JPH06119876A - Manufacture of display device - Google Patents
Manufacture of display deviceInfo
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- JPH06119876A JPH06119876A JP28954192A JP28954192A JPH06119876A JP H06119876 A JPH06119876 A JP H06119876A JP 28954192 A JP28954192 A JP 28954192A JP 28954192 A JP28954192 A JP 28954192A JP H06119876 A JPH06119876 A JP H06119876A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は表示装置（特に自発光型
の表示部を有するフラットパネルディスプレイ）の製造
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a display device (in particular, a flat panel display having a self-luminous display section).
【０００２】[0002]
【従来の技術】自発光型の表示デバイスとして、例えば
図24に示すように、電界放出型カソードを使用したＦＥ
Ｄ(Field emission display)20が知られている。2. Description of the Related Art As a self-luminous display device, for example, as shown in FIG. 24, an FE using a field emission cathode
D (Field emission display) 20 is known.
【０００３】このＦＥＤ20によれば、カソードパネル21
上にカソード電極22を形成し、このカソード電極22上の
絶縁層24に形成した多数のキャビティ33内に設けた針状
のマイクロチップカソード23（後述の図８参照）とゲー
ト電極25との間に比較的低い約 100Ｖ程度の電圧を印加
することによって、マイクロチップカソード（冷陰極）
23から電界放出（カソード物質表面のポテンシャル障壁
を通り抜けること）によって電子を発生させる。そし
て、この電子を加速して対向する螢光体（コレクタ）26
上に照射させ、この螢光体を選択的に励起して発光させ
る。According to this FED 20, the cathode panel 21
Between the needle-shaped microchip cathode 23 (see FIG. 8 to be described later) and the gate electrode 25 provided in the multiple cavities 33 formed in the insulating layer 24 on the cathode electrode 22 by forming the cathode electrode 22 thereon. By applying a relatively low voltage of approximately 100 V to the microchip cathode (cold cathode)
Electrons are generated from 23 by field emission (passing through the potential barrier on the surface of the cathode material). Then, by accelerating the electrons, a fluorescent body (collector) 26 facing each other.
The phosphor is illuminated on top to selectively excite this phosphor to emit light.
【０００４】螢光体26は、前面パネル27の内面側におい
て、ＩＴＯ(Indium tin oxide)等のアノード28上に形成
されたものであるが、両パネル27−21間は周辺のスペー
サ（図示せず）を介して接着されると共に、両パネル間
の空間部90は10-8Torr以下と超高真空に保持される。The fluorescent body 26 is formed on an anode 28 made of ITO (Indium tin oxide) or the like on the inner surface side of the front panel 27, and a spacer (not shown) between the two panels 27-21 is provided between the panels 27-21. No.) and the space 90 between both panels is maintained at an ultra high vacuum of 10 -8 Torr or less.
【０００５】そして、この超高真空に対して、両パネル
（ガラス基板）27−21間を所定間隔（例えば数100 μ
ｍ）に保持するために、特に１Kg／cm2 の大気圧に耐え
るようにガス放出の少ない真空耐圧保持用のスペーサ29
が各螢光体26−26間に設けられている。With respect to this ultra-high vacuum, the two panels (glass substrates) 27-21 are separated by a predetermined distance (for example, several hundred μm).
m), the spacer 29 for maintaining the vacuum pressure resistance with a small amount of gas release so as to withstand the atmospheric pressure of 1 kg / cm 2 in particular.
Are provided between each phosphor 26-26.
【０００６】従来、こうしたスペーサ29として、ガラス
ビーズを使用している。しかしながら、このガラスビー
ズは、両パネル27−21間の間隔と同等径を有しているた
め、図示した如くにパネル面方向（即ち、螢光体26又は
ゲート25の配列方向）において画素上にはみ出し易い。Conventionally, glass beads have been used as the spacer 29. However, since this glass bead has a diameter equal to the distance between both panels 27-21, it is on the pixel in the panel surface direction (that is, the arrangement direction of the phosphor 26 or the gate 25) as shown in the figure. Easy to stick out.
【０００７】これは、画素ピッチが細かくなるに従って
生じ易く、この結果、ガラスビーズ29による影（ビーズ
の影）が見えてしまったり、ガラスビーズ29が電子によ
って帯電して電子線に悪影響を及ぼすことがある。この
ために、画質が劣化し、特にＯＡ機器等や高品位テレビ
等において解像度が上がる程、画質の劣化が顕著に目立
ってしまう。This tends to occur as the pixel pitch becomes finer, and as a result, the shadow of the glass beads 29 (shadow of the beads) may be seen, or the glass beads 29 may be charged by electrons and adversely affect the electron beam. There is. For this reason, the image quality deteriorates, and as the resolution increases, particularly in OA devices and high-definition televisions, the image quality becomes more noticeable.
【０００８】他方、ガラスビーズに代えて、ガラスペー
ストを前面パネル27の内面に印刷することによって上記
の如きスペーサを形成する方法が考えられる。しかしな
がら、スペーサには一定の厚みが必要となるので、ペー
ストを多層塗り印刷しなければならないが、多層塗りに
時間を要し、かつ、面積の大きい印刷の場合には厚みム
ラが生じ易く、印刷精度を出すことが難しい。しかも、
スペーサをパターン化して設ける場合、多層塗り自体が
困難であり、パターンくずれを生じ易くなる。On the other hand, a method of forming the spacer as described above by printing a glass paste on the inner surface of the front panel 27 instead of the glass beads can be considered. However, since the spacer needs to have a certain thickness, it is necessary to perform multi-layer printing with the paste, but it takes time to perform multi-layer coating, and in the case of printing a large area, thickness unevenness is likely to occur. It is difficult to get accuracy. Moreover,
When the spacers are provided in a pattern, it is difficult to apply the multi-layer coating itself, and the pattern is likely to collapse.
