JPH06148895A - 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法

Info

Publication number
JPH06148895A
JPH06148895A JP4296954A JP29695492A JPH06148895A JP H06148895 A JPH06148895 A JP H06148895A JP 4296954 A JP4296954 A JP 4296954A JP 29695492 A JP29695492 A JP 29695492A JP H06148895 A JPH06148895 A JP H06148895A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive resin
resin composition
siloxane polymer
alkali
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4296954A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuka Yamaho
有香 山舗
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Masaya Asano
昌也 浅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP4296954A priority Critical patent/JPH06148895A/ja
Publication of JPH06148895A publication Critical patent/JPH06148895A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明は、アルカリ可溶性シロキサンポリマ
ー、光によって反応促進剤を発生する化合物、および溶
剤を主成分とする感光性樹脂組成物において、アルカリ
可溶性シロキサンポリマーが、アルコキシシランに水お
よび触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水
および触媒を除去して得られるアルカリ可溶性シロキサ
ンポリマーであることを特徴とする感光性樹脂組成物お
よびこれを用いたパターン形成方法に関する。 【効果】本発明の感光性樹脂組成物は、塗布性に優れて
おり、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥が発生しな
い。また、保存中も粘度変化、塗布性劣化がなく、保存
安定性が優れている。さらに、プロセスラティチュード
が広く、パターン加工容易性を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ可溶性シロキ
サンポリマーを含有した感光性樹脂組成物およびこれを
用いたパターン形成方法に関するものであり、さらに詳
しくは塗布性および保存安定性の優れた感光性樹脂組成
物およびこれを用いたパターン形成方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】シロキサンポリマーを得る方法として
は、クロロシランを加水分解縮合させる方法が古くから
知られている。しかし、この方法では原料が塩素化合物
であるために、得られるシロキサンポリマーにクロルイ
オンが混入し、電子材料用途には適さないものであっ
た。
【0003】このクロルイオンの混入を防ぐ方法として
アルコキシシランを原料とする方法が開示されている。
すなわち、親水性溶媒中でアルコキシシランを水および
触媒を加えて加水分解縮合させ、その溶液を大量の水に
投入し、ポリマーを再沈させるというものである。
【0004】しかし、この方法では、得られる感光性樹
脂組成物の塗布性は悪く、保存安定性にも劣るものであ
った。さらに、本組成物を使用したパターン形成のプロ
セスにおいても、プリベーク状態で膜が硬化しやすく、
現像残膜が残るという問題を有していた。
【0005】すなわち、塗布性不良の原因について本発
明者らが詳細な検討を行なったところ、シロキサンポリ
マーが疎水性であるにもかかわらず、加水分解のために
加えた水の過剰分や縮合反応によって生成した水の除去
が不十分であるため、溶剤成分に水が含まれていること
が主原因であることが判った。
【0006】また、保存安定性不良およびパターン形成
不良については、加水分解促進用に加えた触媒の除去に
ついても不十分であるために、保存中に徐々に加水分解
縮合が進行していることが主原因であることが判った。
【0007】つまり、水の除去のみ、あるいは触媒の除
去のみでは塗布性の向上、保存安定性の向上のいずれを
も達成不可能なことが判明した。すなわち、水の除去の
みを行なって塗布性の向上を図っても、触媒が存在する
限りは脱水縮合反応の進行によって水が生成するため、
経時的に塗布性が劣化してしまうのである。また、触媒
の除去のみを行なって保存安定性の向上を図っても、水
の存在は加水分解を十分に進行させてしまうのである。
