JPH0614663B2 - 光走査装置 - Google Patents
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- JPH0614663B2 JPH0614663B2 JP61221507A JP22150786A JPH0614663B2 JP H0614663 B2 JPH0614663 B2 JP H0614663B2 JP 61221507 A JP61221507 A JP 61221507A JP 22150786 A JP22150786 A JP 22150786A JP H0614663 B2 JPH0614663 B2 JP H0614663B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、光走査装置に関する。
(従来技術) 半導体レーザーからの変調光を、回転多面鏡やホログラ
ムスキャナー等の回転偏向器で偏向させる方式の光走査
方式は良く知られている。回転偏向器は、一般に、光束
を、等角速度的に偏向させるので、被走査面における走
査速度を一定にするために、一般にはθレンズが用い
られている。しかしθレンズは特殊なレンズであり、
製造コストも高い。従って、できればθレンズを用い
ずにすませたいという要望もある。また、近時、光束の
走査角速度が一定でないような、特殊なポリゴンミラー
も提案されつつあり(特願昭59−274324号)、このよう
な場合には、θレンズを用いても、走査速度は一定と
ならないので、θレンズの使用ができない。
ムスキャナー等の回転偏向器で偏向させる方式の光走査
方式は良く知られている。回転偏向器は、一般に、光束
を、等角速度的に偏向させるので、被走査面における走
査速度を一定にするために、一般にはθレンズが用い
られている。しかしθレンズは特殊なレンズであり、
製造コストも高い。従って、できればθレンズを用い
ずにすませたいという要望もある。また、近時、光束の
走査角速度が一定でないような、特殊なポリゴンミラー
も提案されつつあり(特願昭59−274324号)、このよう
な場合には、θレンズを用いても、走査速度は一定と
ならないので、θレンズの使用ができない。
このような事情に鑑みて、近来、θレンズを用いず
に、光走査を行なう光走査方式が意図されつつある。例
えば、第6図は、このような光走査方式の走査装置の1
例を示している。
に、光走査を行なう光走査方式が意図されつつある。例
えば、第6図は、このような光走査方式の走査装置の1
例を示している。
光束は、レンズ80を介して、回転偏向器たる回転多面鏡
82に入射し、その反射面のひとつにより反射されて、光
導電性の感光体84に入射し、レンズ80の作用で感光体上
に集束する。回転多面鏡82を矢印方向へ等速回転させれ
ば、光束は、第6図で左方から右方へ向って偏向し、感
光体84を、その母線方向へ、左方から右方へと光走査す
る。なお、符号86は、受光素子を示し、この受光素子86
は、光走査の起点の同期をとるのに用いられる。回転多
面鏡82の回転により、光束を反射する反射面が切換るに
つれて、偏向すなわち、光走査が周期的に繰返されるこ
とになる。
82に入射し、その反射面のひとつにより反射されて、光
導電性の感光体84に入射し、レンズ80の作用で感光体上
に集束する。回転多面鏡82を矢印方向へ等速回転させれ
ば、光束は、第6図で左方から右方へ向って偏向し、感
光体84を、その母線方向へ、左方から右方へと光走査す
る。なお、符号86は、受光素子を示し、この受光素子86
は、光走査の起点の同期をとるのに用いられる。回転多
面鏡82の回転により、光束を反射する反射面が切換るに
つれて、偏向すなわち、光走査が周期的に繰返されるこ
とになる。
ところで、光走査の際、1画素の情報書込にわりあてら
れる時間をTとして、1/Tで与えられる周波数Kを
もつクロックを画像走査クロックという。
れる時間をTとして、1/Tで与えられる周波数Kを
もつクロックを画像走査クロックという。
θレンズを用いない光走査方式では、走査光による、
被走査面上の走査速度は一定とならないのであるから、
画像走査クロックの周波数Kを一定にしておくと、書
き込まれた情報に歪みが生じてしまう。かかる情報の歪
みを除去するには、被走査面上における走査速度の変化
に応じて、上記周波数Kを変化させる必要がある。す
なわち、走査速度が大きいところでは、それに応じて、
画像走査クロックの周波数Kを高くし、走査速度の小
さいところでは、周波数Kを低くしなければならな
い。
被走査面上の走査速度は一定とならないのであるから、
画像走査クロックの周波数Kを一定にしておくと、書
き込まれた情報に歪みが生じてしまう。かかる情報の歪
みを除去するには、被走査面上における走査速度の変化
に応じて、上記周波数Kを変化させる必要がある。す
なわち、走査速度が大きいところでは、それに応じて、
画像走査クロックの周波数Kを高くし、走査速度の小
さいところでは、周波数Kを低くしなければならな
い。
このように、画像走査クロックの周波数Kを、走査速
度に応じて変化させることによって、書き込まれた情報
画像の歪みを有効に軽減させることができる。
度に応じて変化させることによって、書き込まれた情報
画像の歪みを有効に軽減させることができる。
ところで、先にのべたように、周波数Kは、1画素の
情報書込みに割当られた時間Tの逆数である。従って、
周波数Kが変化することは、時間Tが変化することに
対応する。そうすると、光走査の際、走査光の強度が一
定であると、走査速度の大きいところ(時間Tが短か
い)と、小さいところ(時間Tが長い)で、1画素の書
込みに使用される光エネルギーに差異を生ずることにな
り、光走査による書込の際、走査速度の変化に従って、
1画素あたりの露光光量が変化し、得られる情報画像に
は、走査速度の変化に応じた像濃度変化が生ずることに
なる。
情報書込みに割当られた時間Tの逆数である。従って、
周波数Kが変化することは、時間Tが変化することに
対応する。そうすると、光走査の際、走査光の強度が一
定であると、走査速度の大きいところ(時間Tが短か
い)と、小さいところ(時間Tが長い)で、1画素の書
込みに使用される光エネルギーに差異を生ずることにな
り、光走査による書込の際、走査速度の変化に従って、
1画素あたりの露光光量が変化し、得られる情報画像に
は、走査速度の変化に応じた像濃度変化が生ずることに
なる。
発明者らは、上述した事情に鑑みて、上記の如き、θ
レンズを用いない光走査方式において、走査速度の変化
に起因する、情報画像の歪み、像濃度変化を有効に軽減
しうる光走査方式を、先に提案した(特願昭60−172155
号)。
レンズを用いない光走査方式において、走査速度の変化
に起因する、情報画像の歪み、像濃度変化を有効に軽減
しうる光走査方式を、先に提案した(特願昭60−172155
号)。
しかし、光源として用いられる半導体レーザーは、その
