JPH06127925A - 耐熱性筒体、多結晶シリコン製造用反応管及びそれらの製造方法 - Google Patents
耐熱性筒体、多結晶シリコン製造用反応管及びそれらの製造方法Info
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- JPH06127925A JPH06127925A JP30485492A JP30485492A JPH06127925A JP H06127925 A JPH06127925 A JP H06127925A JP 30485492 A JP30485492 A JP 30485492A JP 30485492 A JP30485492 A JP 30485492A JP H06127925 A JPH06127925 A JP H06127925A
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大口径筒体として容易に製造することのでき
る耐熱性筒体及びその製造方法を提供する。 【構成】 耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構
成される筒体であって、相互に隣接する筒体要素片の側
面間に形成される空隙部がシリコンによって接合され、
かつ筒体内面にシリコンコーティング層を有してなる耐
熱性筒体。耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構
成される筒体内に、加熱下、シラン化合物含有ガスを流
通させながらそのシラン化合物を熱分解させ、その熱分
解により生成したシリコンを、相互に隣接する筒体要素
片の側面間に形成される空隙部に析出させるとともに、
更に、該筒体の内面に膜状に析出させることを特徴とす
る耐熱性筒体の製造方法。
る耐熱性筒体及びその製造方法を提供する。 【構成】 耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構
成される筒体であって、相互に隣接する筒体要素片の側
面間に形成される空隙部がシリコンによって接合され、
かつ筒体内面にシリコンコーティング層を有してなる耐
熱性筒体。耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構
成される筒体内に、加熱下、シラン化合物含有ガスを流
通させながらそのシラン化合物を熱分解させ、その熱分
解により生成したシリコンを、相互に隣接する筒体要素
片の側面間に形成される空隙部に析出させるとともに、
更に、該筒体の内面に膜状に析出させることを特徴とす
る耐熱性筒体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性筒体、多結晶シリ
コン製造用反応管及びそれらの製造方法に関し、詳しく
は、特に半導体製造用の粒状多結晶シリコンを流動層法
により製造する際に用いられる流動層反応器として好適
な耐熱性筒体及びその製造方法に関する。
コン製造用反応管及びそれらの製造方法に関し、詳しく
は、特に半導体製造用の粒状多結晶シリコンを流動層法
により製造する際に用いられる流動層反応器として好適
な耐熱性筒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多結晶シリコンは、ハロゲン化シ
ランやモノシラン等のシラン化合物の熱分解により生成
するシリコンをシリコン棒上に析出させる、いわゆるジ
ーメンス法で主として製造されてきた。この方法は、通
電加熱したシリコン棒上にシラン化合物を接触させ、そ
の熱分解により生成したシリコンをシリコン棒上に析出
させるものである。ハロゲン化シランの場合、シリコン
棒は抵抗加熱で約１１００〜１２００℃に加熱され、そ
の上にシリコンが析出するが、石英ガラス製ベルジャー
型反応器の内壁は、約３００℃に冷却され、内壁へのシ
リコン析出が防止されている。そのため、このジーメン
ス法は、加熱に要するエネルギーのほとんどが冷却によ
り失われる熱損失の大きいプロセスである。また、この
方法では析出面積が小さいために、時間当たりのシリコ
ン生産量は少なく、この点からも単位シリコン生産量当
りに要するエネルギー消費量が多いという欠点を有して
いる。更に、この方法は、シリコン棒がある程度の太さ
になった時点で回収し、再び新しいものと交換するバッ
