JPH06124883A - 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 矩形以外にキャラクタビームのような複雑な
形状のビームを発生可能な荷電ビーム露光装置におい
て、ビームの倍率，回転，位置ずれ及び非点の校正等を
高速かつ高精度に行うことができる荷電ビーム補正方法
を提供すること。 【構成】 所定の開孔形状を有するアパーチャマスクに
荷電ビームを照射することにより開孔形状のビームを生
成し、これを偏向して試料上の所望位置に描画する荷電
ビーム露光装置であって、ビームを微小マーク上で少な
くとも１回走査することによりビームの２次元強度分布
を測定し、その強度分布と基準パターンとの相関係数を
算出し、その算出結果に基づいて電子光学系の各種パラ
メータを調整し補正する方法において、基準パターンと
してビームの設計データ１００とノイズフィルタ１０１
をコンボリューションしたパターン１０２を予め算出し
ておき、調整時にそのパターン１０２を使用することを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パター
ンを試料上に描画する荷電ビーム描画技術に係わり、特
にキャラクタプロジェクション方式で試料上に投影され
た成形ビームの位置ずれ，回転，倍率及び非点等を補正
する方法、及び試料上に形成されたマークを検出する方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウェハ等の試料上に所望の
パターンを描画するものとして、矩形・三角形などの可
変成形ビームを用いた電子ビーム露光装置が使われてい
る。このような電子ビーム露光装置では、複雑な形状の
パターンを描画する場合、単位面積当たりの図形数が増
大するため、描画時間がこれに比例して増加しスループ
ットが著しく低下するという問題があった。

【０００３】このような問題を解決する方法として、Ｌ
ＳＩチップ等で繰り返し使う複雑な形状のパターン図形
を数種類アパーチャマスク上に加工成形しておき、アパ
ーチャマスク上の各パターン図形に選択的にビームを照
射し、通過して生成されるビームパターンを試料上に縮
小投影する方式（以下「キャラクタプロジェクション方
式」と呼ぶ）の露光装置が提案されている。前記複雑な
形状のパターンとは、矩形・三角形などを複数組み合わ
せたようなものや凹凸部を有するものなどである。

【０００４】このような装置では、矩形，三角形など複
数個を組み合わせた複雑な形状のビームパターン等を１
回で照射できるため、大幅な描画の高速化が可能とな
る。しかし、キャラクタプロジェクション方式でＬＳＩ
パターンを描画するには、キャラクタビームのような複
雑な形状をしたビームの位置，倍率，非点などを高精度
に補正する方法が不可欠である。

【０００５】キャラクタビームの補正方法の詳細につい
て図を用いて説明する。図３に電子ビーム露光装置の概
略構成図を示す。１０は試料室であり、この試料室１０
内には半導体ウェハー等の試料１１を搭載した試料台１
２が収容されている。試料台１２は、計算機３０からの
指令を受けた試料台駆動回路３１によりＸ方向及びＹ方
向に移動することができる。偏向器２５，２６は、偏向
制御回路３３からの偏向信号によりキャラクタビームを
試料１１上で走査させるビーム走査用偏向板から構成さ
れる。

【０００６】また、試料室１０内には試料１１から反射
電子等を検出する電子検出器３７が設けられている。こ
の電子検出器３７は、試料１１上に位置する微小な金粒
のマークからの反射電子の検出に用いられる。このマー
クは、照射したビーム反射電子等によりビーム形状を測
定できるものであれば、材料，形状は問わないし、配置
場所に関しても試料面とほぼ同じレベルの高さであれば
問題ない。

【０００７】なお、２０は電子光学鏡筒、２１は電子
銃、２２ａ〜２２ｅは電子レンズ，２３はブランキング
偏向器，２４はビーム成形偏向器、２７ａ，２７ｂはビ
ーム成形用アパーチャ、２８は軸合わせコイル、３０は
計算機、３２はレーザ測長系、３３は偏向制御回路、３
４はブランキング制御回路、３５は可変成形ビーム寸法
制御回路を示している。

【０００８】次に、キャラクタプロジェクション方式に
ついて図３及び図４を用いて説明する。第１アパーチャ
２７ａには矩形の穴が開けられている。この穴の像はレ
ンズ２２ｃ，成形偏向器２４によりキャラクタアパーチ
ャの第２のアパーチャ２７ｂ上の任意の位置に結像させ
ることができるようになっている。

