、前記還元作用を有する気体、あるいは前記還元作用
を有する物質を含む気体、または前記半導体ウエハのい
ずれかあるいは両方が加熱されている状態で、前記半導
体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるい
は前記還元作用を有する物質を含む気体の中に放置する
工程を含むことを特徴とする。
【0016】第4の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第2の発明のウエハテスト工程に、前記半導体ウエ
ハを所定の測定位置に移動するとともに、前記還元作用
を有する気体、あるいは前記還元作用を有する物質を含
む気体を前記測定位置に供給しつつ電気的特性を測定す
る工程を含むことを特徴としている。
は、第2の発明のウエハテスト工程に、前記半導体ウエ
ハを所定の測定位置に移動するとともに、前記還元作用
を有する気体、あるいは前記還元作用を有する物質を含
む気体を前記測定位置に供給しつつ電気的特性を測定す
る工程を含むことを特徴としている。
【0017】第5の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第4の発明の還元作用を有する気体、あるいは還元
作用を有する物質を含む気体に、水素ガスを含有するフ
ォーミングガスを含むことを特徴としている。
は、第4の発明の還元作用を有する気体、あるいは還元
作用を有する物質を含む気体に、水素ガスを含有するフ
ォーミングガスを含むことを特徴としている。
【0018】第6の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第1の発明の不良導体を除去する工程に、前記半導
体ウエハ上の不良導体をエッチングにより除去する工程
を含むことを特徴とする。
は、第1の発明の不良導体を除去する工程に、前記半導
体ウエハ上の不良導体をエッチングにより除去する工程
を含むことを特徴とする。
【0019】第7の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第1の発明の不良導体を除去する工程に、スパッタ
エッチングにより前記半導体ウエハ上の不良導体を除去
する工程を含むことを特徴とする。
は、第1の発明の不良導体を除去する工程に、スパッタ
エッチングにより前記半導体ウエハ上の不良導体を除去
する工程を含むことを特徴とする。
【0020】第8の発明に係るウエハテスト装置は、半
導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成された半導体
装置の電気的特性を測定するため、半導体ウエハの所定
部位に探針を接触させて電気的特性を測定するウエハテ
スト装置であって、測定を開始する前の前記半導体ウエ
ハを還元作用を有する気体、あるいは還元作用を有する
物質を含む気体中で一定時間保持するストック部を備え
て構成されている。
導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成された半導体
装置の電気的特性を測定するため、半導体ウエハの所定
部位に探針を接触させて電気的特性を測定するウエハテ
スト装置であって、測定を開始する前の前記半導体ウエ
ハを還元作用を有する気体、あるいは還元作用を有する
物質を含む気体中で一定時間保持するストック部を備え
て構成されている。
【0021】第9の発明に係るウエハテスト装置は、第
8の発明のストック部は、前記気体または前記半導体ウ
エハのいずれか、あるいは両方を加熱して、該還元作用
を有する気体、あるいは該還元作用を有する物質を含む
気体中で測定を開始する前の前記半導体ウエハを一定時
間保持するストック部を含むことを特徴とする。
8の発明のストック部は、前記気体または前記半導体ウ
エハのいずれか、あるいは両方を加熱して、該還元作用
を有する気体、あるいは該還元作用を有する物質を含む
気体中で測定を開始する前の前記半導体ウエハを一定時
間保持するストック部を含むことを特徴とする。
【0022】第10の発明に係るウエハテスト装置は、
第8あるいは第9の発明のウエハテスト装置において、
半導体ウエハの所定の電気的特性測定時に、前記還元作
用を有する気体、あるいは還元作用を有する物質を含む
気体を測定位置に供給する吹き出し口をさらに備えて構
成されている。
第8あるいは第9の発明のウエハテスト装置において、
半導体ウエハの所定の電気的特性測定時に、前記還元作
用を有する気体、あるいは還元作用を有する物質を含む
気体を測定位置に供給する吹き出し口をさらに備えて構
成されている。
【0023】第11の発明に係るウエハテスト装置は、
第8の発明のウエハテスト装置において、吹き出し口よ
り供給する前記還元作用を有する気体、あるいは前記還
元作用を有する物質を含む気体を加熱する加熱手段をさ
らに備えて構成されている。
第8の発明のウエハテスト装置において、吹き出し口よ
り供給する前記還元作用を有する気体、あるいは前記還
元作用を有する物質を含む気体を加熱する加熱手段をさ
らに備えて構成されている。
【0024】第12の発明に係る半導体装置の製造方法
は、半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成された
半導体素子の電気的特性を測定するため、半導体ウエハ
の所定部位に探針を接触させて電気的特性を測定するウ
エハテスト工程を有する半導体装置の製造方法であっ
て、前記探針に、還元作用を有する気体、あるいは還元
作用を有する物質を含む気体を吹き当てながらウエハテ
ストを行うことを特徴とする。
は、半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に形成された
半導体素子の電気的特性を測定するため、半導体ウエハ
の所定部位に探針を接触させて電気的特性を測定するウ
エハテスト工程を有する半導体装置の製造方法であっ
て、前記探針に、還元作用を有する気体、あるいは還元
作用を有する物質を含む気体を吹き当てながらウエハテ
ストを行うことを特徴とする。
【0025】第13の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第12の発明の探針に吹き当てる前記気体に、水素
ガスを含ませたフォーミングガスを用いることを特徴と
する。
は、第12の発明の探針に吹き当てる前記気体に、水素
ガスを含ませたフォーミングガスを用いることを特徴と
する。
【0026】第14の発明に係る半導体装置の製造方法
は、第13の発明の半導体装置の製造方法において、前
記探針、あるいは前記探針に吹き当てる前記気体のいず
れか、あるいは両方が加熱されていることを特徴とす
る。
は、第13の発明の半導体装置の製造方法において、前
記探針、あるいは前記探針に吹き当てる前記気体のいず
れか、あるいは両方が加熱されていることを特徴とす
る。
【0027】
【作用】第1の発明における不良導体を除去する工程に
おいて、探針が接触する半導体ウエハ上の不良導体を除
去する。その後に、ウエハテスト工程を行って半導体ウ
エハに探針を接触させて電気的特性を測定するので、探
針と接触する半導体ウエハ上の不良導体が除去され、形
成されていたとしても薄いので探針が半導体装置に与え
る荷重を小さく抑えても探針と半導体ウエハ間で十分導
通をとることができる。
おいて、探針が接触する半導体ウエハ上の不良導体を除
去する。その後に、ウエハテスト工程を行って半導体ウ
エハに探針を接触させて電気的特性を測定するので、探
針と接触する半導体ウエハ上の不良導体が除去され、形
成されていたとしても薄いので探針が半導体装置に与え
る荷重を小さく抑えても探針と半導体ウエハ間で十分導
通をとることができる。
