JPH06151396A

JPH06151396A - クリーニング方法

Info

Publication number: JPH06151396A
Application number: JP31781792A
Authority: JP
Inventors: Reiji Niino; 礼二新納; Yoshiyuki Fujita; 義幸藤田; Satoyuki Obe; 智行大部
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1992-11-02
Filing date: 1992-11-02
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】クリーニング時に被膜を処理容器等から剥離
させることなく、しかも種々のクリーニングガスを用い
て処理容器等にダメージを与えることなく短時間で効率
良くクリーニングするクリーニング方法を提供する。【構成】被処理体Ｗを収納し、この被処理体ＷにＢＰ
ＳＧ膜を形成する反応容器２の内部をクリーニングする
方法において、上記反応容器２のクリーニング温度を、
上記被処理体Ｗの処理時に保持されている上記反応容器
２の温度近傍に保持した状態で、上記反応容器２内にク
リーニングガスを供給し、このクリーニングガスにより
上記反応容器２内に形成されたＢＰＳＧ膜を除去するよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、クリーニング方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程に
おいて、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜等の
シリコン被膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等のシリコン酸化
膜、あるいはシリコン窒化膜等の被膜を減圧ＣＶＤや常
圧ＣＶＤ等の処理によって半導体ウエハ等の被処理体へ
成膜することが広く行なわれている。

【０００３】このようなシリコン被膜等の成膜工程で
は、一般に、石英等のセラミックスからなる反応容器を
囲繞する抵抗発熱体等からなる加熱炉を配置して構成さ
れた熱処理装置が用いられている。そして、熱処理をす
る際には、所定の熱処理温度に保持された反応容器内に
多数枚の半導体ウエハ等の被処理体を石英等のセラミッ
クスからなる熱処理ボートを介して収納し、この反応容
器内へＳｉＨ₄、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＮＨ₃、Ｏ₂等の反応性
ガスを導入することによってシリコン膜等の成膜が行な
われている。成膜後は、熱処理ボートを介して被処理体
を反応容器内から取り出し、次の被処理体を収納するよ
うにしているが、この間は反応容器を熱処理温度に加熱
した状態にしてある。

【０００４】上述のような処理を繰り返していると、反
応容器及び熱処理ボート等の石英治具類にもシリコン被
膜等の被膜が繰り返し成膜されて被膜の膜厚が増加す
る。この被膜を放置すると、やがてこの被膜が被処理体
の処理時に剥離してパーティクルを発生させ、このパー
ティクルが反応容器内で浮遊して被処理体に付着して歩
留りを低下させる原因になる。そのため、従来は、ある
頻度で反応容器の温度を常温付近まで下げた後、反応容
器や治具類を所定位置から取り外し、ウェット洗浄する
ことによってそれらの被膜を除去するようにしている。

【０００５】ところが、上述のようなウェット洗浄によ
る反応容器等のクリーニング方法では、クリーニングの
度毎に反応容器内の温度を下げて反応容器等を一旦取り
外してクリーニングを行ない、その後反応容器等を組み
立ててガスのリークテスト等を行なわなくてはならず、
そのため例えば２０〜３０時間という長時間に亘り熱処
理装置の稼動を停止しなくてはならず、装置の稼動効率
を低下させるという課題があった。また、熱処理装置に
おいてもロードロックシステムのように反応容器内やロ
ーディング部を常時真空保持することが考えられてお
り、このような場合には、クリーニング対象物を本体か
ら容易に取り外すことができないという課題があり、ま
た、このような課題は最近の被処理体の大口径化に伴っ
て大型化した装置の場合についてもある。そこで、最近
では、反応容器内にエッチングガスをクリーニングガス
として供給し、このクリーニングガスによって被膜を除
去するクリーニング方法が用いられるようになってきて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クリー
ニングガスを用いた従来のクリーニング方法では、被処
理体の処理温度に保持されていた反応容器の温度とクリ
ーニング時の反応容器の温度とが著しく異なっている場
合には、反応容器内に形成された被膜の線膨張率と反応
容器等に用いられている材料の線膨張率との差により、
熱処理時の温度とクリーニング時の温度との温度差によ
って反応容器等と被膜との間に熱応力が発生し、この熱
応力によってクリーニング時に反応容器等の表面に付着
した被膜の剥離を誘引し、延いては剥離した被膜がパー
ティクルの原因となってその後の被処理体の処理の歩留
りを低下させるという課題があった。

【０００７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、クリーニング時に被膜を処理容器等から剥
離させることなく、しかも種々のクリーニングガスを用
いて処理容器等にダメージを与えることなく短時間で効
率良くクリーニングすることができるクリーニング方法
を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、処理容器
のクリーニングガスを用いたクリーニング条件について
種々検討した結果、クリーニングガスを用いて特定の温
度条件下でクリーニングすることにより被膜を剥離させ
ることなく、しかも処理容器等にダメージを与えること
なく処理容器を短時間で効率良くクリーニングできるこ
とを知見した。また、更に、処理容器に付着する物質に
対するクリーニング条件について同様に検討した結果、
特定の被膜に対しては特定のクリーニングガスを特定の
条件で供給することにより処理容器を短時間で効率良く
クリーニングできることを知見した。

【０００９】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
で、本発明の請求項１に記載のクリーニング方法は、被
処理体を収納し、この被処理体に所定の被膜を形成する
処理容器の内部をクリーニングする方法において、上記
処理容器のクリーニング温度を、上記被処理体の処理時
に保持されている上記処理容器の温度近傍に保持した状
態で、上記処理容器内にクリーニングガスを供給し、こ
のクリーニングガスにより上記処理容器内に形成された
被膜を除去するようにしたものである。

【００１０】また、本発明の請求項２に記載のクリーニ
ング方法は、請求項１の発明において、上記被膜がＢＰ
ＳＧ膜である場合には、上記クリーニング温度を６００
〜７００℃に設定すると共に、上記クリーニングガスと
して三フッ化塩素ガスと窒素ガスの混合ガスを、その圧
力が０.５〜２.０Torrで、三フッ化塩素ガスが５００〜
２０００sccm、窒素ガスが１５００〜２８００sccmにな
るように供給するようにしたものである。

【００１１】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、処理
容器内で被処理体を所定の温度で処理した後、上記処理
容器のクリーニング温度を、上記被処理体の処理時に保
持されている上記処理容器の温度近傍に保持した状態
で、上記処理容器内にクリーニングガスを供給すると、
このクリーニングガスにより上記処理容器内に形成され
た被膜を処理容器等から剥離させることなく短時間で除
去し、その後の被処理体の処理時におけるパーティクル
の発生を防止することができる。

【００１２】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、処理容器内で被処理体を所定の温度で処理して処
理容器内にＢＰＳＧ膜が形成された場合には、上記クリ
ーニングガスとして三フッ化塩素ガスと窒素ガスの混合
ガスを供給し、この供給に際して、そのクリーニング温
度を６００〜７００℃に設定すると共に、その圧力を
０.５〜２.０Torr、三フッ化塩素ガスを５００〜２００
０sccm、窒素ガスを１５００〜２８００sccmに設定する
ことによってＢＰＳＧ膜を処理容器等から剥離させるこ
となく短時間で除去し、その後の被処理体の処理時にお
けるパーティクルの発生を防止することができる。

【００１３】

【実施例】以下、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を
クリーニングする場合を例に挙げて本発明のクリーニン
グ方法の好ましい一実施態様について説明する。

【００１４】本発明のクリーニング方法の一実施態様に
ついて説明する前に、まず、この実施態様を適用する縦
型熱処理装置について説明する。図１に示す縦型熱処理
装置は、同図に示すように、加熱炉１と、この加熱炉１
内に配置された石英等のセラミックスからなる処理容器
としての反応容器２と、この反応容器２内に半導体ウエ
ハ等の被処理体Ｗを水平に複数枚保持した状態で同図矢
印で示したようにロード、アンロードする石英等のセラ
ミックスからなる熱処理ボート３とを備えて構成されて
いる。また、上記反応容器２は、上端が閉塞し且つ下端
に開口して形成された外筒２１と、この外筒２１内に軸
芯を一致させて配置された上下両端が開口して形成され
た内筒２２とを備え、全体として下端に開口部が形成さ
れた二重構造の容器として構成されている。そして、こ
の反応容器２内に上記熱処理ボート３をロードすると、
この熱処理ボート３下端の保温筒４に形成されたキャッ
プ４Ａで上記反応容器２の開口部を封止して反応容器２
内の気密状態を形成するように構成されている。

【００１５】また、上記反応容器２の下端にはガス供給
管５が接続され、このガス供給管５を介して被処理体Ｗ
の熱処理に必要な反応性ガス及びクリーニングガスを上
記反応容器２内へ供給するように構成されている。即
ち、上記ガス供給管５は、その上流側で反応性ガスを供
給する第１ガス供給管５１と、クリーニングガスを供給
する第２ガス供給管５２とに分岐し、それぞれのガス供
給管５１、５２に配設されたバルブ５１Ａ及び５２Ａを
開閉してそれぞれのガスを上記反応容器２内へ個別に供
給できるように構成されている。また、上記反応容器２
の下端にはガス排気管６が接続され、このガス排気管６
に配設された真空ポンプ７によって上記反応容器２内を
所定の真空状態に調整すると共に、処理後のガスを排気
するように構成されている。更に、上記ガス排気管６の
下流端には真空ポンプ７によって排気された処理ガスを
無害化するガス処理装置８が接続されている。尚、この
ガス処理装置８はその内部に貯留された薬剤によって処
理ガスを無害化するように構成されている。

【００１６】また、本発明の一実施態様に用いられるク
リーニングガスは、上記バルブ５２Ａを介して上記第２
ガス供給管５２の上流端に接続されたクリーニングガス
供給装置９から上記反応容器２内へ供給するように構成
されている。即ち、このクリーニングガス供給装置９
は、例えば、被膜をエッチング除去する三フッ化塩素が
貯留された第１ボンベ９１と、この三フッ化塩素を希釈
してクリーニングガスとして調整する窒素ガスが貯留さ
れた第２ボンベ９２と、これらの各ボンベ９１、９２そ
れぞれのガスを上記第２ガス供給管５２へそれぞれ供給
する第１分岐管９３、９４とを備えて構成されている。
そして、上記三フッ化塩素を供給する第１分岐管９３に
は、ガス流量を制御するマスフローコントローラ９５
と、このマスフローコントローラ９５の前後に位置する
バルブ９６Ａ、９６Ｂがそれぞれ配設され、これら三者
によって三フッ化塩素の供給流量を調整するように構成
されている。また、上記第２分岐管９４にも同様のマス
フローコントローラ９７及びバルブ９８Ａ、９８Ｂがそ
れぞれ配設されている。また、上記第１分岐管９３及び
そのマスフローコントローラ９５、バルブ９６Ａ、９６
Ｂにはテープヒータ９９が巻装され、このテープヒータ
９９によって三フッ化塩素の再液化を防止するように構
成されている。

