JPH06140738A - リードレスチップキャリア - Google Patents
リードレスチップキャリアInfo
- Publication number
- JPH06140738A JPH06140738A JP3073831A JP7383191A JPH06140738A JP H06140738 A JPH06140738 A JP H06140738A JP 3073831 A JP3073831 A JP 3073831A JP 7383191 A JP7383191 A JP 7383191A JP H06140738 A JPH06140738 A JP H06140738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip carrier
- leadless chip
- resin sealing
- sealing frame
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15159—Side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15162—Top view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 チップ搭載部１１を有する絶縁基材１と，該
絶縁基材に設けた下部接続電極１０と，絶縁基材の上面
に接合した樹脂封止枠２とよりなるリードレスチップキ
ャリア１Ａにおいて，樹脂封止枠２の外形を絶縁基材１
の外形と略同じとなし，その側面及び上面に上部接続電
極２０を設ける。そして，このように構成したリードレ
スチップキャリア１Ａを１組として，その上にこれらを
複数段に積層して，多層状のリードレスチップキャリア
とする。 【効果】 絶縁基材１上の樹脂封止枠２に上部接続電極
２０を設けているので，回路容量の大きい，多層状リー
ドレスチップキャリアを得ることができる。
絶縁基材に設けた下部接続電極１０と，絶縁基材の上面
に接合した樹脂封止枠２とよりなるリードレスチップキ
ャリア１Ａにおいて，樹脂封止枠２の外形を絶縁基材１
の外形と略同じとなし，その側面及び上面に上部接続電
極２０を設ける。そして，このように構成したリードレ
スチップキャリア１Ａを１組として，その上にこれらを
複数段に積層して，多層状のリードレスチップキャリア
とする。 【効果】 絶縁基材１上の樹脂封止枠２に上部接続電極
２０を設けているので，回路容量の大きい，多層状リー
ドレスチップキャリアを得ることができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，複数段に積層配置可能
なリードレスチップキャリアに関する。 【０００２】 【従来技術】図６に示すごとく半導体素子等のチップ部
品９３を搭載したリードレスチップキャリア９は，リー
ド線，リードピンを有しない電子部品搭載基板として知
られている。そして，該リードレスチップキャリア９は
上記チップ部品９３を搭載するためのチップ搭載部９８
を有する絶縁基材９１と，該絶縁基材９１の側面ないし
下面にわたって設けた下部接続電極９５とよりなる。該
下部接続電極９５は側面導体９５１と下面電極９５２と
からなる。また，絶縁基材９１の上面には導体回路９６
が形成してある。また，絶縁基材９１の上面には，チッ
プ搭載部９８を囲むように樹脂封止枠９２が設けてあ
る。また，絶縁基材９１に接合，搭載したチップ部品９
３と上記導体回路９６との間はボンディングワイヤー９
７が接続してある。そして，樹脂封止枠９２の内部に
は，上記チップ部品９３を取り囲むように，湿気浸入防
止用の封止用樹脂９４が充填されている。このように構
成されたリードレスチップキャリア９は，マザーボード
８に対して搭載され，リードレスチップキャリア９の上
記下面電極９５２とマザーボード８の電極８１とが半田
接合される。 【０００３】 【解決しようとする課題】ところで，近年は，チップ部
品の高集積化に伴ってリードレスチップキャリアにおけ
る導体回路の容量増加が強く要求されるようになってい
る。そのため，導体回路の高密度化も進められている。
しかしながら，リードレスチップキャリアの限られた面
積内では，かかる要求に充分対応することができない。
そこで，リードレスチップキャリアを複数段に積層する
ことが考えられる。しかし，従来のリードレスチップキ
ャリアは，前記図６に示したごとく，上面に樹脂封止枠
９２，封止用樹脂９４を有し，単に積層することはでき
ない。本発明は，かかる従来の問題点に鑑み，複数段に
積層配置することができるリードレスチップキャリアを
提供しようとするものである。 【０００４】 【課題の解決手段】本発明は，チップ搭載部を有する絶
縁基材と，該絶縁基材の側面ないし下面にわたって設け
た下部接続電極と，上記絶縁基材の上面に設けた樹脂封
止枠とよりなるリードレスチップキャリアにおいて，上
記樹脂封止枠の側面及び上面には上部接続電極を設けて
なり，リードレスチップキャリアを積層状に接続可能と
したことを特徴とするリードレスチップキャリアにあ
る。本発明において最も注目すべきことは，樹脂封止枠
の側面及び上面に上部接続電極を設け，リードレスチッ
プキャリアを複数段に積層接続可能としたことにある。