チ式であり、大量生産するためには設備を増やさなけれ
ばならず、設備コストが大きいという不利な点を有して
いる。
ランやモノシラン等のシラン化合物の熱分解により生成
するシリコンをシリコン棒上に析出させる、いわゆるジ
ーメンス法で主として製造されてきた。この方法は、通
電加熱したシリコン棒上にシラン化合物を接触させ、そ
の熱分解により生成したシリコンをシリコン棒上に析出
させるものである。ハロゲン化シランの場合、シリコン
棒は抵抗加熱で約１１００〜１２００℃に加熱され、そ
の上にシリコンが析出するが、石英ガラス製ベルジャー
型反応器の内壁は、約３００℃に冷却され、内壁へのシ
リコン析出が防止されている。そのため、このジーメン
ス法は、加熱に要するエネルギーのほとんどが冷却によ
り失われる熱損失の大きいプロセスである。また、この
方法では析出面積が小さいために、時間当たりのシリコ
ン生産量は少なく、この点からも単位シリコン生産量当
りに要するエネルギー消費量が多いという欠点を有して
いる。更に、この方法は、シリコン棒がある程度の太さ
になった時点で回収し、再び新しいものと交換するバッ
チ式であり、大量生産するためには設備を増やさなけれ
ばならず、設備コストが大きいという不利な点を有して
いる。
【０００３】これらの欠点を克服するために、流動化さ
せたシリコン粒子上にシラン化合物含有ガスを接触さ
せ、その粒子上にシリコンを析出させる方法が提案され
ている。この流動層法によると、析出面積が大きく、エ
ネルギーコストを低く押えることができ、また連続的に
シリコン粒子を製造、回収できることから設備コストも
低くできるという利点がある。
せたシリコン粒子上にシラン化合物含有ガスを接触さ
せ、その粒子上にシリコンを析出させる方法が提案され
ている。この流動層法によると、析出面積が大きく、エ
ネルギーコストを低く押えることができ、また連続的に
シリコン粒子を製造、回収できることから設備コストも
低くできるという利点がある。
【０００４】以上のように、流動層法による多結晶シリ
コンの製造は、製造コスト上有利な点を有しているが、
ジーメンス法はシリコンが直接反応容器に触れることが
ないのに対し、流動層法は、シリコン粒子が反応器と直
接接触し、こすれ合った状態となるため、不純物の混入
の起こる機会が多いといった不利な点がある。不純物の
混入は、多結晶シリコンから単結晶シリコンを製造する
際、収率が下がるばかりでなく、半導体の特性にも重大
な影響を与え、ひいては半導体用途に使用し得る多結晶
シリコンを提供できなくなる可能性がある。
コンの製造は、製造コスト上有利な点を有しているが、
ジーメンス法はシリコンが直接反応容器に触れることが
ないのに対し、流動層法は、シリコン粒子が反応器と直
接接触し、こすれ合った状態となるため、不純物の混入
の起こる機会が多いといった不利な点がある。不純物の
混入は、多結晶シリコンから単結晶シリコンを製造する
際、収率が下がるばかりでなく、半導体の特性にも重大
な影響を与え、ひいては半導体用途に使用し得る多結晶
シリコンを提供できなくなる可能性がある。
【０００５】そこで、流動層法による多結晶シリコンの
製造において、シリコン粒子への不純物の混入を防止す
るために、流動層反応器の材質について種々提案されて
いる。例えば、セラミクスの表面をシリコンでコーティ
ングしたライナーを反応容器として使用する（特開昭６
３−２２５５１２号公報）、緻密質で気孔率が実質的に
零である高純度炭化ケイ素焼結体を反応容器として使用
する（特開昭６２−１８２１６２号公報）、セラミクス
製の基体表面を高純度で気孔率が実質的に零である緻密
質炭化ケイ素で被覆した反応管を使用する（特開昭６２
−７６２０号公報）、シリコン製の反応器を使用する
（特開昭６４−６５０１０号公報）、高純度シリコンに
てコーティングされた高純度グラファイトの反応器を使
用する（特開平２−１６７８１１号公報）、基材内面に
膜厚１０μｍ以上のガス不透過性Ｓｉ3Ｎ4膜を設けた反
応器を使用する（特開昭６３−１１７９０６号公報）な
どという方法がある。
製造において、シリコン粒子への不純物の混入を防止す
るために、流動層反応器の材質について種々提案されて
いる。例えば、セラミクスの表面をシリコンでコーティ
ングしたライナーを反応容器として使用する（特開昭６
３−２２５５１２号公報）、緻密質で気孔率が実質的に
零である高純度炭化ケイ素焼結体を反応容器として使用
する（特開昭６２−１８２１６２号公報）、セラミクス
製の基体表面を高純度で気孔率が実質的に零である緻密
質炭化ケイ素で被覆した反応管を使用する（特開昭６２
−７６２０号公報）、シリコン製の反応器を使用する
（特開昭６４−６５０１０号公報）、高純度シリコンに
てコーティングされた高純度グラファイトの反応器を使
用する（特開平２−１６７８１１号公報）、基材内面に
膜厚１０μｍ以上のガス不透過性Ｓｉ3Ｎ4膜を設けた反
応器を使用する（特開昭６３−１１７９０６号公報）な
どという方法がある。
【０００６】ところが、上記のような反応器は大口径な
ものとして得るのが難かしいといった問題点が残されて
いる。即ち、セラミクス材料では大口径の反応器を作製
しにくく、しかも大口径になればなるほど歪が大きくな
り、小さな衝撃でも割れやすい。一方、シリコンで大口
径の反応器を作製しようとする場合には、素材の大きさ
から、口径１５０ｍｍ以下に限られるといった不都合が
ある。反応器が大口径であることは多結晶シリコンを効
率的に製造するのに有利である。
ものとして得るのが難かしいといった問題点が残されて
いる。即ち、セラミクス材料では大口径の反応器を作製
しにくく、しかも大口径になればなるほど歪が大きくな
り、小さな衝撃でも割れやすい。一方、シリコンで大口
径の反応器を作製しようとする場合には、素材の大きさ
から、口径１５０ｍｍ以下に限られるといった不都合が
ある。反応器が大口径であることは多結晶シリコンを効
率的に製造するのに有利である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、大口径筒体
として容易に製造することのできる耐熱性筒体及びその
製造方法を提供することにある。
として容易に製造することのできる耐熱性筒体及びその
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の耐熱性筒体は、
耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構成される筒
体であって、相互に隣接する筒体要素片の側面間に形成
される空隙部がシリコンによって接合され、かつ筒体内
面にシリコンコーティング層を有してなること特徴とす
る。なお、相互に隣接する筒体要素片は、適当な耐熱性
接着剤を用いて固定することも可能である。こうした耐
熱性筒体は、既述のとおり、流動層法での多結晶シリコ
ン製造用反応管として有用なものである。
耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構成される筒
体であって、相互に隣接する筒体要素片の側面間に形成
される空隙部がシリコンによって接合され、かつ筒体内
面にシリコンコーティング層を有してなること特徴とす
る。なお、相互に隣接する筒体要素片は、適当な耐熱性
接着剤を用いて固定することも可能である。こうした耐
熱性筒体は、既述のとおり、流動層法での多結晶シリコ
ン製造用反応管として有用なものである。
【０００９】一方、本発明の耐熱性筒体の製造方法は、
耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構成される筒
体内に、加熱下、シラン化合物含有ガスを流通させなが
らそのシラン化合物を熱分解させ、その熱分解により生
成したシリコンを、相互に隣接する筒体要素片の側面間
に形成される空隙部に析出させるとともに、更に、該筒
体の内面に膜状に析出させることを特徴とする。
耐熱性材料からなる複数の筒体要素片から構成される筒
体内に、加熱下、シラン化合物含有ガスを流通させなが
らそのシラン化合物を熱分解させ、その熱分解により生
成したシリコンを、相互に隣接する筒体要素片の側面間
に形成される空隙部に析出させるとともに、更に、該筒
体の内面に膜状に析出させることを特徴とする。
【００１０】本発明者らは大口径の耐熱性筒体及びその
製造方法についていろいろな角度から検討を進めてきた
結果、耐熱性材料からなる複数の筒体要素片を筒状に並
べた状態で筒体要素片の側面管に形成される空隙部にシ
リコンを析出させてこれらを固着せしめるとともに、筒
体内面にシリコンを膜状に析出させることにより、大口
径の耐熱性筒体を容易に製造し得ることを見出した。本
発明はこの知見に基づいてなされたものである。
製造方法についていろいろな角度から検討を進めてきた
