JPH06120163A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JPH06120163A JPH06120163A JP33213992A JP33213992A JPH06120163A JP H06120163 A JPH06120163 A JP H06120163A JP 33213992 A JP33213992 A JP 33213992A JP 33213992 A JP33213992 A JP 33213992A JP H06120163 A JPH06120163 A JP H06120163A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｌを含むIII−V族化合物半導体基板表面へ
の良好なオーミック特性を有する電極の形成方法に関す
る。 【構成】 ＧａＡｌＡｓ化合物半導体２の表面を真空装
置内で逆スパッタ法により処理した後、同一真空装置内
でＡｕ−Ｇｅ（１２ｗｔ％）−Ｎｉ（４ｗｔ％）をスパ
ッタして電極３を形成する。
の良好なオーミック特性を有する電極の形成方法に関す
る。 【構成】 ＧａＡｌＡｓ化合物半導体２の表面を真空装
置内で逆スパッタ法により処理した後、同一真空装置内
でＡｕ−Ｇｅ（１２ｗｔ％）−Ｎｉ（４ｗｔ％）をスパ
ッタして電極３を形成する。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電極形成
方法に係り、特にＡｌを含むIII−V族化合物半導体基板
表面への電極の形成方法に関する。
方法に係り、特にＡｌを含むIII−V族化合物半導体基板
表面への電極の形成方法に関する。
【従来の技術】近年、III−V族化合物半導体の特長を活
かした発光ダイオード、半導体レーザー、電界効果トラ
ンジスタ、フォトダイオード等の種々の素子が実用化さ
れ、その応用分野も増々広がってきている。しかし、こ
れらの化合物半導体材料は、Ｓｉ等の単元素材料と比べ
て物理的性質が素子製作過程で複雑に変化し、素子製作
工程も単純でなく高度の技術を要する場合が多い。特に
Ａｌを含む化合物半導体表面は不安定で製作途中の熱処
理や化学処理で変化しやすく、オーミック接触のための
電極形成が行いにくい問題がある。これに対し種々の対
策検討が行われてきた。図３は、この従来例の一つであ
る特開昭５６−１１６６１９号公報に開示された電極形
成方法の説明図である。この方法によれば、先ず、Ｇａ
Ａｓからなる半導体絶縁基板１上に液相エピタキシャル
法を用いてＴｅドープ（ｎ≒５〜１０×１０17ｃｍ-3）
のＮ型のＧａ(1ーX)ＡｌXＡｓ層（ｘ≒０．８〜０．９）
２を厚さ４０〜５０μｍ成長させる。しかるのち、通常
の真空蒸着法を用いて２００℃より高い温度にしたＧａ
ＡｌＡｓ面にＡｕＧｅＮｉ電極３を形成する方法が用い
られている。また、図４は従来例の他の一つである論文
（Ｌ．Ｒ．Ｚｈｅｎｇ 他：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓＬｅｔｔｅｒ．Ｖｏｌ．６０、Ｎｏ．７、ｐ．８
７７〜８７９（１９９２））に開示された電極形成方法
の説明図である。この方法によれば、先ず、ＧａＡｓか
らなる半導体絶縁基板１上に液相エピタキシャル法を用
いてＳｅドープ（ｎ≒７．５×１０17ｃｍ-3）のＮ型の
Ｇａ(1ーX)ＡｌXＡｓ層（ｘ≒０．５５）２を厚さ２００
ｎｍ成長させる。次にＧａＡｌＡｓ層表面をアンモニア
−過水系およびフッ化水素酸−硝酸系の各薬液で順次処
理した後、通常の真空蒸着法を用いてＰｄ層４、ＡｕＧ
ｅ層５、Ａｇ層６、Ａｕ層７を積層して電極を形成す
る。しかるのち、窒素雰囲気下４００℃〜５００℃、３
０秒の条件で熱処理する方法が用いられている。
かした発光ダイオード、半導体レーザー、電界効果トラ
ンジスタ、フォトダイオード等の種々の素子が実用化さ
れ、その応用分野も増々広がってきている。しかし、こ
れらの化合物半導体材料は、Ｓｉ等の単元素材料と比べ