【０００９】キャラクタアパーチャ２７ｂ上にはＬＳＩ
チップで使用頻度が高いキャラクタ３０ａ〜３０ｄが複
数個加工されているので、成形偏向器２４でビームの偏
向方向を変えることにより、ビームを希望するキャラク
タに成形することができる。ここでは３０ａに成形し、
この成形したキャラクタビームを偏向器２５，２６によ
って試料上１１の希望する位置に照射することによりＬ
ＳＩパターンを描画する様子を示している。３０ｅは、
２７ａの矩形アパーチャとのビームの重ね合せにより、
矩形，三角形状のビームを形成するためのアパーチャで
ある。

【００１０】このような方式の装置では、偏向器２５，
２６の電圧が一定の場合、キャラクタ図形の配置座標に
依存して試料上の照射位置が大きく変化する。そのた
め、各キャラクタビームの不動点（ビームの基準位置）
を定義し、それが試料面上で一致するようにキャラクタ
ビーム毎に異なるオフセット電圧（振り戻し電圧）を決
めてやる必要がある。

【００１１】次に、キャラクタビームの２次元分布の測
定方法を、図３及び図５を用いて説明する。まず初め
に、図３の偏向器２５，２６のオフセット電圧を０ボル
トにして、キャラクタビーム３０を試料面１１上に形成
し、このビームを金の微粒子３１上でＸ方向に走査す
る。次いで、ビームを偏向器２５，２６によりＹ方向に
微少量ずらし再びＸ方向に走査する。このような走査を
繰り返すことにより、図６（ａ）のようなキャラクタビ
ーム形状の２次元分布を得ることができる。しかしここ
でビームの分解能は有限なため、測定されるビームのエ
ッジは図６（ｂ）に示したようにぼけた形状になる。

【００１２】そこで、試料上でのキャラクタビームのサ
イズ，形状，傾き及び位置の設計上のデータで図７
（ｂ）に示すようにビームの有無で２値化されたアパー
チャ設計データと、図７（ａ）に示すような測定データ
との間で、アパーチャ設計データの位置，倍率，回転を
変えながら相関関数を求め、その相関が最大になる点を
被測定ビームの位置，倍率，回転角度とする。非点条件
については、非点発生方向についてぼかし方を変え、ア
パーチャ設計データをぼかす処理を行い、これと相関を
計算することによって、非点量を決定することができ
る。このようにして求めた測定データの倍率，歪（形
状）及び傾きで、露光装置にフィードバックをかけて各
値を補正する。

【００１３】具体的には、まず初めに計算機上で図７の
設計データのＡと測定データのＡ′を一致させる。これ
には偏向器２５，２６に各キャラクタビームに対応した
振り戻し（オフセット）電圧を印加することによって一
致させることができる。同様に、キャラクタビーム中の
比較的長い線分、例えば線分ＡＢと線分Ａ′Ｂ′との角
度からアパーチャ２７ｂに必要な回転角度の補正量が分
かる。さらに、長さの違いから対物レンズに対して必要
な倍率の補正量が分かる。また、このとき光学系の非点
によりアパーチャ設計データと測定データとの各頂点
（例えば頂点ＣとＣ′）が一致していないことがある
が、これについては、各頂点のずれ方から非点の方向及
び量が判別できる。

【００１４】このようにして求められた各補正量を露光
装置にフィードバックすることにより複雑な形のビーム
でも精度良く測定でき、その結果描画精度向上を図るこ
とができる。

【００１５】ところで、上記方法で検出されるビーム像
の分解能はマークの大きさで決定される。よって、キャ
ラクタビームの持つ複雑な凹凸形状を正確に測定するた
めにはその凹凸より十分小さなマークを使う必要があ
る。しかしながら、マークが小さくなるにつれて検出信
号のＳ／Ｎが劣化し位置検出精度が下がるため、取り込
んだ画像データに対しノイズ処理を効果的に行う必要が
ある。このようなノイズ処理は、データ量の増大と共に
その処理時間が増すという問題を引き起こすことにな
る。