結果、耐熱性材料からなる複数の筒体要素片を筒状に並
べた状態で筒体要素片の側面管に形成される空隙部にシ
リコンを析出させてこれらを固着せしめるとともに、筒
体内面にシリコンを膜状に析出させることにより、大口
径の耐熱性筒体を容易に製造し得ることを見出した。本
発明はこの知見に基づいてなされたものである。
【００１１】以下に、本発明をさらに詳細に説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）は耐熱性材料からなる筒体要素片
１ａ、１ｂを複数用いて作製された耐熱性筒体の二例を
表わしている。筒体要素片１ａ、１ｂの形状、大きさ等
はその複数個を用いて筒体を呈しそれが維持できるもの
であれば、どのようなものであってもかまわない。筒体
の径は５０ｍｍ〜２０００ｍｍくらいが適当である。
図１（ａ）及び（ｂ）は耐熱性材料からなる筒体要素片
１ａ、１ｂを複数用いて作製された耐熱性筒体の二例を
表わしている。筒体要素片１ａ、１ｂの形状、大きさ等
はその複数個を用いて筒体を呈しそれが維持できるもの
であれば、どのようなものであってもかまわない。筒体
の径は５０ｍｍ〜２０００ｍｍくらいが適当である。
【００１２】耐熱性材料の代表的なものとしてはシリコ
ンやセラミクス材料があげられ、そのセラミクス材料の
具体例にはＳｉＣ、ＳｉＣ／Ｓｉ、グラファイト、アル
ミナ、ムライト等が例示できる。セラミクス材料中の金
属（Ｉａ族、IIａ族、遷移金属など）あるいはＢ、Ｐ、
Ａｓ等の半導体の特性に影響を及ぼす不純物はできる限
り少ない方が好ましいが、これらの不純物が含まれるも
のであっても表面をシリコン膜でコーティングすること
によって、多結晶シリコンへの不純物汚染は防止でき
る。
ンやセラミクス材料があげられ、そのセラミクス材料の
具体例にはＳｉＣ、ＳｉＣ／Ｓｉ、グラファイト、アル
ミナ、ムライト等が例示できる。セラミクス材料中の金
属（Ｉａ族、IIａ族、遷移金属など）あるいはＢ、Ｐ、
Ａｓ等の半導体の特性に影響を及ぼす不純物はできる限
り少ない方が好ましいが、これらの不純物が含まれるも
のであっても表面をシリコン膜でコーティングすること
によって、多結晶シリコンへの不純物汚染は防止でき
る。
【００１３】本発明に係る耐熱性筒体をつくるには、筒
体要素片１ａ又は１ｂの複数を図１（ａ）又は（ｂ）に
示したように筒体となるように並べ、これを図２に示し
たような例えばステンレス製構造材２の内側に固定し、
筒体の内面温度が導入されるシラン化合物の分解する程
度に外部から加熱した状態で筒体内にシラン化合物含有
ガスを供給すればよい。こうした操作によって、相互に
隣接している筒体要素片１ａ又は１ｂの側面間に形成さ
れる空隙部にシリコンが析出し、これら筒体要素片どう
しを固着させるとともに、その筒体の内面にはシリコン
が膜状に析出してシリコンコーティング層を形成する。
体要素片１ａ又は１ｂの複数を図１（ａ）又は（ｂ）に
示したように筒体となるように並べ、これを図２に示し
たような例えばステンレス製構造材２の内側に固定し、
筒体の内面温度が導入されるシラン化合物の分解する程
度に外部から加熱した状態で筒体内にシラン化合物含有
ガスを供給すればよい。こうした操作によって、相互に
隣接している筒体要素片１ａ又は１ｂの側面間に形成さ
れる空隙部にシリコンが析出し、これら筒体要素片どう
しを固着させるとともに、その筒体の内面にはシリコン
が膜状に析出してシリコンコーティング層を形成する。
【００１４】シリコンコーティング層の厚さは１０μｍ
以上好ましくは２０μｍ以上である。なお、このシリコ
ンコーティング層はＩａ族、IIａ族及び遷移金属の合計
含有量を１０ｐｐｂ以下、Ｂ、Ｐ及びＡｓの合計含有量
を１ｐｐｂ以下に抑えておくことが望ましい。これらの
不純物は半導体の特性に格別の影響を及ぼすからであ
る。
以上好ましくは２０μｍ以上である。なお、このシリコ
ンコーティング層はＩａ族、IIａ族及び遷移金属の合計
含有量を１０ｐｐｂ以下、Ｂ、Ｐ及びＡｓの合計含有量
を１ｐｐｂ以下に抑えておくことが望ましい。これらの
不純物は半導体の特性に格別の影響を及ぼすからであ
る。
【００１５】次に、本発明の反応管を用いて多結晶シリ
コンを製造するプロセスを図２に沿って説明する。流動
層反応器２の内部には、ライナ−として挿入された本発
明の多結晶シリコン製造用反応管１が収められている。
まず、種シリコン粒子が導入管３から流動層反応器に充