【0008】すなわち、水および触媒の双方を除去した
場合のみ、塗布性および保存安定性が共に優れた感光性
樹脂組成物が得られることを見出だし、本発明に到達し
たものである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、塗布
性および保存安定性が共に優れた感光性樹脂組成物、お
よびこれを用いた、現像残膜がなくプロセスラティチュ
ードの広いパターン形成方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
(1)アルカリ可溶性シロキサンポリマー、(2)光に
よって反応促進剤を発生する化合物、および(3)溶剤
を主成分とする感光性樹脂組成物において、アルカリ可
溶性シロキサンポリマーが、アルコキシシランに水およ
び触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水お
よび触媒を除去して得られるアルカリ可溶性シロキサン
ポリマーであることを特徴とする感光性樹脂組成物によ
り達成される。
【0011】以下、本発明の構成を順に説明する。
【0012】本発明において用いられるアルカリ可溶性
シロキサンポリマーは、アルコキシシランに水および触
媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水および
触媒を除去して得られるものである。
【0013】アルカリ可溶性シロキサンポリマーの原料
となるアルコキシシランは、そのアルコキシ基が加水分
解性を有しているものであれば、特に限定されないが、
好ましくは、次の一般式(1)で表されるものである。
【0014】 Rx Si(OR´)4-x (1) (ただし、R、R´は同一もしくは異なっていてもよ
く、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アリル
基、フルオロアルキル基を表す。また、xは0〜3の整
数である。)一般式(1)で表されるアルコキシシラン
の具体例としては、テトラヒドロキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシランフェニルトリ
メトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフ
ェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラ
ン、トリフルオロメチルメトキシシラン、トリフルオロ
エチルトリメトキシシランなどを挙げることができる。
好ましくは、メチルトリメトキシシラン40〜100モ
ル%、フェニルトリメトキシシラン0〜40モル%、お
よびジメチルジメトキシシラン0〜40モル%から成る
組成物であり、さらに好ましくはメチルトリメトキシシ
ラン50〜80モル%、フェニルトリメトキシシラン1
0〜30モル%、およびジメチルジメトキシシラン10
〜40モル%から成る組成物である。
【0015】アルコキシシランの加水分解縮合反応は無
溶媒で行っても良いが、通常は溶媒中で行なわれる。溶
媒としては、有機溶媒が好ましく、メチルイソブチルケ
トン、ジイソブチルケトン、ジエチルエーテル、酢酸エ
チル、ヘキサン、シクロヘキサン、ノルマルブタノール
などの疎水性有機溶媒がさらに好ましい。溶媒の量とし
ては、任意に選択可能であるが、アルコキシシラン1重
量に対して、0.1〜3.0倍重量の範囲で用いるのが
好ましい。
【0016】加水分解縮合反応をさせるために用いられ
る水としては、イオン交換水が好ましく、その量として
は、アルコキシシラン1モルに対して、1〜4倍モルの
範囲で用いるのが好ましい。また、加水分解縮合反応さ
せるために用いる触媒は酸触媒が好ましく、塩酸、硫
酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、リン酸、ほう酸などが好
ましい例としてあげられる。
【0017】加水分解縮合反応の温度および時間として
は、反応系の凝固点から沸点の範囲で適宜選択される
が、高分子量のシロキサンポリマーを得るには、還流下
で数時間行なうのが好ましい。
【0018】反応溶液から水および触媒を除去する方法
としては特に限定されない。例えば、イオン交換樹脂、
イオン交換繊維、モレキュラーシーブなどの吸着剤およ
び乾燥剤などを用いて行うことができるが、好ましく
は、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、ジ
エチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの疎水性
有機溶剤を用いて該反応溶液からシロキサンポリマーを
抽出し、その有機層を水洗する方法である。上記疎水性
有機溶剤の中で特に好ましいものは、メチルイソブチル
ケトン、ジイソブチルケトン、酢酸エチルである。有機
層を水洗後、さらに完全に水分を除去するために、無水
硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウムなどの乾燥剤を
用いることも可能である。
【0019】水洗後、あるいは水洗乾燥後の溶液に、光
によって反応促進剤を発生する化合物を加え感光性樹脂
組成物とすることも可能であるが、必要に応じて、溶剤
を追加あるいは除去して粘度を調製すること、あるいは
溶剤を除去してシロキサンポリマーを単離し、再び所望
の溶剤に溶解してから、光によって反応促進剤を発生す
る化合物を加え、感光性樹脂組成物とすることも好まし
く行われる。感光性樹脂組成物中のアルカリ可溶性シロ
キサンポリマーの好ましい配合割合としては、10〜6
0重量%である。
【0020】ここで用いられる溶剤としては、イソプロ
パノール、ノルマルブタノール、メチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエー
テル、エチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトンなど
を挙げることができる。
【0021】光によって反応促進剤を発生する化合物と
しては、特に限定されないが、光酸発生剤、あるいは光
塩基発生剤が好ましい。具体的には、光酸発生剤として
は、ベンゾイントシレート、トリ(ニトロベンジル)フ
ォスフェート、トリアニソインフォスフェート、ジアリ
ールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩な
ど、光塩基発生剤としては、ニトロベンジルシクロヘキ
シルカルバメート、ジ(メトキシベンジル)ヘキサメチ
レンジカルバメートなどを挙げることができる。これら
の化合物の使用量としては、シロキサンポリマーに対し
て、0.1〜5.0重量%の範囲にあることが好まし
く、より好ましくは、0.2〜2.0重量%である。
【0022】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いた
パターン形成方法を順に説明する。本発明の感光性樹脂
組成物をスピンナー、ディッピングなどの公知の方法に
よってシリコンウェハー、セラミックス板などの基板上
に塗布し、乾燥する。乾燥後の膜厚としては、0.5〜
5.0μm、乾燥温度としては、50〜150℃の範囲
にあることが好ましい。
【0023】乾燥後、マスクを介して露光する。露光に
際しては、“PLA”(キヤノン製紫外線露光機)など
の露光機を用い、200〜2000mJ/cm2 程度
(365nm)を露光すればよい。
【0024】露光後、加熱(ポストエクスポージャーベ
ーク)を行うことが好ましい。ポストエクスポージャー
ベークを行うことによって、露光によって発生した反応
促進剤の作用により露光部の重合化が進行し、未露光部
との現像液溶解度差が広がり、解像コントラストが向上
するという効果が得られる。ポストエクスポージャーベ
ークの温度範囲としては、50〜150℃、時間として
は、30秒〜5分間が好ましい。
【0025】つづいて、現像を行う。現像方法として
は、現像液に10秒〜10分間浸漬することが好まし
い。現像液としては、“NMD−3”(東京応化工業製
フォトレジスト用現像液)などのアルカリ水溶液を用い
ることが好ましい。現像後、水洗し、乾燥することによ
り、パターンが形成される。
【0026】さらに、必要に応じて、再露光を行うこと
により、その後のキュアを完全に行なうことができる。
【0027】さらに、パターン形成された膜を通常のキ
ュア温度である250〜500℃程度まで加熱し、キュ
アすることによって、所望のパターニングされた膜を得
ることができる。
【0028】本発明の感光性樹脂組成物は、半導体素子
の保護膜、層間絶縁膜、導波路形成用材料、位相シフタ
ー用材料、さらには各種電子部品の保護膜として用いる
ことができるが、これらに限定されない。
【0029】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
【0030】実施例1 メチルトリメトキシシラン136g(1.0mol)を
ジイソブチルケトン50gに溶解し、イオン交換水60
g、酢酸3gを攪拌しながら加えた。得られた溶液を加
熱し、還流させながら、24時間反応させた。その後、
酢酸ブチル500gを用いてシロキサンポリマーを抽出
し、有機層にイオン交換水200gを加えて振とうし、
静置後、水層を分離除去した。得られた有機層を濃縮
し、ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート0.2
gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【0031】この感光性樹脂組成物をシリコンウェハ上
にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラのな
い良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。また、こ
の感光性樹脂組成物は室温で3ケ月保存後も、粘度上昇
は見られず、塗布性の劣化も見られず、良好な保存安定
性を有していた。
【0032】塗布膜をホットプレートを用いて、100
℃で5分乾燥後、所望のマスクを介して、1500mJ
/cm2 (365nm)露光した。ホットプレートを用
いて100℃で1分間、ポストエクスポージャーベーク
を行なった後、2.38%のテトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド水溶液で1分間浸漬現像した。つづ
いて水洗し、乾燥したところ、最小0.5μmの良好な
L&Sパターンが得られた。
【0033】比較例1 実施例1と同様に、メチルトリメトキシシラン136g
(1.0mol)をジイソブチルケトン50gに溶解
し、イオン交換水60g、酢酸3gを攪拌しながら加え
た。得られた溶液を加熱し、還流させながら、24時間
反応させた。得られた溶液を濃縮して、ニトロベンジル
シクロヘキシルカルバメート0.2gを加え、感光性樹
脂組成物を得た。
【0034】この感光性樹脂組成物をシリコンウェハ上
にスピンコーターを用いて塗布したところ、多数のクレ
ーター状のムラが見られ、塗布性に劣るものであった。
さらに、この感光性樹脂組成物は室温保存により、粘度
上昇が見られ、保存安定性にも劣るものであった。
【0035】また、この塗布膜を、実施例1と同様にパ
ターン形成したところ、プリベークが強いと未露光部に
現像残膜が残りやすく、プロセスラティチュードが狭か
った。
【0036】実施例2 メチルトリメトキシシラン190g(1.4mol)、
ジメチルジメトキシシラン72g(0.6mol)、フ
ェニルトルメトキシシラン7.9g(0.4mol)を
メチルイソブチルケトン90gに溶解し、これに、イオ
ン交換水120g、リン酸10gを攪拌しながら加え
た。得られた溶液を加熱し、還流させながら、3時間反
応させた。その後、メチルイソブチルケトン1000g
を用いてシロキサンポリマーを抽出し、有機層をイオン
交換水1000gを加えて振とうし、静置後、水層を分
離除去した。得られた有機層を濃縮して、シロキサンポ
リマーを得た。このポリマー20gをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル30gに溶解し、さらにベンゾ
イントシレート0.1gを加え、感光性樹脂組成物を得
た。
【0037】この感光性樹脂組成物をシリコンウェハ上
にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラのな
い良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。また、こ
の感光性樹脂組成物は室温で3ケ月保存後も、粘度上昇
は見られず、塗布性の劣化も見られず、良好な保存安定
性を有していた。
【0038】塗布膜をホットプレートを用いて、100
℃で5分乾燥後、所望のマスクを介して、600mJ/
cm2 (365nm)露光した。ホットプレートを用い
て100℃で1分間、ポストエクスポージャーベークを
行なった後、2.38%のテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液で1分間浸漬現像した。つづい
て水洗し、乾燥したところ、最小0.5μmの良好なL
&Sパターンが得られた。
【0039】比較例2 実施例2と同様に、メチルトリメトキシシラン190g
(1.4mol)、ジメチルジメトキシシラン72g
(0.6mol)、フェニルトルメトキシシラン7.9
g(0.4mol)をメチルイソブチルケトン90gに
溶解し、これに、イオン交換水120g、リン酸10g
を攪拌しながら加えた。得られた溶液を加熱し、還流さ
せながら、3時間反応させた。得られた溶液をイオン交
換水1000gに加えて攪拌し、静置した後、白色の沈
殿したシロキサンポリマーを瀘別し、50℃で8時間真
空乾燥した。得られたポリマー20gをプロピレングリ
コールモノメチルエーテル30gに溶解し、さらにベン
ゾイントシレート0.1gを加え、感光性樹脂組成物を
得た。
【0040】この感光性樹脂組成物をシリコンウェハ上
にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラのな
い良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。しかし、
室温保存で急激な粘度上昇が見られ、1ケ月保存後には
ゲル化し、保存安定性に劣るものであった。
【0041】また、この塗布膜を、実施例2と同様にパ
ターン形成したところ、プリベークが強いと未露光部に
現像残膜が残りやすく、プロセスラティチュードが狭か
った。
【0042】実施例3 テトラメトキシシラン304g(2.0mol)、メチ
ルトリメトキシシラン136g(1.0mol)、ジメ
チルジメトキシシラン60g(0.5mol)をメタノ
ール100gに溶解し、これに、イオン交換水200
g、塩酸15gを攪拌しながら加えた。得られた溶液を
加熱し、還流させながら、8時間反応させた。その後、
この溶液をイオン交換樹脂1kgを充填したカラムに通
し、水および触媒を除去し、得られた有機層を濃縮し
て、シロキサンポリマーを得た。このポリマー20gを
プロピレングリコールモノメチルエーテル30gに溶解
し、さらにトリ(ニトロベンジル)フォスフェート0.