【００１７】さて、上記縦型熱処理装置を用いて被処理
体ＷにＢＰＳＧ膜を形成する場合には、加熱炉１で熱処
理温度、例えば、６００〜７００℃に加熱された反応容
器２内へ熱処理ボート３をロードして水平に保持した複
数枚の被処理体Ｗを反応容器２内に収納すると共に保温
筒４のキャップ４Ａで反応容器２の開口部を封止する。
次いで、真空ポンプ７を駆動させて反応容器２内を例え
ば０.００１Torr程度に減圧した後、１.０Torrの真空度
を保持した状態で第１ガス供給管５１のバルブ５１Ａを
開放してガス供給管５を介して反応容器２内に反応性ガ
ス、つまりＴＥＯＳ、ＰＨ3、ＴＭＢ、Ｏ2及びＢ-Ｏ2を
それぞれ所定の供給量で所定時間供給して反応容器２内
の圧力を１.０Torrに保持して被処理体Ｗに５μｍのＢ
ＰＳＧ膜を成膜する。

【００１８】次いで、熱処理ボート３を反応容器２から
アンロードして被処理体Ｗを熱処理ボート３から移載し
た後、熱処理時の温度に保持された反応容器２内に空の
熱処理ボート３を上述したと同様にロードして反応容器
２を封止する。然る後、その熱処理温度近傍の温度下で
上述したように反応容器２内を減圧して第２ガス供給管
５２のバルブ５２Ａを開放してガス供給管５を介して反
応容器２内にクリーニングガスとして三フッ化塩素を５
００〜２０００sccm及び窒素ガスを１５００〜２８００
sccmずつ供給し、この時のクリーニングガスの圧力を
０.５〜２.０Torrに設定し、この状態でクリーニングガ
スを供給して反応容器２内をクリーニングすると、上記
反応容器２に形成されたＢＰＳＧ膜を１時間弱という短
時間で効率良く除去することができる。この時のクリー
ニングガス中の三フッ化塩素の濃度は、１５〜５７vol
％の範囲にあり、この濃度が１５vol％未満になるとＢ
ＰＳＧ膜を短時間で除去できない虞があり、また、三フ
ッ化塩素の供給量が５７vol％を超えると反応容器２等
にダメージを与える虞があって好ましくない。また、圧
力が０.５Torr未満ではエッチングレートが下がる虞が
あり、２.０Torrを超えるとエッチングにバラツキが生
じる虞があって好ましくない。

【００１９】また、上記クリーニングガスに用いられる
エッチングガスとしては、三フッ化塩素の他、例えば、
三フッ化窒素、フッ化水素、四フッ化炭素、フッ素、六
フッ化硫黄等のハロゲン化合物を挙げることができる。

【００２０】次いで、本実施例のクリーニング方法を用
いて反応容器２をクリーニングする場合において、クリ
ーニング温度、クリーニングガス流量及びクリーニング
圧力と、ＢＰＳＧ膜が形成された外筒２１の内面と内筒
２２の内外面の各位置（図２参照）におけるクリーニン
グ状態について種々検討した結果、図３〜図５に示す結
果が得られた。各図において、横軸の数字は、(1)〜(7)
が内筒２２の直胴部内面の下端から上端までを等分した
場合の測定位置を示し、下端部を(1)として上端部の(7)
まで徐々に数字が大きくなり、また(8)〜(13)が外筒２
１の直胴部内面及び内筒２２の直胴部外面それぞれの下
端から上端までを等分した場合の測定位置を示し、上端
部を(8)として下端部の(13)まで徐々に数字が大きくな
る。また、縦軸はＢＰＳＧ膜のエッチング量を示してい
る。

【００２１】図３〜図５に示した結果からも明らかなよ
うに、反応容器２の中でもＢＰＳＧ膜が形成されやすい
外筒２１及び内筒２２の上端部近傍ではいずれもクリー
ニングが行なわれやすく、また、反応容器２の中でもＢ
ＰＳＧ膜が形成され難い内筒２２の下端部ではクリーニ
ングが行なわれ難いことが判る。従って、本実施例のク
リーニング方法を用いれば、反応容器２の中でもＢＰＳ
Ｇ膜が形成されやすい部分を短時間で効率良くクリーニ
ングできることが判る。また、クリーニングガスの温度
がＢＰＳＧ膜の形成温度よりも低い、５５０℃に設定す
ると、図３からも明らかなようにＢＰＳＧ膜を除去し難
いことが判る。また、７００℃を超えるとエッチングレ
ートが速くなり過ぎる。また、クリーニングガスでの三
フッ化塩素の濃度を本発明の濃度範囲より低い１０％に
設定すると、図４からも明らかなようにＢＰＳＧ膜を除
去し難いことが判る。

