JPH06120172A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06120172A JPH06120172A JP27006292A JP27006292A JPH06120172A JP H06120172 A JPH06120172 A JP H06120172A JP 27006292 A JP27006292 A JP 27006292A JP 27006292 A JP27006292 A JP 27006292A JP H06120172 A JPH06120172 A JP H06120172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- manufacturing apparatus
- etched
- semiconductor manufacturing
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板上に形成された薄膜層をプラズマエ
ッチングするドライエッチング装置において、プラズマ
エッチングの終点の誤検知をなくすことによって、エッ
チングの過不足をなくし製造歩留りの向上を図る。 【構成】半導体基板上に形成された薄膜をドライエッチ
ングするためのエッチングチャンバー１，真空ポンプ
５，ＲＦ電源７，ガス吹き出し口２等を有する半導体製
造装置において、エッチングチャンバー１にエッチング
中の被エッチング物の濃度を分析するマスアナライザー
９を設けている。
ッチングするドライエッチング装置において、プラズマ
エッチングの終点の誤検知をなくすことによって、エッ
チングの過不足をなくし製造歩留りの向上を図る。 【構成】半導体基板上に形成された薄膜をドライエッチ
ングするためのエッチングチャンバー１，真空ポンプ
５，ＲＦ電源７，ガス吹き出し口２等を有する半導体製
造装置において、エッチングチャンバー１にエッチング
中の被エッチング物の濃度を分析するマスアナライザー
９を設けている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体基板上に形成された薄膜のプラズマエッチン
グを行うドライエッチング装置に関する。
特に半導体基板上に形成された薄膜のプラズマエッチン
グを行うドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置は、図２の
断面図に示す様に、エッチングチャンバー１内にガス吹
き出し口２，排気口３，ＲＦ電極４を有している。エッ
チングの際は、ＲＦ電極４上に半導体基板を載せ、エッ
チングチャンバー１内を真空ポンプ５で高真空状態に
し、そこにガス吹き出し口２よりエッチングガスを導入
した後、ＲＦ電源７からＲＦ電極４にＲＦ（高周波）を
印加してプラズマ状態を発生させ、薄膜層のエッチング
を行なっている。エッチング中は光学センサー６でエッ
チングチャンバー１内のプラズマ発光をモニターし、そ
のプラズマの固有波長光の強度の増減でプラズマエッチ
ングの終点を決定し、ＲＦ印加を止め、エッチングを終
わらせている。
断面図に示す様に、エッチングチャンバー１内にガス吹
き出し口２，排気口３，ＲＦ電極４を有している。エッ
チングの際は、ＲＦ電極４上に半導体基板を載せ、エッ
チングチャンバー１内を真空ポンプ５で高真空状態に
し、そこにガス吹き出し口２よりエッチングガスを導入
した後、ＲＦ電源７からＲＦ電極４にＲＦ（高周波）を
印加してプラズマ状態を発生させ、薄膜層のエッチング
を行なっている。エッチング中は光学センサー６でエッ
チングチャンバー１内のプラズマ発光をモニターし、そ
のプラズマの固有波長光の強度の増減でプラズマエッチ
ングの終点を決定し、ＲＦ印加を止め、エッチングを終
わらせている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、被エッチング物が変わると（例えばタ
ングステンとポリシリコン）プラズマの固有の波長光の
波数が変わるので、多層膜を連続してエッチングする場
合、単一の固有波長光の強度の増減で、プラズマエッチ
ングの終点を決定する事は困難であった。又、被エッチ
ング物中の不純物濃度が変わると固有波長光の強度が変
化する為、プラズマエッチングの終点検出を誤まり、エ
ッチング不足，エッチングオーバーとなり、製造歩留り
低下を招くというような問題点があった。又、固有波長
光の強度をモニターする光学センサーは、透過ガラスを
はさんでエッチングチャンバーの外側に設置されている
為、前記ガラスが汚れてくると光の強度が変わってくる
という問題も有していた。
チング装置では、被エッチング物が変わると（例えばタ
ングステンとポリシリコン）プラズマの固有の波長光の
波数が変わるので、多層膜を連続してエッチングする場
合、単一の固有波長光の強度の増減で、プラズマエッチ
ングの終点を決定する事は困難であった。又、被エッチ
ング物中の不純物濃度が変わると固有波長光の強度が変
化する為、プラズマエッチングの終点検出を誤まり、エ
ッチング不足，エッチングオーバーとなり、製造歩留り
低下を招くというような問題点があった。又、固有波長
光の強度をモニターする光学センサーは、透過ガラスを
はさんでエッチングチャンバーの外側に設置されている
為、前記ガラスが汚れてくると光の強度が変わってくる
という問題も有していた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、エッチングチャンバーにエッチング中の被エッチン
グ物の濃度を分析するマスアナライザーを備えている。
は、エッチングチャンバーにエッチング中の被エッチン
グ物の濃度を分析するマスアナライザーを備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。本実施例
は、従来の光学センサー６に代ってエッチングチャンバ
ー１にマスアナライザー９を取り付けている。エッチン
グを行う場合、まずＲＦ電極４上に半導体基板を載せ、
エッチングチャンバー１の内部を真空ポンプ５により高
真空状態にする。次にガス吹き出し口２よりガスを導入
する。チャンバー内の雰囲気が安定した後で、ＲＦ電源
７よりＲＦ電極４にＲＦを印加しエッチングを開始す
る。エッチング中はマスアナライザー９で被エッチング
物の濃度を分析する。その後、被エッチング物がなくな
った所で、ＲＦ印加を止めてエッチングを止める。
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。本実施例
は、従来の光学センサー６に代ってエッチングチャンバ
ー１にマスアナライザー９を取り付けている。エッチン
グを行う場合、まずＲＦ電極４上に半導体基板を載せ、
エッチングチャンバー１の内部を真空ポンプ５により高
真空状態にする。次にガス吹き出し口２よりガスを導入
する。チャンバー内の雰囲気が安定した後で、ＲＦ電源
７よりＲＦ電極４にＲＦを印加しエッチングを開始す
る。エッチング中はマスアナライザー９で被エッチング
物の濃度を分析する。その後、被エッチング物がなくな
った所で、ＲＦ印加を止めてエッチングを止める。
【０００６】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、エッチング
チャンバーにマスアナライザーを設けているので、エッ
チングの終点検出を誤まらないという効果を有する。こ
の検出は多層膜のエッチングや被エッチング物中の不純
物濃度によっても変わる事はないので、エッチング不
足，エッチングオーバーによる歩留り低下を防ぐことが
できる。又、エッチング中の被エッチング物の濃度が分
かる為、ガス濃度やＲＦパワーの変動によりエッチング
レートが変わった場合、その異常を検出する事ができ
る。
チャンバーにマスアナライザーを設けているので、エッ
チングの終点検出を誤まらないという効果を有する。こ
の検出は多層膜のエッチングや被エッチング物中の不純
物濃度によっても変わる事はないので、エッチング不
足，エッチングオーバーによる歩留り低下を防ぐことが
できる。又、エッチング中の被エッチング物の濃度が分
かる為、ガス濃度やＲＦパワーの変動によりエッチング
レートが変わった場合、その異常を検出する事ができ
る。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】従来装置の断面図である。
１ エッチングチャンバー ２ ガス吹き出し口 ３ 排気口 ４ ＲＦ電極 ５ 真空ポンプ ６ 光学センサー ７ ＲＦ電源 ８ 透過ガラス ９ マスアナライザー
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された薄膜をドライ
エッチングする為にエッチングチャンバー，真空ポン
プ，ＲＦ電源，ガス吹き出し口等を有する半導体製造装
置において、前記エッチングチャンバーにエッチング中
の被エッチング物の濃度を分析するマスアナライザーを
設けた事を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27006292A JPH06120172A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27006292A JPH06120172A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120172A true JPH06120172A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17480992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27006292A Withdrawn JPH06120172A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188249A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Nanoteco Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法、発光ダイオードアレイ |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP27006292A patent/JPH06120172A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188249A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Nanoteco Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法、発光ダイオードアレイ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4328068A (en) | Method for end point detection in a plasma etching process | |
| US4615761A (en) | Method of and apparatus for detecting an end point of plasma treatment | |
| US5045149A (en) | Method and apparatus for end point detection | |
| US6881276B2 (en) | Detecting the endpoint of a chamber cleaning | |
| JPH0722151B2 (ja) | エツチングモニタ−方法 | |
| JPH06120172A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS635532A (ja) | プラズマクリ−ニング方法 | |
| JP3217581B2 (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JPH0896988A (ja) | プラズマモニタ装置およびプラズマモニタ方法 | |
| JPH09209179A (ja) | ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 | |
| JPH03181129A (ja) | エッチングの終点検知方法 | |
| JP2906752B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH1064884A (ja) | エッチング装置及びエッチング方法 | |
| JPH0343775B2 (ja) | ||
| JPH056873A (ja) | エツチング終点検出方法およびエツチング装置 | |
| JPH07130708A (ja) | エッチング終点検出機構 | |
| JPS60234324A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0375389A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH02111020A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08148475A (ja) | エッチング処理装置 | |
| JPS627880A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH0549756B2 (ja) | ||
| JPH0492419A (ja) | 半導体のドライエッチング方法 | |
| JP2000231202A (ja) | レジストのアッシング方法 | |
| JPH08111403A (ja) | ドライエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |