JPH06120625A - ガラス基板の実装体 - Google Patents
ガラス基板の実装体Info
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- JPH06120625A JPH06120625A JP4267066A JP26706692A JPH06120625A JP H06120625 A JPH06120625 A JP H06120625A JP 4267066 A JP4267066 A JP 4267066A JP 26706692 A JP26706692 A JP 26706692A JP H06120625 A JPH06120625 A JP H06120625A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＦＰＣ（フレキシブル回路基板）をガラス基
板上に実装した装置の、信頼性を高め、品質を向上す
る。 【構成】 ガラス基板１とＦＰＣ８と素子面にＡｕバン
プ電極７を形成したイメージセンサ素子４において、ガ
ラス基板１の主面上に、所定の半田メッキ電極１０と所
定のＡｕバンプ電極７がガラス基板１の所定のＩＴＯ膜
３と、半田メッキ電極１０とＡｕバンプ電極１０が重な
らないようにして、位置が一致するように変性アクリレ
ート系の紫外線硬化型絶縁樹脂１１を介して設置し、各
々加圧を施して圧接した後、ガラス基板１側より紫外線
光を照射して絶縁樹脂１１を硬化することにより実装す
る製造方法で作製したことを特徴とするイメージセン
サ。
板上に実装した装置の、信頼性を高め、品質を向上す
る。 【構成】 ガラス基板１とＦＰＣ８と素子面にＡｕバン
プ電極７を形成したイメージセンサ素子４において、ガ
ラス基板１の主面上に、所定の半田メッキ電極１０と所
定のＡｕバンプ電極７がガラス基板１の所定のＩＴＯ膜
３と、半田メッキ電極１０とＡｕバンプ電極１０が重な
らないようにして、位置が一致するように変性アクリレ
ート系の紫外線硬化型絶縁樹脂１１を介して設置し、各
々加圧を施して圧接した後、ガラス基板１側より紫外線
光を照射して絶縁樹脂１１を硬化することにより実装す
る製造方法で作製したことを特徴とするイメージセン
サ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス基板上に形成され
た電極部での接続方法に関するもので、ガラス基板の実
装体に関するものである。
た電極部での接続方法に関するもので、ガラス基板の実
装体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、低コストで平滑性等の性能に優れ
たガラス板を、回路基板とした実装体がイメージセンサ
を始めとした多くの装置に組み込まれている。
たガラス板を、回路基板とした実装体がイメージセンサ
を始めとした多くの装置に組み込まれている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記したイメー
ジセンサの一例について説明する。図３は従来のイメー
ジセンサの要部断面図を示すものである。図３におい
て、２１は透光性を有するガラス基板である。２２はＡ
ｕの電極、２３はＡｇ系の電極で、２４はこの電極２
２、２３に接続する回路導体層である。２５はイメージ
センサ素子で、２６は受光素子、２７はＡｌ電極パッド
である。また、２８はフレキシブル回路基板（以下ＦＰ
Ｃと称する）で、２９はＣｕ導体層、３０は半田メッキ
電極である。更に、３１は専用ツールで、３２は変性ア
クリレート系の紫外線硬化型の絶縁樹脂である。
ジセンサの一例について説明する。図３は従来のイメー
ジセンサの要部断面図を示すものである。図３におい
て、２１は透光性を有するガラス基板である。２２はＡ
ｕの電極、２３はＡｇ系の電極で、２４はこの電極２
２、２３に接続する回路導体層である。２５はイメージ
センサ素子で、２６は受光素子、２７はＡｌ電極パッド
である。また、２８はフレキシブル回路基板（以下ＦＰ
Ｃと称する）で、２９はＣｕ導体層、３０は半田メッキ
電極である。更に、３１は専用ツールで、３２は変性ア
クリレート系の紫外線硬化型の絶縁樹脂である。
【０００４】以上のように構成されたイメージセンサに
ついて、以下その実装方法について説明する。
ついて、以下その実装方法について説明する。
【０００５】まず、予めスクリーン印刷プロセスを用い
てＡｕ電極２２やＡｇ系電極２３及び回路導体層２４を
形成したガラス基板２１を作製する。次に、このガラス
基板２１上に紫外線硬化型の絶縁樹脂３２を必要量、所
定の位置に塗布し、その上からウエハより切断加工して
個片状態とした複数個のイメージセンサ素子２５を、所
定のＡｌ電極パッド２７とＡｕ電極２２の位置が一致す
るよう直線上に接続して設置した後、電極間の絶縁樹脂
３２が押し退けられて当接する状態となるまで加圧す
る。この状態でガラス基板２１側より紫外線光を照射し
て絶縁樹脂３２の硬化を行い、イメージセンサ素子２５
の実装を行う。
てＡｕ電極２２やＡｇ系電極２３及び回路導体層２４を
形成したガラス基板２１を作製する。次に、このガラス
基板２１上に紫外線硬化型の絶縁樹脂３２を必要量、所
定の位置に塗布し、その上からウエハより切断加工して
個片状態とした複数個のイメージセンサ素子２５を、所
定のＡｌ電極パッド２７とＡｕ電極２２の位置が一致す
るよう直線上に接続して設置した後、電極間の絶縁樹脂
３２が押し退けられて当接する状態となるまで加圧す
る。この状態でガラス基板２１側より紫外線光を照射し
て絶縁樹脂３２の硬化を行い、イメージセンサ素子２５
の実装を行う。
【０００６】次に、ＦＰＣ２８には、フォトリソ工法に
より所望のＣｕ導体層２９と、電極パッド部には半田メ
ッキ電極３０が形成してあり、このＦＰＣ２８をガラス
基板２１の上から、半田メッキ電極３０とＡｇ系電極の
位置が一致するように設置した後、ＦＰＣ２８の上から
約２５０℃の温度の専用ツール３１にて加圧して、半田
を溶融させて実装を行う。
より所望のＣｕ導体層２９と、電極パッド部には半田メ
ッキ電極３０が形成してあり、このＦＰＣ２８をガラス
基板２１の上から、半田メッキ電極３０とＡｇ系電極の
位置が一致するように設置した後、ＦＰＣ２８の上から
約２５０℃の温度の専用ツール３１にて加圧して、半田
を溶融させて実装を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、専用ツール３１にてガラス基板２１を部
分的に加熱することになり、熱伝導性の悪いガラス板に
おいてはマイクロクラックが発生する。このマイクロク
ラックは時間の経過にともない、熱や振動等の外部環境
の影響で次第に大きくなるので、Ａｇ系電極２３の剥離
や、ガラス基板２１の割れ等の重大な品質上の欠陥を引
き起こす危険性を包含しているという問題点を有してい
た。
うな構成では、専用ツール３１にてガラス基板２１を部
分的に加熱することになり、熱伝導性の悪いガラス板に
おいてはマイクロクラックが発生する。このマイクロク
ラックは時間の経過にともない、熱や振動等の外部環境
の影響で次第に大きくなるので、Ａｇ系電極２３の剥離
や、ガラス基板２１の割れ等の重大な品質上の欠陥を引
き起こす危険性を包含しているという問題点を有してい
た。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑み、信頼性の高
い、品質の優れたガラス基板の実装体を提供するもので
ある。
い、品質の優れたガラス基板の実装体を提供するもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】主面上に所望の電極を形
成した透光性を有するガラス基板と、所望の電極が形成
してあるＦＰＣにおいて、前記ＦＰＣを前記ガラス基板
の主面上に、所定の前記ＦＰＣの電極と前記ガラス基板
の電極の位置が一致するよう変性アクリレート系の紫外
線硬化型の絶縁樹脂を介して設置し、加圧を施して電極
間の前記絶縁樹脂が無くなるまで圧接した後、ガラス基
板側より紫外線光を照射して絶縁樹脂を硬化することに
より、ＦＰＣをガラス基板上に実装する製造方法で作製
したことを特徴とするガラス基板の実装体である。
成した透光性を有するガラス基板と、所望の電極が形成
してあるＦＰＣにおいて、前記ＦＰＣを前記ガラス基板
の主面上に、所定の前記ＦＰＣの電極と前記ガラス基板
の電極の位置が一致するよう変性アクリレート系の紫外
線硬化型の絶縁樹脂を介して設置し、加圧を施して電極
間の前記絶縁樹脂が無くなるまで圧接した後、ガラス基
板側より紫外線光を照射して絶縁樹脂を硬化することに
より、ＦＰＣをガラス基板上に実装する製造方法で作製
したことを特徴とするガラス基板の実装体である。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって、ＦＰＣをガラ
ス基板上に実装する際に加熱工程を全く必要としないの
で、マイクロクラックの発生が少なく信頼性の高い、品
質の優れたガラス基板の実装体が可能となる。
ス基板上に実装する際に加熱工程を全く必要としないの
で、マイクロクラックの発生が少なく信頼性の高い、品
質の優れたガラス基板の実装体が可能となる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例のイメージセンサにつ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例におけるイメ
ージセンサの要部断面図を示すものである。図１におい
て、１は透光性を有するガラス基板、２は回路導体層、
３はこの回路導体層２に接続する電極のＩｎｄｉｕｍ−
Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ（以下ＩＴＯと称する）膜で、４は
イメージセンサ素子、５は受光素子、６はＡｌ電極パッ
ド、７はＡｕバンプ電極である。また、８はＦＰＣ、９
はＣｕ導体層、１０は半田メッキ電極であり、１１は変
性アクリレート系の紫外線硬化型樹脂である。
ージセンサの要部断面図を示すものである。図１におい
て、１は透光性を有するガラス基板、２は回路導体層、
３はこの回路導体層２に接続する電極のＩｎｄｉｕｍ−
Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ（以下ＩＴＯと称する）膜で、４は
イメージセンサ素子、５は受光素子、６はＡｌ電極パッ
ド、７はＡｕバンプ電極である。また、８はＦＰＣ、９
はＣｕ導体層、１０は半田メッキ電極であり、１１は変
性アクリレート系の紫外線硬化型樹脂である。
【００１３】以上のように構成されたイメージセンサに
ついて、以下図１及び図２を用いてその作製方法を説明
する。
ついて、以下図１及び図２を用いてその作製方法を説明
する。
【００１４】まず図１に示すように、予めガラス基板１
には、回路導体層２とＩＴＯ膜３をスクリーン印刷プロ
セス等にて形成しておく。次にＳｉウエハ上に半導体プ
ロセスを用いて受光素子５等の素子やＡｌの配線及び電
極パッド６等を形成した後、溶融した球状のＡｕをＡｌ
電極パッド６に付着してＡｕバンプ電極７を形成する。
その後、このウエハを切断加工してイメージセンサ素子
４とする。また、ＦＰＣ８には、フォトリソ工法により
所望のＣｕ導体層９と、電極部にはＣｕ導体層９表面の
酸化を防ぎ、安定した接続が行えるように半田メッキ電
極１０が形成してある。
には、回路導体層２とＩＴＯ膜３をスクリーン印刷プロ
セス等にて形成しておく。次にＳｉウエハ上に半導体プ
ロセスを用いて受光素子５等の素子やＡｌの配線及び電
極パッド６等を形成した後、溶融した球状のＡｕをＡｌ
電極パッド６に付着してＡｕバンプ電極７を形成する。
その後、このウエハを切断加工してイメージセンサ素子
４とする。また、ＦＰＣ８には、フォトリソ工法により
所望のＣｕ導体層９と、電極部にはＣｕ導体層９表面の
酸化を防ぎ、安定した接続が行えるように半田メッキ電
極１０が形成してある。
【００１５】この様に作製された部材において、まずガ
ラス基板上１の所定の位置に必要量の紫外線硬化型樹脂
を塗布し、所定のＦＰＣ８の半田メッキ電極１０とＩＴ
Ｏ膜３の位置が一致するように設置し、ＦＰＣ８とガラ
ス基板１に適当な加圧をかけ、電極間の絶縁樹脂１１を
押し退けて圧接した状態で、ガラス基板１側より紫外線
光を照射して絶縁樹脂１１を硬化して、ガラス基板１上
へのＦＰＣ８の実装を行う。同様にして、ガラス基板１
の主面上の所定の位置に必要量の紫外線硬化型の絶縁樹
脂１１を塗布し、複数個のイメージセンサ素子４を、直
線上に接続して配列した状態で、所定のＡｕバンプ電極
７とＩＴＯ膜３の位置が一致するようにして設置し、イ
メージセンサ素子４とガラス基板１に適当な加圧をか
け、電極間の絶縁樹脂１１を押し退けて圧接した状態
で、ガラス基板１側より紫外線光を照射して絶縁樹脂１
１を硬化してイメージセンサ素子１の接着固定を行う。
このようにして、複数個のイメージセンサ素子４を直線
上に接続してガラス基板１上に実装する。この際、Ａｕ
バンプ電極７を設ける事により、同一イメージセンサ素
子５に接続するＩＴＯ膜３に対し、膜厚の厚いＩＴＯ膜
では十分に圧接するＡｕバンプ電極は容易に押し潰され
良接続が行なわれるのは勿論で、膜厚の薄いＩＴＯ膜に
おいても十分な圧接状態となり、確実な接続が行える。
ラス基板上１の所定の位置に必要量の紫外線硬化型樹脂
を塗布し、所定のＦＰＣ８の半田メッキ電極１０とＩＴ
Ｏ膜３の位置が一致するように設置し、ＦＰＣ８とガラ
ス基板１に適当な加圧をかけ、電極間の絶縁樹脂１１を
押し退けて圧接した状態で、ガラス基板１側より紫外線
光を照射して絶縁樹脂１１を硬化して、ガラス基板１上
へのＦＰＣ８の実装を行う。同様にして、ガラス基板１
の主面上の所定の位置に必要量の紫外線硬化型の絶縁樹
脂１１を塗布し、複数個のイメージセンサ素子４を、直
線上に接続して配列した状態で、所定のＡｕバンプ電極
７とＩＴＯ膜３の位置が一致するようにして設置し、イ
メージセンサ素子４とガラス基板１に適当な加圧をか
け、電極間の絶縁樹脂１１を押し退けて圧接した状態
で、ガラス基板１側より紫外線光を照射して絶縁樹脂１
１を硬化してイメージセンサ素子１の接着固定を行う。
このようにして、複数個のイメージセンサ素子４を直線
上に接続してガラス基板１上に実装する。この際、Ａｕ
バンプ電極７を設ける事により、同一イメージセンサ素
子５に接続するＩＴＯ膜３に対し、膜厚の厚いＩＴＯ膜
では十分に圧接するＡｕバンプ電極は容易に押し潰され
良接続が行なわれるのは勿論で、膜厚の薄いＩＴＯ膜に
おいても十分な圧接状態となり、確実な接続が行える。
【００１６】以上の実装体において、ガラス基板１上の
電極部をＩＴＯ膜とすることにより、従来ＡｕやＡｇ系
等の金属膜にて形成したものに比べ、電極の陰になり紫
外線光が照射されない部分がなくなるので、強固な接着
が行え、実装の信頼性が向上する。また、ガラス基板１
とＦＰＣ８間及びガラス基板１とイメージセンサ素子４
間の紫外線硬化型絶縁樹脂１１の硬化後の膜厚は、５０
μｍ以下となるように構成する。これは、本実施例の接
続のメカニズムにおいて、絶縁樹脂１１の収縮応力は電
極間の引力として、絶縁樹脂１１の熱膨張は電極間の斥
力として作用するが、この斥力は膜厚に比例した値とな
るため、実使用状態で接続部が断線しない、すなわち、
斥力が引力以下となる条件を満たすためには、膜厚を５
０μｍ以内とすることが必要であるからである。
電極部をＩＴＯ膜とすることにより、従来ＡｕやＡｇ系
等の金属膜にて形成したものに比べ、電極の陰になり紫
外線光が照射されない部分がなくなるので、強固な接着
が行え、実装の信頼性が向上する。また、ガラス基板１
とＦＰＣ８間及びガラス基板１とイメージセンサ素子４
間の紫外線硬化型絶縁樹脂１１の硬化後の膜厚は、５０
μｍ以下となるように構成する。これは、本実施例の接
続のメカニズムにおいて、絶縁樹脂１１の収縮応力は電
極間の引力として、絶縁樹脂１１の熱膨張は電極間の斥
力として作用するが、この斥力は膜厚に比例した値とな
るため、実使用状態で接続部が断線しない、すなわち、
斥力が引力以下となる条件を満たすためには、膜厚を５
０μｍ以内とすることが必要であるからである。
【００１７】以上のように本実施例によれば、紫外線硬
化型の絶縁樹脂の硬化することによりガラス基板上にＦ
ＰＣを実装することで、信頼性の高い、品質の高いイメ
ージセンサとすることができる。
化型の絶縁樹脂の硬化することによりガラス基板上にＦ
ＰＣを実装することで、信頼性の高い、品質の高いイメ
ージセンサとすることができる。
【００１８】以下本発明の第２の実施例のイメージセン
サについて、図面を参照しながら説明する。
サについて、図面を参照しながら説明する。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例におけるイメ
ージセンサの要部断面図を示すものである。図２におい
て、図１に示す部分と同一部分については、同一番号を
付して説明を省略する。
ージセンサの要部断面図を示すものである。図２におい
て、図１に示す部分と同一部分については、同一番号を
付して説明を省略する。
【００２０】なお、図１と異なるのは、ガラス基板１上
にスクリーン印刷プロセスにて形成した回路導体層２を
設けてない点である。
にスクリーン印刷プロセスにて形成した回路導体層２を
設けてない点である。
【００２１】以上のように構成されたイメージセンサに
ついて、以下その製造方法について説明する。
ついて、以下その製造方法について説明する。
【００２２】本実施例においても第１の実施例と同様に
して、予めイメージセンサ素子４とＦＰＣ８を作製して
おく。また、ガラス基板１の主面上にはスクリーン印刷
プロセス等によりＩＴＯ膜３のみを形成しておく。この
様な部材において、まず、ガラス基板１の主面上の所定
の位置に必要量の変性アクリレート系の紫外線硬化型の
絶縁樹脂１１を塗布し、ＦＰＣ８の所定の半田メッキ電
極１０と複数個の直線上に接続して配列したイメージセ
ンサ素子４の所定のＡｕバンプ電極７が、ガラス基板上
のＩＴＯ膜３の位置に一致するように設置する。この
際、ＦＰＣ８の半田メッキ電極１０とイメージセンサ素
子４のＡｕバンプ電極７は、重ならないようにする。次
に、各々適当な加圧を施し、半田メッキ電極１０とＩＴ
Ｏ膜３間及びＡｕバンプ電極７とＩＴＯ膜３間の絶縁樹
脂１１を押し退けて圧接した状態で、ガラス基板１側よ
り紫外線光を照射して絶縁樹脂１１を硬化して作製す
る。
して、予めイメージセンサ素子４とＦＰＣ８を作製して
おく。また、ガラス基板１の主面上にはスクリーン印刷
プロセス等によりＩＴＯ膜３のみを形成しておく。この
様な部材において、まず、ガラス基板１の主面上の所定
の位置に必要量の変性アクリレート系の紫外線硬化型の
絶縁樹脂１１を塗布し、ＦＰＣ８の所定の半田メッキ電
極１０と複数個の直線上に接続して配列したイメージセ
ンサ素子４の所定のＡｕバンプ電極７が、ガラス基板上
のＩＴＯ膜３の位置に一致するように設置する。この
際、ＦＰＣ８の半田メッキ電極１０とイメージセンサ素
子４のＡｕバンプ電極７は、重ならないようにする。次
に、各々適当な加圧を施し、半田メッキ電極１０とＩＴ
Ｏ膜３間及びＡｕバンプ電極７とＩＴＯ膜３間の絶縁樹
脂１１を押し退けて圧接した状態で、ガラス基板１側よ
り紫外線光を照射して絶縁樹脂１１を硬化して作製す
る。
【００２３】以上のように、本実施例においては、ガラ
ス基板上にスクリーン印刷プロセスにて形成した回路導
体層は設けず、直接ＩＴＯ膜を介してＦＰＣとイメージ
センサ素子を接続した構造としている。従って、第１の
実施例に追加して導体抵抗及び線間容量が低くなった
り、あるいは、例えば０．１ｍｍピッチ以下のファイン
パターンが容易に形成できたりするので、容易にイメー
ジセンサの性能向上が実現できる。
ス基板上にスクリーン印刷プロセスにて形成した回路導
体層は設けず、直接ＩＴＯ膜を介してＦＰＣとイメージ
センサ素子を接続した構造としている。従って、第１の
実施例に追加して導体抵抗及び線間容量が低くなった
り、あるいは、例えば０．１ｍｍピッチ以下のファイン
パターンが容易に形成できたりするので、容易にイメー
ジセンサの性能向上が実現できる。
【００２４】なお、本実施例において１０は半田メッキ
電極としたが、Ａｕメッキ電極としても良い。
電極としたが、Ａｕメッキ電極としても良い。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、主面上に所望の
電極を形成した透光性を有するガラス基板と、所望の電
極が形成してあるＦＰＣにおいて、前記ＦＰＣを前記ガ
ラス基板の主面上に、所定の前記ＦＰＣの電極と前記ガ
ラス基板の電極の位置が一致するよう変性アクリレート
系の紫外線硬化型の絶縁樹脂を介して設置し、加圧を施
して電極間の前記絶縁樹脂が無くなるまで圧接した後、
ガラス基板側より紫外線光を照射して絶縁樹脂を硬化す
ることにより、ＦＰＣをガラス基板上に実装する製造方
法で作製したことを特徴とするガラス基板の実装体とす
ることにより、信頼性の高く、品質の優れたガラス基板
の実装体を実現できる。
電極を形成した透光性を有するガラス基板と、所望の電
極が形成してあるＦＰＣにおいて、前記ＦＰＣを前記ガ
ラス基板の主面上に、所定の前記ＦＰＣの電極と前記ガ
ラス基板の電極の位置が一致するよう変性アクリレート
系の紫外線硬化型の絶縁樹脂を介して設置し、加圧を施
して電極間の前記絶縁樹脂が無くなるまで圧接した後、
ガラス基板側より紫外線光を照射して絶縁樹脂を硬化す
ることにより、ＦＰＣをガラス基板上に実装する製造方
法で作製したことを特徴とするガラス基板の実装体とす
ることにより、信頼性の高く、品質の優れたガラス基板
の実装体を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるイメージセンサ
の要部断面図
の要部断面図
【図２】本発明の第２の実施例におけるイメージセンサ
の要部断面図
の要部断面図
【図３】従来のイメージセンサの要部断面図
１、２１ ガラス基板 ２、２４ 回路導体層 ３ ＩＴＯ膜 ４、２４ イメージセンサ素子 ５、２６ 受光素子 ６、２７ Ａｌ電極パッド ７ Ａｕバンプ電極 ８、２８ ＦＰＣ ９、２９ Ｃｕ導体 １０ 半田メッキ電極 １１ 変性アクリレート系の紫外線硬化型の絶縁樹脂 ２２ Ａｕ電極 ２３ Ａｇ系電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ // Ｈ０１Ｌ 27/14
Claims (8)
- 【請求項１】主面上に所望の電極を形成した透光性を有
するガラス基板と、所望の電極が形成してあるフレキシ
ブル回路基板において、フレキシブル回路基板にフレキ
シブル回路基板を前記ガラス基板の主面上に、所定の前
記フレキシブル回路基板の電極と前記ガラス基板の電極
の位置が一致するよう変性アクリレート系の紫外線硬化
型の絶縁樹脂を介して設置し、加圧を施して電極間の前
記絶縁樹脂が無くなるまで圧接した後、ガラス基板側よ
り紫外線光を照射して絶縁樹脂を硬化することにより、
フレキシブル回路基板をガラス基板上に実装する製造方
法で作製したことを特徴とするガラス基板の実装体。 - 【請求項２】ガラス基板の主面上に設けた電極は、Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ膜としたことを特徴とす
る請求項１記載のガラス基板の実装体。 - 【請求項３】フレキシブル回路基板の電極は、Ｃｕの導
体層の表面にメッキ工法によりＡｕを付着して形成した
ことを特徴とする請求項１記載のガラス基板の実装体。 - 【請求項４】フレキシブル回路基板の電極は、Ｃｕ層の
導体の表面にメッキ工法により半田を付着して形成した
ことを特徴とする請求項１記載のガラス基板の実装体。 - 【請求項５】ガラス基板とフレキシブル回路基板の間に
介在する前記紫外線硬化型の絶縁樹脂は、硬化した後の
膜厚が５０μｍ以下となるよう構成したことを特徴とす
る請求項１記載のガラス基板の実装体。 - 【請求項６】ガラス基板とフレキシブル回路基板と素子
面に電極を形成した半導体素子において、ガラス基板の
主面上に、フレキシブル回路基板の所定の電極と前記半
導体素子の所定の電極がガラス基板の所定電極と、前記
フレキシブル回路基板の電極と半導体素子の電極が重な
らないようにして、位置が一致するように変性アクリレ
ート系の紫外線硬化型絶縁樹脂を介して設置し、各々加
圧を施してガラス基板上の電極とフレキシブル回路基板
の電極及び半導体素子の電極との間の前記絶縁樹脂が無
くなるまで圧接した後、ガラス基板側より紫外線光を照
射して絶縁樹脂を硬化することにより、フレキシブル回
路基板と半導体素子をガラス基板上に実装する製造方法
で作製したことを特徴とする請求項１記載のガラス基板
の実装体。 - 【請求項７】前記半導体素子の電極は、Ａｌ電極パッド
上に溶融したＡｕを付着する製造方法にて形成した突起
電極が設けてあることを特徴とする請求項２記載のガラ
ス基板の実装体。 - 【請求項８】前記半導体素子は、直線上に複数個の受光
素子のアレイを形成したイメージセンサ素子であり、前
記イメージセンサ素子を複数個、直線上に接続して実装
したことを特徴とする請求項２記載のガラス基板の実装
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267066A JPH06120625A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ガラス基板の実装体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267066A JPH06120625A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ガラス基板の実装体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120625A true JPH06120625A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17439565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4267066A Pending JPH06120625A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ガラス基板の実装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410946B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2003-12-18 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP4267066A patent/JPH06120625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410946B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2003-12-18 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법 |
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