【００２２】以上説明したように本実施例によれば、ク
リーニングガスを用いて反応容器２内を成膜時に保持さ
れた温度と同温度でクリーニングするようにしたため、
従来のように反応容器２の温度を昇降温させることな
く、反応容器２、及び熱処理ボート３等の石英治具類の
被膜を短時間で且つ効率良く除去することができ、バッ
チ式縦型熱処理装置の稼動効率を格段に高めることがで
きる。また、成膜時に保持された温度近傍でクリーニン
グするため、反応容器２の昇降温がなく、この昇降温の
繰り返しによる被膜の線膨張と反応容器２の材料の線膨
張の差による応力の発生を防止して反応容器２のマイク
ロクラックの発生を抑制することができる。また、この
ような被膜と反応容器２との熱膨張率の違いによる被膜
の剥離を抑制し、延いては被膜の剥離に起因したパーテ
ィクルの発生を確実に防止して歩留りを高めることがで
きる。

【００２３】次に、上記反応容器２とＢＰＳＧ膜の熱膨
張率の差に起因するマイクロクラックの有無について検
証するために、図６に示すフローチャートに従って石英
ウエハＷにＢＰＳＧ膜の成膜処理を施した後、この石英
ウエハＷのクリーニング処理を行なった。ここでは以下
で説明するように、反応容器２と同材質からなる石英ウ
エハＷを熱処理及びクリーニングし、この石英ウエハＷ
におけるマイクロクラックの有無について測定した。

【００２４】まず、石英ウエハＷを熱処理ボート３の中
央に１枚挿入した後、この熱処理ボート３を例えば約６
００℃に加熱された反応容器２内へロードし、保温筒４
のキャップ４Ａで反応容器２の開口部を封止する（ステ
ップ１）。次いで、真空ポンプ７を駆動させて反応容器
２内を例えば０.００１Torr程度に減圧した後、１.０To
rrの真空度を保持した状態で第１ガス供給管５１のバル
ブ５１Ａを開放してガス供給管５を介して反応容器２内
に反応性ガス、つまりＴＥＯＳ、ＰＨ3、ＴＭＢ、Ｏ2及
びＢ-Ｏ2をそれぞれ所定流量供給して石英ウエハＷに５
μｍ厚のＢＰＳＧ膜を成膜した（ステップ２）。

【００２５】次いで、上述の成膜温度下で、熱処理ボー
ト３を反応容器２からアンロードしてＢＰＳＧ膜が成膜
された石英ウエハＷの温度を常温に降温させた後（ステ
ップ３）、再びその熱処理ボート３を熱処理温度近傍の
温度下の反応容器２内にロードして上記石英ウエハＷを
反応容器２内に収納して上記石英ウエハＷの温度を熱処
理温度近傍の温度に昇温した後（ステップ４）、その温
度下で反応容器２内を減圧して０.００１Torrに減圧し
た後、１.０Torrの真空度を保持するように第２ガス供
給管５２のバルブ５２Ａを開放してガス供給管５を介し
て反応容器２内にクリーニングガス、つまり三フッ化塩
素を７００sccm、窒素ガスを２８００sccmの供給量から
なるクリーニングガスを４０分前後供給して石英ウエハ
Ｗ及び反応容器２内をクリーニングしてＢＰＳＧ膜を除
去した（ステップ５）。引き続き、熱処理ボート３を反
応容器２からアンロードし（ステップ６）、常温に降温
した熱処理ボート３からクリーニング後の石英ウエハＷ
を取り出し、その石英ウエハＷを試料Ｎo.１とした。そ
して、試料Ｎo.１の表面状態を測定してその平均粗さ
（Ｒa）を求めると共に、試料Ｎo.１の質量を測定して
質量の変化を求め、それぞれの結果を下記表１に示し
た。また、この試料における、成膜前の試料Ｎo.１とク
リーニング後の試料Ｎo.１の表面状態の測定結果を示し
たものが図７の（ａ）、（ｂ）である。

【００２６】また、上記ステップ２でＢＰＳＧ膜が成膜
された石英ウエハＷをアンロードせず、直接ステップ５
へ移り、そのまま上述したクリーニングと同一条件でス
テップ５のクリーニングを行ない、クリーニング後、そ
の熱処理ボート３をアンロードし、その石英ウエハＷを
試料Ｎo.２として上記測定を行ない、試料Ｎo.２の平均
粗さ（Ｒa）及び質量変化の結果を下記表１に示した。
また、この試料における、成膜前の石英ウエハＷとクリ
ーニング後の石英ウエハＷの表面状態の測定結果を示し
たものが図８の（ａ）、（ｂ）である。

【００２７】

【表１】但し、Ａはオングストロームを示す。また、各試料の元
の表面状態は２０〜３０Ａであった。

【００２８】上記表１で示した結果によれば、試料Ｎo.
１、試料Ｎo.２にはいずれも質量減少は認められるもの
の、クリーニング前にアンロードした試料Ｎo.１は表面
の平均粗さ（Ｒa）が８５Ａで、元の平均粗さ（Ｒa）と
比較して表面が荒れているのに対して、クリーニング前
にアンロードせずにそのままクリーニングした試料Ｎo.
２は３０Ａで、元の平均粗さ（Ｒa）からそれ程変化し
ていないことが判った。この結果から、クリーニング時
の反応容器２の温度を被処理体Ｗの処理時の温度近傍に
保持した状態でクリーニングすれば、反応容器２の内面
の粗さ、つまり損傷を抑制できることが判った。

【００２９】更に、試料Ｎo.１の成膜前及びクリーニン
グ後の各表面状態を示した図７の（ａ）、（ｂ）で示し
た結果によれば、クリーニング後の表面にはマイクロク
ラックに基づいた約１６００Ａに達するピークが認めら
れた。これに対して、アンロードしないで熱処理温度で
そのままクリーニングした試料Ｎo.２についての同様の
結果を示した図８の（ａ）、（ｂ）によれば、ピークが
認められなかった。この結果から、クリーニングに際し
て反応容器２の温度が昇降変化すれば、ＢＰＳＧ膜の熱
膨張率と反応容器２の熱膨張率の差によって反応容器２
にマイクロクラックが生じやすくなるのに対し、熱処理
温度の近傍の温度でクリーニングすることにより反応容
器２のマイクロクラックを抑制できることが判った。

【００３０】尚、上記実施例ではエッチングガスとして
三フッ化塩素を、エッチングガスを希釈するキャリアガ
スとして窒素ガスを用いたクリーニングガスについての
み説明したが、本発明に用いられるクリーニングガス
は、上記実施例に何等制限されるものではなく、エッチ
ングガスとしては上述した三フッ化窒素、フッ化水素、
四フッ化炭素、フッ素、六フッ化硫黄等のハロゲン化合
物を用いることができ、また、キャリアガスとしては不
活性ガス等のようにエッチングガスとの反応性を有しな
いガスを用いることができる。

【００３１】また、上記実施例では、ＢＰＳＧ膜を除去
するクリーニング方法についてのみ説明したが、本発明
のクリーニング方法は、上記実施例に何等制限されるも
のではなく、例えば、ＢＰＳＧと同種のＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＡsＳＧ等のシリコンガラス系膜、ポリシリコン、
アモルファスシリコン等のシリコン系膜、シリコン窒化
膜等の被膜についても適用することができる。

【００３２】また、上記実施例ではバッチ式縦型熱処理
装置についてのみ説明したが、本発明は、枚葉式の熱処
理装置等、その他の成膜工程に用いられる処理装置に広
く適用することができる

【００３３】要するに本発明は、処理容器のクリーニン
グ温度を、上記被処理体の処理時に保持されている上記
処理容器の温度近傍に保持した状態で、上記処理容器内
にクリーニングガスを供給し、このクリーニングガスに
より上記処理容器内に形成された被膜を除去するように
したクリーニング方法であればよく、上記実施例に何等
制限されるものではない。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、処理容器のクリーニング温度を、
被処理体の処理時に保持されている処理容器の温度近傍
に保持した状態でクリーニングすることにより、クリー
ニング時に被膜を処理容器等から剥離させることなく、
しかも種々のクリーニングガスを用いて処理容器等にダ
メージを与えることなく短時間で効率良くクリーニング
できるクリーニング方法を提供することができる。

【００３５】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、処理容器内に形成されたＢＰＳＧ膜を除去するに
は、所定比の三フッ化塩素ガスと窒素ガスとからなるク
リーニングガスを用いることにより、クリーニング時に
ＢＰＳＧ膜を処理容器等から剥離させることなく、しか
も処理容器等にダメージを与えることなく短時間で効率
良くＢＰＳＧ膜を除去できるクリーニング方法を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のクリーニング方法の好ましい一実施例
が適用される熱処理装置を示す構成図である。

【図２】反応容器内におけるＢＰＳＧ膜の測定位置を示
す説明図である。

【図３】クリーニング温度と反応容器内の各位置におけ
るクリーニング状態との関係を示すグラフである。

【図４】クリーニングガス流量と反応容器内の各位置に
おけるクリーニング状態との関係を示すグラフである。

【図５】クリーニングガス圧力と反応容器内の各位置に
おけるクリーニング状態との関係を示すグラフである。

【図６】本発明のクリーニング方法の好ましい一実施例
によって図１に示す反応容器のダメージの有無を検証す
る試験の流れを示すフローチャートである。

【図７】図２に示す試験で得られた試料の表面状態を示
すグラフで、同図（ａ）は成膜前の試料の表面状態を示
す図、同図（ｂ）はアンロード後クリーニングした時の
試料の表面状態を示す図である。

【図８】図２に示す試験で得られた試料の表面状態を示
すグラフで、同図（ａ）は成膜前の試料の表面状態を示
す図、同図（ｂ）はアンロードせずに熱処理時の温度で
そのままクリーニングした時の試料の表面状態を示す図
である。

【符号の説明】

Ｗ被処理体２反応容器（処理容器）３熱処理ボート５ガス供給管７真空ポンプ９クリーニングガス供給装置５１第１ガス供給管（成膜ガス用）５２第２ガス供給管（クリーニングガス用）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を収納し、この被処理体に所定
の被膜を形成する処理容器の内部をクリーニングする方
法において、上記処理容器のクリーニング温度を、上記
被処理体の処理時に保持されている上記処理容器の温度
近傍に保持した状態で、上記処理容器内にクリーニング
ガスを供給し、このクリーニングガスにより上記処理容
器内に形成された被膜を除去することを特徴とするクリ
ーニング方法。
【請求項２】上記被膜がＢＰＳＧ膜で、上記クリーニ
ング温度を６００〜７００℃に設定すると共に上記クリ
ーニングガスとして三フッ化塩素ガスと窒素ガスの混合
ガスを、その圧力が０.５〜２.０Torrで、三フッ化塩素
ガスが５００〜２８００sccm、窒素ガスが１５００〜２
８００sccmになるように供給することを特徴とする請求
項１に記載のクリーニング方法。