【００１６】一方、電子ビーム露光装置では、重ね合わ
せ描画の際に、基板上に設けられたマークをレジストの
上からビーム走査してマーク波形を得ている。このと
き、レジストの材質に応じて局所的なチャージアップが
発生し、マーク波形が非対象になったり、膜の厚さに応
じてノイズが増加したり、マークのエッジ部に堆積物が
付着して検出されるマークエッジの波形が乱れてしまう
ことがある。このため、マーク検出精度が劣化してい
た。

【００１７】ノイズに関しては、平均加算処理或いは波
形を取り込んでからフィルタ処理する方法が一般的に適
応されており、マーク波形の乱れ（非対象等）に関して
はその部分を取り除いてマーク位置を算出していた。し
かし、このような処理や計算には多大な時間がかかると
いう問題があった。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、試料面
上の微小マークを使って測定した２次元ビームパターン
形状から高精度なビーム校正を行う方法においては、ノ
イズを効果的に除去しなければならないが、これによっ
てビーム校正全体の時間は長くなり、ひいては露光装置
の稼動率を低下させるというのが現状であった。そのた
め、キャラクタビームのような複雑な形状のビームの位
置，倍率，非点などを高速かつ高精度に校正する方法が
要求されていた。また、合わせ描画の際、検出するマー
ク波形の形状が崩れたり、ノイズが増加したりすると、
マーク検出精度が劣化するという問題があった。

【００１９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、矩形及び矩形のみなら
ずキャラクタビームのような複雑な形状のビームを発生
することができる荷電ビーム露光装置において、ビーム
の倍率，回転，位置ずれ及び非点等の校正を高速かつ高
精度に行うことができる荷電ビーム補正方法を提供する
ことにある。

【００２０】また、本発明の他の目的は、合わせ描画の
際のマーク波形の崩れやノイズの増大に起因するマーク
検出精度の劣化を防止することができ、マーク検出を高
速かつ高精度に行うことができるマーク検出方法を提供
することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、基準パ
ターンとして前記ビームパターンの設計データとノイズ
フィルタをコンボリューションしたパターンを使用する
ことにある。

【００２２】即ち、本発明（請求項１）は、所定の開孔
形状を有するアパーチャマスクに荷電ビームを照射する
ことにより成形ビームを生成し、これを偏向して試料上
の所望位置に描画する荷電ビーム露光装置であって、ビ
ームを微小マーク上で少なくとも１回以上走査すること
によりビームの２次元強度分布を測定し、その強度分布
と基準パターンとの相関係数を算出し、その算出結果に
基づいて電子光学系の各種パラメータを調整し補正する
方法において、基準パターンとしてビームの設計データ
とノイズフィルタ関数をコンボリューションしたパター
ンを予め算出しておき、調整時にそのパターンを使用す
ることを特徴とする。

【００２３】また、本発明（請求項２）は、基板に形成
されたマークに荷電ビーム若しくは光を照射してマーク
の形状を測定し、測定されたマーク形状と基準パターン
との相関係数を算出し、この計算結果に基づいてマーク
位置を得る方法において、基準パターンとしてマークの
設計データとノイズフィルタ関数をコンボリューション
したデータをテンプレートとして予め算出しておき、マ
ーク測定時に該テンプレートを使うことを特徴とする。
ここで、本発明の望ましい実施態様としては、次のもの
があげられる。 (1) 基準パターンとして、微小マークの電子反射率に相
当する分布と設計データをコンボリューションしたパタ
ーンを使うこと。 (2) 算出したずれ量に基づいてビームを校正する場合、
荷電ビーム露光装置の機構を動かして補正すること。 (3) 微小マークとしてライン状の１次元マーク又は点状
の２次元マークのうちいずれかを使うこと。

【００２４】(4) マークの設計データとノイズフィルタ
関数とをコンボリューションしたデータをテンプレート
とする代わりに、レジストが塗布されてない状態で検出
されるマーク波形、或いは加速電圧とマーク材質から計
算されるマーク波形を用いてテンプレートを作成するこ
と。

【００２５】

【作用】本発明（請求項１）によれば、ビームの基準パ
ターンにノイズフィルタ機能を持たせられる。従って、
そのノイズフィルタ機能を持ったパターンと微粒子で測
定されるビーム形状の相互相関係数を計算するだけで、
キャラクタビームを設計データ通りのサイズ、形状及び
方向に高速かつ高精度な補正が可能となる。

【００２６】ここで、設計データと測定データとの比較
に際し、本発明のように設計データとノイズフィルタ関
数をコンボリューションしたパターンを予め算出してお
く代わりに、従来のように測定データにノイズ処理を施
すことによっても、高精度な補正は可能である。しか
し、ノイズ処理のための演算には余分な時間を要し、測
定データにノイズ処理を施す場合、測定時にノイズ処理
に要する時間だけ待たなければならない。これに対し本
発明では、ノイズ処理のための演算を予め行っておくこ
とができるので、このような時間の無駄を省くことがで
きる。

【００２７】また本発明（請求項２）によれば、測定マ
ークと基準パターンとの相関係数からマーク位置を求め
る方法において、基準パターンにノイズフィルタ機能が
持たせられると共に、測定値と高い相関が得られる理想
的なデータにすることができる。従って、予めこのよう
なテンプレートを計算或いは実測しておけば、ノイズや
チャージアップ或いはマークの加工や成膜に起因する検
出マーク波形の劣化が起こっても、これらの影響を受け
ない高精度なマーク検出が可能となる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。 （第１の実施例）

【００２９】まず、従来例と同一箇所については同一番
号を付けて詳しい説明は省略し、従来例と異なる成形ビ
ームのサイズ，形状傾き及び位置の求め方について、図
１を使って詳しく説明する。

【００３０】図１（ａ）は、従来法の２値化テンプレー
トを使ってアパーチャ設計データと測定されたビームの
２次元分布の相関係数から、サイズ，形状，傾き及び位
置ずれ量を測定するためのブロック図である。これに対
して図１（ｂ）は，本実施例による測定法を示すための
ブロック図である。このブロック図では、予め設計デー
タ１００とノイズフィルタ１０１をコンボリューション
したパターン１０２（以下、これを最適化テンプレート
と呼ぶ）を求めておく。こうすることによって従来例で
行っていたようなノイズフィルタ処理が不要になりビー
ム校正に掛かる時間を大幅に短縮できる。ここで、ノイ
ズフィルタの分布として微粒子の電子反射率に近い関数
を採用すると、最適化テンプレートと測定された２次元
分部の一致率が上がり検出精度がより向上する。

【００３１】次に、上述した最適化テンプレート１０２
を使ったビーム校正方法について、図２を使って説明す
る。まず初めに、アパーチャ設計データ１００とノイズ
フィルタ１０１のコンボリューションにより、最適化テ
ンプレート１０２を作る（ステップａ）。次いで、最適
化テンプレート１０２とビーム２次元分布から計算する
相関係数のピーク位置でビーム位置のずれ量を検出す
る。そして、そのずれ量が無くなるように偏向器２５，
２６の降り戻し電圧で校正する。その後、上記の操作を
ずれ量が無くなるまで繰り返す（ステップｂ）。

【００３２】ビームの方向を校正する場合は、図３の第
２アパーチャ２７ｂを回転させながらビーム２次元分布
を測定し、その分布と最適化テンプレートから計算され
る相関係数のピークが最大になるように、第２アパーチ
ャ２７ｂの回転量を決定する（ステップｃ）。非点，倍
率の校正は、方向の校正と同じ操作を非点コイル及び対
物レンズに対して行う（ステップｄ）（ステップｅ）。
最後に（ステップｂ）〜（ステップｅ）の操作で校正を
行ったか調べ、もしどこか１つでも校正した部分があれ
ば再び（ステップｂ）に戻る。

【００３３】このように本実施例によれば、相関度を計
算するときに使う基準データとしてアパーチャ設計デー
タとノイズフィルタの機能を合せ持った最適化テンプレ
ートを使うことにより、ビーム分布を測定する度に必要
なノイズ処理を省略することができる。この結果、矩形
及びキャラクタプロジェクションビームを含むあらゆる
形の成形ビームに対してビームのサイズ、形状及び傾き
を高速かつ精度良く校正できる。

【００３４】なお、上記補正方法は通常の矩形ビームに
も適用できるし、１枚又は複数の成形アパーチャを持つ
露光装置にも適用できることは言うまでもない。また、
上記補正方法はビームの２次元分布の測定方法に依存し
ない。即ち、１次元的マークを使って測定した２次元分
布にも適応できる。さらに、本実施例では求めたビーム
のサイズ，形状及び傾きを電子光学系の各種パラメータ
にフィードバックして補正を行ったが、例えば試料が載
置される試料台の回転テーブルを動かして傾きを補正し
てもよいことは明らかである。 （第２の実施例）次に、本発明の第２の実施例として、
試料上に形成されたマークを検出する方法について説明
する。

【００３５】図８は、従来法の２値化テンプレートを使
ってマーク設計データと測定されたマーク波形の２次元
分布の相関係数からマーク位置を測定するためのブロッ
ク図である。マークを実際に測定して得られる検出デー
タを入力データとし、これをノイズフィルタに通してノ
イズを除去する。そして、ノイズフィルタ処理された検
出データと設計データから得られる基準データ（テンプ
レート）とから、これらの相関度を計算し、相関係数の
ピーク位置でマーク位置を検出する。

【００３６】これに対し図９は、本実施例による測定方
法を示すブロック図である。このブロック図では、予め
設計データ１とノイズフィルタ２をコンボリューション
したパターン３（最適化テンプレート）を求めておく。
こうすることで、従来例で行っていたような測定時にお
けるノイズフィルタ処理が不要になり、マーク検出に掛
かる時間を大幅に短縮できる。

【００３７】次に、上述した最適化テンプレート３を使
ったマーク検出方法について図１０を使って説明する。
まず初めに、前述したようにマーク設計データ１とノイ
ズフィルタ２のコンボリューションから最適化テンプレ
ート３を算出しておく。次いで、最適化テンプレート３
と検出したマークの３次元プロフィル（入力データ）と
から計算する相関係数のピーク位置でマーク位置を検出
する。

【００３８】このとき、最適化テンプレート作成のため
の演算は予め行っておけばよく、実際の測定の際にはノ
イズ処理のための演算は不要となる。このため、マーク
検出における電子ビーム露光装置の占有時間を少なくす
ることができ、装置稼働率の向上をはかることができ
る。

【００３９】このように本実施例によれば、相関度を計
算するときに必要な基準データとして、マークの設計デ
ータとノイズフィルタの機能を合せ持った最適化テンプ
レートを使うことにより、マーク位置を測定する度に必
要なノイズ処理を省略することができる。この結果、あ
らゆる形状のマークに対してマークの位置を高速かつ高
精度に検出できる。この例では、２次元的にビームを走
査して３次元マーク波形を得たが、１次元（ライン）走
査して得られる波形に対しても適応可能であるのは勿論
である。 （第３の実施例）

【００４０】相関係数を使ったマーク検出において、高
精度化のポイントは検出されるマーク波形によく似た
（つまり相関の高い）データをテンプレートとして用い
るのが理想的である。

【００４１】そこで本実施例では、マークの幅，深さ，
材質，材料の厚さ及び電子ビームの加速電圧等に基づ
き、マークを形成した基板を反射する電子のエネルギー
を求め、これからマーク波形を算出する。そして、この
マーク波形を最適化テンプレートとして使用し、先の実
施例と同様にしてマーク検出を行う。 （第４の実施例）

【００４２】重ね合わせ描画において、レジストや絶縁
膜で覆われたマークを測定すると、図１１（ａ）に示す
ように局所的なチャージアップによりマーク波形が非対
象になったり、図１１（ｂ）に示すように成膜時にマー
クの側壁に堆積物が付着して検出したエッジの波形が劣
化したりする場合がある。このような場合にも、上述し
た第２，第３の実施例方法は有効であるが、さらに有効
な方法を説明する。

【００４３】本実施例では、レジスト或いは堆積物が無
い状態における代表的なマーク波形を実測して求めてお
く。この波形を最適化テンプレートとして、測定データ
との相関係数を求めマーク位置を算出する。これによ
り、計算して得られる波形よりも相関の高いデータをテ
ンプレートとして用いることができる。当然のことなが
ら、このようにして測定して得られたデータには充分な
平均加算処理又はノイズフィルタ関数をコンボリューシ
ョンしておき、この結果得られるデータをテンプレート
として用いれば高精度化できる。

【００４４】なお、第２〜第４の実施例では電子ビーム
露光装置を用いた場合を説明したが、これに限らず、イ
オンビーム露光装置を用いた場合、さらにはレーザ光を
走査したり光を照射してマークの像を検出する場合にも
適応可能である。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明（請求項１）
によれば、相関度を計算するときに使う基準データとし
てアパーチャ設計データとノイズフィルタの機能を合せ
持った最適化テンプレートを使うことにより、ビーム分
布を測定する度に必要なノイズ処理を省略することがで
きる。この結果、矩形及びキャラクタプロジェクション
ビームを含むあらゆる形の成形ビームに対してビームの
サイズ，形状及び傾きを高速かつ精度良く校正できるた
め、稼働率が高い荷電ビーム露光装置が実現できる。

【００４６】また本発明（請求項２）によれば、相関係
数を計算する時に使う基準データとしてマークの設計デ
ータとノイズフィルタ効果を合せ持った最適化テンプレ
ートを使うことにより、マーク検出に必要なノイズ処理
を省略することができる。また、最適化テンプレートに
検出されるマーク波形のシュミレーション結果、或いは
マークを覆う物質を取り除いた状態のマーク波形の実測
値を用いることによって、例えマークがレジストや膜に
覆われた状態であってもマーク位置を正確に検出可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのブロッ
ク図。

【図２】第１の実施例によるビームの校正方法を説明す
るためのフローチャート。

【図３】従来の校正方法に使用した電子ビーム露光装置
を示す概略構成図。

【図４】キャラクタプロジェクションビーム方式を説明
するための模式図。

【図５】ビーム走査方法を説明するための模式図。

【図６】測定されたビーム強度分布を示す模式図。

【図７】測定データとアパーチャ設計データ比較方法を
示す模式図。

【図８】相関係数を使ってマーク位置を検出する従来例
を説明するためのブロック図。

【図９】第２の実施例に係わる最適化テンプレートの算
出方法を説明するためのブロック図。

【図１０】第２の実施例におけるマーク検出方法を説明
するためのブロック図。

【図１１】第４の実施例を説明するためのもので、レジ
ストや堆積物の影響を受けてマーク波形が乱れることを
示す信号波形図。

【符号の説明】

１０…試料室 １１…試料 １２…試料台 ２０…電子光学鏡筒 ２１…電子銃 ２２ａ〜２２ｅ…レンズ ２３〜２６…偏向器 ２７ａ、２７ｂ…ビーム成形用アパーチャ ３０…計算機 ３１…試料台駆動回路 ３２…レーザ測長系 ３３…偏向制御回路 ３４…ブランキング制御回路 ３５…可変成形ビーム寸法制御回路 １００…設計データ １０１…ノイズフィルタ １０２…最適化テンプレート １…設計データ ２…ノイズフィルタ ３…最適化テンプレート

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定の開孔形状を有するアパーチャマスク
   に荷電ビームを照射することにより前記開孔形状のビー
   ムを生成し、これを偏向して試料上の所望位置に描画す
   る荷電ビーム露光装置であって、前記ビームを微小マー
   ク上で少なくとも１回以上走査することにより前記ビー
   ムの２次元強度分布を測定し、その強度分布と基準パタ
   ーンとの相関係数を算出し、その算出結果に基づいて電
   子光学系の各種パラメータを調整し補正する方法におい
   て、前記基準パターンとして前記ビームの設計データと
   ノイズフィルタ関数をコンボリューションしたパターン
   を予め算出しておき、調整時にそのパターンを使用する
   ことを特徴とする荷電ビーム補正方法。
2. 【請求項２】基板に形成されたマークに荷電ビーム若し
   くは光を照射してマークの形状を測定し、測定されたマ
   ーク形状と基準パターンとの相関係数を算出し、この計
   算結果に基づいてマーク位置を得る方法において、前記
   基準パターンとして前記マークの設計データとノイズフ
   ィルタ関数をコンボリューションしたデータをテンプレ
   ートとして予め算出しておき、マーク測定時に該テンプ
   レートを使うことを特徴とするマーク検出方法。