上記樹脂封止枠は，チップ搭載部に搭載したチップ部品
を樹脂封止する際に，樹脂の流出を防止するために設け
られた枠体である。該樹脂封止枠は，従来と同様に例え
ば合成樹脂により作製する。絶縁基材上への樹脂封止枠
の取付けは，従来と同様に，例えば接着剤により接合す
る。そして，該樹脂封止枠は，その外側面を絶縁基材の
外側面とほぼ同じ大きさに形成しておくことが好まし
い。これにより絶縁基材の下部接続電極と樹脂封止枠の
上部接続電極との導通を容易にすることができる。ま
た，当該リードレスチップキャリアの上に積層する他の
リードレスチップキャリアの絶縁基材の下部接続電極と
の接続を容易にすることができる。一方，当該リードレ
スチップキャリアの上に積層する他のリードレスチップ
キャリアの絶縁基材が小さい形状の場合など，樹脂封止
枠の上に積層するリードレスチップキャリアが小さい場
合には，当該リードレスチップキャリアの樹脂封止枠は
その絶縁基材よりも小さくすることも可能である。ま
た，樹脂封止枠の上部接続電極は，側面及び上面に連続
して形成する。即ち，側面には側面導体，上面には上面
電極を設ける。上記側面導体は，絶縁基材上の導体回
路，或いは絶縁基材の側面導体に，半田等により接続さ
れる部分である。一方，上面電極は，樹脂封止枠の上に
積層する他のリードレスチップキャリアにおける，下部
接続電極の下面電極と接続される部分である。また，上
記樹脂封止枠及び絶縁基材の側面導体は，半円状の凹部
に形成することが望ましい（図１）。これにより，側面
導体の傷つきが防止できると共に，側面導体の導通面積
が向上する。また，半田接合が容易となる。また，チッ
プ搭載部は，絶縁基材の表面であっても良いが，絶縁基
材の上面にザグリ加工等による凹所を設けて構成するこ
ともできる。後者の場合には，チップ部品を搭載した場
合，チップ部品の上面が上記凹所の深さ分だけ低くなる
ので，リードレスチップキャリア全体の厚みを薄くでき
る。また，チップ搭載部には，その下面に，湿気浸入防
止のための金属メッキ膜を形成しておくことが望まし
い。 【０００５】 【作用及び効果】本発明のリードレスチップキャリアに
おいては，絶縁基材上に設けた樹脂封止枠に前記上部接
続電極を設け，絶縁基材上の導体回路，或いは絶縁基材
の下部接続電極との間の電気的接続を図っている。それ
故，該リードレスチップキャリアの樹脂封止枠の上に他
のリードレスチップキャリアを積層した場合には，当該
樹脂封止枠の上部接続電極と，他のリードレスチップキ
ャリアの絶縁基材更にはその樹脂封止枠の上部接続電極
との間に電気的接続を図ることができる。このようにし
て，順次種々のリードレスチップキャリアを積層して，
多層リードレスチップキャリアを構成することができ
る。また，かかる多層リードレスチップキャリアは，例
えばマザーボードに接続する。したがって，本発明によ
れば，複数段に積層配置することができる，リードレス
チップキャリアを提供することができる。 【０００６】 【実施例】本発明の実施例にかかるリードレスチップキ
ャリアにつき，図１〜図５を用いて説明する。本例のリ
ードレスチップキャリア１Ａは，図１及び図２に示すご
とく，チップ搭載部１１を有する絶縁基材１と，該絶縁
基材１の側面ないし下面にわたって設けた下部接続電極
１０と，上記絶縁基材１の上面に設けた樹脂封止枠２と
よりなる。そして，該樹脂封止枠２の側面及び上面に
は，上部接続電極２０を有する。上記下部接続電極１０
と上部接続電極２０とは，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕの３層のメ
ッキ膜により形成されている。上記絶縁基材１の側面に
は，図１〜図４に示すごとく，半円状凹部１３が設けら
れ，その中に側面導体１０１が，またその下面周縁には
下面電極１０２が設けてある。この側面導体１０１及び
下面電極１０２により下部接続電極１０を構成する。ま
た，絶縁基材１は，樹脂封止枠２の上面まで貫通するス
ルーホール３を有する。該スルーホール３は，絶縁基材
１の下面にランド３１を，樹脂封止枠２の上面にランド
３２を有する。また，上記チップ搭載部１１は絶縁基材
１の中央部に凹状に設けられ，その内壁には湿気防止用
の金属メッキ膜１１１が施されている。次に，上記樹脂
封止枠２は，その外形が絶縁基材１の外形と同じ大きさ
を有し，両者は接着剤により接合されている。そして，
樹脂封止枠２の側面には，図１〜図４に示すごとく，半
円状凹部２５が設けられ，その中に側面導体２０１が，
またその上面周縁には上面電極２０２が設けてある。こ
の側面導体２０１と上面電極２０２により，上部接続電
極２０を構成する。また，樹脂封止枠２は，前記チップ
搭載部１１の外方に位置する開口部２７を有する。そし
て，図１に示すごとく，絶縁基材の下部接続電極１０と
樹脂封止枠の上部接続電極２０とは，両者が同位置に設
けられて連通している部分と，それぞれ異なる位置に設
けられて連通していない部分とがある。また，絶縁基材
の側面導体１０１は図２に示すごとく，絶縁基材１の上
面に設けた導体回路１６と接続されている場合と，図４
に示すごとく，樹脂封止枠の側面導体２０１に接続され
ている場合など，種々の接続態様がある。また，樹脂封
止枠の側面導体２０１は，図２に示すごとく，絶縁基材
の導体回路１６と接続されている場合と，図４に示すご