微分効率に統計的なばらつきがあり、このため、目的と
するところを正しく達成するためには、個々の光走査装
置ごとに光源たる半導体レーザーの微分効率に応じた調
整が必要となる。
微分効率に統計的なばらつきがあり、このため、目的と
するところを正しく達成するためには、個々の光走査装
置ごとに光源たる半導体レーザーの微分効率に応じた調
整が必要となる。
(目的) 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、半導体レーザーにおける
微分効率のばらつきや経時変化に拘らず、走査速度の変
化にもとづく、像濃度の不均一を、自動的かつ有効に軽
減しうる、新規な光走査装置の提供にある。
て、その目的とするところは、半導体レーザーにおける
微分効率のばらつきや経時変化に拘らず、走査速度の変
化にもとづく、像濃度の不均一を、自動的かつ有効に軽
減しうる、新規な光走査装置の提供にある。
(構成) 以下、本発明を説明する。
本発明の光走査装置は、半導体レーザーを光源とし、こ
の半導体レーザーからの変調光を回転偏向器、すなわち
回転多面鏡やホログラムスキャナー等で偏向させ、被走
査面を、θレンズを用いることなく、走査する光走査
装置であって、その特徴は、以下に述べるところにあ
る。
の半導体レーザーからの変調光を回転偏向器、すなわち
回転多面鏡やホログラムスキャナー等で偏向させ、被走
査面を、θレンズを用いることなく、走査する光走査
装置であって、その特徴は、以下に述べるところにあ
る。
すなわち、光書込走査時における半導体レーザーの発光
強度を第1の基準値に設定するためのデジタルの基準値
信号を、第1の出力強度制御回路によって得る。また、
上記発光強度を第2の基準値に設定するためのデジタル
の補正幅制御信号を、第2の出力強度制御回路によって
得る。
強度を第1の基準値に設定するためのデジタルの基準値
信号を、第1の出力強度制御回路によって得る。また、
上記発光強度を第2の基準値に設定するためのデジタル
の補正幅制御信号を、第2の出力強度制御回路によって
得る。
画像走査クロック周波数制御回路により、被走査面上で
の主走査の走査速度に応じて周波数が連続的に変化する
画像走査クロックを発生させる。そして、画像走査クロ
ック周波数制御回路において発振器からの基準クロック
に対する分周率が切換られるたびに、アップ/ダウンカ
ウンターを駆動して、デジタルの補正信号を得る。
の主走査の走査速度に応じて周波数が連続的に変化する
画像走査クロックを発生させる。そして、画像走査クロ
ック周波数制御回路において発振器からの基準クロック
に対する分周率が切換られるたびに、アップ/ダウンカ
ウンターを駆動して、デジタルの補正信号を得る。
この補正信号は、第1のD/A変換器によりアナログ信
号にアナログ変換される。補正幅制御信号は、第2のD
/A変換器によりアナログ変換される。また、基準値信
号は第3のD/A変換器によりアナログ変換される。
号にアナログ変換される。補正幅制御信号は、第2のD
/A変換器によりアナログ変換される。また、基準値信
号は第3のD/A変換器によりアナログ変換される。
第1のD/A変換器の利得が、アナログ変換された補正
幅制御信号により調整される。
幅制御信号により調整される。
アナログ変換された補正信号と、アナログ変換された基
準値信号とは、演算回路に入力され、基準値信号が、補
正信号により演算変調され、これによって、走査速度の
変化に比例的に対応して階段的に変化するアナログ信号
が得られる。
準値信号とは、演算回路に入力され、基準値信号が、補
正信号により演算変調され、これによって、走査速度の
変化に比例的に対応して階段的に変化するアナログ信号
が得られる。
このアナログ信号を、変調信号によって変調しつつ、半
導体レーザーを駆動し、光書込走査を行う。
導体レーザーを駆動し、光書込走査を行う。
ここで、第5図を参照する。図において、光書込走査領
域は、主走査により1ラインが書き込まれる時間領域を
示す。回転偏向器で偏向された変調光で、光書込走査を
行う場合、θレンズを用いないと、被走査面での走査
速度は、第5図の如きものとなり、光書込を行うライン
上の両端部で高速であり、中央部で低速となる。従っ
て、このような走査速度の変化に拘らず、記録画像に歪
みを生じないようにするためには、1画素の情報書込み
に割当られた時間Tが、上記ライン両端部で小さく、中
央部では大きくなるようにしなければならない。そし
て、このような状況において、記録画像の像濃度を主走
査方向において、均一化するためには、半導体レーザー
の、発光強度を、図示の如く、上記ライン両端部で大き
く、中央部で小さくしなければならない。図の如く、ラ
イン両端部での発光強度をP(A)、中央部でのそれをP
(B)とする。
域は、主走査により1ラインが書き込まれる時間領域を
示す。回転偏向器で偏向された変調光で、光書込走査を
行う場合、θレンズを用いないと、被走査面での走査
速度は、第5図の如きものとなり、光書込を行うライン
上の両端部で高速であり、中央部で低速となる。従っ
て、このような走査速度の変化に拘らず、記録画像に歪
みを生じないようにするためには、1画素の情報書込み
に割当られた時間Tが、上記ライン両端部で小さく、中
央部では大きくなるようにしなければならない。そし
て、このような状況において、記録画像の像濃度を主走
査方向において、均一化するためには、半導体レーザー
の、発光強度を、図示の如く、上記ライン両端部で大き
く、中央部で小さくしなければならない。図の如く、ラ
イン両端部での発光強度をP(A)、中央部でのそれをP
(B)とする。
上記像濃度を、主走査方向において理想的に均一化する
には、上記時間Tと、発光強度Pとの積P・Tが、画素
位置に拘らず一定となるようにすればよい。
には、上記時間Tと、発光強度Pとの積P・Tが、画素
位置に拘らず一定となるようにすればよい。
周知の如く、半導体レーザーの発光強度Pは、駆動電流
Iとともに直線的に変化するから、駆動電流Iを制御す
ることで、発光強度Pを制御することができる。
Iとともに直線的に変化するから、駆動電流Iを制御す
ることで、発光強度Pを制御することができる。
ここで、第4図を参照すると、第4図(I)の直線X,Y
は、半導体レーザーの発光強度Pと駆動電流Iとの対応
関係を示している。直線X,Yの傾きを、微分効率とい
い、ηであらわす。この微分効率は、同一種の半導体レ
ーザーでも一定ではなく、第4図(II)に示すように統計
的にばらつく。
は、半導体レーザーの発光強度Pと駆動電流Iとの対応
関係を示している。直線X,Yの傾きを、微分効率とい
い、ηであらわす。この微分効率は、同一種の半導体レ
ーザーでも一定ではなく、第4図(II)に示すように統計
的にばらつく。
第4図(I)に、Xで示す如きP−I特性を有する半導体
レーザーの場合、主走査ライン中央部で、P(B)の発光
強度をうるためには、発光強度P(A)のときの駆動電流
より△IXだけ駆動電流を小さくすればよいが、P−I特
性が第4図(I)のYの如きものだと、発光強度P(A)のと
きの駆動電流よりも、△IYだけ駆動電流を小さくしない
と、発光強度P(B)を実現できない。特願昭60−172155
号に提案された方法では、主走査ラインの中央部で、所
望の発光強度P(B)を実現するのに、光走査装置ごと
に、半導体レーザーの微分効率に応じて、調整を行う必
要があった。
レーザーの場合、主走査ライン中央部で、P(B)の発光
強度をうるためには、発光強度P(A)のときの駆動電流
より△IXだけ駆動電流を小さくすればよいが、P−I特
性が第4図(I)のYの如きものだと、発光強度P(A)のと
きの駆動電流よりも、△IYだけ駆動電流を小さくしない
と、発光強度P(B)を実現できない。特願昭60−172155
号に提案された方法では、主走査ラインの中央部で、所
望の発光強度P(B)を実現するのに、光走査装置ごと
に、半導体レーザーの微分効率に応じて、調整を行う必
要があった。
以下、具体的な実施例に即して説明する。
第1図は、本発明の光走査装置のための回路例を示して
いる。
いる。
まず、基準値信号の発生につき説明する。
基準値信号は、主走査ラインの両端部での光書込走査に
必要な、発光強度P(A)を実現するのに必要な信号であ
る。
必要な、発光強度P(A)を実現するのに必要な信号であ
る。
まず、半導体レーザーを駆動するためのLD駆動回路12
に、一定の駆動信号(図示されず)が印加される。する
と半導体レーザー10から、一定強度のレーザー光が、前
方及び後方へ射出される。
に、一定の駆動信号(図示されず)が印加される。する
と半導体レーザー10から、一定強度のレーザー光が、前
方及び後方へ射出される。
さて、半導体レーザー10から後方へ射出されたレーザー
光は、ホトセンサー14に受光される。ホトセンサー14
は、受光した光の強度に比例した電流を出力し、この電
流は増幅器16により電圧に変換され、比較器18,19に電
圧値VMとして印加され、基準電圧Vref1,Vref2と比較さ
れる。比較器18の出力電圧は、電圧VMとVreflの大小関
係に応じて高レベルまたは低レベルとなり、アップ/ダ
ウンカウンター20(以下、単にカウンター20と称する)
のカウントモードを制御する。例えば、VM<Vreflのと
き、すなわち、半導体レーザー10の出力強度が基準値P
(A)に達していないときは、比較器18の出力が低レベル
となり、カウンター20はアップカウンタンーとして作動
するカウントモードすなわちアップモードとなり、VM<
Vreflのときは逆にダウンカウンターとして動作するカ
ウントモードすなわちダウンモードとなる。
光は、ホトセンサー14に受光される。ホトセンサー14
は、受光した光の強度に比例した電流を出力し、この電
流は増幅器16により電圧に変換され、比較器18,19に電
圧値VMとして印加され、基準電圧Vref1,Vref2と比較さ
れる。比較器18の出力電圧は、電圧VMとVreflの大小関
係に応じて高レベルまたは低レベルとなり、アップ/ダ
ウンカウンター20(以下、単にカウンター20と称する)
のカウントモードを制御する。例えば、VM<Vreflのと
き、すなわち、半導体レーザー10の出力強度が基準値P
(A)に達していないときは、比較器18の出力が低レベル
となり、カウンター20はアップカウンタンーとして作動
するカウントモードすなわちアップモードとなり、VM<
Vreflのときは逆にダウンカウンターとして動作するカ
ウントモードすなわちダウンモードとなる。
フリップフロップ28は、スタンバイモードの始めに、パ
ワーセット信号によりセットされて出力信号を生じ、カ
ウンター20のディスエーブル状態を解除する。そして、
カウンター20は、クロックパルス発生器24からのクロッ
クパルスを比較器18からの入力に応じてアップまたはダ
ウンカウントする。
ワーセット信号によりセットされて出力信号を生じ、カ
ウンター20のディスエーブル状態を解除する。そして、
カウンター20は、クロックパルス発生器24からのクロッ
クパルスを比較器18からの入力に応じてアップまたはダ
ウンカウントする。
カウンター20のカウント出力は、第3のD/A変換器41
にて、アナログ信号に変換され、加算器42を介して、LD
駆動回路12に印加され、駆動信号を変化させる。これに
よって半導体レーザー10の発光強度が変化する。
にて、アナログ信号に変換され、加算器42を介して、LD
駆動回路12に印加され、駆動信号を変化させる。これに
よって半導体レーザー10の発光強度が変化する。
すなわち、カウンター20の計数値が徐々に増加(または
減少)するにともなって、半導体レーザー10からのレー
ザー光の強度は徐々に増加(または減少)し、比較器18
に印加される電圧VMは、徐々に増加(または減少)す
る。
減少)するにともなって、半導体レーザー10からのレー
ザー光の強度は徐々に増加(または減少)し、比較器18
に印加される電圧VMは、徐々に増加(または減少)す
る。
電圧VMが徐々に変化して、Vref1との大小関係が反転す
ると、比較器18の出力も、低レベルから高レベル(また
は高レベルから低レベル)へと反転する。このとき、エ
ッジ検出回路22が、比較器18の出力の立上り(または立
下り)のエッジを検出して、フリップフロップ28をリセ
ットし、カウンター20をディスエーブル状態に復帰させ
る。従って、カウンター20は、上記比較器18の出力反転
の際の計数値を保持し、従って、半導体レーザー10の駆
動電流の大きさが、そのまま保持される。このとき実質
的にVM=Vref1であり、半導体レーザー10の出力強度
は、基準電圧Vref1を通じて設定された第1の基準値P
(A)に設定される。このように、半導体レーザー10の発
光強度が第1の基準値P(A)に設定された状態で、カウ
ンター20から出力されるデジタル信号が基準値信号であ
る。
ると、比較器18の出力も、低レベルから高レベル(また
は高レベルから低レベル)へと反転する。このとき、エ
ッジ検出回路22が、比較器18の出力の立上り(または立
下り)のエッジを検出して、フリップフロップ28をリセ
ットし、カウンター20をディスエーブル状態に復帰させ
る。従って、カウンター20は、上記比較器18の出力反転
の際の計数値を保持し、従って、半導体レーザー10の駆
動電流の大きさが、そのまま保持される。このとき実質
的にVM=Vref1であり、半導体レーザー10の出力強度
は、基準電圧Vref1を通じて設定された第1の基準値P
(A)に設定される。このように、半導体レーザー10の発
光強度が第1の基準値P(A)に設定された状態で、カウ
ンター20から出力されるデジタル信号が基準値信号であ
る。
なお、エッジ検出回路22は、比較器18の出力が低レベル
から高レベルへ反転したときにのみ、カウンター20をデ
ィスエーブル状態にするように構成してもよい。このよ
うにすると、比較器18の出力レベルが低レベルから高レ