て物理的性質が素子製作過程で複雑に変化し、素子製作
工程も単純でなく高度の技術を要する場合が多い。特に
Ａｌを含む化合物半導体表面は不安定で製作途中の熱処
理や化学処理で変化しやすく、オーミック接触のための
電極形成が行いにくい問題がある。これに対し種々の対
策検討が行われてきた。図３は、この従来例の一つであ
る特開昭５６−１１６６１９号公報に開示された電極形
成方法の説明図である。この方法によれば、先ず、Ｇａ
Ａｓからなる半導体絶縁基板１上に液相エピタキシャル
法を用いてＴｅドープ（ｎ≒５〜１０×１０17ｃｍ-3）
のＮ型のＧａ(1ーX)ＡｌXＡｓ層（ｘ≒０．８〜０．９）
２を厚さ４０〜５０μｍ成長させる。しかるのち、通常
の真空蒸着法を用いて２００℃より高い温度にしたＧａ
ＡｌＡｓ面にＡｕＧｅＮｉ電極３を形成する方法が用い
られている。また、図４は従来例の他の一つである論文
（Ｌ．Ｒ．Ｚｈｅｎｇ 他：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓＬｅｔｔｅｒ．Ｖｏｌ．６０、Ｎｏ．７、ｐ．８
７７〜８７９（１９９２））に開示された電極形成方法
の説明図である。この方法によれば、先ず、ＧａＡｓか
らなる半導体絶縁基板１上に液相エピタキシャル法を用
いてＳｅドープ（ｎ≒７．５×１０17ｃｍ-3）のＮ型の
Ｇａ(1ーX)ＡｌXＡｓ層（ｘ≒０．５５）２を厚さ２００
ｎｍ成長させる。次にＧａＡｌＡｓ層表面をアンモニア
−過水系およびフッ化水素酸−硝酸系の各薬液で順次処
理した後、通常の真空蒸着法を用いてＰｄ層４、ＡｕＧ
ｅ層５、Ａｇ層６、Ａｕ層７を積層して電極を形成す
る。しかるのち、窒素雰囲気下４００℃〜５００℃、３
０秒の条件で熱処理する方法が用いられている。
【発明が解決しようとする課題】前述したように、Ｇａ
ＡｌＡｓ表面は活性で通常、周囲の雰囲気により酸化膜
が形成されている。従って、この酸化膜を薬品処理で除
去したのち電極が形成される。しかし、酸化膜が除去さ
れて露出した結晶表面も活性化されやすく、また酸化さ
れやすい性質を持っている。薬品処理に順じて行う水洗
処理、乾燥処理および電極形成を行う真空装置までのＧ
ａＡｌＡｓ基板のハンドリング等の間にも周囲の雰囲気
によりＧａＡｌＡｓ表面には酸化膜が新たに形成されて
しまう。上述した従来例ではこの酸化膜を破壊して電極
金属を結晶表面に付着させ、十分な付着力と良好なオー
ミック接触を得ようとするものである。しかし、この酸
化膜は厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍ程度あり厚さも不均一の
ため、これらの方法においても微細な領域で均一なオー
ミック接触を得ることは困難になっている。すなわち、
例えば電極径が数十μｍ以下と微細な円形電極において
電圧−電流特性に整流性がみられ、電極の抵抗もばらつ
く問題がある。このため、ＬＥＤアレーのような微細サ
イズの電極が必要なデバイスの製作においてはＧａＡｌ
Ａｓ上にＧａＡｓを構成し、電極をＧａＡｓとコンタク
トする方法が取られている場合もある。しかし、特にこ
のような発光素子においては、ＧａＡｓが発光した光の
吸収体となるためこの方法も十分に満足のいくものでは
ないのが現状である。
ＡｌＡｓ表面は活性で通常、周囲の雰囲気により酸化膜
が形成されている。従って、この酸化膜を薬品処理で除
去したのち電極が形成される。しかし、酸化膜が除去さ
れて露出した結晶表面も活性化されやすく、また酸化さ
れやすい性質を持っている。薬品処理に順じて行う水洗
処理、乾燥処理および電極形成を行う真空装置までのＧ
ａＡｌＡｓ基板のハンドリング等の間にも周囲の雰囲気
によりＧａＡｌＡｓ表面には酸化膜が新たに形成されて
しまう。上述した従来例ではこの酸化膜を破壊して電極
金属を結晶表面に付着させ、十分な付着力と良好なオー
ミック接触を得ようとするものである。しかし、この酸
化膜は厚みが１ｎｍ〜１０ｎｍ程度あり厚さも不均一の
ため、これらの方法においても微細な領域で均一なオー
ミック接触を得ることは困難になっている。すなわち、
例えば電極径が数十μｍ以下と微細な円形電極において
電圧−電流特性に整流性がみられ、電極の抵抗もばらつ
く問題がある。このため、ＬＥＤアレーのような微細サ
イズの電極が必要なデバイスの製作においてはＧａＡｌ
Ａｓ上にＧａＡｓを構成し、電極をＧａＡｓとコンタク
トする方法が取られている場合もある。しかし、特にこ
のような発光素子においては、ＧａＡｓが発光した光の
吸収体となるためこの方法も十分に満足のいくものでは
ないのが現状である。
【課題を解決するための手段】本願発明は、上記問題点
に鑑みなされたものであり、請求項１に係る発明は、
「Ａｌを含むIII−V族化合物半導体からなる結晶の表面
上へのオーミック接触電極の形成において、真空装置内
で該結晶の表面をスパッタ法で処理して酸化物を除去し
た後、該結晶を該真空装置内から取り出すことなく該結
晶の表面にオーミック接触を得る電極材を形成すること
を特徴とする半導体装置の電極形成方法。」を提供し、
請求項２に係る発明は、「請求項１記載の半導体装置の
電極形成方法において、電極材を２００℃以上５５０℃
以下の温度の結晶表面に形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。」を提供するものである。
に鑑みなされたものであり、請求項１に係る発明は、
「Ａｌを含むIII−V族化合物半導体からなる結晶の表面
上へのオーミック接触電極の形成において、真空装置内
で該結晶の表面をスパッタ法で処理して酸化物を除去し
た後、該結晶を該真空装置内から取り出すことなく該結
晶の表面にオーミック接触を得る電極材を形成すること
を特徴とする半導体装置の電極形成方法。」を提供し、
請求項２に係る発明は、「請求項１記載の半導体装置の
電極形成方法において、電極材を２００℃以上５５０℃
以下の温度の結晶表面に形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。」を提供するものである。
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の第１の実施例である半導体
装置の電極形成方法を説明するための半導体装置の断面
図である。同図において符号１はＧａＡｓからなる半導
体絶縁基板、符号２は、半導体絶縁基板１上に液相エピ
タキシャル法で厚み１０μｍに形成されたＴｅドープ
（ｎ≒１×１０18ｃｍ-3）のＮ型のＧａ(1ーX)ＡｌXＡｓ
層（ｘ≒０．７）である。先ず、ＧａＡｌＡｓ層２の表
面上のＧａを除去し、図示しない真空装置内で、通常の
高周波による逆スパッタ法を用いてＧａＡｌＡｓ層２の
表面上に形成されている酸化物を除去する。逆スパッタ
条件は逆スパッタ圧力２Ｐａ、逆スパッタ電力は１００
Ｗである。次に、通常のスパッタ法によりＮ側電極８を
形成する。電極材料はＡｕ−Ｇｅ（１２ｗｔ％）−Ｎｉ
（４ｗｔ％）であり、１０μｍ径の円形で２００μｍの
間隔で直線状に配列されている。なお、電極材料はＮ型
のＧａＡｌＡｓに対してオーミック接触が得られるもの
であれば何を用いても構わない。ここで逆スパッタ後、
次の電極材のスパッタを同一の真空装置内で行うことに
より、その間露出したＧａＡｌＡｓ面は酸化雰囲気に触
れることはなく、清浄な面に電極材料を形成することが
出来る。しかるのち、窒素雰囲気で４００℃〜５００℃
に保たれた電気炉内で数分間の熱処理を行う。これは電
極材と半導体を合金化反応させてオーミック接触を得る
目的で行っている。なお、熱処理を電極材のスパッタ直
後に同一の真空装置内で行ってもよい。後者の方法を用
いると、電極形成から熱処理の間に起こる可能性がある
電極材のピンホール等から侵入した酸素によるＧａＡｌ
Ａｓ面の酸化の心配がなくなる。以上のようにして、Ｎ
型のＧａＡｌＡｓに対して良好なオーミック特性および
付着特性を有する電極８を形成することができる。上述
した第１の実施例では、Ｎ型のＧａＡｌＡｓへのＮ電極
形成を示したが、導電型がＰ型の場合も、Ｐ型のＧａＡ
ｌＡｓに対しオーミック接触が得られる電極材を用いる
ことで適用できる。図２は、本発明の第２の実施例であ
る半導体装置の電極形成方法を説明するための半導体装
置の断面図である。先ず、ＧａＡｓからなる半導体絶縁
基板１上に有機金属気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶＤ
法）でＺｎドープ（ｎ≒５×１０17ｃｍ-3）のＰ型のＧ
ａ(1ーX)ＡｌXＡｓ層（ｘ≒０．４５）２を厚み２μｍ形
成する。これに対し、第１の実施例と同様の逆スパッタ
を行いＧａＡｌＡｓ層２の表面の酸化物を除去した後、
同一の真空装置内で通常のスパッタ法により３００℃に
設定したＧａＡｌＡｓ層２の表面にＰ側電極９を形成す
る。電極材料はＡｕ−Ｂｅ（１ｗｔ％）である。但し、
電極材はＰ型のＧａＡｌＡｓに対してオーミック接触の
得られるものであれば何を用いても構わない。なお、こ
の時の温度は２００℃以下では電圧−電流特性が整流性
を示し、５５０℃以上ではＧａＡｌＡｓ結晶表面からＡ
ｓの脱離が起こり欠陥が誘発されて結晶劣化が起こるこ
とから２００℃以上５５０℃以下の範囲にあることが必
要である。このようにＧａＡｌＡｓ結晶表面を２００℃
以上５５０℃以下の温度に保って電極材を形成すると、
電極材の堆積と同時に電極材と半導体の合金化反応が起
こりオーミック接触が得られるようになるため、第１の
実施例で行った電気炉等による熱処理が不要になる。ま
た、電極形成から熱処理の間に起こる可能性がある電極
材のピンホール等から侵入した酸素によるＧａＡｌＡｓ
面の酸化の心配もいらない。以上のようにして、Ｐ型の
ＧａＡｌＡｓに対して良好なオーミック特性および付着
特性を有する電極９を形成することができる。上述した
第２の実施例では、Ｐ型のＧａＡｌＡｓへのＰ電極形成
を示したが、導電型がＮ型の場合も、Ｎ型のＧａＡｌＡ
ｓに対しオーミック接触が得られる電極材を用いること
で適用できる。尚、上述した第１、第２の実施例ではＧ
ａＡｌＡｓを用いたが、他のＡｌを含むIII−V族化合物
半導体に適用しても同様の効果が得られる。なお、本発
明は上述した実施例以外にもＡｌを含むIII−V族化合物
半導体にオーミック電極の形成が必要な半導体装置、例
えば発光ダイオード、レーザーダイオード、ヘテロバイ
ポーラトランジスタ等の製作においても適用することが
できるものである。
て説明する。図１は本発明の第１の実施例である半導体
装置の電極形成方法を説明するための半導体装置の断面
図である。同図において符号１はＧａＡｓからなる半導
体絶縁基板、符号２は、半導体絶縁基板１上に液相エピ
タキシャル法で厚み１０μｍに形成されたＴｅドープ
（ｎ≒１×１０18ｃｍ-3）のＮ型のＧａ(1ーX)ＡｌXＡｓ
層（ｘ≒０．７）である。先ず、ＧａＡｌＡｓ層２の表
面上のＧａを除去し、図示しない真空装置内で、通常の
高周波による逆スパッタ法を用いてＧａＡｌＡｓ層２の
表面上に形成されている酸化物を除去する。逆スパッタ
条件は逆スパッタ圧力２Ｐａ、逆スパッタ電力は１００
Ｗである。次に、通常のスパッタ法によりＮ側電極８を
形成する。電極材料はＡｕ−Ｇｅ（１２ｗｔ％）−Ｎｉ
（４ｗｔ％）であり、１０μｍ径の円形で２００μｍの
間隔で直線状に配列されている。なお、電極材料はＮ型
のＧａＡｌＡｓに対してオーミック接触が得られるもの
であれば何を用いても構わない。ここで逆スパッタ後、
次の電極材のスパッタを同一の真空装置内で行うことに
より、その間露出したＧａＡｌＡｓ面は酸化雰囲気に触
れることはなく、清浄な面に電極材料を形成することが
出来る。しかるのち、窒素雰囲気で４００℃〜５００℃
に保たれた電気炉内で数分間の熱処理を行う。これは電
極材と半導体を合金化反応させてオーミック接触を得る
目的で行っている。なお、熱処理を電極材のスパッタ直
後に同一の真空装置内で行ってもよい。後者の方法を用
いると、電極形成から熱処理の間に起こる可能性がある
電極材のピンホール等から侵入した酸素によるＧａＡｌ
Ａｓ面の酸化の心配がなくなる。以上のようにして、Ｎ
型のＧａＡｌＡｓに対して良好なオーミック特性および
付着特性を有する電極８を形成することができる。上述
した第１の実施例では、Ｎ型のＧａＡｌＡｓへのＮ電極
形成を示したが、導電型がＰ型の場合も、Ｐ型のＧａＡ
ｌＡｓに対しオーミック接触が得られる電極材を用いる
ことで適用できる。図２は、本発明の第２の実施例であ
る半導体装置の電極形成方法を説明するための半導体装
置の断面図である。先ず、ＧａＡｓからなる半導体絶縁
基板１上に有機金属気相エピタキシャル法（ＭＯＣＶＤ
法）でＺｎドープ（ｎ≒５×１０17ｃｍ-3）のＰ型のＧ
ａ(1ーX)ＡｌXＡｓ層（ｘ≒０．４５）２を厚み２μｍ形
成する。これに対し、第１の実施例と同様の逆スパッタ
を行いＧａＡｌＡｓ層２の表面の酸化物を除去した後、
同一の真空装置内で通常のスパッタ法により３００℃に
設定したＧａＡｌＡｓ層２の表面にＰ側電極９を形成す
る。電極材料はＡｕ−Ｂｅ（１ｗｔ％）である。但し、
電極材はＰ型のＧａＡｌＡｓに対してオーミック接触の
得られるものであれば何を用いても構わない。なお、こ
の時の温度は２００℃以下では電圧−電流特性が整流性
を示し、５５０℃以上ではＧａＡｌＡｓ結晶表面からＡ
ｓの脱離が起こり欠陥が誘発されて結晶劣化が起こるこ
とから２００℃以上５５０℃以下の範囲にあることが必
要である。このようにＧａＡｌＡｓ結晶表面を２００℃
以上５５０℃以下の温度に保って電極材を形成すると、
電極材の堆積と同時に電極材と半導体の合金化反応が起
こりオーミック接触が得られるようになるため、第１の
実施例で行った電気炉等による熱処理が不要になる。ま
た、電極形成から熱処理の間に起こる可能性がある電極
材のピンホール等から侵入した酸素によるＧａＡｌＡｓ
面の酸化の心配もいらない。以上のようにして、Ｐ型の
ＧａＡｌＡｓに対して良好なオーミック特性および付着
特性を有する電極９を形成することができる。上述した
第２の実施例では、Ｐ型のＧａＡｌＡｓへのＰ電極形成
を示したが、導電型がＮ型の場合も、Ｎ型のＧａＡｌＡ
ｓに対しオーミック接触が得られる電極材を用いること
で適用できる。尚、上述した第１、第２の実施例ではＧ
ａＡｌＡｓを用いたが、他のＡｌを含むIII−V族化合物
半導体に適用しても同様の効果が得られる。なお、本発
明は上述した実施例以外にもＡｌを含むIII−V族化合物
半導体にオーミック電極の形成が必要な半導体装置、例
えば発光ダイオード、レーザーダイオード、ヘテロバイ
ポーラトランジスタ等の製作においても適用することが
できるものである。
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の電極形成方法によれば、Ａｌを含むIII−V族化合物
半導体結晶面にオーミック電極を極めて容易に作製する
ことができる。また、結晶表面の酸化の影響を十分に排
除できるためオーミック接触が均一となり、微小面積の
電極を形成しても良好なオーミック特性および付着特性
が得られるとともに電極抵抗のばらつきも低減される。
これらにより、電極の生産性および信頼性が向上する。
さらにまた、結晶表面の酸化膜を逆スパッタ法で除去し
たのち電極材を形成するため、従来行ってきた酸化膜除
去のための繁雑で複雑な薬品等による前処理が不要にな
り、工程の簡略化が図れるものである。
置の電極形成方法によれば、Ａｌを含むIII−V族化合物
半導体結晶面にオーミック電極を極めて容易に作製する
ことができる。また、結晶表面の酸化の影響を十分に排
除できるためオーミック接触が均一となり、微小面積の
電極を形成しても良好なオーミック特性および付着特性
が得られるとともに電極抵抗のばらつきも低減される。
これらにより、電極の生産性および信頼性が向上する。
さらにまた、結晶表面の酸化膜を逆スパッタ法で除去し
たのち電極材を形成するため、従来行ってきた酸化膜除
去のための繁雑で複雑な薬品等による前処理が不要にな
り、工程の簡略化が図れるものである。
【図１】本発明の第１の実施例である半導体装置の電極
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例である半導体装置の電極
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
形成方法を説明するための半導体装置の断面図である。
【図３】従来例の電極形成方法の説明図である。
【図４】他の従来例の電極形成方法の説明図である。
１ 半導体絶縁基板 ２ ＧａＡｌＡｓ層 ３ ＡｕＧｅＮｉ電極 ４ Ｐｄ層 ５ ＡｕＧｅ層 ６ Ａｇ層 ７ Ａｕ層 ８ 電極 ９ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】Ａｌを含むIII−V族化合物半導体からなる
結晶の表面上へのオーミック接触電極の形成において、
真空装置内で該結晶の表面をスパッタ法で処理して酸化
物を除去した後、該結晶を該真空装置内から取り出すこ
となく該結晶の表面にオーミック接触を得る電極材を形
成することを特徴とする半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置の電極形成方法
において、電極材を２００℃以上５５０℃以下の温度の
結晶表面に形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33213992A JPH06120163A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33213992A JPH06120163A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120163A true JPH06120163A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=18251577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33213992A Pending JPH06120163A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120163A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080426A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Sharp Corp | 発光ダイオード |
| JP2007103538A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2007194386A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 光半導体装置とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送システム |
| JP2007220756A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法 |
| WO2009005126A1 (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Showa Denko K.K. | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
| CN114122166A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-01 | 淮阴师范学院 | 一种n型GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP33213992A patent/JPH06120163A/ja active Pending
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