とく，絶縁基材の側面導体１０１と接続されている場合
など，種々の態様がある。上記リードレスチップキャリ
ア１Ａには，図２に示すごとく，その凹状のチップ搭載
部１１の中に半導体素子等のチップ部品９３を接合搭載
する。そして，チップ部品９３と導体回路１６との間
を，ボンディングワイヤー９７により結合する。そし
て，上記のごとくチップ部品９３を搭載した後，上記樹
脂封止枠２の開口部２７内に，封止用樹脂９４を充填す
る（図５）。次いで，図５に示すごとく，上記リードレ
スチップキャリア１Ａの上に，これと同様にして作製し
た他のリードレスチップキャリア１Ｂを積層する。そし
て，リードレスチップキャリア１Ａの樹脂封止枠２にお
ける上部接続電極２０の上面電極２０２の上に，リード
レスチップキャリア１Ｂの絶縁基材１における下部接続
電極１０の下面電極１０２を位置させ，両者を半田４に
より接合する。このようにリードレスチップキャリア１
Ａと１Ｂとを積層したリードレスチップキャリアは，従
来と同様にマザーボード８に搭載する。そして，該マザ
ーボード８の電極８１とリードレスチップキャリア１Ａ
の下部接続電極１０の下面電極１０２とを半田４により
接合する。以上のごとく，本例によれば，リードレスチ
ップキャリア１Ａの樹脂封止枠２の上に他のリードレス
チップキャリア１Ｂの絶縁基材を，更に該リードレスチ
ップキャリア１Ｂの樹脂封止枠２の上に他のリードレス
チップキャリアを多層状に順次積層して，多層リードレ
スチップキャリアを作製することができる。また，その
ため，リードレスチップキャリアの容量増加の要望に対
応することができる。
なリードレスチップキャリアに関する。 【０００２】 【従来技術】図６に示すごとく半導体素子等のチップ部
品９３を搭載したリードレスチップキャリア９は，リー
ド線，リードピンを有しない電子部品搭載基板として知
られている。そして，該リードレスチップキャリア９は
上記チップ部品９３を搭載するためのチップ搭載部９８
を有する絶縁基材９１と，該絶縁基材９１の側面ないし
下面にわたって設けた下部接続電極９５とよりなる。該
下部接続電極９５は側面導体９５１と下面電極９５２と
からなる。また，絶縁基材９１の上面には導体回路９６
が形成してある。また，絶縁基材９１の上面には，チッ
プ搭載部９８を囲むように樹脂封止枠９２が設けてあ
る。また，絶縁基材９１に接合，搭載したチップ部品９
３と上記導体回路９６との間はボンディングワイヤー９
７が接続してある。そして，樹脂封止枠９２の内部に
は，上記チップ部品９３を取り囲むように，湿気浸入防
止用の封止用樹脂９４が充填されている。このように構
成されたリードレスチップキャリア９は，マザーボード
８に対して搭載され，リードレスチップキャリア９の上
記下面電極９５２とマザーボード８の電極８１とが半田
接合される。 【０００３】 【解決しようとする課題】ところで，近年は，チップ部
品の高集積化に伴ってリードレスチップキャリアにおけ
る導体回路の容量増加が強く要求されるようになってい
る。そのため，導体回路の高密度化も進められている。
しかしながら，リードレスチップキャリアの限られた面
積内では，かかる要求に充分対応することができない。
そこで，リードレスチップキャリアを複数段に積層する
ことが考えられる。しかし，従来のリードレスチップキ
ャリアは，前記図６に示したごとく，上面に樹脂封止枠
９２，封止用樹脂９４を有し，単に積層することはでき
ない。本発明は，かかる従来の問題点に鑑み，複数段に
積層配置することができるリードレスチップキャリアを
提供しようとするものである。 【０００４】 【課題の解決手段】本発明は，チップ搭載部を有する絶
縁基材と，該絶縁基材の側面ないし下面にわたって設け
た下部接続電極と，上記絶縁基材の上面に設けた樹脂封
止枠とよりなるリードレスチップキャリアにおいて，上
記樹脂封止枠の側面及び上面には上部接続電極を設けて
なり，リードレスチップキャリアを積層状に接続可能と
したことを特徴とするリードレスチップキャリアにあ
る。本発明において最も注目すべきことは，樹脂封止枠
の側面及び上面に上部接続電極を設け，リードレスチッ
プキャリアを複数段に積層接続可能としたことにある。
上記樹脂封止枠は，チップ搭載部に搭載したチップ部品
を樹脂封止する際に，樹脂の流出を防止するために設け
られた枠体である。該樹脂封止枠は，従来と同様に例え
ば合成樹脂により作製する。絶縁基材上への樹脂封止枠
の取付けは，従来と同様に，例えば接着剤により接合す
る。そして，該樹脂封止枠は，その外側面を絶縁基材の
外側面とほぼ同じ大きさに形成しておくことが好まし
い。これにより絶縁基材の下部接続電極と樹脂封止枠の
上部接続電極との導通を容易にすることができる。ま
た，当該リードレスチップキャリアの上に積層する他の
リードレスチップキャリアの絶縁基材の下部接続電極と
の接続を容易にすることができる。一方，当該リードレ
スチップキャリアの上に積層する他のリードレスチップ
キャリアの絶縁基材が小さい形状の場合など，樹脂封止
枠の上に積層するリードレスチップキャリアが小さい場
合には，当該リードレスチップキャリアの樹脂封止枠は
その絶縁基材よりも小さくすることも可能である。ま
た，樹脂封止枠の上部接続電極は，側面及び上面に連続
して形成する。即ち，側面には側面導体，上面には上面