ベルへ反転するときは、上記の場合と同じであるが、上
記出力レベルが高レベルから低レベルへと反転するとき
には、以下の如くになる。すなわち、高レベルから低レ
ベルに反転すると、カウンター20は、ディスエーブル状
態が解除されたまま、アップカウンターとして動作する
ことになる。そして、半導体レーザー10の駆動電流は増
加し、比較器18の出力が低レベルから高レベルへと反転
すると、エッジ検出回路21がその立上りエッジを検出し
て、カウンター20をディスエーブル状態にして、その計
数値を保持させるのである。
から高レベルへ反転したときにのみ、カウンター20をデ
ィスエーブル状態にするように構成してもよい。このよ
うにすると、比較器18の出力レベルが低レベルから高レ
ベルへ反転するときは、上記の場合と同じであるが、上
記出力レベルが高レベルから低レベルへと反転するとき
には、以下の如くになる。すなわち、高レベルから低レ
ベルに反転すると、カウンター20は、ディスエーブル状
態が解除されたまま、アップカウンターとして動作する
ことになる。そして、半導体レーザー10の駆動電流は増
加し、比較器18の出力が低レベルから高レベルへと反転
すると、エッジ検出回路21がその立上りエッジを検出し
て、カウンター20をディスエーブル状態にして、その計
数値を保持させるのである。
また、カウンター20は、比較器18の出力が低レベルでダ
ウンカウンターとして作動し、上記出力が高レベルでア
ップカウンターとして作動するようにし、その計数値と
半導体レーザー10の駆動電流が反比例するようにしても
よい。エッジ検出回路22、カウンター20に関して、ここ
でのべたことは、エッジ検出回路23、カウンター21につ
いてもあてはまる。
ウンカウンターとして作動し、上記出力が高レベルでア
ップカウンターとして作動するようにし、その計数値と
半導体レーザー10の駆動電流が反比例するようにしても
よい。エッジ検出回路22、カウンター20に関して、ここ
でのべたことは、エッジ検出回路23、カウンター21につ
いてもあてはまる。
なお、フリップフロップ28がリセットされるとき、カウ
ンター20がディスエーブル状態に復帰するとともに、デ
ジタル値設定回路40には、モード設定信号が入力して、
モード設定を行う。
ンター20がディスエーブル状態に復帰するとともに、デ
ジタル値設定回路40には、モード設定信号が入力して、
モード設定を行う。
上述したところから明らかなように、ホトセンサー14、
増幅器16、比較器18、カウンター20、エッジ検出回路2
2、フリップフロップ28、第3のD/A変換器41、加算
器42、LD駆動回路12は、第1の出力強度制御回路を構成
する。
増幅器16、比較器18、カウンター20、エッジ検出回路2
2、フリップフロップ28、第3のD/A変換器41、加算
器42、LD駆動回路12は、第1の出力強度制御回路を構成
する。
さて、エッジ検出回路22の出力は、前述の如く、フリッ
プフロップ28をリセットするが、それと同時に、フリッ
プフロップ29をセットする。これにより、フリップフロ
ップ21は出力を生じ、カウンター21のディスエーブル状
態を解除する。従って、半導体レーザー10の発光強度
が、第1の基準値P(A)を実現すると同時に、カウンタ
ー21は、比較器19の出力が低レベルか高レベルかに応じ
て、クロックパルス発生器24からのクロックパルスをア
ップもしくはダウンカウントする。
プフロップ28をリセットするが、それと同時に、フリッ
プフロップ29をセットする。これにより、フリップフロ
ップ21は出力を生じ、カウンター21のディスエーブル状
態を解除する。従って、半導体レーザー10の発光強度
が、第1の基準値P(A)を実現すると同時に、カウンタ
ー21は、比較器19の出力が低レベルか高レベルかに応じ
て、クロックパルス発生器24からのクロックパルスをア
ップもしくはダウンカウントする。
このカウンター21のカウント出力は、第2のD/A変換
器33でアナログ信号にアナログ変換され、増幅器35、第
1のD/A変換器31、加算器42を介して、LD駆動回路12
に印加される。これにより、カウンター21の計数値の増
減にともない、半導体レーザー10からのレーザー光の発
光強度も増減する。そして、基準電圧Vref2を通じて設
定された、発光強度の第2の基準値P(B)が実現される
と、その事実が、比較器19の出力のレベル反転としてエ
ッジ検出回路23により検出され、エッジ検出回路23は出
力を発してフリップフロップ29をリセットする。これに
より、カウンター21はディスエーブル状態に復帰し、そ
の出力は、上記第2の基準値P(B)が実現されたときの
出力値を維持する。このときの、カウンター21の出力
が、補正幅制御信号である。従って、ホトセンサー16、
比較器19、エッジ検出回路23、フリップフロップ29、カ
ウンター21、D/A変換器33,31、増幅器35、加算器4
2、LD駆動回路12は第2の出力強度制御回路を構成す
る。
器33でアナログ信号にアナログ変換され、増幅器35、第
1のD/A変換器31、加算器42を介して、LD駆動回路12
に印加される。これにより、カウンター21の計数値の増
減にともない、半導体レーザー10からのレーザー光の発
光強度も増減する。そして、基準電圧Vref2を通じて設
定された、発光強度の第2の基準値P(B)が実現される
と、その事実が、比較器19の出力のレベル反転としてエ
ッジ検出回路23により検出され、エッジ検出回路23は出
力を発してフリップフロップ29をリセットする。これに
より、カウンター21はディスエーブル状態に復帰し、そ
の出力は、上記第2の基準値P(B)が実現されたときの
出力値を維持する。このときの、カウンター21の出力
が、補正幅制御信号である。従って、ホトセンサー16、
比較器19、エッジ検出回路23、フリップフロップ29、カ
ウンター21、D/A変換器33,31、増幅器35、加算器4
2、LD駆動回路12は第2の出力強度制御回路を構成す
る。
第1、第2の基準値P(A),P(B)は、光走査装置の設計
条件として定まるが、P(A)−P(B)を与える、駆動電流
差△Iは、半導体レーザーの微分効率により異なる。従
って、補正幅制御信号の大きさは、半導体レーザー10の
微分効率ηと対応関係にある。
条件として定まるが、P(A)−P(B)を与える、駆動電流
差△Iは、半導体レーザーの微分効率により異なる。従
って、補正幅制御信号の大きさは、半導体レーザー10の
微分効率ηと対応関係にある。
このようにして得られた補正幅制御信号は、第2のD/
A変換器33によりアナログ変換されてアナログ信号とな
り、増幅器35を介して第1のD/A変換器31に印加さ
れ、同変換器31の利得を、補正幅制御信号の大きさに比
例して変化させる。
A変換器33によりアナログ変換されてアナログ信号とな
り、増幅器35を介して第1のD/A変換器31に印加さ
れ、同変換器31の利得を、補正幅制御信号の大きさに比
例して変化させる。
上記、基準値信号、補正幅制御信号は、パワーセットの
行なわれるたびに変動することはありうるが、一旦パワ
ーセットが行なわれたのちの、次回のパワーセットまで
変化することはない。
行なわれるたびに変動することはありうるが、一旦パワ
ーセットが行なわれたのちの、次回のパワーセットまで
変化することはない。
次に、補正信号の発生につき説明する。
第2図は、第1図における画像走査クロック周波数制御
回路38、デジタル値設定回路40の具体的な回路の1例を
示している。
回路38、デジタル値設定回路40の具体的な回路の1例を
示している。
第2図において、アップ/ダウンカウンター68とD/A
変換器31とを除いた部分は、画像走査クロック周波数制
御回路を構成し、この制御回路は、出願人が先に特願昭
60−92960号において提案したのと同じものである。こ
の画像走査クロック周波数制御回路において、位相検波
回路58とローパスフィルター60、電圧制御発振器62、分
周器64は、フェイズ・ロックド・ループ回路(以下PLL
回路と称する)を構成する。
変換器31とを除いた部分は、画像走査クロック周波数制
御回路を構成し、この制御回路は、出願人が先に特願昭
60−92960号において提案したのと同じものである。こ
の画像走査クロック周波数制御回路において、位相検波
回路58とローパスフィルター60、電圧制御発振器62、分
周器64は、フェイズ・ロックド・ループ回路(以下PLL
回路と称する)を構成する。
画像走査クロック周波数制御回路から上記PLL回路をの
ぞいた部分と、アップ/ダウンカウンター68とは、第1
図におけるデジタル値設定回路40を構成している。
ぞいた部分と、アップ/ダウンカウンター68とは、第1
図におけるデジタル値設定回路40を構成している。
まず、画像走査クロック周波数制御回路の働きにつき、
簡単に説明する。
簡単に説明する。
発振器54から発せられる周波数Oの基準クロックは、
分周器56により分周されて、周波数O/Nの位置制御
用クロックとなり、制御回路16およびPLL回路の位相検
波回路58に入力する。
分周器56により分周されて、周波数O/Nの位置制御
用クロックとなり、制御回路16およびPLL回路の位相検
波回路58に入力する。
位相検波回路58は、上記位置制御用クロックと分周器64
から入力するクロックとの位相を比較し、その位相差を
パルス信号としてローパスフィルター60に出力する。
ローパスフィルター60を介して、上記位相差の情報が電
圧制御発振器62に入力すると同発振器62は、ローパスフ
ィルター60の出力電圧に応じた周波数のクロックを出力
する。このクロックが画像走査クロックとなる。画像走
査クロックは分周器64で分周され、クロックとして位相
検波回路58へ印加され、位置制御用クロックと位相比較
される。
から入力するクロックとの位相を比較し、その位相差を
パルス信号としてローパスフィルター60に出力する。
ローパスフィルター60を介して、上記位相差の情報が電
圧制御発振器62に入力すると同発振器62は、ローパスフ
ィルター60の出力電圧に応じた周波数のクロックを出力
する。このクロックが画像走査クロックとなる。画像走
査クロックは分周器64で分周され、クロックとして位相
検波回路58へ印加され、位置制御用クロックと位相比較
される。
分周器64の分周率は、これをMとすると固定値であり、
この分周器64から位相検波回路58に印加されるクロック
と位置制御用クロック との位相差が変化しないとき、電圧制御発振器62から発
せられる画像走査クロックの周波数Kは、 である。
この分周器64から位相検波回路58に印加されるクロック
と位置制御用クロック との位相差が変化しないとき、電圧制御発振器62から発
せられる画像走査クロックの周波数Kは、 である。
この状態で、分周器56の分周率をNからN1に切換ると、
位置制御用クロックの周波数は となり、画像走査クロックの周波数Kは、 から まで連続的かつ単調に変化する。
位置制御用クロックの周波数は となり、画像走査クロックの周波数Kは、 から まで連続的かつ単調に変化する。
従って分周器56の分周率を段階的に切換ることにより、
周波数が連続的に変化する画像走査クロックが得られ
る。
周波数が連続的に変化する画像走査クロックが得られ
る。
さて、制御回路50は、分周器56における分周率のプリセ
ット値を、アップ/ダウンカウンター52(以下、単にカ
ウンター52という)から出力させるためのクロックCK、
ディスエーブル状態を解除する信号EN、アップ/ダウン
のモードを設定する信号U/Dを発する。なお、制御回
路50、分周器56には、受光素子86(第6図)から得られ
る同期信号が印加される。
ット値を、アップ/ダウンカウンター52(以下、単にカ
ウンター52という)から出力させるためのクロックCK、
ディスエーブル状態を解除する信号EN、アップ/ダウン
のモードを設定する信号U/Dを発する。なお、制御回
路50、分周器56には、受光素子86(第6図)から得られ
る同期信号が印加される。
アップ/ダウンのモードは、走査速度の極値近傍でアッ
プモード(もしくはダウンモード)からダウンモード
(もしくはアップモード)に切かえるように信号U/D
の発生が行なわれる。
プモード(もしくはダウンモード)からダウンモード
(もしくはアップモード)に切かえるように信号U/D
の発生が行なわれる。
クロックCKが入力するとカウンター52は、プリセット値
を更新して、分周器56の分周率を切換る。切換幅△Nは
一定である。
を更新して、分周器56の分周率を切換る。切換幅△Nは
一定である。
さて、光走査が行なわれる走査領域は、予め、複数のブ
ロックBL1,BL2,…,BLi,…,BLKに分割されており、
各ブロックBLi(i=1〜K)ごとに、数値Miとni(i
=1〜K)とが定められている。
ロックBL1,BL2,…,BLi,…,BLKに分割されており、
各ブロックBLi(i=1〜K)ごとに、数値Miとni(i
=1〜K)とが定められている。
そして、i番目のブロックBLiでは、位置制御用クロッ
クが、制御回路50にMiパルス入力するごとに、制御回路
は50はクロックCKを発生させることによって、分周器56
の分周率が△Nだけ切換る。ブロックBliでは、クロッ
クCKの発生はni回生ずる。従ってブロックBLiは位置制
御用クロックのMi・ni個に対応する。そしてブロックBL
iを光走査する間に、分周率はni・△Nだけ変化する。
クが、制御回路50にMiパルス入力するごとに、制御回路
は50はクロックCKを発生させることによって、分周器56
の分周率が△Nだけ切換る。ブロックBliでは、クロッ
クCKの発生はni回生ずる。従ってブロックBLiは位置制
御用クロックのMi・ni個に対応する。そしてブロックBL
iを光走査する間に、分周率はni・△Nだけ変化する。
ブロック数Kや、Mi,niの値は、電圧制御発振器62から
発生する画像走査クロックの周波数kが走査速度変化