1gを加え、感光性樹脂組成物を得た。
【0043】この感光性樹脂組成物をシリコンウェハ上
にスピンコーターを用いてコートしたところ、ムラのな
い良好な膜が得られ、良好な塗布性を示した。また、さ
らに、この感光性樹脂組成物は室温で3ケ月保存後も、
粘度上昇は見られず、塗布性の劣化も見られず、良好な
保存安定性を有していた。
【0044】塗布膜をホットプレートを用いて、100
℃で5分乾燥後、所望のマスクを介して、600mJ/
cm2 (365nm)露光した。ホットプレートを用い
て100℃で1分間、ポストエクスポージャーベークを
行なった後、2.38%のテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド水溶液で1分間浸漬現像した。つづい
て水洗し、乾燥したところ、最小0.5μmの良好なL
&Sパターンが得られた。
【0045】比較例3 実施例3と同様に、テトラメトキシシラン304g
(2.0mol)、メチルトリメトキシシラン136g
(1.0mol)、ジメチルジメトキシシラン60g
(0.5mol)をメタノール100gに溶解し、これ
に、イオン交換水200g、塩酸15gを攪拌しながら
加えた。得られた溶液を加熱し、還流させながら、8時
間反応させた。次に、シロキサンポリマーを得るため、
この反応溶液を濃縮したところ、ゲル化し、保存安定性
の悪いものであった。
【0046】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、塗布性に
優れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥が発生
しない。また、保存中も粘度変化、塗布性劣化がなく、
保存安定性が優れている。さらに、プロセスラティチュ
ードが広く、パターン加工容易性を有している。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(1)アルカリ可溶性シロキサンポリマ
    ー、 (2)光によって反応促進剤を発生する化合物、および (3)溶剤を主成分とする感光性樹脂組成物において、
    アルカリ可溶性シロキサンポリマーが、アルコキシシラ
    ンに水および触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液
    から、水および触媒を除去して得られるアルカリ可溶性
    シロキサンポリマーであることを特徴とする感光性樹脂
    組成物。
  2. 【請求項2】アルカリ可溶性シロキサンポリマーが、ア
    ルコキシシランに水および触媒を加えて加水分解縮合さ
    せた反応溶液から疎水性有機溶剤を用いて抽出した有機
    層を水洗することによって、水および触媒を除去して得
    られるアルカリ可溶性シロキサンポリマーであることを
    特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】アルカリ可溶性シロキサンポリマーの原料
    であるアルコキシシランが、下記一般式(1)で表され
    るアルコキシシランであることを特徴とする請求項1ま
    たは2記載の感光性樹脂組成物。 Rx Si(OR´)4-x (1) (ただし、R、R´は同一もしくは異なっていてもよ
    く、それぞれ水素、アルキル基、アリール基、アリル
    基、フルオロアルキル基を表す。また、xは0〜3の整
    数である。)
  4. 【請求項4】光によって反応促進剤を発生する化合物が
    光酸発生剤であることを特徴とする請求項1〜3いずれ
    か記載の感光性樹脂組成物。
  5. 【請求項5】光によって反応促進剤を発生する化合物が
    光塩基発生剤であることを特徴とする請求項1〜3いず
    れか記載の感光性樹脂組成物。
  6. 【請求項6】請求項1〜5いずれか記載の感光性樹脂組
    成物を基板上に塗布、乾燥後、マスクを介して露光し、
    つづいて現像することを特徴とするパターン形成方法。
  7. 【請求項7】マスクを介して露光後、現像前に、加熱す
    ることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
  8. 【請求項8】現像に用いられる現像液がアルカリ水溶液
    であることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方
    法。
JP4296954A 1992-11-06 1992-11-06 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 Pending JPH06148895A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4296954A JPH06148895A (ja) 1992-11-06 1992-11-06 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4296954A JPH06148895A (ja) 1992-11-06 1992-11-06 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06148895A true JPH06148895A (ja) 1994-05-27

Family

ID=17840338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4296954A Pending JPH06148895A (ja) 1992-11-06 1992-11-06 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06148895A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5861235A (en) * 1996-06-26 1999-01-19 Dow Corning Asia, Ltd. Ultraviolet-curable composition and method for patterning the cured product therefrom
JP2004184999A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトイメージャブル導波路組成物及びそれから形成される導波路
WO2005010077A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Toagosei Co., Ltd. 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜
WO2005036269A1 (ja) * 2003-10-07 2005-04-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. 放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法、パターン形成方法、パターン使用方法、電子部品及び光導波路
WO2005036270A1 (ja) * 2003-10-07 2005-04-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. 放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法、パターン形成方法、パターン使用方法、電子部品及び光導波路
JP2005325344A (ja) * 2004-04-14 2005-11-24 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路組成物およびそれより形成された導波路
KR100617421B1 (ko) * 1998-06-18 2006-08-30 제이에스알 가부시끼가이샤 광경화성 조성물 및 광경화물
JP2006522861A (ja) * 2003-04-02 2006-10-05 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド マイクロ電子デバイスでの使用のためのオルガノシリケート樹脂調合物
JP2007225802A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性樹脂組成物
WO2008047654A1 (fr) * 2006-10-12 2008-04-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Composition pour la formation d'un film, procédé de fabrication d'un film à motifs, et film d'isolation pour dispositif électronique
JP2010282031A (ja) * 2009-05-01 2010-12-16 Jsr Corp ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン
US8119323B2 (en) 2006-06-13 2012-02-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Process for producing patterned film and photosensitive resin composition
WO2012157543A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 セントラル硝子株式会社 縮合物、感光性組成物およびその製造方法、およびそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法
KR101286189B1 (ko) * 2011-07-13 2013-07-15 삼성정밀화학 주식회사 내열성 피막용 조성물 및 그 제조방법
US8871425B2 (en) 2012-02-09 2014-10-28 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5861235A (en) * 1996-06-26 1999-01-19 Dow Corning Asia, Ltd. Ultraviolet-curable composition and method for patterning the cured product therefrom
KR100617421B1 (ko) * 1998-06-18 2006-08-30 제이에스알 가부시끼가이샤 광경화성 조성물 및 광경화물
JP2004184999A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フォトイメージャブル導波路組成物及びそれから形成される導波路
JP2006522861A (ja) * 2003-04-02 2006-10-05 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド マイクロ電子デバイスでの使用のためのオルガノシリケート樹脂調合物
WO2005010077A1 (ja) * 2003-07-29 2005-02-03 Toagosei Co., Ltd. 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜
US8329815B2 (en) 2003-07-29 2012-12-11 Toagosei Co., Ltd. Silicone-containing polymer and a heat-resistant resin composition comprising the silicon-containing polymer
JP4702055B2 (ja) * 2003-07-29 2011-06-15 東亞合成株式会社 珪素含有高分子化合物及びその製造方法
JP2011102399A (ja) * 2003-07-29 2011-05-26 Toagosei Co Ltd 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜
JPWO2005010077A1 (ja) * 2003-07-29 2006-11-30 東亞合成株式会社 珪素含有高分子化合物及びその製造方法並びに耐熱性樹脂組成物及び耐熱性皮膜
US7811637B2 (en) 2003-07-29 2010-10-12 Toagosei Co., Ltd. Silicon-containing polymer, process for producing the same, heat-resistant resin composition, and heat-resistant film
KR100853054B1 (ko) * 2003-10-07 2008-08-19 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 방사선 경화성 조성물, 그 보존방법, 경화막 형성방법,패턴 형성방법, 패턴 사용방법, 전자부품 및 광도파로
WO2005036270A1 (ja) * 2003-10-07 2005-04-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. 放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法、パターン形成方法、パターン使用方法、電子部品及び光導波路
US7297464B2 (en) 2003-10-07 2007-11-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Radiation curable composition, storing method thereof, forming method of cured film, patterning method, use of pattern, electronic components and optical waveguide
KR100869882B1 (ko) * 2003-10-07 2008-11-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 방사선 경화성 조성물, 경화막 형성방법 및 패턴 형성방법
WO2005036269A1 (ja) * 2003-10-07 2005-04-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. 放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法、パターン形成方法、パターン使用方法、電子部品及び光導波路
US8034545B2 (en) 2003-10-07 2011-10-11 Hitachi Chemical Co., Ltd. Radiation curable composition, storing method thereof, forming method of cured film, patterning method, use of pattern, electronic components and optical waveguide
JP2005325344A (ja) * 2004-04-14 2005-11-24 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 導波路組成物およびそれより形成された導波路
JP2007225802A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性樹脂組成物
US8119323B2 (en) 2006-06-13 2012-02-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Process for producing patterned film and photosensitive resin composition
WO2008047654A1 (fr) * 2006-10-12 2008-04-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Composition pour la formation d'un film, procédé de fabrication d'un film à motifs, et film d'isolation pour dispositif électronique
JP2010282031A (ja) * 2009-05-01 2010-12-16 Jsr Corp ネガ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン
WO2012157543A1 (ja) * 2011-05-13 2012-11-22 セントラル硝子株式会社 縮合物、感光性組成物およびその製造方法、およびそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法
KR101286189B1 (ko) * 2011-07-13 2013-07-15 삼성정밀화학 주식회사 내열성 피막용 조성물 및 그 제조방법
US8871425B2 (en) 2012-02-09 2014-10-28 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5458306B2 (ja) シリコーンコーティング組成物
JPH06148895A (ja) 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP6480691B2 (ja) ケイ素含有熱または光硬化性組成物
JP6513399B2 (ja) ネガ型感光性シロキサン組成物
JP6137862B2 (ja) ネガ型感光性シロキサン組成物
JPH09302221A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP6272753B2 (ja) ネガ型感光性シロキサン組成物
KR100942124B1 (ko) 절연막 형성용 감방사선성 조성물, 절연막 및 표시 소자
KR20080110537A (ko) 감방사선성 수지 조성물, 층간 절연막 및 마이크로렌즈, 및이들의 형성 방법
JP3376629B2 (ja) 感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法
WO2013080884A1 (ja) ネガ型感光性シロキサン組成物
WO2012050065A1 (ja) 単分子層又は多分子層形成用組成物
JP3870471B2 (ja) 感光性樹脂組成物、およびこれを使用したパターン形成方法
JPH04338958A (ja) レジスト材料、その製造方法およびこれを用いたパターン形成方法
JP4288796B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
KR101067090B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치
JPH06145599A (ja) コーティング用組成物
JPWO2008047654A1 (ja) 膜形成用組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び電子機器用絶縁膜
JP2002107932A (ja) 感放射線性組成物
JPH11130860A (ja) ケイ素含有ポリマ並びにこれを用いたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5835593B2 (ja) シラン化合物及びそれを用いた単分子層又は多分子層形成用組成物
TW201542611A (zh) 聚合物、感光性樹脂組成物及電子裝置
JP4087037B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2010039053A (ja) 感光性組成物及びパターン膜の製造方法
JP3636242B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料