電極を設ける。上記側面導体は，絶縁基材上の導体回
路，或いは絶縁基材の側面導体に，半田等により接続さ
れる部分である。一方，上面電極は，樹脂封止枠の上に
積層する他のリードレスチップキャリアにおける，下部
接続電極の下面電極と接続される部分である。また，上
記樹脂封止枠及び絶縁基材の側面導体は，半円状の凹部
に形成することが望ましい（図１）。これにより，側面
導体の傷つきが防止できると共に，側面導体の導通面積
が向上する。また，半田接合が容易となる。また，チッ
プ搭載部は，絶縁基材の表面であっても良いが，絶縁基
材の上面にザグリ加工等による凹所を設けて構成するこ
ともできる。後者の場合には，チップ部品を搭載した場
合，チップ部品の上面が上記凹所の深さ分だけ低くなる
ので，リードレスチップキャリア全体の厚みを薄くでき
る。また，チップ搭載部には，その下面に，湿気浸入防
止のための金属メッキ膜を形成しておくことが望まし
い。 【０００５】 【作用及び効果】本発明のリードレスチップキャリアに
おいては，絶縁基材上に設けた樹脂封止枠に前記上部接
続電極を設け，絶縁基材上の導体回路，或いは絶縁基材
の下部接続電極との間の電気的接続を図っている。それ
故，該リードレスチップキャリアの樹脂封止枠の上に他
のリードレスチップキャリアを積層した場合には，当該
樹脂封止枠の上部接続電極と，他のリードレスチップキ
ャリアの絶縁基材更にはその樹脂封止枠の上部接続電極
との間に電気的接続を図ることができる。このようにし
て，順次種々のリードレスチップキャリアを積層して，
多層リードレスチップキャリアを構成することができ
る。また，かかる多層リードレスチップキャリアは，例
えばマザーボードに接続する。したがって，本発明によ
れば，複数段に積層配置することができる，リードレス
チップキャリアを提供することができる。 【０００６】 【実施例】本発明の実施例にかかるリードレスチップキ
ャリアにつき，図１〜図５を用いて説明する。本例のリ
ードレスチップキャリア１Ａは，図１及び図２に示すご
とく，チップ搭載部１１を有する絶縁基材１と，該絶縁
基材１の側面ないし下面にわたって設けた下部接続電極
１０と，上記絶縁基材１の上面に設けた樹脂封止枠２と
よりなる。そして，該樹脂封止枠２の側面及び上面に
は，上部接続電極２０を有する。上記下部接続電極１０
と上部接続電極２０とは，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕの３層のメ
ッキ膜により形成されている。上記絶縁基材１の側面に
は，図１〜図４に示すごとく，半円状凹部１３が設けら
れ，その中に側面導体１０１が，またその下面周縁には
下面電極１０２が設けてある。この側面導体１０１及び
下面電極１０２により下部接続電極１０を構成する。ま
た，絶縁基材１は，樹脂封止枠２の上面まで貫通するス
ルーホール３を有する。該スルーホール３は，絶縁基材
１の下面にランド３１を，樹脂封止枠２の上面にランド
３２を有する。また，上記チップ搭載部１１は絶縁基材
１の中央部に凹状に設けられ，その内壁には湿気防止用
の金属メッキ膜１１１が施されている。次に，上記樹脂
封止枠２は，その外形が絶縁基材１の外形と同じ大きさ
を有し，両者は接着剤により接合されている。そして，
樹脂封止枠２の側面には，図１〜図４に示すごとく，半
円状凹部２５が設けられ，その中に側面導体２０１が，
またその上面周縁には上面電極２０２が設けてある。こ
の側面導体２０１と上面電極２０２により，上部接続電
極２０を構成する。また，樹脂封止枠２は，前記チップ
搭載部１１の外方に位置する開口部２７を有する。そし
て，図１に示すごとく，絶縁基材の下部接続電極１０と
樹脂封止枠の上部接続電極２０とは，両者が同位置に設
けられて連通している部分と，それぞれ異なる位置に設
けられて連通していない部分とがある。また，絶縁基材
の側面導体１０１は図２に示すごとく，絶縁基材１の上
面に設けた導体回路１６と接続されている場合と，図４
に示すごとく，樹脂封止枠の側面導体２０１に接続され
ている場合など，種々の接続態様がある。また，樹脂封
止枠の側面導体２０１は，図２に示すごとく，絶縁基材
の導体回路１６と接続されている場合と，図４に示すご
とく，絶縁基材の側面導体１０１と接続されている場合
など，種々の態様がある。上記リードレスチップキャリ
ア１Ａには，図２に示すごとく，その凹状のチップ搭載
部１１の中に半導体素子等のチップ部品９３を接合搭載
する。そして，チップ部品９３と導体回路１６との間
を，ボンディングワイヤー９７により結合する。そし
て，上記のごとくチップ部品９３を搭載した後，上記樹
脂封止枠２の開口部２７内に，封止用樹脂９４を充填す
る（図５）。次いで，図５に示すごとく，上記リードレ
スチップキャリア１Ａの上に，これと同様にして作製し
た他のリードレスチップキャリア１Ｂを積層する。そし
て，リードレスチップキャリア１Ａの樹脂封止枠２にお
ける上部接続電極２０の上面電極２０２の上に，リード
レスチップキャリア１Ｂの絶縁基材１における下部接続
電極１０の下面電極１０２を位置させ，両者を半田４に
より接合する。このようにリードレスチップキャリア１
Ａと１Ｂとを積層したリードレスチップキャリアは，従
来と同様にマザーボード８に搭載する。そして，該マザ
ーボード８の電極８１とリードレスチップキャリア１Ａ
の下部接続電極１０の下面電極１０２とを半田４により
接合する。以上のごとく，本例によれば，リードレスチ
ップキャリア１Ａの樹脂封止枠２の上に他のリードレス
チップキャリア１Ｂの絶縁基材を，更に該リードレスチ
ップキャリア１Ｂの樹脂封止枠２の上に他のリードレス
チップキャリアを多層状に順次積層して，多層リードレ
スチップキャリアを作製することができる。また，その
ため，リードレスチップキャリアの容量増加の要望に対
応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例のリードレスチップキャリアの１部切欠
斜視図。 【図２】実施例のリードレスチップキャリアの側面断面
図。 【図３】実施例の絶縁基材の一部裏面図。 【図４】図２の一部拡大断面図。 【図５】実施例のリードレスチップキャリアを積層した
状態の断面図。 【図６】従来のリードレスチップキャリアの断面図。 【符号の説明】 １．．．絶縁基材， １０．．．下部接続電極， １０１．．．側面導体， １０２．．．下面電極， １１．．．チップ搭載部， ２．．．樹脂封止枠， ２０．．．上部接続電極， ２０１．．．側面導体， ２０２．．．上面電極， ３．．．スルーホール， ４．．．半田， ８．．．マザーボード， １Ａ，１Ｂ．．．リードレスチップキャリア，
斜視図。 【図２】実施例のリードレスチップキャリアの側面断面
図。 【図３】実施例の絶縁基材の一部裏面図。 【図４】図２の一部拡大断面図。 【図５】実施例のリードレスチップキャリアを積層した
状態の断面図。 【図６】従来のリードレスチップキャリアの断面図。 【符号の説明】 １．．．絶縁基材， １０．．．下部接続電極， １０１．．．側面導体， １０２．．．下面電極， １１．．．チップ搭載部， ２．．．樹脂封止枠， ２０．．．上部接続電極， ２０１．．．側面導体， ２０２．．．上面電極， ３．．．スルーホール， ４．．．半田， ８．．．マザーボード， １Ａ，１Ｂ．．．リードレスチップキャリア，
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｗ 9272−4Ｍ
25/00 Ａ
25/10
25/11
25/18
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チップ搭載部を有する絶縁基材と，該絶縁基材の側面な
いし下面にわたって設けた下部接続電極と，上記絶縁基
材の上面に設けた樹脂封止枠とよりなるリードレスチッ
プキャリアにおいて， 上記樹脂封止枠の側面及び上面には上部接続電極を設け
てなり，リードレスチップキャリアを積層状に接続可能
としたことを特徴とするリードレスチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3073831A JP2794972B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | リードレスチップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3073831A JP2794972B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | リードレスチップキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140738A true JPH06140738A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2794972B2 JP2794972B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=13529483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3073831A Expired - Lifetime JP2794972B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | リードレスチップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794972B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307405A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-21 | Goldstar Electron Co Ltd | ソルダボールを用いた半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JPH08213504A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JPH11262537A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-09-28 | Ela Medical Sa | 能動植え込み型医療装置の電子回路ならびにその製造方法 |
| JP2002164658A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Sharp Corp | モジュール基板 |
| JP2004022893A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2004022840A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2005005709A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | チップ積層パッケージ、連結基板及びチップ連結方法 |
| JPWO2003090289A1 (ja) * | 2002-04-19 | 2005-08-25 | 旭化成電子株式会社 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
| WO2011020341A1 (zh) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | 华为终端有限公司 | 电子模块及其封装结构 |
| JP2013534320A (ja) * | 2010-08-20 | 2013-09-02 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 圧力センサチップを収容してセンサハウジングに組み付けるためのセンサモジュール |
| JP2020072127A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766553U (ja) * | 1980-10-07 | 1982-04-21 | ||
| JPS5818346U (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-04 | シャープ株式会社 | Ｉｃパツケ−ジ |
| JPH02229461A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP3073831A patent/JP2794972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766553U (ja) * | 1980-10-07 | 1982-04-21 | ||
| JPS5818346U (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-04 | シャープ株式会社 | Ｉｃパツケ−ジ |
| JPH02229461A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307405A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-21 | Goldstar Electron Co Ltd | ソルダボールを用いた半導体パッケージおよびその製造方法 |
| JPH08213504A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JPH11262537A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-09-28 | Ela Medical Sa | 能動植え込み型医療装置の電子回路ならびにその製造方法 |
| JP2002164658A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Sharp Corp | モジュール基板 |
| JP4685356B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2011-05-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
| JPWO2003090289A1 (ja) * | 2002-04-19 | 2005-08-25 | 旭化成電子株式会社 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
| JP2004022840A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2004022893A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP2005005709A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | チップ積層パッケージ、連結基板及びチップ連結方法 |
| WO2011020341A1 (zh) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | 华为终端有限公司 | 电子模块及其封装结构 |
| JP2013534320A (ja) * | 2010-08-20 | 2013-09-02 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 圧力センサチップを収容してセンサハウジングに組み付けるためのセンサモジュール |
| US9006847B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-04-14 | Robert Bosch Gmbh | Sensor module for accommodating a pressure sensor chip and for installation into a sensor housing |
| JP2020072127A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794972B2 (ja) | 1998-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3689696B2 (ja) | チップパッケージの製造方法 | |
| US4700276A (en) | Ultra high density pad array chip carrier | |
| US4700473A (en) | Method of making an ultra high density pad array chip carrier | |
| US4763188A (en) | Packaging system for multiple semiconductor devices | |
| JP2755252B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置 | |
| US5933710A (en) | Method of providing electrical connection between an integrated circuit die and a printed circuit board | |
| JPH07169872A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20000057331A (ko) | 땜납 볼 본드 사이트로부터 측면으로 오프셋된 비아를 갖는 ｔａｂ 테이프 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| JPH06140738A (ja) | リードレスチップキャリア | |
| US6455355B1 (en) | Method of mounting an exposed-pad type of semiconductor device over a printed circuit board | |
| JPH01261849A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6404046B1 (en) | Module of stacked integrated circuit packages including an interposer | |
| KR100326834B1 (ko) | 와이어본딩반도체장치및반도체패키지 | |
| JP3660663B2 (ja) | チップパッケージの製造方法 | |
| EP0841699B1 (en) | Film capacitor and semiconductor package or device with it | |
| JP2784522B2 (ja) | 電子部品搭載用基板及びその製造法 | |
| JP2000228468A (ja) | 半導体チップ及び半導体装置 | |
| JP2784524B2 (ja) | 多層電子部品搭載用基板及びその製造法 | |
| JP2722451B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02343A (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2784248B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0517709B2 (ja) | ||
| KR100243023B1 (ko) | 반도체 패키지와 그 제조방법 및 그 적층방법 | |
| JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| KR20020028473A (ko) | 적층 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080626 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090626 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090626 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100626 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100626 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110626 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110626 Year of fee payment: 13 |