に伴う理想の周波数変化を良く近似するように、光走査
装置の設計条件に応じて実験的あるいは理論的に定めら
れる。
発生する画像走査クロックの周波数kが走査速度変化
に伴う理想の周波数変化を良く近似するように、光走査
装置の設計条件に応じて実験的あるいは理論的に定めら
れる。
第7図に1例を示す。図において曲線は、理想上の画像
走査クロックK0(回転偏向器としては、特願昭59−
274324号で提案された特殊な回転多面鏡が想定されてい
る。この回転多面鏡では、回転角αに応じて、光束の偏
向角θは、 なる関係を満足する。A,Rは、回転多面鏡の形態上の
定数である。)を、また、階段状のグラフ線は、周波数 を、それぞれ示している。分周率Nを段階的に切換るこ
とにより段階状に変化するのである。この折線K1の
下の数字5,6,10,16は、図の右端を走査開始側とし
て、それぞれM1,M2,M3,M4に対応している。図から明
らかなようにn1=6,n2=9,n3=3,n4=5である。
この図は対称図形の半分のみを示しており、対称性から
明らかなように、ブロック数Kは7、M5=10,n5=3,
M6=6,n6=9,M7=5,n7=6である。また、分周率
Nの切換幅△N=1である。分周率が段階的に切換られ
るに従い、画像走査クロックは連続的に変化して、理想
上の周波数変化K0良く近似する。ちなみに、分周率
Nは、走査領域の両端69、中央部で89である。
走査クロックK0(回転偏向器としては、特願昭59−
274324号で提案された特殊な回転多面鏡が想定されてい
る。この回転多面鏡では、回転角αに応じて、光束の偏
向角θは、 なる関係を満足する。A,Rは、回転多面鏡の形態上の
定数である。)を、また、階段状のグラフ線は、周波数 を、それぞれ示している。分周率Nを段階的に切換るこ
とにより段階状に変化するのである。この折線K1の
下の数字5,6,10,16は、図の右端を走査開始側とし
て、それぞれM1,M2,M3,M4に対応している。図から明
らかなようにn1=6,n2=9,n3=3,n4=5である。
この図は対称図形の半分のみを示しており、対称性から
明らかなように、ブロック数Kは7、M5=10,n5=3,
M6=6,n6=9,M7=5,n7=6である。また、分周率
Nの切換幅△N=1である。分周率が段階的に切換られ
るに従い、画像走査クロックは連続的に変化して、理想
上の周波数変化K0良く近似する。ちなみに、分周率
Nは、走査領域の両端69、中央部で89である。
以上が、画像走査クロック周波数制御回路の説明であ
る。
る。
ここで、再び第2図にもどって、補正信号の発生につき
説明する。
説明する。
制御回路50で発生する信号EN,CK,U/Dは、カウンタ
ー52に印加されると同時に、アップ/ダウンカウンター
68(以下、単にカウンター68と称する。)に印加され
る。従って、カウンター68と、カウンター52とは、同時
に、ディスエーブル状態を解除され、カウントを行な
い、アップモード,ダウンモードの切換を行なう。従っ
て、カウンター68は、画像走査クロック周波数制御回路
における、発振器54からの基準クロックに対する分周率
Nが切換られるたびに駆動されてカウントを行ない、カ
ウント量に応じて階段的に変化するデジタルの信号を出
力する。この信号が補正信号である。これまでの説明で
明らかなように、カウンター68は第1図におけるデジタ
ル値設定回路40の実体的部分である。
ー52に印加されると同時に、アップ/ダウンカウンター
68(以下、単にカウンター68と称する。)に印加され
る。従って、カウンター68と、カウンター52とは、同時
に、ディスエーブル状態を解除され、カウントを行な
い、アップモード,ダウンモードの切換を行なう。従っ
て、カウンター68は、画像走査クロック周波数制御回路
における、発振器54からの基準クロックに対する分周率
Nが切換られるたびに駆動されてカウントを行ない、カ
ウント量に応じて階段的に変化するデジタルの信号を出
力する。この信号が補正信号である。これまでの説明で
明らかなように、カウンター68は第1図におけるデジタ
ル値設定回路40の実体的部分である。
この補正信号は、上に説明した例では、カウンター52,
68のアップ/ダウンモードの切換が同じであるので、第
5図に示すように、走査速度の大きいところで大きく、
走査速度の小さいところで小さい。
68のアップ/ダウンモードの切換が同じであるので、第
5図に示すように、走査速度の大きいところで大きく、
走査速度の小さいところで小さい。
そこで、この補正信号により、前述の基準値信号を演算
変調する。
変調する。
すなわち、補正信号は、第1のD/A変換器31でアナロ
グ信号に変換され、加算器42において、基準値信号を加
算的に演算変調する。
グ信号に変換され、加算器42において、基準値信号を加
算的に演算変調する。
かくして、走査速度の変化に比例的に対応して段階的に
変化するアナログ信号が得られ、LD駆動回路12では、こ
のアナログ信号が、画像信号である変調信号(LD駆動回
路12に印加される。)で変調される。このようにして、
半導体レーザー10を駆動することにより、光走査領域に
おける、走査速度の大きいところでは、半導体レーザー
の発光強度が大きく、走査速度の小さいところでは、上
記発光強度が小さくなる(ただし、発光強度の変化は段
階的である)ので、走査方向にわたる露光量の不均一は
有効に軽減されることになる。
変化するアナログ信号が得られ、LD駆動回路12では、こ
のアナログ信号が、画像信号である変調信号(LD駆動回
路12に印加される。)で変調される。このようにして、
半導体レーザー10を駆動することにより、光走査領域に
おける、走査速度の大きいところでは、半導体レーザー
の発光強度が大きく、走査速度の小さいところでは、上
記発光強度が小さくなる(ただし、発光強度の変化は段
階的である)ので、走査方向にわたる露光量の不均一は
有効に軽減されることになる。
上述の説明から明らかなように、基準値信号は、半導体
レーザー10の発光強度の基準値P(A)(主走査のライン
の両端での発光強度)にもとづいて決定され、補正信号
は、光走査速度の変化に応じて決定されるから、これら
基準値信号、補正信号は、どちらも、半導体レーザーの
微分効率ηに対する情報を含んでいない。
レーザー10の発光強度の基準値P(A)(主走査のライン
の両端での発光強度)にもとづいて決定され、補正信号
は、光走査速度の変化に応じて決定されるから、これら
基準値信号、補正信号は、どちらも、半導体レーザーの
微分効率ηに対する情報を含んでいない。
従って、第1のD/A変換器31の利得が一定であると、
光書込走査において、主走査ラインの中央部を走査する
ときの、発光強度は、ηのばらつきや、経時的変動によ
って、所期の強度P(B)からずれてしまう。これによっ
て、半導体レーザーの発光強度は、主走査ライン中央部
でのずれを最大として、光書込走査領域にわたってずれ
ることになる。
光書込走査において、主走査ラインの中央部を走査する