【０００９】また、特開平４−58438 号公報には、上記
の如きスペーサ（バリアリブ）を形成するに際し、スペ
ーサ材料としてガラスペーストを使用し、これを厚膜印
刷法で塗布してべた付けした後、レジストをマスクとし
てサンドブラスト等でパターニングする方法が示されて
いる。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 4-58438, in forming spacers (barrier ribs) as described above, glass paste is used as a spacer material, which is applied by a thick film printing method and then applied with stickiness. , A method of patterning by sandblasting using a resist as a mask is disclosed.
【００１０】しかし、この公知技術では、スペーサ材料
を厚膜印刷法で塗布しているため、上記したと同様に、
均一の厚みに設けることが困難であり、厚みムラ、精度
低下が生じ易く、また量産性もあまり良くない。However, in this known technique, since the spacer material is applied by the thick film printing method, similar to the above,
It is difficult to provide a uniform thickness, thickness unevenness and accuracy decrease easily occur, and mass productivity is not so good.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、所望
の厚み及びサイズ、パターンの耐圧保持用部品を均一か
つ高精度に量産性良く形成することのできる方法を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method capable of forming a pressure-resistant holding component having a desired thickness, size and pattern uniformly, with high accuracy and with good mass productivity.
【００１２】即ち、本発明は、基板の内面に耐圧保持用
部品を有する表示装置を製造するに際し、(a) 前記耐圧
保持用部品に加工されるべきシート状の絶縁材を前記基
板に被着する工程と、(b) 前記シート状の絶縁材をサン
ドブラスト法、パウダービームエッチング法等で所定パ
ターンに加工して、前記耐圧保持用部品を形成する工程
とを有する、表示装置の製造方法に係るものである。That is, according to the present invention, in manufacturing a display device having a pressure resistant holding component on the inner surface of a substrate, (a) a sheet-like insulating material to be processed into the pressure resistant holding component is adhered to the substrate. And a step of (b) processing the sheet-shaped insulating material into a predetermined pattern by a sand blast method, a powder beam etching method, or the like to form the pressure-resistant holding component. It is a thing.
【００１３】本発明の方法においては、シート状の絶縁
材上にシート状のレジストを被着し、このシート状のレ
ジストを所定パターンに加工し、この加工されたレジス
トをマスクとして前記シート状の絶縁材を所定パターン
に加工することが望ましい。In the method of the present invention, a sheet-shaped insulating material is coated with a sheet-shaped resist, the sheet-shaped resist is processed into a predetermined pattern, and the processed resist is used as a mask. It is desirable to process the insulating material into a predetermined pattern.
【００１４】本発明の方法は、前面基板の内面に所定パ
ターンの真空耐圧保持用部品を形成し、この真空耐圧保
持用部品以外の領域に螢光体を形成して、電界放出型フ
ラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）を製造するのに好
適である。According to the method of the present invention, a vacuum withstand voltage holding component having a predetermined pattern is formed on the inner surface of the front substrate, and a fluorescent body is formed in a region other than the vacuum withstand voltage holding component to form a field emission flat panel display. It is suitable for manufacturing (FED).
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【００１６】図１〜図22は、本発明をＦＥＤに適用した
実施例を示すものである。本実施例によるＦＥＤの製造
方法を説明すると、まず、図１のように、螢光体を形成
すべき厚さ約１mmの前面パネル（ガラス基板）27上の全
面に、真空耐圧保持用部品（例えばピラー状のスペー
サ）に加工されるべきシート状の絶縁材49を被着する。1 to 22 show an embodiment in which the present invention is applied to an FED. Explaining the method of manufacturing the FED according to the present embodiment, first, as shown in FIG. 1, a vacuum withstand voltage holding component ( For example, a sheet-shaped insulating material 49 to be processed into a pillar-shaped spacer is applied.
【００１７】このシート状絶縁材49は、例えば、ガラス
をベースとして予め所定の均一厚及びサイズのシート状
に作製されたフリットガラスシートであり、スペーサと
しての数 100μｍの膜厚を有している。また、その組成
は PbO−B2O3（ＣＯＭ）又はPbO−B2O3−SiO2等からな
っていて、日本電気ガラス社製のＬＳ1301として市販さ
れているものが使用可能である。The sheet-shaped insulating material 49 is, for example, a frit glass sheet prepared in advance in a sheet shape having a predetermined uniform thickness and size based on glass, and has a film thickness of several hundred μm as a spacer. . Further, the composition of which consist PbO-B 2 O 3 (COM ) or PbO-B 2 O 3 -SiO 2, etc., those commercially available as LS1301 manufactured by Nippon Electric Glass Co. can be used.
【００１８】このシート状絶縁材49は、厚膜印刷法等と
は全く異なって、前面パネル27に対し例えば 400℃で加
熱しながら圧着（熱圧着）することによって被着する。
従って、シート状絶縁材49は、前面パネル27に対し接着
剤を使うことなしに融着することになる。The sheet-like insulating material 49 is applied by pressure bonding (thermocompression bonding) to the front panel 27 while heating at 400 ° C., which is completely different from the thick film printing method.
Therefore, the sheet-shaped insulating material 49 is fused to the front panel 27 without using an adhesive.
【００１９】次いで、図２のように、シート状絶縁材49
上にシート状のフォトレジスト40を被着する。Next, as shown in FIG. 2, a sheet-shaped insulating material 49
A sheet-shaped photoresist 40 is applied on top.
【００２０】このシート状レジスト40は、サンドブラス
トやパウダービームエッチング等に対して耐性を有する
ものであって、例えば東京応化工業社製のラミネートフ
ィルム：オーディルＢＦ200(ネガ型レジスト）が使用可
能である。The sheet-shaped resist 40 has resistance to sandblasting, powder beam etching, etc., and for example, a laminate film: Audil BF200 (negative resist) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. can be used.
【００２１】このシート状レジスト40は、塗布法とは全
く異なって、シート状絶縁材49に対して例えば80〜100
℃で加熱しながら接着する。従って、シート状絶縁材49
と同様に接着剤を使用しないで融着により被着すること
になる。This sheet-shaped resist 40 is completely different from the coating method in that it has a thickness of, for example, 80 to 100 relative to the sheet-shaped insulating material 49.
Glue while heating at ℃. Therefore, the sheet-shaped insulating material 49
Similarly to the above, it is applied by fusion without using an adhesive.
【００２２】次いで、図３のように、所定のパターンに
露光（パターン露光）し、更に現像を経てパターンを定
着させ、レジスト40をパターニングする。Next, as shown in FIG. 3, the resist 40 is patterned by exposing it to a predetermined pattern (pattern exposure) and further developing it to fix the pattern.
【００２３】次いで、レジスト40をマスクとして、サン
ドブラスト法又はパウダービームエッチング法によって
下地の絶縁材49を加工し、図４のように、レジスト40と
ほぼ同一パターンに絶縁材49をピラー（スペーサ）とし
て残す。Next, using the resist 40 as a mask, the underlying insulating material 49 is processed by sandblasting or powder beam etching, and as shown in FIG. 4, the insulating material 49 is used as pillars (spacers) in almost the same pattern as the resist 40. leave.
【００２４】ここで、適用可能なサンドブラスト法とし
ては、特開昭60−76961 号公報等に示されたアルミナ微
粒子等を使用する方法（例えば、粒度1500メッシュ以上
の研削粉を５Kg重／cm2 以下のノズル噴射圧で噴出さ
せ、歪みやクラックの発生なしに加工できる方法）が挙
げられる。また、パウダービームエッチング法として
は、特開平４−19070 号や同４−115869号公報等に示さ
れた粒径１μｍ以上のシリコンカーバイド粉等を使用す
る方法（例えば固気２相ビームのパウダー粒径を１μｍ
以上とし、被加工面を密に微細加工できる方法）が挙げ
られる。As the applicable sand blasting method, a method using fine alumina particles as disclosed in JP-A-60-76961 (for example, grinding powder having a grain size of 1500 mesh or more at 5 kg weight / cm 2 is used). The following method can be used in which jetting is performed with a nozzle jet pressure and processing can be performed without the occurrence of distortion or cracks). Further, as the powder beam etching method, a method of using silicon carbide powder having a particle size of 1 μm or more as disclosed in JP-A-4-19070 and JP-A-4-115869 (for example, solid-gas two-phase beam powder particles) is used. Diameter is 1 μm
In the above, there is a method of finely processing the surface to be processed.
【００２５】次いで、図５のように、レジスト40を除去
した後、図６のように、ピラー（スペーサ）49間に厚さ
５μｍ以下の各色の螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26
（Ｂ）をそれぞれ所定パターンに形成する。Then, after removing the resist 40 as shown in FIG. 5, as shown in FIG. 6, the phosphors 26 (R), 26 (G) of each color having a thickness of 5 μm or less are provided between the pillars (spacers) 49. , 26
(B) is formed in a predetermined pattern.
【００２６】この場合、予めパネル27上には、各アノー
ド28を所定パターンに形成しておき、これらのアノード
を電極とし、螢光体含有の電解液を用いて電気メッキ
（電着）を行うことによって、各アノード28上に対応す
る各螢光体をそれぞれ付着させることができる。In this case, each of the anodes 28 is formed in a predetermined pattern on the panel 27 in advance, and these anodes are used as electrodes, and electroplating (electrodeposition) is performed using a fluorescent substance-containing electrolytic solution. This allows each corresponding phosphor to be attached onto each anode 28.
【００２７】アノード28は例えば厚さ１μｍ以下のＩＴ
Ｏ（Indium tin oxide）からなっていて、図１に仮想線
で示すように、シート状絶縁材49の被着前に、パネル27
上にスパッタリング等でＩＴＯを成膜し、これをフォト
リソグラフィ技術で所定パターンにエッチングすること
によって形成することができる。但し、アノード28は簡
略化のために図２〜図５では図示省略している。The anode 28 is, for example, an IT having a thickness of 1 μm or less.
It consists of O (Indium tin oxide), and as shown by the phantom line in FIG.
It can be formed by forming an ITO film on the top by sputtering or the like and etching this into a predetermined pattern by a photolithography technique. However, the anode 28 is omitted in FIGS. 2 to 5 for simplification.
【００２８】螢光体の電気メッキに際しては、図７のよ
うに、それぞれの透明電極28が形成されたパネル27を、
各色の螢光粉体を分散させた電着液50（Ｇ）、50
（Ｂ）、50（Ｒ）を注入した電着槽59内に配置して、こ
の螢光粉体の色に対応する透明電極28に対して順次、
緑、青、及び赤の各色螢光体の電着を行う。At the time of electroplating the phosphor, as shown in FIG. 7, the panel 27 on which the respective transparent electrodes 28 are formed,
Electrodeposition liquid 50 (G), 50 in which fluorescent powder of each color is dispersed
(B) and 50 (R) are placed in the electrodeposition tank 59, and the transparent electrodes 28 corresponding to the color of the fluorescent powder are sequentially arranged.
Electrodeposit the green, blue, and red color phosphors.
【００２９】使用可能な螢光体としては、例えば緑色と
して ZnS：Cu，Al等、青色として ZnS：Ag，Cl等、赤色
として Y2O2S：Eu，CdS 等、また他の色として、例えば
ZnS：Mn，Y2O3：Eu, ZnO ：Zn等、溶媒に溶出し易い粉
体を除いてほとんどの半導体及び絶縁体を電着法に用い
ることができる。図７において、52は電着の際にパネル
27上の電極28とは逆の極性とする対極、53は電着液50の
攪拌子、54は電着用の電源、55及び56はそれぞれ逆バイ
アス印加用の電源を示す。Fluorescent materials that can be used include, for example, ZnS: Cu, Al for green, ZnS: Ag, Cl for blue, Y 2 O 2 S: Eu, CdS for red, and other colors. For example
Most semiconductors and insulators can be used for the electrodeposition method, except for powders that are easily eluted in a solvent, such as ZnS: Mn, Y 2 O 3 : Eu, and ZnO: Zn. In FIG. 7, 52 is a panel at the time of electrodeposition
A counter electrode having a polarity opposite to that of the electrode 28 on 27, 53 is a stirrer for the electrodeposition liquid 50, 54 is a power supply for electrodeposition, and 55 and 56 are power supplies for reverse bias application, respectively.
【００３０】このような電着槽において、まず、パネル
27を緑色螢光粉体を分散した電着液50（Ｇ）（例えば電
解質として硝酸アルミニウム、分散材としてグリセリ
ン、溶媒としてイソプロピルアルコール等を含む電着
液）に入れ、第１のストライプ状透明電極28（Ｇ）に例
えば50Ｖ／cmの負電位（直流電圧）、他のストライプ状
透明電極28（Ｂ）、28（Ｒ）に例えば０〜500 Ｖの正電
位（逆バイアス電圧）を印加し、その対極52に正電位を
印加して、電極28（Ｇ）にのみ緑色螢光粉体を電着し、
緑色螢光体膜26（Ｇ）を形成する。In such an electrodeposition tank, first, the panel
27 is placed in an electrodeposition liquid 50 (G) in which green fluorescent powder is dispersed (eg, aluminum nitrate as an electrolyte, glycerin as a dispersant, and isopropyl alcohol as a solvent), and a first striped transparent electrode. For example, a negative potential (DC voltage) of 50 V / cm is applied to 28 (G), and a positive potential (reverse bias voltage) of 0 to 500 V is applied to the other stripe transparent electrodes 28 (B) and 28 (R). By applying a positive potential to the counter electrode 52, the green fluorescent powder is electrodeposited only on the electrode 28 (G),
A green phosphor film 26 (G) is formed.
【００３１】このような操作を青色螢光粉体分散電着液
50（Ｂ）、赤色螢光粉体分散電着液50（Ｒ）について同
様に行い（但し、電着すべき透明電極には負電位、電着
しない透明電極には正電位を与える。）、青色螢光体26
（Ｂ）、赤色螢光体26（Ｒ）を順次形成する。Such an operation is performed by using a blue fluorescent powder dispersion electrodeposition liquid.
50 (B) and red fluorescent powder dispersion electrodeposition solution 50 (R) are similarly performed (however, a negative potential is applied to the transparent electrode to be electrodeposited and a positive potential is applied to the transparent electrode not electrodeposited). Blue phosphor 26
(B) and red phosphor 26 (R) are sequentially formed.
【００３２】以上のようにして、パネル27の内面に、高
さ数 100μｍのピラー（スペーサ）49と、各ピラー間に
電着された螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26（Ｂ）を所定
パターンに形成することができる。この場合、ピラー49
を形成するに際し、シート状フォトレジスト40のパター
ニングで得たマスクを用いてシート状絶縁材49を所定パ
ターンに加工しているので、従来技術では得られない下
記 (1)〜(3) の顕著な作用効果を得ることができる。As described above, on the inner surface of the panel 27, pillars (spacers) 49 having a height of several 100 μm and the fluorescent bodies 26 (R), 26 (G), 26 ( B) can be formed in a predetermined pattern. In this case, the pillar 49
When forming the, the sheet-shaped insulating material 49 is processed into a predetermined pattern using the mask obtained by patterning the sheet-shaped photoresist 40, so the following (1) to (3) which are not obtained by the conventional technique are remarkable. Various operational effects can be obtained.
【００３３】(1) シート状絶縁材の加工によってピラー
49を形成しているので、ガラスビーズや塗布によるピラ
ーとは根本的に異なって、設定されたパターンに確実に
加工でき、画素に悪影響を与えることはなく、画質を良
好にすることができる。特に、ピラー49は螢光体26の側
のパネル面に設けるため、螢光体上へはみ出したりする
ことなしに形成できることは、発光特性を良好にできる
点で有利である。(1) Pillar formed by processing sheet-like insulating material
Since 49 is formed, fundamentally different from the glass beads and the pillars formed by coating, it is possible to surely process the set pattern, and it is possible to improve the image quality without adversely affecting the pixels. In particular, since the pillar 49 is provided on the panel surface on the side of the fluorescent body 26, the pillar 49 can be formed without protruding to the fluorescent body, which is advantageous in that the emission characteristics can be improved.
【００３４】(2) シート状絶縁材は数100 μｍと比較的
厚く、大面積であっても、予め均一な厚みに作製してお
けるので、これをパネル上に被着して加工すれば、常に
所望の（数100 μｍの）均一な厚みでしかも高精度の
（50μｍ以下の幅の）パターンにピラー49を形成でき
る。従って、超高真空に十分に耐え、かつ現存のブラウ
ン管に匹敵する画質を得ることができる。(2) Since the sheet-shaped insulating material is comparatively thick such as several hundreds of μm, and even if it has a large area, it can be prepared to have a uniform thickness in advance. The pillar 49 can always be formed in a desired uniform pattern (several hundred μm) and highly precise (width of 50 μm or less) pattern. Therefore, it is possible to sufficiently withstand an ultra-high vacuum and obtain an image quality comparable to that of existing cathode ray tubes.
【００３５】(3) シート状絶縁材の使用によって、大面
積化が可能であり、大型のディスプレイを実現でき、従
来の印刷による多層塗りの如き面倒さはないために均一
で大面積のものを生産性よく作製することができる。(3) By using a sheet-shaped insulating material, a large area can be achieved, a large-sized display can be realized, and since there is no trouble such as multi-layer coating by conventional printing, a uniform and large-area one can be used. It can be manufactured with high productivity.
【００３６】また、ピラー49を形成する際に、シート状
絶縁材上にシート状のレジスト40を被着し、これをパタ
ーニングしてシート状絶縁材の加工用マスクとして用い
ているが、シート状レジストの使用によって、均一厚み
でマスク性能の良いレジストを大面積に形成でき、これ
も塗布によるレジストの形成と比較し、ピラー49の高精
度のパターン化をはじめ、ディスプレイの大型化、量産
化等にとって有利である。Further, when forming the pillar 49, a sheet-shaped resist 40 is applied onto the sheet-shaped insulating material, and this is patterned and used as a mask for processing the sheet-shaped insulating material. By using a resist, it is possible to form a resist with a uniform thickness and good mask performance in a large area. Compared to resist formation by coating, this also enables highly accurate patterning of pillars 49, enlargement of the display, mass production, etc. Is advantageous to.
【００３７】なお、螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26
（Ｂ）は上記した電着法で形成しているので、螢光体を
電着により形成するに際して、非選択電極に０Ｖまたは
逆バイアスを印加することによって特にメッキマスクを
用いないでも混色を確実に回避でき、特にファインスト
ライプの螢光体を高精度に混色なく被着でき、高品位な
カラー螢光面が容易に得られる。更に、有機系材料を用
いることなく螢光面を形成でき、ディスプレイ内の超高
真空を維持することが可能となる。また、ピラー49を形
成した後でも、その立体的な影響を受けることなく、均
一な螢光体膜を形成することができる。Fluorescent bodies 26 (R), 26 (G), 26
Since (B) is formed by the electrodeposition method described above, when the phosphor is formed by electrodeposition, by applying 0 V or reverse bias to the non-selective electrode, it is possible to ensure color mixing without using a plating mask. In particular, a fine-striped fluorescent body can be applied with high precision without color mixing, and a high-quality color fluorescent surface can be easily obtained. Furthermore, a fluorescent surface can be formed without using an organic material, and an ultrahigh vacuum in the display can be maintained. Further, even after the pillar 49 is formed, a uniform phosphor film can be formed without being affected by the three-dimensional effect.
【００３８】図８及び図９には、上記の如くにして得ら
れたピラー49付きの螢光体パネル27を用いてＦＥＤ50を
構成した一例が示されている（但し、図８ではピラー49
を仮想線で示した）。このＦＥＤ50においては、ゲート
電極25を各色の螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26（Ｂ）に
対して一対一に対応して配列し、各列のゲート電極には
マイクロチップカソード23の先端を臨むように電子放出
孔33を形成してある。その他の構成は、図24に示したも
のと同様である。FIG. 8 and FIG. 9 show an example in which an FED 50 is constructed by using the phosphor panel 27 with the pillar 49 obtained as described above (however, in FIG. 8, the pillar 49 is used).
Is shown by a virtual line). In this FED50, the gate electrodes 25 are arranged in a one-to-one correspondence with the phosphors 26 (R), 26 (G), 26 (B) of the respective colors, and the microtip cathodes are arranged in the gate electrodes of each column. An electron emission hole 33 is formed so as to face the tip of 23. Other configurations are similar to those shown in FIG.
【００３９】ピラー49は、図示したようにストライプ状
であってよいが、図10に示すように、小円柱状であって
もよく、その他にも角柱状等、螢光体の形成領域以外の
箇所であれば如何なる形状でもよい。The pillars 49 may have a stripe shape as shown in the drawing, but may have a small columnar shape as shown in FIG. 10, and may have a prismatic shape other than the area where the fluorescent body is formed. Any shape may be used as long as it is a place.
【００４０】なお、ＦＥＤ50を構成する裏面パネルの作
製方法の一例を図11〜図18について説明する。An example of the method of manufacturing the back panel which constitutes the FED 50 will be described with reference to FIGS.
【００４１】まず、図11のように、厚さ約１μｍのガラ
ス又はシリコン製の裏面パネル21上に厚さ 0.3μｍのカ
ソード22をアルミニウム又は銅のスパッタリング等によ
って形成する。First, as shown in FIG. 11, a cathode 22 having a thickness of 0.3 μm is formed on a rear panel 21 made of glass or silicon having a thickness of about 1 μm by sputtering aluminum or copper.
【００４２】次いで、図12のように、カソード22上に厚
さ 1.0μｍの絶縁層24をSiO2の化学的気相成長によって
形成する。Next, as shown in FIG. 12, an insulating layer 24 having a thickness of 1.0 μm is formed on the cathode 22 by chemical vapor deposition of SiO 2 .
【００４３】次いで、図13のように、絶縁層24上にポリ
シリコンとタングステンとを化学的気相成長、スパッタ
リング等によって順次成膜し、熱処理によりタングステ
ンシリサイド膜25ａを厚さ 0.3μｍに、ポリシリコン膜
25ｂを厚さ0.05μｍに成膜し、ゲート電極25用の導電膜
とする。Then, as shown in FIG. 13, polysilicon and tungsten are sequentially formed on the insulating layer 24 by chemical vapor deposition, sputtering or the like, and a tungsten silicide film 25a is formed to a thickness of 0.3 μm by heat treatment. Silicon film
25b is formed into a film with a thickness of 0.05 μm to form a conductive film for the gate electrode 25.
【００４４】次いで、図14のように、フォトレジスト60
を塗布し、露光、現像によって所定パターンに残し、ゲ
ート窓開け用のマスクとする。Next, as shown in FIG. 14, a photoresist 60 is formed.
Is applied and left in a predetermined pattern by exposure and development to form a mask for opening a gate window.
【００４５】次いで、図15のように、フォトレジスト60
を用いて下地をＲＩＥでエッチングし、ゲート電極25と
絶縁層24とにキャビティ（電子放出孔）33を形成する。Then, as shown in FIG. 15, a photoresist 60 is formed.
The base is etched by RIE by using the above, and a cavity (electron emission hole) 33 is formed in the gate electrode 25 and the insulating layer 24.
【００４６】次いで、図16のように、基板21を回転させ
ながら、θ＝20〜30°の角度からアルミニウムを真空蒸
着し、ゲート電極25上にアルミニウム膜61をキャビティ
33から幾分突出させて形成する。Then, as shown in FIG. 16, while rotating the substrate 21, aluminum is vacuum-deposited from an angle of θ = 20 to 30 ° to form an aluminum film 61 on the gate electrode 25 as a cavity.
It is formed by slightly projecting from 33.
【００４７】次いで、図17のように、基板21を回転させ
ながら、垂直方向からモリブデン23を真空蒸着する。こ
の結果、初期にはアルミニウム膜61の開口面積分のモリ
ブデンがキャビティ33内のカソード22上に付着するが、
アルミニウム膜61の上記開口がモリブデンの付着によっ
て徐々に狭くなり、これに伴ってキャビティ33内ではモ
リブデンの付着量も徐々に少なくなる。このようにし
て、キャビティ33内には針状（円錐状）のマイクロチッ
プカソード23を厚さ 1.0〜1.3 μｍ程度に形成できる。Next, as shown in FIG. 17, while rotating the substrate 21, molybdenum 23 is vacuum-deposited from the vertical direction. As a result, molybdenum corresponding to the opening area of the aluminum film 61 adheres to the cathode 22 in the cavity 33 in the initial stage,
The opening of the aluminum film 61 is gradually narrowed due to the attachment of molybdenum, and accordingly, the amount of molybdenum deposited in the cavity 33 is gradually reduced. In this way, the needle-shaped (conical) microtip cathode 23 can be formed in the cavity 33 to have a thickness of about 1.0 to 1.3 μm.
【００４８】次いで、図18のように、ゲート電極25上の
モリブデンのオーバーコート層23をアルミニウム膜61の
エッチングによってリフトオフし、表示パネルを作製す
る。Then, as shown in FIG. 18, the overcoat layer 23 of molybdenum on the gate electrode 25 is lifted off by etching the aluminum film 61 to manufacture a display panel.
【００４９】上記の如くにして作製した前面パネル27と
裏面パネル21とは、図８及び図９で示したようにピラー
49を支柱として接合、一体化する。そして、両パネル間
90を超高真空に引き、ＦＥＤフラットパネルディスプレ
イ50を作製する。The front panel 27 and the rear panel 21 produced as described above are pillar-shaped as shown in FIGS. 8 and 9.
Join and integrate 49 as a pillar. And between the panels
90 is evacuated to an ultrahigh vacuum, and the FED flat panel display 50 is manufactured.
【００５０】そして、このＦＥＤフラットパネルディス
プレイ50は、例えば図19に示すように、入力部としての
入力タブレット１と一体化し、入力部１がペン入力装置
として、表示部50が出力装置として用いられるペン入力
演算装置を構成することができる。The FED flat panel display 50 is integrated with the input tablet 1 as an input unit, for example, as shown in FIG. 19, the input unit 1 is used as a pen input device, and the display unit 50 is used as an output device. A pen input computing device can be constructed.
【００５１】即ち、前面パネル27の前面側には、入力部
の透明電極３と５とがスペーサ（ビーズ）４を介してそ
れぞれ透明基板２と保護フィルム６に対向して設けら
れ、入力部１が構成されている。That is, the transparent electrodes 3 and 5 of the input section are provided on the front side of the front panel 27 so as to face the transparent substrate 2 and the protective film 6 via the spacers (beads) 4, respectively. Is configured.
【００５２】このディスプレイにおてい、図８のように
構成する他、図20のように、３色の螢光体を１組とし、
各組に１本のゲート電極25を使用してもよい。いずれの
場合も、各螢光体に対するアノード電位（ＯＶ←→500
Ｖ）を３拍駆動で切り換え、ゲート電極25からの放出電
子35を対応する螢光体へ選択的に照射し、発光させるこ
とができる。In this display, in addition to the structure shown in FIG. 8, as shown in FIG. 20, one set of three color fluorescent bodies is used.
One gate electrode 25 may be used for each set. In either case, the anode potential (OV ← → 500 for each phosphor)
V) can be switched by driving three beats, and the emitted electrons 35 from the gate electrode 25 can be selectively applied to the corresponding phosphor to emit light.
【００５３】また、パネル27の前面側には、抵抗検出型
の入力部として、図21に概略図示するように前面に一定
の抵抗率を有する透明電極３（ＩＴＯやSnO2）を抵抗層
としてベタ付けし、各辺の端部にはそれぞれＸ1 電極、
Ｘ2 電極、Ｙ1 電極、Ｙ2 電極を例えばアルミニウムや
クロム等で設けることができる。透明電極６もＩＴＯや
SnO2のベタ付けによって形成できる。On the front side of the panel 27, as a resistance detection type input section, a transparent electrode 3 (ITO or SnO 2 ) having a constant resistivity is used as a resistance layer on the front side as schematically shown in FIG. Stick solid, X 1 electrode at each end,
The X 2 electrode, the Y 1 electrode, and the Y 2 electrode can be provided with, for example, aluminum or chromium. The transparent electrode 6 is also ITO or
It can be formed by solid SnO 2 .
【００５４】このように構成すると、ペン入力時の位置
情報を図22に示したようにして検出できる。即ち、ペン
19でフィルム６を押すと（図19参照）、透明電極５が、
スペーサ４で離されていたパネル32上の透明電極３に接
触し、両電極間に電流が流れる。With this structure, the position information at the time of pen input can be detected as shown in FIG. That is, the pen
When the film 6 is pressed at 19 (see Fig. 19), the transparent electrode 5
The transparent electrodes 3 on the panel 32 separated by the spacers 4 come into contact with each other, and a current flows between both electrodes.
【００５５】この電流をＸ1 電極、Ｘ2 電極、Ｙ1 電
極、Ｙ2 電極を介して検出回路42でそれぞれ検出し（総
電流はＩ）、演算回路43で各電極間での電流の差をアナ
ログ量として出力し、これをＡ／Ｄコンバータ（図示せ
ず）でディジタル量に変換し、これを制御回路で処理し
てペン入力の座標（Ｘ，Ｙ）を求めると共に、表示部
（ＦＥＤ）に対し所定の表示を行わせる制御信号を与え
る。This current is detected by the detection circuit 42 via the X 1 electrode, the X 2 electrode, the Y 1 electrode, and the Y 2 electrode (total current is I), and the arithmetic circuit 43 causes a difference in current between the electrodes. Is output as an analog amount, this is converted into a digital amount by an A / D converter (not shown), and this is processed by a control circuit to obtain the coordinates (X, Y) of the pen input, and at the same time, the display unit (FED ) Is given a control signal for performing a predetermined display.
【００５６】このような抵抗検出型の入力部において
は、入力ペン19の側には何らの制御回路や駆動回路は必
要ではなく、単なる圧力印加手段としてペン19を使用す
ればよいので、入力ペン19の取扱いや作業能率が向上
し、確実な入力を行うことができる。In such a resistance detection type input section, no control circuit or drive circuit is required on the input pen 19 side, and the pen 19 may be used as a simple pressure applying means. The handling and work efficiency of 19 can be improved and reliable input can be performed.
【００５７】なお、上記のＦＥＤ50において、個々のマ
イクロチップカソードの電子放出性能のばらつきを改善
するには、例えば、個々のマイクロチップとカソードと
の間にシリコン等の抵抗を接続したり、或いはマイクロ
チップのブロック毎に抵抗を接続することができる。ま
た、螢光体上にアルミニウム等の導電膜を被せると、高
圧駆動に有利である。In the above FED50, in order to improve the variation in the electron emission performance of each microchip cathode, for example, a resistor such as silicon is connected between each microchip and the cathode, or a microchip is connected. A resistor can be connected to each block of the chip. Further, it is advantageous for high voltage driving to cover the phosphor with a conductive film such as aluminum.
【００５８】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基いて種々に変形可能
である。Although the embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments can be variously modified based on the technical idea of the present invention.
【００５９】例えば、上述したディスプレイの各構成部
分の材質、寸法、形状等や、パネルの接着方法は様々に
変更してよい。For example, the material, size, shape, etc. of each of the above-mentioned components of the display and the panel bonding method may be variously changed.
【００６０】また、上述の例はＦＥＤに関するものであ
るが、本発明は他の自発光型ディスプレイにも適用可能
である。例えば、図23に示すように、入力タブレット１
を一体化できる表示部としてのプラズマディスプレイ
（ＰＤＰ）70に適用することができる。このディスプレ
イ部は、裏面パネル71上に、トリガ電極72、誘電体膜7
4、カソード73を順次設けたものであり、バリアリブ84
を介して共通の前面パネル32に一体化されている。前面
パネル32にはアノード78を設けている。Although the above example relates to the FED, the present invention can be applied to other self-luminous displays. For example, as shown in FIG. 23, the input tablet 1
It can be applied to a plasma display (PDP) 70 as a display unit capable of integrating the above. This display part includes a trigger electrode 72 and a dielectric film 7 on a back panel 71.
4, the cathode 73 is sequentially provided, and the barrier rib 84
Are integrated into a common front panel 32 via. The front panel 32 is provided with an anode 78.
【００６１】このＰＤＰ70は交流トリガ型直流放電式の
ものであって、カソード73−トリガ電極72間にバイアス
電圧を与えて予備放電し、本放電に必要なパワーを減少
させる。誘電体膜74は必要な電位を保持するために設け
る。This PDP 70 is of the AC trigger type DC discharge type, and a bias voltage is applied between the cathode 73 and the trigger electrode 72 to carry out preliminary discharge, thereby reducing the power required for the main discharge. The dielectric film 74 is provided to hold a necessary potential.
【００６２】このＰＤＰ70において、バリアリブ84を上
述した実施例のスペーサ49と同様の方法によりシート状
絶縁材をレジストで加工して形成することができる。In this PDP 70, the barrier ribs 84 can be formed by processing a sheet-shaped insulating material with a resist by the same method as the spacer 49 of the above-mentioned embodiment.
【００６３】また、本発明は、その他のディスプレイに
対しても勿論適用可能である。また、ディスプレイは、
種々の使い方が可能であるが、上述したように、入力部
がペン入力装置、表示部が出力装置として用いられるペ
ン入力演算装置をはじめ、通常のディスプレイとしても
勿論使用できる。The present invention can of course be applied to other displays. Also, the display is
Although it can be used in various ways, as described above, it can be used as a normal display including a pen input calculation device in which the input unit is used as a pen input device and the display unit is used as an output device.
【００６４】入力方式も、上述した抵抗検出式だけでな
く、公知の光学式（フォトカプラ使用）、静電容量式、
超音波式、磁気式等を採用することができる。The input method is not limited to the resistance detection method described above, but also known optical methods (using a photocoupler), electrostatic capacity method,
Ultrasonic type, magnetic type, etc. can be adopted.
【００６５】ディスプレイの製造工程においては、上述
したようにフォトレジストをシート状にして被着するこ
とが望ましいが、このレジストに関しては通常の塗布方
法によって形成することも差支えない。In the manufacturing process of the display, it is desirable to apply the photoresist in the form of a sheet as described above, but the resist may be formed by an ordinary coating method.
【００６６】また、シート状絶縁材の加工には、上述し
たパウダービームエッチング等以外にも、公知のウォー
タージェットエッチングやドライエッチングも採用可能
である。In addition to the above-described powder beam etching, known water jet etching or dry etching can be used for processing the sheet-shaped insulating material.
【００６７】更に、使用するシート状絶縁材やフォトレ
ジストの材質等も変更してよいし、螢光体の形成方法も
上述した電着法以外でもよく、またその形成順序も変化
させてよい。Further, the sheet-like insulating material and the material of the photoresist to be used may be changed, the fluorescent substance may be formed by a method other than the above-mentioned electrodeposition method, and the forming order thereof may be changed.
【００６８】[0068]
【発明の作用効果】本発明は上述した如く、耐圧保持用
部品に加工されるべきシート状の絶縁材を基板に被着
し、このシート状の絶縁材を所定パターンに加工して、
前記耐圧保持用部品を形成しているので、ガラスビーズ
や塗布によるものとは根本的に異なって、設定されたパ
ターンに確実に加工でき、画素に悪影響を与えることは
なく、画質を良好にすることができる。As described above, according to the present invention, a sheet-shaped insulating material to be processed into a pressure-resistant holding component is applied to a substrate, and the sheet-shaped insulating material is processed into a predetermined pattern.
Since the pressure-resistant holding part is formed, it is possible to surely process the set pattern unlike the one using glass beads or coating, which does not adversely affect the pixels and improves the image quality. be able to.
【００６９】また、シート状絶縁材は予め均一な厚みに
作製しておけるので、これを基板上に被着して加工すれ
ば、常に所望の均一厚みでしかも高精度のパターンに部
品を形成できる。Further, since the sheet-shaped insulating material can be prepared in advance to have a uniform thickness, if the sheet-shaped insulating material is applied to the substrate and processed, a component can be always formed in a desired uniform thickness and a highly accurate pattern. .
【００７０】更に、シート状絶縁材の使用によって、大
面積化が可能であり、大型の表示装置を実現でき、従来
の印刷による多層塗りの如き面倒さはないために均一で
大面積のものを生産性よく作製することができる。Further, by using the sheet-shaped insulating material, a large area can be realized, a large-sized display device can be realized, and there is no trouble such as multi-layer coating by conventional printing, so that a uniform and large area can be obtained. It can be manufactured with high productivity.
【図１】本発明の実施例によるＦＥＤフラットパネルデ
ィスプレイの製造方法の一工程を示す要部断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view of a key portion showing one step of a method of manufacturing an FED flat panel display according to an embodiment of the present invention.
【図２】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 2 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図３】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 3 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図４】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 4 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図５】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 5 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図６】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 6 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図７】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 7 is a main-portion cross-sectional view showing one step in a method for manufacturing the flat panel display.
【図８】同フラットパネルディスプレイの要部斜視図で
ある。FIG. 8 is a perspective view of a main part of the flat panel display.
【図９】同フラットパネルディスプレイの要部断面図で
ある。FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part of the flat panel display.
【図10】同フラットパネルディスプレイの前面パネルの
内面側の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of an inner surface side of a front panel of the flat panel display.
【図11】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 11 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図12】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 12 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図13】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 13 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図14】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 14 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図15】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 15 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図16】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 16 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図17】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 17 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図18】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。FIG. 18 is a main-portion cross-sectional view showing a step in the manufacturing method of the flat panel display.
【図19】同フラットパネルディスプレイの要部拡大断面
図である。FIG. 19 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the flat panel display.
【図20】同フラットパネルディスプレイのＦＥＤの発光
原理を説明するための概略図である。FIG. 20 is a schematic diagram for explaining a light emitting principle of an FED of the flat panel display.
【図21】同フラットパネルディスプレイを構成する入力
部の平面図である。FIG. 21 is a plan view of an input unit included in the flat panel display.
【図22】同入力部のペン入力位置の検出回路の概略図で
ある。FIG. 22 is a schematic diagram of a pen input position detection circuit of the input unit.
【図23】本発明の他の実施例によるプラズマディスプレ
イを示す要部断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view of essential parts showing a plasma display according to another embodiment of the present invention.
【図24】従来例によるＦＥＤの要部断面図である。FIG. 24 is a sectional view of a main part of a conventional FED.
１・・・入力タブレット（入力部） ２・・・透明基板 ３、５、28・・・透明電極 19・・・入力ペン 20、50・・・ＦＥＤ 21・・・裏面パネル 22・・・カソード 23・・・マイクロチップカソード 24・・・絶縁層 25・・・ゲート電極 26・・・螢光体 27・・・前面パネル 29・・・ガラスビーズ 33・・・電子放出孔（キャビティ） 40・・・シート状フォトレジスト 49・・・シート状絶縁材（ピラー） 1 ... Input tablet (input section) 2 ... Transparent substrate 3, 5, 28 ... Transparent electrode 19 ... Input pen 20, 50 ... FED 21 ... Back panel 22 ... Cathode 23 ・ ・ ・ Microchip cathode 24 ・ ・ ・ Insulating layer 25 ・ ・ ・ Gate electrode 26 ・ ・ ・ Fluorescent substance 27 ・ ・ ・ Front panel 29 ・ ・ ・ Glass beads 33 ・ ・ ・ Electron emission hole (cavity) 40 ・..Sheet-shaped photoresist 49 ... Sheet-shaped insulating material (pillar)
Claims (5)
示装置を製造するに際し、 (a) 前記耐圧保持用部品に加工されるべきシート状の絶
縁材を前記基板に被着する工程と、 (b) 前記シート状の絶縁材を所定パターンに加工して、
前記耐圧保持用部品を形成する工程とを有する、表示装
置の製造方法。1. When manufacturing a display device having a pressure resistant holding component on the inner surface of a substrate, (a) a step of applying a sheet-like insulating material to be processed into the pressure resistant holding component to the substrate, (b) processing the sheet-shaped insulating material into a predetermined pattern,
A method of manufacturing a display device, the method including the step of forming the withstand voltage holding component.
トを被着し、このシート状のレジストを所定パターンに
加工し、この加工されたレジストをマスクとして前記シ
ート状の絶縁材を所定パターンに加工する、請求項１に
記載した製造方法。2. A sheet-shaped insulating material is coated with a sheet-shaped resist, the sheet-shaped resist is processed into a predetermined pattern, and the processed resist is used as a mask to form the sheet-shaped insulating material into a predetermined pattern. The manufacturing method according to claim 1, wherein the manufacturing method is processed into.
圧保持用部品を形成し、この真空耐圧保持用部品以外の
領域に螢光体を形成して、電界放出型フラットパネルデ
ィスプレイを製造する、請求項１又２に記載した製造方
法。3. A field emission flat panel display is manufactured by forming a vacuum withstand voltage holding component having a predetermined pattern on an inner surface of a front substrate and forming a fluorescent substance in a region other than the vacuum withstand pressure holding component. The manufacturing method according to claim 1 or 2.
よって所定パターンに加工する、請求項１〜３のいずれ
かに記載した製造方法。4. The manufacturing method according to claim 1, wherein the sheet-shaped insulating material is processed into a predetermined pattern by a sandblast method.
チング法によって所定パターンに加工する、請求項１〜
３のいずれかに記載した製造方法。5. The sheet-shaped insulating material is processed into a predetermined pattern by a powder beam etching method.
3. The manufacturing method described in any one of 3.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP28954192A JP3348450B2 (en) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | Display device manufacturing method |
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Publications (2)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990034463A (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | Method for Forming Fluorescent Layer of Transmissive Plasma Display Device |
| WO2007026426A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Method of forming partition wall of plasma display panel |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP28954192A patent/JP3348450B2/en not_active Expired - Fee Related
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| KR19990034463A (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | Method for Forming Fluorescent Layer of Transmissive Plasma Display Device |
| WO2007026426A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Method of forming partition wall of plasma display panel |
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