填される。次に、原料ガス導入管４によって、流動層反
応器２の底部より、シラン化合物含有ガスをガス分散板
５を経て、流動層反応器２内に吹き込み、ガス分散板上
のシリコン粒子を流動化させ、次いで加熱用ヒーター６
で所定の温度に加熱する。シラン化合物は流動層内で熱
分解を起こし、生成したシリコンが流動化シリコン粒子
上に析出される。シリコン析出により粒子が成長し、流
動層高が増してゆくため、小粒径の種シリコン粒子を導
入管３より導入し、流動層内の平均粒子径を一定に保つ
と共に、抜き出し管７より製品シリコン粒子の一部を抜
き出し、流動層高を一定に保つ。種シリコン粒子の平均
粒子径は５０〜３００μｍが好ましく、流動層内の粒子
の平均粒子径は３００〜１５００μｍが好ましい。反応
温度は６００〜８００℃が好ましい。
コンを製造するプロセスを図２に沿って説明する。流動
層反応器２の内部には、ライナ−として挿入された本発
明の多結晶シリコン製造用反応管１が収められている。
まず、種シリコン粒子が導入管３から流動層反応器に充
填される。次に、原料ガス導入管４によって、流動層反
応器２の底部より、シラン化合物含有ガスをガス分散板
５を経て、流動層反応器２内に吹き込み、ガス分散板上
のシリコン粒子を流動化させ、次いで加熱用ヒーター６
で所定の温度に加熱する。シラン化合物は流動層内で熱
分解を起こし、生成したシリコンが流動化シリコン粒子
上に析出される。シリコン析出により粒子が成長し、流
動層高が増してゆくため、小粒径の種シリコン粒子を導
入管３より導入し、流動層内の平均粒子径を一定に保つ
と共に、抜き出し管７より製品シリコン粒子の一部を抜
き出し、流動層高を一定に保つ。種シリコン粒子の平均
粒子径は５０〜３００μｍが好ましく、流動層内の粒子
の平均粒子径は３００〜１５００μｍが好ましい。反応
温度は６００〜８００℃が好ましい。
【００１６】
【実施例】以下に本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【００１７】実施例１ 図１（ｂ）に示す直径２００ｍｍ、長さ１０００ｍｍ、
厚さ６ｍｍの筒状体を１２個のシリコン製筒体要素片で
つくり、図２に示す様なＳＵＳ３０４製構造材２の内側
に固定した。この筒状体の内面温度が６３０℃となるよ
うヒーター６で加熱した状態でガス導入管４よりモノシ
ラン１６ ｌ／分、水素３００ ｌ／分の速度で原料ガス
の供給を行なった。３時間たった時点でこの操作を停止
した。筒体１を取り出し、その内表面のシリコン膜の析
出の程度を調べたところ、約１００μｍの膜でコーティ
ングされていた。また、シリコン製筒体要素片どうしの
間の隙間はシリコンで完全に埋められていた。
厚さ６ｍｍの筒状体を１２個のシリコン製筒体要素片で
つくり、図２に示す様なＳＵＳ３０４製構造材２の内側
に固定した。この筒状体の内面温度が６３０℃となるよ
うヒーター６で加熱した状態でガス導入管４よりモノシ
ラン１６ ｌ／分、水素３００ ｌ／分の速度で原料ガス
の供給を行なった。３時間たった時点でこの操作を停止
した。筒体１を取り出し、その内表面のシリコン膜の析
出の程度を調べたところ、約１００μｍの膜でコーティ
ングされていた。また、シリコン製筒体要素片どうしの
間の隙間はシリコンで完全に埋められていた。
【００１８】続いて、このシリコン製筒体を反応管とし
て使用し、図２の装置により粒状シリコンを製造した。
反応器内に平均粒子径約７００μｍのシリコンを１９Ｋ
ｇ仕込み、水素ガス４８０ ｌ／分、モノシランガス１
１６ ｌ／分を原料ガス導入口４より導入した。加熱ヒ
ーター６で粒子温度を６７０℃に保持した。種シリコン
導入管３より平均粒径２００μｍのシリコンを１４０ｇ
／時間の速度で導入するとともに、製品シリコン粒子を
抜出し管７より５分間隔で６．９Ｋｇ／時間の速度で抜
き出した。製品シリコン粒子は抜出し管内で冷却後、充
分に酸洗浄と純粋洗浄を行なったテフロンビンに受け
た。
て使用し、図２の装置により粒状シリコンを製造した。
反応器内に平均粒子径約７００μｍのシリコンを１９Ｋ
ｇ仕込み、水素ガス４８０ ｌ／分、モノシランガス１
１６ ｌ／分を原料ガス導入口４より導入した。加熱ヒ
ーター６で粒子温度を６７０℃に保持した。種シリコン
導入管３より平均粒径２００μｍのシリコンを１４０ｇ
／時間の速度で導入するとともに、製品シリコン粒子を
抜出し管７より５分間隔で６．９Ｋｇ／時間の速度で抜
き出した。製品シリコン粒子は抜出し管内で冷却後、充
分に酸洗浄と純粋洗浄を行なったテフロンビンに受け
た。
【００１９】実施例２ 図１（ａ）に示すような直径３００ｍｍ、長さ１５００
ｍｍの筒状体をＳｉＣからなる３６個の筒体要素片でつ
くり、実施例１と同様な方法でシリコンコーティングを
行なって反応管を作製した。これを用い実施例１と同様
にして多結晶シリコンの製造を行なった。１０時間後の
製品シリコン粒子の不純物分析を行なったところ、実施
例１とほぼ同じ結果が得られた。
ｍｍの筒状体をＳｉＣからなる３６個の筒体要素片でつ
くり、実施例１と同様な方法でシリコンコーティングを
行なって反応管を作製した。これを用い実施例１と同様
にして多結晶シリコンの製造を行なった。１０時間後の
製品シリコン粒子の不純物分析を行なったところ、実施
例１とほぼ同じ結果が得られた。
【００２０】得られた製品シリコンの不純物分析は、次
のようにして行なった。金属類については、ＨＦ／ＨＮ
Ｏ3でシリコンを除去した後の溶液を、ＩＣＰ−ＭＳ、
原子吸光法を用いて分析した。Ｂ、Ｐ、ＣについてはＦ
Ｚ法による単結晶化後、ＦＴ−ＩＲを用いて測定した。
１０時間及び１００時間運転後の製品シリコン中の不純
物は、表１に示される値であった。
のようにして行なった。金属類については、ＨＦ／ＨＮ
Ｏ3でシリコンを除去した後の溶液を、ＩＣＰ−ＭＳ、
原子吸光法を用いて分析した。Ｂ、Ｐ、ＣについてはＦ
Ｚ法による単結晶化後、ＦＴ−ＩＲを用いて測定した。
１０時間及び１００時間運転後の製品シリコン中の不純
物は、表１に示される値であった。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】請求項１及び３の発明は、大口径の耐熱
性筒体であり、これを多結晶シリコン製造用流動層反応
器に用いれば生産性の向上が期待できる。請求項２の発
明は、大口径の耐熱性筒体（多結晶シリコン製造用流動
層反応器と有用である）を容易に作製するものである。
性筒体であり、これを多結晶シリコン製造用流動層反応
器に用いれば生産性の向上が期待できる。請求項２の発
明は、大口径の耐熱性筒体（多結晶シリコン製造用流動
層反応器と有用である）を容易に作製するものである。
【図１】 （ａ）及び（ｂ）は本発明に係る多結晶シリ
コン製造用反応管として有用な耐熱性筒体の二例の概略
斜視図である。
コン製造用反応管として有用な耐熱性筒体の二例の概略
斜視図である。
【図２】 本発明の多結晶シリコンを実施するための流
動層反応装置の一例を示す模式図である。
動層反応装置の一例を示す模式図である。
１ ライナー（反応管） ２ 流動層反応器 ３ 種シリコン粒子導入管 ４ 原料ガス導入管 ５ ガス分散板 ６ 加熱用ヒーター ７ 製品シリコン粒子抜出し管 ８ 廃ガス排出管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高綱 和敏 神奈川県川崎市川崎区千鳥町３番１号 東 燃化学株式会社技術開発センター内 (72)発明者 猿渡 康裕 神奈川県川崎市川崎区千鳥町３番１号 東 燃化学株式会社技術開発センター内 (72)発明者 石川 延宏 愛知県名古屋市港区船見町一番地の１ 東 亞合成化学工業株式会社名古屋総合研究所 内 (72)発明者 ▲廣▼田 大助 愛知県名古屋市港区昭和町17番地の23 東 亞合成化学工業株式会社名古屋工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 耐熱性材料からなる複数の筒体要素片か
ら構成される筒体であって、相互に隣接する筒体要素片
の側面間に形成される空隙部がシリコンによって接合さ
れ、かつ筒体内面にシリコンコーティング層を有するこ
とを特徴とする耐熱性筒体。 - 【請求項２】 耐熱性材料からなる複数の筒体要素片か
ら構成される筒体内に、加熱下、シラン化合物含有ガス
を流通させながらそのシラン化合物を熱分解させ、その
熱分解により生成したシリコンを相互に隣接する筒体要
素片の側面間に形成される空隙部に析出させるととも
に、更に、該筒体の内面に膜状に析出させることを特徴
とする耐熱性筒体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１の筒体からなる多結晶シリコン
製造用反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30485492A JPH06127925A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 耐熱性筒体、多結晶シリコン製造用反応管及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30485492A JPH06127925A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 耐熱性筒体、多結晶シリコン製造用反応管及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06127925A true JPH06127925A (ja) | 1994-05-10 |
Family
ID=17938084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30485492A Pending JPH06127925A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 耐熱性筒体、多結晶シリコン製造用反応管及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06127925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183553B1 (en) | 1998-06-15 | 2001-02-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for preparation of silicon crystals with reduced metal content |
| JP2006036549A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Tokuyama Corp | シリコンの製造方法 |
| JP2006083024A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 |
| US9079145B2 (en) | 2011-06-16 | 2015-07-14 | Hemlock Semiconductor Corporation | Solids processing valve |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP30485492A patent/JPH06127925A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183553B1 (en) | 1998-06-15 | 2001-02-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for preparation of silicon crystals with reduced metal content |
| JP2006036549A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Tokuyama Corp | シリコンの製造方法 |
| JP4545505B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2010-09-15 | 株式会社トクヤマ | シリコンの製造方法 |
| JP2006083024A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 |
| JP4726454B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-07-20 | 京セラ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子 |
| US9079145B2 (en) | 2011-06-16 | 2015-07-14 | Hemlock Semiconductor Corporation | Solids processing valve |
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