ときの、発光強度は、ηのばらつきや、経時的変動によ
って、所期の強度P(B)からずれてしまう。これによっ
て、半導体レーザーの発光強度は、主走査ライン中央部
でのずれを最大として、光書込走査領域にわたってずれ
ることになる。
しかるに、本発明では、上記微分効率ηに関する情報を
含んでいる補正幅制御信号により、微分効率に応じて、
第1のD/A変換器31の利得を調整して、上記中央部を
走査するときの、発光強度P(B)を実現するので、光書
込走査領域にわたって、所望の発光強度を実現できるの
である。
含んでいる補正幅制御信号により、微分効率に応じて、
第1のD/A変換器31の利得を調整して、上記中央部を
走査するときの、発光強度P(B)を実現するので、光書
込走査領域にわたって、所望の発光強度を実現できるの
である。
第3図には、補正信号を得るための別の回路例を示す。
この例では、画像走査クロック周波数制御回路におい
て、分周率の段階的な切換の際に駆動されるアップ/ダ
ウンカウンター52の出力自体を演算回路70に印加し、所
定値と組合せて必要な演算処理例えば加算あるいは減算
の処理を行なうことにより所望の補正信号を得るように
している。
この例では、画像走査クロック周波数制御回路におい
て、分周率の段階的な切換の際に駆動されるアップ/ダ
ウンカウンター52の出力自体を演算回路70に印加し、所
定値と組合せて必要な演算処理例えば加算あるいは減算
の処理を行なうことにより所望の補正信号を得るように
している。
第2図、第3図において、モード設定信号は、出力強度
設定時の、補正信号用のD/A変換器31が、半導体レー
ザーの第1、第2の出力強度制御回路の働きに寄与しな
いようにデジタル値設定回路40(第1図)を制御し、ま
た、光走査時には、基準値信号用のD/A変換器41、補
正幅制御信号用のD/A変換器33の出力を保持するよう
に、アップ/ダウンカウンター20,21を制御する。
設定時の、補正信号用のD/A変換器31が、半導体レー
ザーの第1、第2の出力強度制御回路の働きに寄与しな
いようにデジタル値設定回路40(第1図)を制御し、ま
た、光走査時には、基準値信号用のD/A変換器41、補
正幅制御信号用のD/A変換器33の出力を保持するよう
に、アップ/ダウンカウンター20,21を制御する。
(効果) 以上、本発明によれば、新規な光走査装置を提供でき
る。本発明の光走査装置は上記の如くに構成されている
ので、θレンズを用いないにもかかわらず、また、半
導体レーザーの微分効率のばらつきや変動にも拘わず記
録画像における歪みや濃度むらを有効に除去して、光走
査を行うことができる。
る。本発明の光走査装置は上記の如くに構成されている
ので、θレンズを用いないにもかかわらず、また、半
導体レーザーの微分効率のばらつきや変動にも拘わず記
録画像における歪みや濃度むらを有効に除去して、光走
査を行うことができる。
また、補正信号もデジタル的に発生させるので、その発
生回路をコストの低いICで構成でき、信頼性も高い。
生回路をコストの低いICで構成でき、信頼性も高い。
なお、基準値信号を補正信号により演算変調するための
演算回路は、実施例の加算回路に限らず、減算回路、乗
算回路、除算回路を利用することもできる。
演算回路は、実施例の加算回路に限らず、減算回路、乗
算回路、除算回路を利用することもできる。
第1図は、本発明を実施するための回路の1例を示すブ
ロック図、第2図は、補正信号を発生させるための回路
の1例を示すブロック図、第3図は、補正信号を発生さ
せるための回路の別例を示すブロック図、第4図は、発
明の解決しようとする問題点を説明するための図、第5
図は、走査速度と補正信号の対応を説明するための図、
第6図は、本発明が適用される光走査を行うための光学
配置の1例を示す図、第7図は、画像走査クロック周波
数制御回路の働きを説明するための図である。 10……半導体レーザー、14……ホトセンサー、31……第
1のD/A変換器、33……第2のD/A変換器、41……
第3のD/A変換器。
ロック図、第2図は、補正信号を発生させるための回路
の1例を示すブロック図、第3図は、補正信号を発生さ
せるための回路の別例を示すブロック図、第4図は、発
明の解決しようとする問題点を説明するための図、第5
図は、走査速度と補正信号の対応を説明するための図、
第6図は、本発明が適用される光走査を行うための光学
配置の1例を示す図、第7図は、画像走査クロック周波
数制御回路の働きを説明するための図である。 10……半導体レーザー、14……ホトセンサー、31……第
1のD/A変換器、33……第2のD/A変換器、41……
第3のD/A変換器。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体レーザーからの変調光を回転偏向器
で偏向させ、fθレンズによる走査の等速化を図ること
なく、被走査面を走査する光走査装置であって、 光書込走査時における半導体レーザーの発光強度を第1
の基準値に設定するためのデジタルの基準値信号を得る
ための、第1の出力強度制御回路と、 光書込走査時における半導体レーザーの発光強度を第2
の基準値に設定するためのデジタルの補正幅制御信号を
得るための、第2の出力強度制御回路と、 被走査面上での走査速度の変化に応じて周波数が連続的
に変化する画像走査クロックを発生させるための、画像
走査クロック周波数制御回路と、 上記画像走査クロック周波数制御回路において発振器か
らの基準クロックに対する分周率が切り換えられるたび
に駆動されてデジタルの補正信号を発生する、アップ/
ダウンカウンターと、 上記補正信号をD/A変換する、第1のD/A変換器
と、 この第1のD/A変換器の利得調整用に、上記補正幅制
御信号をD/A変換する、第2のD/A変換器と、 上記基準値信号をD/A変換する、第3のD/A変換器
と、 上記第1のD/A変換器によりアナログ変換された補正
信号と、第3のD/A変換器によりアナログ変換された
基準値信号とを入力され、上記基準値信号を上記補正信
号で演算変調して、上記走査速度の変化に比例的に対応
して段階的に変化するアナログ信号を発生する演算回路
とを有し、 この演算回路により得られるアナログ信号を変調信号で
変調しつつ、半導体レーザーを駆動するように構成した
ことを特徴とする光走査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61221507A JPH0614663B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光走査装置 |
US07/098,603 US4813046A (en) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | Optical scanning method |
US07/322,687 US4907236A (en) | 1986-09-19 | 1989-03-13 | Method of controlling the quantity of light in a selected range |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61221507A JPH0614663B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光走査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376572A JPS6376572A (ja) | 1988-04-06 |
JPH0614663B2 true JPH0614663B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=16767794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61221507A Expired - Lifetime JPH0614663B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光走査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4813046A (ja) |
JP (1) | JPH0614663B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4197317A1 (en) | 2018-03-21 | 2023-06-21 | Mjnn Llc | Multi cavitiy vertical grow tower conveyance system |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2642121B2 (ja) * | 1988-02-10 | 1997-08-20 | 株式会社リコー | 半導体レーザー出力制御装置 |
JP2771822B2 (ja) * | 1988-10-21 | 1998-07-02 | 株式会社リコー | 光照射画像形成装置 |
US5157675A (en) * | 1989-09-27 | 1992-10-20 | Omron Corporation | Apparatus utilizing light emitting semiconductor device |
JP3212200B2 (ja) * | 1992-11-27 | 2001-09-25 | 東芝テック株式会社 | 光走査装置 |
US5585605A (en) * | 1993-11-05 | 1996-12-17 | Microfield Graphics, Inc. | Optical-scanning system employing laser and laser safety control |
US5963243A (en) * | 1993-11-10 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Tec | Exposing device for correcting an fθ error of a rotatable polygon mirror without using an fθ lens |
KR100252103B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2000-05-01 | 윤종용 | 레이저 다이오드의 온도 보상 장치 및 방법 |
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JP3746049B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2006-02-15 | 株式会社リコー | レーザダイオード駆動回路 |
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JP5948104B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-07-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 光走査装置及び画像形成装置 |
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US3636250A (en) * | 1964-02-26 | 1972-01-18 | Andrew V Haeff | Apparatus for scanning and reproducing a three-dimensional representation of an object |
JPS5412854A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Ricoh Co Ltd | Laser beam modulating system |
JPS58212256A (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | レ−ザ光源装置 |
JPS60174292A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ−スキヤナ−制御装置 |
US4763334A (en) * | 1985-01-30 | 1988-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Laser beam emitting apparatus |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221507A patent/JPH0614663B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-18 US US07/098,603 patent/US4813046A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4197317A1 (en) | 2018-03-21 | 2023-06-21 | Mjnn Llc | Multi cavitiy vertical grow tower conveyance system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4813046A (en) | 1989-03-14 |
JPS6376572A (ja) | 1988-04-06 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |