JPH06120313A - Ｔａｂ式半導体装置及びその検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＡＢ式半導体装置の特性検査を行うプロー
ブニードルの良不良が特性検査毎に分かるようにして、
特性検査の精度、能率を上げる。 【構成】 絶縁フィルム（3）の透孔（4）に配置された
半導体ペレット（6）と、絶縁フィルム（3）に形成され
た導電パターン（5）を接続したＴＡＢ式半導体装置
（1）における導電パターン（5）に、部分的に検査専用
ダミーパターン（5ｃ）を形成しておく。ダミーパター
ン（5ｃ）にプローブカード（8）のプローブニードル
（9）の２本を弾圧接触させ、この２本とダミーパター
ン（5ｃ）間の接触抵抗を測定して、その測定結果から
他のプローブニードル（9）と導電パターン（5）の接触
抵抗を推定し、導電パターン（5）との接触抵抗を変化
させるプローブニードル（9）の先端の油汚れや、バネ
性などの良否を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁フィルムの片面に
形成された複数条の導電パターンと、絶縁フィルムに形
成された透孔内に配置された半導体ペレットの電極とを
熱圧着接続したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）式半
導体装置とその検査方法で、液晶ディスプレイのドライ
バーなどの多ピン構造の半導体装置に適用される。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイのドライバーなどに使
用されるＴＡＢ式半導体装置の従来例と、その検査装置
例を、図６乃至図９を参照して説明する。

【０００３】図６及び図７に示されるＴＡＢ式半導体装
置（1'）は、絶縁フィルム（3）の片面に導電パターン
（5）を形成したＴＡＢテープ（2'）と、絶縁フィルム
（3）に形成された透孔（4）内に配置された半導体ペレ
ット（6）を備える。絶縁フィルム（3）の導電パターン
（5）は、絶縁フィルム（3）に被着した銅箔をエッチン
グして形成される。導電パターン（5）は、絶縁フィル
ム（3）の透孔（4）の周辺部に小ピッチで複数条が形成
され、それぞれに透孔（4）内に延在するインナーリー
ド部（5ａ）を有する。また、各導電パターン（5）は、
透孔（4）に近い所定の箇所に幅広の検査パッド部（5
ｂ）を有する。

【０００４】半導体ペレット（6）の上面周辺部には、
小ピッチで複数のバンプ電極（7）が形成される。この
複数のバンプ電極（7）に、対応する導電パターン（5）
のインナーリード部（5ａ）の先端部が熱圧着で接続さ
れる。

【０００５】上記ＴＡＢ式半導体装置（1'）の特性検査
装置を図８に示すと、これはプローブカード（8）と押
圧プレート（15）を備える。プローブカード（8）は、
平坦な上面に複数のプローブニードル（9）を斜め上方
に突設している。各プローブニードル（9）の先端は、
ＴＡＢテープ（2'）の導電パターン（5）の検査パッド
部（5ｂ）に対応する位置にあり、この各先端はプロー
ブカード（8）から同一高さにある。

【０００６】プローブカード（8）の真上に押圧プレー
ト（15）が平行に位置決めされて配置され、この押圧プ
レート（15）の下に上下逆にしたＴＡＢ式半導体装置
（1'）が位置決め保持される。

【０００７】図８の状態で押圧プレート（15）を下げ
て、図９に示すように、まずＴＡＢテープ（2'）の下面
の導電パターン（5）の検査パッド（5ｂ）を、対応する
プローブニードル（9）の先端に接触させてから、更に
２００μｍ程度押し下げる。この押し下げで、プローブ
ニードル（9）が弾性変形して、、その先端が検査パッ
ド部（5ｂ）に所望の弾圧力で確実に接触する。図９の
状態が維持されて、ＴＡＢ式半導体装置（1'）の特性検
査が行われる。

【０００８】ところで、プローブカード（8）で多数の
半導体装置（1'）の特性検査を繰り返し行うと、プロー
ブニードル（9）の先端に油や、導電パターン（5）の表
面に形成された金メッキなどのメッキ金属が付着して、
プローブニードル（9）の先端と検査パッド部（5ｂ）の
接触抵抗が変化する。また、特性検査回数が増える程、
プローブニードル（9）のバネ性が劣化して、検査パッ
ド部（5ｂ）との接触圧が弱くなり、検査パッド部（5
ｂ）との接触抵抗が増大する。

【０００９】このような特性検査時のプローブニードル
（9）の先端と検査パッド部（5ｂ）の接触抵抗の変化
は、微少電流で検査される半導体装置（1'）の特性検査
結果を不正確なものにする。そこで、従来は図１０に示
すような検査プレート（16）でプローブニードル（9）
の先端の汚れ、バネ性の悪化程度を定期的に、或いは、
所定の特性検査回数毎にチェックするようにしている。

【００１０】図１０の検査プレート（16）は、平坦な下
面に金メッキパターン（17）を有する。金メッキパター
ン（17）は、プローブカード（8）のプローブニードル
（9）と対応する数で、プローブニードル（9）の先端と
接触する位置に形成される。

【００１１】検査プレート（16）は、図８の押圧プレー
ト（15）と交換して使用される。つまり、押圧プレート
（15）に代わり検査プレート（16）を、プローブカード
（8）の上方に平行に位置決め配置する。この検査プレ
ート（16）を降下させて、図１０に示すように、検査プ
レート（16）の金メッキパターン（17）を対応するプロ
ーブニードル（9）の先端に押圧する。図１０の状態
で、金メッキパターン（17）と対応するプローブニード
ル（9）の接触抵抗が測定される。

【００１２】このように測定された金メッキパターン
（17）とプローブニードル（9）の接触抵抗値から、プ
ローブニードル（9）の先端の汚れ程度、バネ性の劣化
程度が推測される。検査プレート（16）で測定された接
触抵抗値が許容レベル範囲内であれば、プローブカード
（8）は再び半導体装置（1'）の検査に使用され、許容
レベルを超えているとプローブカード（8）は再使用不
適当と判断されて、新しいものと交換される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、検査プレー
ト（16）でプローブニードル（9）の先端を検査する度
に、半導体装置（1'）の特性検査を中断して、プローブ
カード（8）の上方から押圧プレート（15）を外し、代
わりに検査プレート（16）をセットしなければならな
い。しかも、このセットは、検査プレート（16）をプロ
ーブカード（8）と平行になるよう高精度で位置決めし
て行う必要がある。そのため、プローブニードル（9）
の１回の検査に時間を要して作業性が悪く、これが特性
検査設備全体の稼働率を悪くしていた。

【００１４】また、検査プレート（16）によるプローブ
ニードル（9）の検査は、作業性が悪いことから定期的
に、或いは、所定の特性検査回数毎に行うしかなった。
そのため、プローブニードル（9）の１回の検査から次
の検査までに、プローブニードル（9）の先端の汚れが
進行して、この間に行われる半導体装置（1'）の特性検
査結果が不正確になる場合がある。

【００１５】また、検査プレート（16）でプローブニー
ドル（9）を検査しても、その結果からプローブニード
ル（9）による半導体装置（1'）の検査結果における不
良内容は分析できない。つまり、プローブニードル
（9）で半導体装置（1'）を検査した結果、半導体装置
（1'）が不良と判定されても、その不良内容がプローブ
ニードル（9）と導電パターン（5）の接触抵抗不良が原
因なのか、半導体ペレット（6）自体の不良が原因なの
か分からない場合がある。このような場合、半導体装置
（1'）の特性検査を再度行うようにしているが、時間的
な無駄が多く、結果的に特性検査設備全体の稼働率を悪
くしている。

【００１６】また、検査プレート（16）は、半導体装置
（1'）の特性検査装置であるプローブカード（8）や押
圧プレート（15）と別の検査専用部材であり、かつ、半
導体装置（1'）の特性検査時には使用されない別部材で
あって、その保守管理が面倒である問題もあった。

【００１７】本発明の目的は、プローブカードで迅速、
正確に特性検査されるＴＡＢ式半導体装置とその検査方
法を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、部分的に透孔
を有する絶縁フィルムの片面に複数条の導電パターンを
形成したＴＡＢテープの前記透孔内に配置された半導体
ペレットの電極と、対応する前記導電パターンを接続し
たＴＡＢ式半導体装置において、絶縁フィルムの導電パ
ターン形成面の透孔周辺部に、前記導電パターンと同質
の検査専用ダミーパターンを追加形成したことにより、
上記目的を達成するものである。

【００１９】また、本発明は、上記ＴＡＢ式半導体装置
の各導電パターンと検査専用ダミーパターンの各々に、
平坦なプローブカードに同一高さで突設させた複数のプ
ローブニードルの先端を弾圧接触させて、半導体装置の
電気的特性を検査するに際して、前記検査専用ダミーパ
ターンと、これにに弾圧接触させたダミーのプローブニ
ードルとの接触抵抗を必要に応じて検査する検査方法を
提供する。

【００２０】

【作用】ＴＡＢ式半導体装置の絶縁フィルムに導電パタ
ーンと共に形成された検査専用ダミーパターンと、これ
に接触するプローブカードのプローブニードルとの接触
抵抗の測定値から、導電パターンとこれに接触するプロ
ーブニードルの接触抵抗が正確に推測でき、この推測か
らＴＡＢ式半導体装置の特性検査精度が分かる。また、
ダミーパターンとプローブニードルの接触抵抗測定は、
ＴＡＢ式半導体装置の特性検査毎に、ＴＡＢ式半導体装
置の特性検査の１項目として実行できて、毎回のＴＡＢ
式半導体装置の特性検査が高精度で行える。

【００２１】

【実施例】図１及び図２に示される一実施例のＴＡＢ式
半導体装置（1）は、図６のＴＡＢ式半導体装置（1'）
に適用したもので、図６と同一、または、相当部分には
同一符号を付して説明は省略する。

【００２２】図１及び図２のＴＡＢ式半導体装置（1）
の従来と相違する特徴は、絶縁フィルム（3）に複数条
の導電パターン（5）と共に、導電パターン（5）と同質
の検査専用ダミーパターン（5ｃ）を形成したことのみ
である。ダミーパターン（5ｃ）は、導電パターン（5）
と同様に銅箔をエッチングして、導電パターン（5）と
同材料、同厚で形成される。

【００２３】ダミーパターン（5ｃ）は、例えば図１に
示すように、絶縁フィルム（3）の矩形の透孔（4）の４
コーナ部分にある計４条の導電パターン（5'）に一体に
形成される。このダミーパターン（5ｃ）は、４コーナ
部分の導電パターン（5'）の検査パッド部（5ｂ）を横
に延在させたものに相当する。

【００２４】ダミーパターン（5ｃ）は、図２の鎖線に
示されるように、少なくとも２本の後述する特性検査用
プローブニードル（9'）（10）が所定の間隔をもって接
触できるサイズで形成される。例えば、ダミーパターン
（5ｃ）は、導電パターン（5）の隣接する２条の配列ピ
ッチの２倍強の幅で形成される。

【００２５】図３及び図４に上記実施例のＴＡＢ式半導
体装置（1）の特性検査をするプローブカード（8）の要
部を示すと、これは図８のプローブカード（8）のプロ
ーブニードル（9）に、次のダミーのプローブニードル
（以下、ダミーニードルと称する）（10）を追加設置し
たものである。ダミーニードル（10）は、他のプローブ
ニードル（9）と同質、同一形状であり、ＴＡＢテープ
（2）の４つのダミーパターン（5ｃ）と対応する４本が
設置される。

【００２６】プローブカード（8）で半導体装置（1）
は、次のように特性検査される。従来同様にして、上下
逆のＴＡＢ式半導体装置（1）をプローブカード（8）の
真上から降下させて、ＴＡＢテープ（2）の導電パター
ン（5）の検査パッド（5ｂ）を、プローブカード（8）
の対応するプローブニードル（9）の上端に押し当て
る。このとき、ダミーニードル（10）の上端を、対応す
るダミーパターン（5ｃ）の片端部に弾圧接触させて、
各１つのダミーパターン（5ｃ）の両端部の所定間隔の
２箇所にダミーニードル（10）と特性検査用プローブニ
ードル（9'）を弾圧接触させる。

【００２７】そして、導電パターン（5）に弾圧接触さ
せたプローブニードル（9）で半導体装置（1）の特性検
査をする前に、各ダミーパターン（5ｃ）と一対のダミ
ーニードル（10）及びプローブニードル（9'）間の接触
抵抗を測定する。例えば図５に示すように、ダミーニー
ドル（10）とプローブニードル（9'）を特性検査回路
（11）の定電流源（12）と電圧計（13）に接続しておい
て、両者間の電圧値を測定することで、両者間の接触抵
抗が測定される。この測定接触抵抗値から、ダミーパタ
ーン（5ｃ）と一体の導電パターン（5'）と、これに弾
圧接触するプローブニードル（9）間の接触抵抗値が、
更に他の導電パターン（5）とプローブニードル（9）の
接触抵抗値がほぼ正確に推定される。

【００２８】したがって、ダミーパターン（5ｃ）での
測定接触抵抗値が許容範囲にあれば、引き続きプローブ
ニードル（9）で半導体装置（1）の特性検査を行う。ま
た、ダミーパターン（5ｃ）での測定接触抵抗値が許容
範囲を超えていると、プローブニードル（9）が不良に
なっていると判定されて、半導体装置（1）の特性検査
が行われず、プローブカード（8）の交換が行われる。

【００２９】上記プローブニードル（9）による半導体
装置（1）の特性検査は、ダミーパターン（5ｃ）での測
定接触抵抗値を補正値として行うことができる。また、
同特性検査で半導体装置（1）の特性が不良と判定され
た場合、その特性検査結果の内容とダミーパターン（5
ｃ）での測定接触抵抗の内容を比べることで、特性不良
の原因がプローブニードル（9）の不良か、半導体ペレ
ット（6）の不良かが分かる。プローブニードル（9）の
不良が原因の場合は、プローブカード（8）を交換して
再検査され、半導体ペレット（6）の不良が原因の場合
は、再検査無しに半導体装置（1）が不良と最終判定さ
れる。

【００３０】ダミーパターン（5ｃ）での接触抵抗の測
定は、１つの半導体装置（1）の特性検査項目の１つに
して、毎回行うことも可能である。このようにすること
で、個々の半導体装置（1）の特性検査が時間的ロス無
くして能率的に、しかも、毎回高精度に行えるようにな
る。また、半導体装置（1）の特性検査毎に、プローブ
ニードル（9）のバネ性や上端の汚れ程度がチェックさ
れることになるので、プローブカード（8）の交換時期
が適切に分かるようになる。

【００３１】ＴＡＢテープ（2）におけるダミーパター
ン（5ｃ）は、導電パターン（5）の１箇所だけに設ける
ことも可能であるが、導電パターン（5）が多数の場合
は、その単位本数毎に１つと複数設けることが、各導電
パターン（5）とプローブニードル（9）の接触抵抗の変
動をより正確に推定する上で望ましい。

【００３２】また、図３に示す実施例のように、半導体
ペレット（6）に接続される導電パターン（5'）の一部
にダミーパターン（5ｃ）を一体に形成する場合、ダミ
ーパターン（5ｃ）と一体の導電パターン（5'）は半導
体ペレット（6）の電源線かグランド線であることが、
半導体ペレット（6）の特性を安定させる上で望まし
い。

【００３３】また、ダミーパターン（5ｃ）は、導電パ
ターン（5'）に一体に設けたが、導電パターン（5'）と
分離独立したパターンであってもよい。この場合、図示
しないが独立したダミーパターンには、２本以上のダミ
ーニードルを接触させて、各ダミーニードル間の接触抵
抗を検査する。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、ＴＡＢ式半導体装置の
絶縁フィルムに導電パターンと共に形成されたダミーパ
ターンと、プローブカードのプローブニードルの接触抵
抗の測定値から、他のプローブニードルと導電パターン
の接触抵抗が良好な範囲にあるか否かが判定され、しか
も、この判定はＴＡＢ式半導体装置の特性検査毎に行う
ことが容易であるので、常に高精度なＴＡＢ式半導体装
置の特性検査が連続的、能率的に実行できる。

【００３５】また、プローブカードのプローブニードル
の汚れなどによる不良チェックが、検査プレートなど特
別な別部材を使用することなく、ＴＡＢ式半導体装置の
特性検査回路で簡単、迅速にできるので、特性検査設備
の簡略化、コストダウン、稼動率改善が図れる効果もあ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＴＡＢ式半導体装置の一実施例を
示す部分平面図。

【図２】図１Ａ−Ａ線に沿う拡大断面図。

【図３】図１半導体装置を本発明の検査方法で特性検査
するときの半導体装置の部分下面図。

【図４】図３Ｂ−Ｂ線に沿う拡大断面図。

【図５】図４の特性検査部分の接触抵抗検査回路図。

【図６】従来のＴＡＢ式半導体装置の部分平面図。

【図７】図６Ｃ−Ｃ線に沿う断面図。

【図８】図６半導体装置の特性測定装置の断面図。

【図９】図８特性測定装置の特性測定時での断面図。

【図１０】図８特性測定装置におけるプローブニードル
検査装置の断面図。

【符号の説明】

1 ＴＡＢ式半導体装置 2 ＴＡＢテープ 3 絶縁フィルム 4 透孔 5 導電パターン 5' 導電パターン 5ｃ ダミーパターン 6 半導体ペレット 7 電極 8 プローブカード 9 プローブニードル 9' プローブニードル 10 ダミーのプローブニードル

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 部分的に透孔を有する絶縁フィルムの片
   面に複数条の導電パターンを形成したＴＡＢテープの前
   記透孔内に配置された半導体ペレットの電極と、対応す
   る前記導電パターンを接続したＴＡＢ式半導体装置にお
   いて、 絶縁フィルムの導電パターン形成面の透孔周辺部に、導
   電パターンと同質の検査専用ダミーパターンを追加形成
   したことを特徴とするＴＡＢ式半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のＴＡＢ式半導体装置の各
   導電パターンと検査専用ダミーパターンの各々に、平坦
   なプローブカードに同一高さで突設させた複数のプロー
   ブニードルの先端を弾圧接触させて、半導体装置の電気
   的特性を検査するに際して、前記検査専用ダミーパター
   ンと、これにに弾圧接触させたダミーのプローブニード
   ルとの接触抵抗を検査する工程を含むことを特徴とする
   ＴＡＢ式半導体装置の検査方法。