【0028】第2の発明における不良導体を除去する工
程は、半導体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気
体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体の中に放
置するので、気体の還元作用によって半導体ウエハ上の
不良導体を除去することができる。その後に、ウエハテ
スト工程を行って半導体ウエハに探針を接触させて電気
的特性を測定するので、探針と接触する半導体ウエハ上
の不良導体が除去され、形成されていたとしても薄いの
で探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えても探針
と半導体ウエハ間で十分導通をとることができる。
程は、半導体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気
体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体の中に放
置するので、気体の還元作用によって半導体ウエハ上の
不良導体を除去することができる。その後に、ウエハテ
スト工程を行って半導体ウエハに探針を接触させて電気
的特性を測定するので、探針と接触する半導体ウエハ上
の不良導体が除去され、形成されていたとしても薄いの
で探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えても探針
と半導体ウエハ間で十分導通をとることができる。
【0029】第3の発明における半導体ウエハを気体中
に放置する工程は、還元作用を有する気体、あるいは還
元作用を有する物質を含む気体、または半導体ウエハの
いずれか、あるいは両方が加熱されており、前記気体の
還元作用を高め、半導体ウエハ上の不良導体を速やかに
除去することができる。その後に、ウエハテスト工程を
行って半導体ウエハに探針を接触させて電気的特性を測
定するので、探針と接触する半導体ウエハ上の不良導体
が除去され、形成されていたとしても薄いので探針が半
導体装置に与える荷重を小さく抑えても探針と半導体ウ
エハ間で十分導通をとることができる。
に放置する工程は、還元作用を有する気体、あるいは還
元作用を有する物質を含む気体、または半導体ウエハの
いずれか、あるいは両方が加熱されており、前記気体の
還元作用を高め、半導体ウエハ上の不良導体を速やかに
除去することができる。その後に、ウエハテスト工程を
行って半導体ウエハに探針を接触させて電気的特性を測
定するので、探針と接触する半導体ウエハ上の不良導体
が除去され、形成されていたとしても薄いので探針が半
導体装置に与える荷重を小さく抑えても探針と半導体ウ
エハ間で十分導通をとることができる。
【0030】第4の発明におけるウエハテスト工程は、
半導体ウエハを気体中に放置する工程によって不良導体
を除去した後、半導体ウエハを所定の測定位置に移動す
るとともに、還元作用を有する気体、あるいは還元作用
を有する物質を含む気体を吹きつけつつ、空気中の酸素
等により半導体ウエハ上に再び不良導体が形成されるの
を防ぎながら電気的特性を測定することができる。
半導体ウエハを気体中に放置する工程によって不良導体
を除去した後、半導体ウエハを所定の測定位置に移動す
るとともに、還元作用を有する気体、あるいは還元作用
を有する物質を含む気体を吹きつけつつ、空気中の酸素
等により半導体ウエハ上に再び不良導体が形成されるの
を防ぎながら電気的特性を測定することができる。
【0031】第5の発明における測定位置に供給される
気体に、水素ガスを含ませたフォーミングガスを用いて
行うことによって、半導体ウエハの所定部位に不良導体
が形成されるのを防止することができる。従って、半導
体ウエハ上に探針を接触させ測定する際、探針に接触す
る半導体ウエハの不良導体が形成され難くなり、探針と
半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針が半導体装
置に与える荷重を小さく抑えることができる。また、フ
ォーミングガスを用いているので安全に測定が行える。
気体に、水素ガスを含ませたフォーミングガスを用いて
行うことによって、半導体ウエハの所定部位に不良導体
が形成されるのを防止することができる。従って、半導
体ウエハ上に探針を接触させ測定する際、探針に接触す
る半導体ウエハの不良導体が形成され難くなり、探針と
半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針が半導体装
置に与える荷重を小さく抑えることができる。また、フ
ォーミングガスを用いているので安全に測定が行える。
【0032】第6の発明における不良導体を除去する工
程は、半導体ウエハ上の不良導体をエッチングにより除
去する。その後に、ウエハテスト工程を行って半導体ウ
エハに探針を接触させて電気的特性を測定するので、探
針と接触する半導体ウエハ上の不良導体が除去され、形
成されていたとしても薄いので探針が半導体装置に与え
る荷重を小さく抑えても探針と半導体ウエハ間で十分導
通をとることができる。
程は、半導体ウエハ上の不良導体をエッチングにより除
去する。その後に、ウエハテスト工程を行って半導体ウ
エハに探針を接触させて電気的特性を測定するので、探
針と接触する半導体ウエハ上の不良導体が除去され、形
成されていたとしても薄いので探針が半導体装置に与え
る荷重を小さく抑えても探針と半導体ウエハ間で十分導
通をとることができる。
【0033】第7の発明における不良導体を除去する工
程は、スパッタエッチングにより半導体ウエハ上の不良
導体を除去する。その後に、ウエハテスト工程を行って
半導体ウエハに探針を接触させて電気的特性を測定する
ので、探針と接触する半導体ウエハ上の不良導体が除去
され、形成されていたとしても薄いので探針が半導体装
置に与える荷重を小さく抑えても探針と半導体ウエハ間
で十分導通をとることができる。
程は、スパッタエッチングにより半導体ウエハ上の不良
導体を除去する。その後に、ウエハテスト工程を行って
半導体ウエハに探針を接触させて電気的特性を測定する
ので、探針と接触する半導体ウエハ上の不良導体が除去
され、形成されていたとしても薄いので探針が半導体装
置に与える荷重を小さく抑えても探針と半導体ウエハ間
で十分導通をとることができる。
【0034】第8の発明におけるストック部は、測定を
開始する前の前記半導体ウエハを還元作用のある気体中
で一定時間保持することによって半導体ウエハ上に形成
された不良導体を除去する。そしてその後、半導体ウエ
ハ上に探針を接触させ測定する際、探針と接触する半導
体ウエハ上の不良導体が除去され、形成されていたとし
ても薄いので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるた
めに探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えること
ができる。
開始する前の前記半導体ウエハを還元作用のある気体中
で一定時間保持することによって半導体ウエハ上に形成
された不良導体を除去する。そしてその後、半導体ウエ
ハ上に探針を接触させ測定する際、探針と接触する半導
体ウエハ上の不良導体が除去され、形成されていたとし
ても薄いので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるた
めに探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えること
ができる。
【0035】第9の発明におけるストック部は、気体ま
たは半導体ウエハのいずれか、あるいは両方を加熱し
て、還元作用のある気体中で測定を開始する前の半導体
ウエハを一定時間保持することによって、前記気体の還
元作用を高め、半導体ウエハ上に形成された不良導体を
速やかに除去する。そしてその後、半導体ウエハ上に探
針を接触させ測定する際、探針と接触する半導体ウエハ
上の不良導体が除去され、形成されていたとしても薄い
ので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針
が半導体装置に与える荷重を小さく抑えることができ
る。
たは半導体ウエハのいずれか、あるいは両方を加熱し
て、還元作用のある気体中で測定を開始する前の半導体
ウエハを一定時間保持することによって、前記気体の還
元作用を高め、半導体ウエハ上に形成された不良導体を
速やかに除去する。そしてその後、半導体ウエハ上に探
針を接触させ測定する際、探針と接触する半導体ウエハ
上の不良導体が除去され、形成されていたとしても薄い
ので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針
が半導体装置に与える荷重を小さく抑えることができ
る。
【0036】第10の発明における吹き出し口は、半導
体ウエハの所定の電気的特性測定時に、還元作用を有す
る気体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体を吹
きつけることによって、ストック部で不良導体が除去さ
れた半導体ウエハ上に再び不良導体が形成されるのを防
止することができる。従って、半導体ウエハ上に探針を
接触させ測定する際、探針と接触する半導体ウエハ上の
不良導体が除去され、形成されていたとしても薄いので
探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針が半
導体装置に与える荷重を小さく抑えることができる。
体ウエハの所定の電気的特性測定時に、還元作用を有す
る気体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体を吹
きつけることによって、ストック部で不良導体が除去さ
れた半導体ウエハ上に再び不良導体が形成されるのを防
止することができる。従って、半導体ウエハ上に探針を
接触させ測定する際、探針と接触する半導体ウエハ上の
不良導体が除去され、形成されていたとしても薄いので
探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針が半
導体装置に与える荷重を小さく抑えることができる。
【0037】第11の発明における加熱手段は、吹き出
し口より吹きつける還元作用を有する気体、あるいは還
元作用を有する物質を含む気体を加熱することによって
還元作用を高め、ストック部で不良導体が除去された半
導体ウエハ上に再び不良導体が形成されるのを防止する
ことができる。従って、半導体ウエハ上に探針を接触さ
せ測定する際、探針と接触する半導体ウエハ上の不良導
体が除去され、形成されていたとしても薄いので探針と
半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針が半導体装
置に与える荷重を小さく抑えることができる。
し口より吹きつける還元作用を有する気体、あるいは還
元作用を有する物質を含む気体を加熱することによって
還元作用を高め、ストック部で不良導体が除去された半
導体ウエハ上に再び不良導体が形成されるのを防止する
ことができる。従って、半導体ウエハ上に探針を接触さ
せ測定する際、探針と接触する半導体ウエハ上の不良導
体が除去され、形成されていたとしても薄いので探針と
半導体ウエハ間で十分導通をとるために探針が半導体装
置に与える荷重を小さく抑えることができる。
【0038】第12の発明におけるウエハテスト工程に
おいて、探針に還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体を吹き当てながらウエハテス
トを行うことによって、探針の表面に不良導体が形成さ
れるのを防止することができる。従って、半導体ウエハ
上に探針を接触させ測定する際、半導体ウエハと接触す
る探針表面の不良導体が除去され、形成されていたとし
ても薄いので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるた
めに探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えること
ができる。
おいて、探針に還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体を吹き当てながらウエハテス
トを行うことによって、探針の表面に不良導体が形成さ
れるのを防止することができる。従って、半導体ウエハ
上に探針を接触させ測定する際、半導体ウエハと接触す
る探針表面の不良導体が除去され、形成されていたとし
ても薄いので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるた
めに探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えること
ができる。
【0039】第13の発明における探針に吹き当てる気
体は、水素ガスを含ませたフォーミングガスを用いて行
うことによって、探針の表面に不良導体が形成されるの
を防止することができる。従って、半導体ウエハ上に探
針を接触させ測定する際、半導体ウエハと接触する探針
表面の不良導体が除去され、形成されていたとしても薄
いので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるために探
針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えることができ
る。また、フォーミングガスを用いているので安全に測
定が行える。
体は、水素ガスを含ませたフォーミングガスを用いて行
うことによって、探針の表面に不良導体が形成されるの
を防止することができる。従って、半導体ウエハ上に探
針を接触させ測定する際、半導体ウエハと接触する探針
表面の不良導体が除去され、形成されていたとしても薄
いので探針と半導体ウエハ間で十分導通をとるために探
針が半導体装置に与える荷重を小さく抑えることができ
る。また、フォーミングガスを用いているので安全に測
定が行える。
【0040】第14の発明における探針、あるいは探針
に吹き当てる気体のいずれか、あるいは両方が加熱され
ているため、還元作用を高め、探針の表面に不良導体が
形成されるのを防止することができる。従って、半導体
ウエハ上に探針を接触させ測定する際、半導体ウエハと
接触する探針表面の不良導体が除去され、形成されてい
たとしても薄いので探針と半導体ウエハ間で十分導通を
とるために探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑え
ることができる。
に吹き当てる気体のいずれか、あるいは両方が加熱され
ているため、還元作用を高め、探針の表面に不良導体が
形成されるのを防止することができる。従って、半導体
ウエハ上に探針を接触させ測定する際、半導体ウエハと
接触する探針表面の不良導体が除去され、形成されてい
たとしても薄いので探針と半導体ウエハ間で十分導通を
とるために探針が半導体装置に与える荷重を小さく抑え
ることができる。
【0041】
【実施例】以下、この発明の半導体装置の製造方法に係
る概略を図1を用いて説明する。図1において、S1は
半導体ウエハに薄膜形成技術やドーピング技術等を用い
て半導体素子を形成するウエハプロセス、S2はウエハ
プロセスS1で半導体素子の形成が完了した半導体ウエ
ハの保管を行う保管工程、S3は保管工程S2において
保管されていた半導体ウエハ表面に生成したアルミナ等
の不良導体を除去する不良導体除去工程、S4は不良導
体除去工程S3が終了した半導体ウエハの電気的特性な
どの試験を行うウエハテスト工程、S5はウエハテスト
工程S4を終了した半導体ウエハの保管を行う保管工
程、S6は保管工程S5に保管されている半導体ウエハ
よりこの半導体装置への組み立てを行うアセンブリ工程
を示す。
る概略を図1を用いて説明する。図1において、S1は
半導体ウエハに薄膜形成技術やドーピング技術等を用い
て半導体素子を形成するウエハプロセス、S2はウエハ
プロセスS1で半導体素子の形成が完了した半導体ウエ
ハの保管を行う保管工程、S3は保管工程S2において
保管されていた半導体ウエハ表面に生成したアルミナ等
の不良導体を除去する不良導体除去工程、S4は不良導
体除去工程S3が終了した半導体ウエハの電気的特性な
どの試験を行うウエハテスト工程、S5はウエハテスト
工程S4を終了した半導体ウエハの保管を行う保管工
程、S6は保管工程S5に保管されている半導体ウエハ
よりこの半導体装置への組み立てを行うアセンブリ工程
を示す。
【0042】ウエハプロセスS1においてプロセスが終
了して半導体素子の形成が完了した半導体ウエハは一旦
保管され(保管工程S2)、半導体ウエハ上の不良導体
が除去され(不良導体除去工程S3)、ウエハテスト工
程S4にて探針を使って半導体ウエハ上に形成されてい
る半導体素子の電気特性などのテストがなされ、この後
また一旦保管され(保管工程S5)、アセンブリ工程S
6で半導体装置へと組み立てられる。
了して半導体素子の形成が完了した半導体ウエハは一旦
保管され(保管工程S2)、半導体ウエハ上の不良導体
が除去され(不良導体除去工程S3)、ウエハテスト工
程S4にて探針を使って半導体ウエハ上に形成されてい
る半導体素子の電気特性などのテストがなされ、この後
また一旦保管され(保管工程S5)、アセンブリ工程S
6で半導体装置へと組み立てられる。
【0043】この発明の半導体装置の製造方法が従来の
半導体装置の製造方法と異なる点は、不良導体除去工程
S3を備えて構成されている点である。不良導体除去工
程S3においてウエハテスト工程でテスト装置の探針が
接触する半導体ウエハ表面の不良導体が除去されるため
電気的試験を容易に行うことができる。
半導体装置の製造方法と異なる点は、不良導体除去工程
S3を備えて構成されている点である。不良導体除去工
程S3においてウエハテスト工程でテスト装置の探針が
接触する半導体ウエハ表面の不良導体が除去されるため
電気的試験を容易に行うことができる。
【0044】次に、この発明の第1実施例による半導体
装置の製造方法を図2乃至図4を用いて説明する。図2
において、S3Aは、保管工程S2の後に設けられた還
元作用をもつ水素ガスH2 を含んだ窒素N2 雰囲気中に
半導体ウエハを一定時間保持する工程であり、その他図
1と同一符号は図1と同一もしくは図1と同等の工程を
示す。図2は、この発明の第1実施例による半導体装置
の製造方法を示すフローチャートである。図2に示した
半導体装置の製造方法は、図1に示した不良導体除去工
程S3として窒素ガスと水素ガス(以下H2 +N2 と記
す)雰囲気中に放置するH2 +N2 雰囲気保存工程S3
Aを備えて構成されている点である。還元作用をもつ雰
囲気中にウエハを一定時間保持することにより、例えば
半導体ウエハ上に形成され外部との電気的導通を取るた
めのAl電極上のアルミナが還元され、アルミニウムA
lとなる。そのためウエハテスト工程S4における電気
的特性の試験が容易に行えるようになる。
装置の製造方法を図2乃至図4を用いて説明する。図2
において、S3Aは、保管工程S2の後に設けられた還
元作用をもつ水素ガスH2 を含んだ窒素N2 雰囲気中に
半導体ウエハを一定時間保持する工程であり、その他図
1と同一符号は図1と同一もしくは図1と同等の工程を
示す。図2は、この発明の第1実施例による半導体装置
の製造方法を示すフローチャートである。図2に示した
半導体装置の製造方法は、図1に示した不良導体除去工
程S3として窒素ガスと水素ガス(以下H2 +N2 と記
す)雰囲気中に放置するH2 +N2 雰囲気保存工程S3
Aを備えて構成されている点である。還元作用をもつ雰
囲気中にウエハを一定時間保持することにより、例えば
半導体ウエハ上に形成され外部との電気的導通を取るた
めのAl電極上のアルミナが還元され、アルミニウムA
lとなる。そのためウエハテスト工程S4における電気
的特性の試験が容易に行えるようになる。
【0045】次いで、第1実施例に用いられるウエハテ
スト装置を図3について説明する。例を示すウエハテス
ト装置であり、図3において、35はケース11及びそ
の中の半導体ウエハ10を還元作用を有するガス雰囲気
中に置いておくためのチャンバー部、31は還元作用を
有するガスを供給するためのガスボンベ、32はガスボ
ンベ31からチャンバー部35へ還元作用を有するガス
を送るガス管、34はガス管32を流れるガスの流量を
調整する流量調整弁であり、その他の図14と同一符号
は図14と同一もしくは相当する部分を示す。
スト装置を図3について説明する。例を示すウエハテス
ト装置であり、図3において、35はケース11及びそ
の中の半導体ウエハ10を還元作用を有するガス雰囲気
中に置いておくためのチャンバー部、31は還元作用を
有するガスを供給するためのガスボンベ、32はガスボ
ンベ31からチャンバー部35へ還元作用を有するガス
を送るガス管、34はガス管32を流れるガスの流量を
調整する流量調整弁であり、その他の図14と同一符号
は図14と同一もしくは相当する部分を示す。
【0046】ケース11内にある測定前のウエハ10
は、まずチャンバー部35の中に入れられガスボンベ3
1からガス管32及び流量調整弁34を通って送られて
くる還元作用を有するガスの雰囲気中に一定時間放置さ
れた後、搬送部12によりチャンバー部35から取り出
され、ステージ13に送られ、測定用探針15に接触さ
れ電気的特性を測定される。なお、チャンバー部35か
ら取り出されたのちの動作は図14に示したウエハテス
ト装置と同様に行われる。
は、まずチャンバー部35の中に入れられガスボンベ3
1からガス管32及び流量調整弁34を通って送られて
くる還元作用を有するガスの雰囲気中に一定時間放置さ
れた後、搬送部12によりチャンバー部35から取り出
され、ステージ13に送られ、測定用探針15に接触さ
れ電気的特性を測定される。なお、チャンバー部35か
ら取り出されたのちの動作は図14に示したウエハテス
ト装置と同様に行われる。
【0047】この時ガスボンベ31内の気体には、還元
作用を有する一種類のガスで構成される気体であって
も、還元作用を有するガスを含む混合ガスであってもよ
く、例えばH2 +N2 フォーミングガスなどの還元作用
をもつ気体を用いれば、上記効果が得られ、さらにフォ
ーミングガスは安全性が高いので生産性のよいウエハテ
スト装置が得られる。
作用を有する一種類のガスで構成される気体であって
も、還元作用を有するガスを含む混合ガスであってもよ
く、例えばH2 +N2 フォーミングガスなどの還元作用
をもつ気体を用いれば、上記効果が得られ、さらにフォ
ーミングガスは安全性が高いので生産性のよいウエハテ
スト装置が得られる。
【0048】図4は、図3に示した半導体ウエハ14と
測定用探針の一部を拡大した断面図である。図4におい
て、C13aはAl電極上のアルミナの膜であり、その
他図15と同一符号は図15と同一もしくは相当する部
分を示す。
測定用探針の一部を拡大した断面図である。図4におい
て、C13aはAl電極上のアルミナの膜であり、その
他図15と同一符号は図15と同一もしくは相当する部
分を示す。
【0049】図2に示すウエハプロセスS1が完了した
半導体ウエハは、一旦保管され(保管工程S2)、ウエ
ハテスト工程S4が実施される直前に、不良導体除去工
程であるH2 +N2 雰囲気保存工程S3AによりAl電
極C12の上にあるアルミナ膜を除去する。この直後に
ウエハテスト工程S4が実施されるため、ウエハテスト
はアルミナ膜がない状況あるいは非常に薄いアルミナ膜
C13aの存在する状況で行うことができる。そのため
測定用探針C15をAl電極上C12に押しつける強さ
は、従来に比べて小さくしても、測定用探針C15とA
l電極C16との間で十分な導通が得られ、探針C15
をAl電極C16に押しつける強度調整が容易な製造方
法が得られ、探針C15の先端のヨゴレ等によるトラブ
ルの少ない製造方法が得られる。
半導体ウエハは、一旦保管され(保管工程S2)、ウエ
ハテスト工程S4が実施される直前に、不良導体除去工
程であるH2 +N2 雰囲気保存工程S3AによりAl電
極C12の上にあるアルミナ膜を除去する。この直後に
ウエハテスト工程S4が実施されるため、ウエハテスト
はアルミナ膜がない状況あるいは非常に薄いアルミナ膜
C13aの存在する状況で行うことができる。そのため
測定用探針C15をAl電極上C12に押しつける強さ
は、従来に比べて小さくしても、測定用探針C15とA
l電極C16との間で十分な導通が得られ、探針C15
をAl電極C16に押しつける強度調整が容易な製造方
法が得られ、探針C15の先端のヨゴレ等によるトラブ
ルの少ない製造方法が得られる。
【0050】図5にこの発明の第2実施例による半導体
装置の製造方法のフローチャートを示す。図において、
S3Bは半導体ウエハを還元作用をもつ高温の雰囲気
(ここではH2 +N2 フォーミングガス)中に半導体ウ
エハを一定時間保持する工程であり、その他図1と同一
符号は図1と同一もしくは図1と同等の工程を示す。高
温の還元作用をもつ雰囲気(H2 +N2 フォーミングガ
ス)中に半導体ウエハを保存することにより、第1実施
例よりも速やかにアルミナ膜等の不良導体を除去するこ
とができる。
装置の製造方法のフローチャートを示す。図において、
S3Bは半導体ウエハを還元作用をもつ高温の雰囲気
(ここではH2 +N2 フォーミングガス)中に半導体ウ
エハを一定時間保持する工程であり、その他図1と同一
符号は図1と同一もしくは図1と同等の工程を示す。高
温の還元作用をもつ雰囲気(H2 +N2 フォーミングガ
ス)中に半導体ウエハを保存することにより、第1実施
例よりも速やかにアルミナ膜等の不良導体を除去するこ
とができる。
【0051】次に、この発明の第2実施例に用いられる
ウエハテスト装置を図6について説明する。図6におい
て、37はヒーター、36はヒーター37をコントロー
ルするヒーターコントローラであり、その他図4と同一
符号は図4と同一もしくは相当する部分を示す。チャン
バー35内の還元作用を有するガスはヒーター36によ
り熱せられるため、還元反応が促進され、半導体ウエハ
上の不良導体が速やかに除去されるなど第2実施例で示
したと同等の効果が、さらに効率よく得られる。
ウエハテスト装置を図6について説明する。図6におい
て、37はヒーター、36はヒーター37をコントロー
ルするヒーターコントローラであり、その他図4と同一
符号は図4と同一もしくは相当する部分を示す。チャン
バー35内の還元作用を有するガスはヒーター36によ
り熱せられるため、還元反応が促進され、半導体ウエハ
上の不良導体が速やかに除去されるなど第2実施例で示
したと同等の効果が、さらに効率よく得られる。
【0052】次に、この発明の第3実施例に用いられる
ウエハテスト装置を図7について説明する。図7におい
て、38はステージ13上にある半導体ウエハ14にガ
スボンベ31内のガスを供給するためのノズルの付いた
ガス管であり、その途中に流量調整弁34を備えてお
り、その他図6と同一符号は図6と同一もしくは相当す
る部分を示す。このウエハテスト装置によれば、ステー
ジ13上の半導体ウエハ14は、測定中においてもガス
管38によってH2 +N2 フォーミングガス等を供給さ
れているため、Al電極のアルミニウムが空気中の酸素
と反応してアルミニウムの表面に不良導体が形成される
のを防止することができる。
ウエハテスト装置を図7について説明する。図7におい
て、38はステージ13上にある半導体ウエハ14にガ
スボンベ31内のガスを供給するためのノズルの付いた
ガス管であり、その途中に流量調整弁34を備えてお
り、その他図6と同一符号は図6と同一もしくは相当す
る部分を示す。このウエハテスト装置によれば、ステー
ジ13上の半導体ウエハ14は、測定中においてもガス
管38によってH2 +N2 フォーミングガス等を供給さ
れているため、Al電極のアルミニウムが空気中の酸素
と反応してアルミニウムの表面に不良導体が形成される
のを防止することができる。
【0053】次に、この発明の第4実施例に用いられる
ウエハテスト装置を図8にいて説明する。図8におい
て、39はヒーター、40はヒーター39をコントロー
ルするヒーターコントローラであり、その他図7と同一
符号は図7と同一もしくは相当する部分を示す。ガスボ
ンべ31から送出された気体は、ガス管38内でヒータ
ー39で熱せられて半導体ウエハ14の測定位置に供給
される。半導体ウエハ14の測定位置に供給される前に
ヒーター39により熱せられるため、還元作用が高めら
れ、半導体ウエハ上の不良導体が形成されにくくなるな
ど第3実施例で示した以上の効果が得られる。
ウエハテスト装置を図8にいて説明する。図8におい
て、39はヒーター、40はヒーター39をコントロー
ルするヒーターコントローラであり、その他図7と同一
符号は図7と同一もしくは相当する部分を示す。ガスボ
ンべ31から送出された気体は、ガス管38内でヒータ
ー39で熱せられて半導体ウエハ14の測定位置に供給
される。半導体ウエハ14の測定位置に供給される前に
ヒーター39により熱せられるため、還元作用が高めら
れ、半導体ウエハ上の不良導体が形成されにくくなるな
ど第3実施例で示した以上の効果が得られる。
【0054】図9にこの発明の第5実施例による製造工
程を示す。図において、S3Cはエッチング工程であ
る。図1に示した不良導体除去工程S3としてエッチン
グ工程を設けており、その他の工程は図1に示したと同
様である。エッチング工程において、例えば半導体ウエ
ハを燐酸水溶液に所定時間浸すことより半導体ウエハの
Al電極上にできたアルミナ膜を除去することができ、
前記第1実施例と同様の効果を奏する。
程を示す。図において、S3Cはエッチング工程であ
る。図1に示した不良導体除去工程S3としてエッチン
グ工程を設けており、その他の工程は図1に示したと同
様である。エッチング工程において、例えば半導体ウエ
ハを燐酸水溶液に所定時間浸すことより半導体ウエハの
Al電極上にできたアルミナ膜を除去することができ、
前記第1実施例と同様の効果を奏する。
【0055】図10にこの発明の第6実施例による製造
工程を示す。図において、S3Dはスパッタエッチング
工程である。図1に示した不良導体除去工程S3として
エッチング工程を設けており、その他の工程は図1に示
したと同様である。スパッタエッチング工程において、
半導体ウエハをスパッタエッチングすると半導体ウエハ
のAl電極上にできたアルミナ膜を除去することがで
き、前記第1実施例と同様の効果を奏する。
工程を示す。図において、S3Dはスパッタエッチング
工程である。図1に示した不良導体除去工程S3として
エッチング工程を設けており、その他の工程は図1に示
したと同様である。スパッタエッチング工程において、
半導体ウエハをスパッタエッチングすると半導体ウエハ
のAl電極上にできたアルミナ膜を除去することがで
き、前記第1実施例と同様の効果を奏する。
【0056】なお、第1乃至第4実施例では、H2 +N
2 フォーミングガスを例にとって説明したが、他の還元
作用を有するガスでもよい。
2 フォーミングガスを例にとって説明したが、他の還元
作用を有するガスでもよい。
【0057】また第3、第4の実施例において、チャン
バー35内の気体と、測定が行われている半導体ウエハ
14に吹きつける気体は同一ガスボンベ31より供給さ
れるが、異なるボンベから供給されても、また、異なる
種類の気体が供給されてもよい。
バー35内の気体と、測定が行われている半導体ウエハ
14に吹きつける気体は同一ガスボンベ31より供給さ
れるが、異なるボンベから供給されても、また、異なる
種類の気体が供給されてもよい。
【0058】また、第2、第4実施例においては、気体
のみを加熱するように示していたが、半導体ウエハ10
も同時に、あるいは半導体ウエハ10、14のみを加熱
してもよい。
のみを加熱するように示していたが、半導体ウエハ10
も同時に、あるいは半導体ウエハ10、14のみを加熱
してもよい。
【0059】また、この発明においては、電極上のアル
ミナの除去について例にとって説明したが、測定のた
め、あるいは測定の際、探針が接触する部位の半導体ウ
エハのSiO2 や、他の異物残りによる不良導体にも効
果がある。
ミナの除去について例にとって説明したが、測定のた
め、あるいは測定の際、探針が接触する部位の半導体ウ
エハのSiO2 や、他の異物残りによる不良導体にも効
果がある。
【0060】次に、この発明の第7実施例について図1
1を用いて説明する。図11において、2は測定用の探
針、3は特定の気体を探針2に吹き当てるための吹き出
し口、4は還元作用を有するガスであり、その他の図1
5と同一符号は図15と同一もしくは相当する部分を示
す。
1を用いて説明する。図11において、2は測定用の探
針、3は特定の気体を探針2に吹き当てるための吹き出
し口、4は還元作用を有するガスであり、その他の図1
5と同一符号は図15と同一もしくは相当する部分を示
す。
【0061】吹き出し口3から還元作用を有するガス4
を探針2に吹き当てることにより、探針2の表面上の酸
化物を還元しながら測定する。なおその際、被測定物で
ある半導体ウエハC11の上に形成されているAl電極
C12の表面のアルミナ膜C13も還元される。
を探針2に吹き当てることにより、探針2の表面上の酸
化物を還元しながら測定する。なおその際、被測定物で
ある半導体ウエハC11の上に形成されているAl電極
C12の表面のアルミナ膜C13も還元される。
【0062】次に、この発明の第8実施例について図1
2を用いて説明する。図において、5は水素ガスを含ん
だフォーミングガスであり、その他の図11と同一符号
は図11と同一もしくは相当する部分を示す。探針2に
吹き当てる気体に還元作用を有する気体を含ませること
により、上記実施例と同様の効果を得るとともに安全性
が高まる。
2を用いて説明する。図において、5は水素ガスを含ん
だフォーミングガスであり、その他の図11と同一符号
は図11と同一もしくは相当する部分を示す。探針2に
吹き当てる気体に還元作用を有する気体を含ませること
により、上記実施例と同様の効果を得るとともに安全性
が高まる。
【0063】なお、上記第7及び第8実施例において、
探針2に吹き当てる気体4,5と探針2のいずれかある
いは両方を加熱することにより、還元作用を高め上記各
実施例の効果をさらに高めることができる。
探針2に吹き当てる気体4,5と探針2のいずれかある
いは両方を加熱することにより、還元作用を高め上記各
実施例の効果をさらに高めることができる。
【0064】
【発明の効果】以上のように、請求項1乃至請求項7記
載の半導体装置の製造方法によれば、ウエハテスト工程
の前に、探針が接触する半導体ウエハ上の不良導体を除
去する工程を備えて構成されているので、探針を半導体
ウエハに押しつける強さを小さくすることができ、半導
体ウエハの損傷や探針の先端に不良導体が付着する等の
トラブルや探針の消耗を小さくすることができるなど半
導体ウエハの電気的特性等を容易に測定することができ
るという効果がある。
載の半導体装置の製造方法によれば、ウエハテスト工程
の前に、探針が接触する半導体ウエハ上の不良導体を除
去する工程を備えて構成されているので、探針を半導体
ウエハに押しつける強さを小さくすることができ、半導
体ウエハの損傷や探針の先端に不良導体が付着する等の
トラブルや探針の消耗を小さくすることができるなど半
導体ウエハの電気的特性等を容易に測定することができ
るという効果がある。
【0065】さらに、請求項3記載の半導体装置の製造
方法によれば、還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体、または半導体ウエハのいず
れかあるいは両方が加熱されている状態で、半導体ウエ
ハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるいは還元
作用を有する物質を含む気体の中に放置する工程を備え
て構成されているので、半導体ウエハ上の不良導体を速
やかに除去することができ、放置する時間を短くするこ
とができるという効果がある。
方法によれば、還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体、または半導体ウエハのいず
れかあるいは両方が加熱されている状態で、半導体ウエ
ハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるいは還元
作用を有する物質を含む気体の中に放置する工程を備え
て構成されているので、半導体ウエハ上の不良導体を速
やかに除去することができ、放置する時間を短くするこ
とができるという効果がある。
【0066】また、請求項4記載の半導体装置の製造方
法によれば、半導体ウエハを所定の測定位置に移動する
とともに、還元作用を有する気体、あるいは還元作用を
有する物質を含む気体を測定位置に供給しつつ電気的特
性を測定する工程を備えて構成されているので、不良導
体を除去する工程で除去した不良導体が再び形成されに
くくするという効果がある。
法によれば、半導体ウエハを所定の測定位置に移動する
とともに、還元作用を有する気体、あるいは還元作用を
有する物質を含む気体を測定位置に供給しつつ電気的特
性を測定する工程を備えて構成されているので、不良導
体を除去する工程で除去した不良導体が再び形成されに
くくするという効果がある。
【0067】さらに、請求項5記載の半導体装置の製造
方法によれば、水素ガスを含ませたフォーミングガスを
用いているので、安全性を高めることができるという効
果がある。
方法によれば、水素ガスを含ませたフォーミングガスを
用いているので、安全性を高めることができるという効
果がある。
【0068】請求項8乃至請求項11記載のウエハテス
ト装置によれば、測定を開始する前の半導体ウエハを還
元作用のある気体中に一定時間保持するストック部を備
えて構成されているので、半導体ウエハ上に発生した不
良導体を還元して除去することができ、探針を半導体ウ
エハに押しつける強さを小さくすることができ、半導体
ウエハの損傷や探針の先端に不良導体が付着する等のト
ラブルや探針の消耗を小さくすることができるなど探針
を使った半導体ウエハの電気的特性測定を容易に行うこ
とができるという効果がある。
ト装置によれば、測定を開始する前の半導体ウエハを還
元作用のある気体中に一定時間保持するストック部を備
えて構成されているので、半導体ウエハ上に発生した不
良導体を還元して除去することができ、探針を半導体ウ
エハに押しつける強さを小さくすることができ、半導体
ウエハの損傷や探針の先端に不良導体が付着する等のト
ラブルや探針の消耗を小さくすることができるなど探針
を使った半導体ウエハの電気的特性測定を容易に行うこ
とができるという効果がある。
【0069】さらに、請求項9記載のウエハテスト装置
によれば、還元作用のある気体または半導体ウエハのい
ずれか、あるいは両方を加熱して、還元作用のある気体
中で測定を開始する前の前記半導体ウエハを一定時間保
持するストック部を備えて構成されているので、ストッ
ク部で保持する時間を短縮することができるという効果
がある。
によれば、還元作用のある気体または半導体ウエハのい
ずれか、あるいは両方を加熱して、還元作用のある気体
中で測定を開始する前の前記半導体ウエハを一定時間保
持するストック部を備えて構成されているので、ストッ
ク部で保持する時間を短縮することができるという効果
がある。
【0070】さらに、請求項10及び請求項11記載ウ
エハテスト装置によれば、半導体ウエハの所定の電気的
特性測定時に、還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体を測定位置に供給する吹き出
し口を備えて構成されているので、ストック部で除去さ
れた不良導体が再び形成されにくくできるという効果が
ある。
エハテスト装置によれば、半導体ウエハの所定の電気的
特性測定時に、還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体を測定位置に供給する吹き出
し口を備えて構成されているので、ストック部で除去さ
れた不良導体が再び形成されにくくできるという効果が
ある。
【0071】請求項12乃至請求項14記載の半導体装
置の製造方法によれば、探針に、還元作用を有する気
体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体を吹き当
てながらウエハテストを行うので、探針の表面に形成さ
れている酸化物を還元しながら測定することができ、探
針を半導体ウエハに押しつける強さを小さくすることが
でき、半導体ウエハの損傷や探針の先端に不良導体が付
着する等のトラブルや探針の消耗を小さくすることがで
きるなど探針を使った半導体ウエハの電気的特性測定を
容易に行うことができるという効果がある。
置の製造方法によれば、探針に、還元作用を有する気
体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体を吹き当
てながらウエハテストを行うので、探針の表面に形成さ
れている酸化物を還元しながら測定することができ、探
針を半導体ウエハに押しつける強さを小さくすることが
でき、半導体ウエハの損傷や探針の先端に不良導体が付
着する等のトラブルや探針の消耗を小さくすることがで
きるなど探針を使った半導体ウエハの電気的特性測定を
容易に行うことができるという効果がある。
【0072】さらに、請求項13記載の半導体装置の製
造方法によれば、水素ガスを含有するフォーミングガス
を用いるので、安全性を高めることができるという効果
がある。
造方法によれば、水素ガスを含有するフォーミングガス
を用いるので、安全性を高めることができるという効果
がある。
【0073】さらに、請求項14記載の半導体装置の製
造方法によれば、探針、あるいは探針に吹き当てる気体
のいずれか、あるいは両方が加熱されているので、探針
表面の不良導体を除去する作用が高まるという効果があ
る。
造方法によれば、探針、あるいは探針に吹き当てる気体
のいずれか、あるいは両方が加熱されているので、探針
表面の不良導体を除去する作用が高まるという効果があ
る。
【図1】この発明の半導体装置の製造方法の概要を示す
製造工程のフローチャートである。
製造工程のフローチャートである。
【図2】この発明の第1実施例による半導体装置の製造
工程を示すフローチャートである。
工程を示すフローチャートである。
【図3】この発明の第1実施例によるウエハテスト装置
を示す図である。
を示す図である。
【図4】図3に示したウエハテスト装置の測定探針の電
極への接触を示す断面図である。
極への接触を示す断面図である。
【図5】この発明の第2実施例による半導体装置の製造
工程を示すフローチャートである。
工程を示すフローチャートである。
【図6】この発明の第2実施例によるウエハテスト装置
を示す図である。
を示す図である。
【図7】この発明の第3実施例によるウエハテスト装置
を示す図である。
を示す図である。
【図8】この発明の第4実施例によるウエハテスト装置
を示す図である。
を示す図である。
【図9】この発明の第5実施例による半導体装置の製造
工程を示すフローチャートである。
工程を示すフローチャートである。
【図10】この発明の第6実施例による半導体装置の製
造工程を示すフローチャートである。
造工程を示すフローチャートである。
【図11】この発明の第7実施例による半導体ウエハと
測定用探針との接触部分を示す断面図である。
測定用探針との接触部分を示す断面図である。
【図12】この発明の第8実施例による半導体ウエハと
測定用探針との接触部分を示す断面図である。
測定用探針との接触部分を示す断面図である。
【図13】従来の半導体装置の製造工程を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図14】従来のウエハテスト装置を示す図である。
【図15】従来の測定探針の電極への接触を示す断面図
である。
である。
S1 ウエハプロセス S2 保管工程 S3 不良導体除去工程 S4 ウエハテスト工程 S5 保管工程 S6 アセンブリ工程 S3A H2 +N2 雰囲気保存工程 S3B 高温H2 +N2 雰囲気保存工程 S3C エッチング工程 S3D スパッタエッチング工程 C11 半導体ウエハ C12 Al電極 C13 アルミナの膜 C14 ガラスコート C15,15 測定用探針 2 測定用探針 3 吹き出し口 4 還元作用を有するガス 5 H2 混合フォーミングガス 31 ボンベ 32,38 ガス管 34 流量調整弁 36,40 ヒーターコントローラ 37,39 ヒーター
Claims (14)
- 【請求項1】 半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に
形成された半導体素子の電気的特性を測定するため、半
導体ウエハの所定部位に探針を接触させて電気的特性を
測定するウエハテスト工程を有する半導体装置の製造方
法において、 前記ウエハテスト工程の前に、前記探針が接触する前記
半導体ウエハ上の不良導体を除去する工程を備える、半
導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記不良導体を除去する工程は、 前記半導体ウエハを、一定時間、還元作用を有する気
体、あるいは前記還元作用を有する物質を含む気体の中
に放置する工程を含む、請求項1記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項3】 前記半導体ウエハを前記気体中に放置す
る工程は、 前記還元作用を有する気体、あるいは前記還元作用を有
する物質を含む気体、または前記半導体ウエハのいずれ
かあるいは両方が加熱されている状態で、前記半導体ウ
エハを、一定時間、還元作用を有する気体、あるいは前
記還元作用を有する物質を含む気体の中に放置する工程
を含む、請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記ウエハテスト工程は、 前記半導体ウエハを所定の測定位置に移動するととも
に、前記還元作用を有する気体、あるいは前記還元作用
を有する物質を含む気体を前記測定位置に供給しつつ電
気的特性を測定する工程を含む、請求項2記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記還元作用を有する気体、あるいは前
記還元作用を有する物質を含む気体は、 水素ガスを含有するフォーミングガスを含む、請求項4
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記不良導体を除去する工程は、 前記半導体ウエハ上の不良導体をエッチングにより除去
する工程を含む、請求項1記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項7】 前記不良導体を除去する工程は、 スパッタエッチングにより前記半導体ウエハ上の不良導
体を除去する工程を含む、請求項1記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項8】 半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上に
形成された半導体素子の電気的特性を測定するため、半
導体ウエハの所定部位に探針を接触させて電気的特性を
測定するウエハテスト装置であって、 測定を開始する前の前記半導体ウエハを還元作用を有す
る気体、あるいは還元作用を有する物質を含む気体中で
一定時間保持するストック部を備える、ウエハテスト装
置。 - 【請求項9】 前記ストック部は、 前記気体または前記半導体ウエハのいずれか、あるいは
両方を加熱して、該還元作用を有する気体、あるいは該
還元作用を有する物質を含む気体中で測定を開始する前
の前記半導体ウエハを一定時間保持するストック部を含
む、請求項8記載のウエハテスト装置。 - 【請求項10】 前記半導体ウエハの所定の電気的特性
測定時に、前記還元作用を有する気体、あるいは還元作
用を有する物質を含む気体を測定位置に供給する吹き出
し口をさらに備える、請求項8あるいは請求項9記載の
ウエハテスト装置。 - 【請求項11】 前記吹き出し口より供給する前記還元
作用を有する気体、あるいは前記還元作用を有する物質
を含む気体を加熱する加熱手段をさらに備える、請求項
10記載のウエハテスト装置。 - 【請求項12】 半導体ウエハあるいは半導体ウエハ上
に形成された半導体素子の電気的特性を測定するため、
半導体ウエハの所定部位に探針を接触させて電気的特性
を測定するウエハテスト工程を有する半導体装置の製造
方法において、 前記探針に、還元作用を有する気体、あるいは還元作用
を有する物質を含む気体を吹き当てながらウエハテスト
を行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記探針に吹き当てる前記気体は、 水素ガスを含ませたフォーミングガスを含む、請求項1
2記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項14】 前記探針、あるいは前記探針に吹き当
てる前記気体のいずれか、あるいは両方が加熱されてい
ることを特徴とする、請求項13記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30528892A JPH06151529A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30528892A JPH06151529A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151529A true JPH06151529A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17943300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30528892A Pending JPH06151529A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | 半導体装置の製造方法及びウエハテスト装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06151529A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273157A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
WO2004023547A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Octec Inc. | プローブ方法、プローブ装置、及び電極の還元/プラズマエッチング処理機構 |
WO2004023548A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Tokyo Electron Limited | プローブ方法及びプローブ装置 |
CN100442068C (zh) * | 2003-06-09 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 测试被测体的电气特性的测试方法及测试装置 |
US7750654B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-07-06 | Octec Inc. | Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP30528892A patent/JPH06151529A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273157A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 |
WO2004023547A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Octec Inc. | プローブ方法、プローブ装置、及び電極の還元/プラズマエッチング処理機構 |
WO2004023548A1 (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-18 | Tokyo Electron Limited | プローブ方法及びプローブ装置 |
EP1544909A1 (en) * | 2002-09-02 | 2005-06-22 | Octec Inc. | Probe method,prober,and electrode recucing/plasma-etching process mechanism |
EP1544909A4 (en) * | 2002-09-02 | 2009-05-06 | Octec Inc | PROCEDURE, SONDERING, AND ELECTRODE REDUCTION / PLASMA PROCESS MECHANISM |
US7750654B2 (en) | 2002-09-02 | 2010-07-06 | Octec Inc. | Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism |
CN100442068C (zh) * | 2003-06-09 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 测试被测体的电气特性的测试方法及测试装置 |
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