JPH06119657A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH06119657A JPH06119657A JP4265680A JP26568092A JPH06119657A JP H06119657 A JPH06119657 A JP H06119657A JP 4265680 A JP4265680 A JP 4265680A JP 26568092 A JP26568092 A JP 26568092A JP H06119657 A JPH06119657 A JP H06119657A
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- JP
- Japan
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- recording
- optical information
- recording medium
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高密度記録に適した合金化タイプの光学的情報
記録媒体において、記録膜の膜厚変動によって生じる反
射率の変化が小さく良好な再生が行え、しかも、断熱層
や反射層を必要としない単純な二層構造で良好な記録感
度をもつ光学的情報記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】透明基板１上に、二層構造の記録膜２として順
に、第１層としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる三角図にお
いてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅを結ぶ線上の組成である非
晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３および第２層として原子数比
２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４を設ける。さらに、この
Ｂｉ−Ｔｅ層４の上に紫外線硬化樹脂層５を設けたもの
である。
記録媒体において、記録膜の膜厚変動によって生じる反
射率の変化が小さく良好な再生が行え、しかも、断熱層
や反射層を必要としない単純な二層構造で良好な記録感
度をもつ光学的情報記録媒体を提供することを目的とす
る。 【構成】透明基板１上に、二層構造の記録膜２として順
に、第１層としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる三角図にお
いてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅを結ぶ線上の組成である非
晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３および第２層として原子数比
２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４を設ける。さらに、この
Ｂｉ−Ｔｅ層４の上に紫外線硬化樹脂層５を設けたもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、文書ファイリング装置
や電子計算装置に用いられるコードデータや画像データ
を保存する大容量の光記録メモリーに使用される光学的
情報記録媒体に関する。
や電子計算装置に用いられるコードデータや画像データ
を保存する大容量の光記録メモリーに使用される光学的
情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまでの記録可能な光学的情報記録媒
体として、基板上に設けられたＴｅやＢｉ等の低融点の
記録膜に対してレーザー光を照射させて孔の形成を行
い、孔の有無により記録膜の反射率を変化させて情報の
記録を行う光学的情報記録媒体が知られている。
体として、基板上に設けられたＴｅやＢｉ等の低融点の
記録膜に対してレーザー光を照射させて孔の形成を行
い、孔の有無により記録膜の反射率を変化させて情報の
記録を行う光学的情報記録媒体が知られている。
【０００３】一方、非孔あけタイプのものでは、例えば
特公平３−８０６３５号で開示されるように、レーザー
光の照射等によって基板上に設けられた記録膜を加熱し
て記録膜の光の吸収係数を変化させ、この吸収係数の変
化によって記録膜の反射率が変化することを利用して情
報の記録を行う光学的情報記録媒体が知られている。
特公平３−８０６３５号で開示されるように、レーザー
光の照射等によって基板上に設けられた記録膜を加熱し
て記録膜の光の吸収係数を変化させ、この吸収係数の変
化によって記録膜の反射率が変化することを利用して情
報の記録を行う光学的情報記録媒体が知られている。
【０００４】他の非孔あけタイプのものでは、例えば特
開昭６０−２８０４５号で開示されるように、記録膜と
して基板上にレーザー光に対して高い透過性を持つ第１
層と、この第１層上にレーザー光を吸収する第２層が設
けられ、基板側からのレーザー光の照射によりこれら二
層を合金化して、レーザー光の記録膜に対する多重繰返
し反射の干渉条件を変え、基板側からみた記録膜の反射
率を変化させて情報の記録を行う光学的情報記録媒体が
知られている。そして、上記各タイプの内、特に二層合
金化タイプの光学的情報記録媒体は、高密度記録に適し
た優れた特長を有する。
開昭６０−２８０４５号で開示されるように、記録膜と
して基板上にレーザー光に対して高い透過性を持つ第１
層と、この第１層上にレーザー光を吸収する第２層が設
けられ、基板側からのレーザー光の照射によりこれら二
層を合金化して、レーザー光の記録膜に対する多重繰返
し反射の干渉条件を変え、基板側からみた記録膜の反射
率を変化させて情報の記録を行う光学的情報記録媒体が
知られている。そして、上記各タイプの内、特に二層合
金化タイプの光学的情報記録媒体は、高密度記録に適し
た優れた特長を有する。
【０００５】しかし、二層合金化タイプの光学的情報記
録媒体において、基板上に設けられた第１層の消衰係数
が零に近いと、基板側から入射されたレーザー光は第１
層内での減衰が小さいため、記録層内での多重繰返し反
射の干渉条件は第１層厚の変動によって鋭敏に変化す
る。そのため第１層厚の変動によって生じる記録膜の反
射率の変化は大きくなる。
録媒体において、基板上に設けられた第１層の消衰係数
が零に近いと、基板側から入射されたレーザー光は第１
層内での減衰が小さいため、記録層内での多重繰返し反
射の干渉条件は第１層厚の変動によって鋭敏に変化す
る。そのため第１層厚の変動によって生じる記録膜の反
射率の変化は大きくなる。
【０００６】一方、第１層の消衰係数を大きくしていく
と、多重反射光が吸収されて減衰するため干渉効果が小
さくなり、第１層厚の変動による反射率の変化は小さく
なる。しかしながら、消衰係数が大きくなりすぎると干
渉効果を利用して記録前後の反射率の変化を大きくでき
なくなり、再生信号のＳ／Ｎの低下を招くといった問題
がある。
と、多重反射光が吸収されて減衰するため干渉効果が小
さくなり、第１層厚の変動による反射率の変化は小さく
なる。しかしながら、消衰係数が大きくなりすぎると干
渉効果を利用して記録前後の反射率の変化を大きくでき
なくなり、再生信号のＳ／Ｎの低下を招くといった問題
がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
二層合金化タイプの光学的情報記録媒体においては、記
録膜の膜厚変動によって生じる反射率の変化が大きく、
これにより、再生信号のジッタを増加させエラ−の原因
となる。また、断熱層や反射層を設ける必要があり、単
純な二層構造で良好な記録感度をもつ光学的情報記録媒
体が得られないといった問題がある。
二層合金化タイプの光学的情報記録媒体においては、記
録膜の膜厚変動によって生じる反射率の変化が大きく、
これにより、再生信号のジッタを増加させエラ−の原因
となる。また、断熱層や反射層を設ける必要があり、単
純な二層構造で良好な記録感度をもつ光学的情報記録媒
体が得られないといった問題がある。
【０００８】そこで、本発明は高密度記録に適した合金
化タイプの光学的情報記録媒体において、上記問題点を
解決すること、すなわち、記録膜の膜厚変動によって生
じる反射率の変化が小さく良好な再生が行え、しかも、
断熱層や反射層を必要としない単純な二層構造で良好な
記録感度をもつ光学的情報記録媒体を提供することを目
的とする。
化タイプの光学的情報記録媒体において、上記問題点を
解決すること、すなわち、記録膜の膜厚変動によって生
じる反射率の変化が小さく良好な再生が行え、しかも、
断熱層や反射層を必要としない単純な二層構造で良好な
記録感度をもつ光学的情報記録媒体を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、透明基板に二層に積層された記録膜へ上記
基板側からレーザー光を照射させて上記二層の構成原子
を相互に拡散・合金化させることにより、上記レーザー
光の上記記録膜に対する多重繰返し反射の干渉条件を変
えて上記記録膜の反射率を変化させることにより情報記
録する光学的情報記録媒体において、上記基板上に設け
られた上記記録膜の第１層はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる
三角図においてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅを結ぶ線上の組
成である非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層で、上記第１層上に
設けられた第２層は原子数比２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ
層で、さらに上記第２層上に紫外線硬化樹脂層が設けら
れている構成としたものである。
するために、透明基板に二層に積層された記録膜へ上記
基板側からレーザー光を照射させて上記二層の構成原子
を相互に拡散・合金化させることにより、上記レーザー
光の上記記録膜に対する多重繰返し反射の干渉条件を変
えて上記記録膜の反射率を変化させることにより情報記
録する光学的情報記録媒体において、上記基板上に設け
られた上記記録膜の第１層はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる
三角図においてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅを結ぶ線上の組
成である非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層で、上記第１層上に
設けられた第２層は原子数比２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ
層で、さらに上記第２層上に紫外線硬化樹脂層が設けら
れている構成としたものである。
【００１０】
【作用】上記構成の二層合金化タイプの光学的情報記録
媒体において、レーザー光として、一般的に用いられて
いる波長８３０ｎｍの半導体レーザーを想定すると、第
１層の消衰係数はおよそ１．５〜２．５の範囲内であ
り、光の干渉と減衰の両方の効果が一方に偏らずに得ら
れる。このため、再生信号として充分なＳ／Ｎ比が得ら
れ、かつ、第１層の厚みの変動による反射率の変化を小
さくできる。また、この第１層はレーザー光に対して半
透明であるため、基板側から入射されたレーザー光の一
部は第１層で吸収され、透過した光は吸収の大きな（消
衰係数は約３．４）第２層で更に吸収される。このた
め、レーザーエネルギーの熱変換効率が増し、単純な二
層構造で充分な記録感度が得られる。
媒体において、レーザー光として、一般的に用いられて
いる波長８３０ｎｍの半導体レーザーを想定すると、第
１層の消衰係数はおよそ１．５〜２．５の範囲内であ
り、光の干渉と減衰の両方の効果が一方に偏らずに得ら
れる。このため、再生信号として充分なＳ／Ｎ比が得ら
れ、かつ、第１層の厚みの変動による反射率の変化を小
さくできる。また、この第１層はレーザー光に対して半
透明であるため、基板側から入射されたレーザー光の一
部は第１層で吸収され、透過した光は吸収の大きな（消
衰係数は約３．４）第２層で更に吸収される。このた
め、レーザーエネルギーの熱変換効率が増し、単純な二
層構造で充分な記録感度が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１２】図１は、光学的情報記録媒体Ａの層構成を
示すもので、透明基板１上に、二層構造の記録膜２とし
て順に、第１層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３およ
び第２層として原子数比２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４
を設ける。さらに、このＢｉ−Ｔｅ層４の上に紫外線硬
化樹脂層５を設けたものである。
示すもので、透明基板１上に、二層構造の記録膜２とし
て順に、第１層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３およ
び第２層として原子数比２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４
を設ける。さらに、このＢｉ−Ｔｅ層４の上に紫外線硬
化樹脂層５を設けたものである。
【００１３】前記第１層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
層３は、図２に示すＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる三角図に
おいてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅを結ぶ線上の組成である
非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層であり、例えば原子数比が
１：２：４、１：４：７、２：２：５の内のいずれかの
非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層である。
層３は、図２に示すＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる三角図に
おいてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅを結ぶ線上の組成である
非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層であり、例えば原子数比が
１：２：４、１：４：７、２：２：５の内のいずれかの
非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層である。
【００１４】そして、基板１側から入射したレーザー光
６により、この記録膜２のレーザー光６の照射部分の非
晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３と結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４とを
拡散・合金化させ、この拡散・合金化部分７の反射率を
他の部分より向上させることで情報記録再生を行なうも
のである。
６により、この記録膜２のレーザー光６の照射部分の非
晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３と結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４とを
拡散・合金化させ、この拡散・合金化部分７の反射率を
他の部分より向上させることで情報記録再生を行なうも
のである。
【００１５】また、上記記録膜２の第１層として非晶質
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３は、レーザー光６の透過と同時に
減衰、すなわち、吸収を伴うため従来のものに比べレ−
ザ−エネルギ−の熱交換効率が大きくなり、良好な記録
感度が得られる。
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３は、レーザー光６の透過と同時に
減衰、すなわち、吸収を伴うため従来のものに比べレ−
ザ−エネルギ−の熱交換効率が大きくなり、良好な記録
感度が得られる。
【００１６】上記記録膜２の第２層としての結晶質Ｂｉ
−Ｔｅ層４は、非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３と結晶質Ｂ
ｉ−Ｔｅ層４の拡散・合金化を促進するものとして好ま
しい。 また、紫外線硬化樹脂層５は、非晶質Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ層３と結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４の記録膜２を保護
すると同時に、熱伝導率が小さいため、記録感度の向上
に寄与している。
−Ｔｅ層４は、非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３と結晶質Ｂ
ｉ−Ｔｅ層４の拡散・合金化を促進するものとして好ま
しい。 また、紫外線硬化樹脂層５は、非晶質Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ層３と結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４の記録膜２を保護
すると同時に、熱伝導率が小さいため、記録感度の向上
に寄与している。
【００１７】しかして、本発明の光学的情報記録媒体Ａ
において、レーザー光６として、一般的に用いられてい
る波長８３０ｎｍの半導体レーザーを想定すると、第１
層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３の消衰係数は、お
よそ１．５〜２．５の範囲内であり、光の干渉と減衰の
両方の効果が一方に偏らずに得られる。このため、再生
信号として充分なＳ／Ｎ比が得られ、かつ、第１層とし
て非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３の厚みによる変動による
反射率の変化を小さくできる。
において、レーザー光６として、一般的に用いられてい
る波長８３０ｎｍの半導体レーザーを想定すると、第１
層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３の消衰係数は、お
よそ１．５〜２．５の範囲内であり、光の干渉と減衰の
両方の効果が一方に偏らずに得られる。このため、再生
信号として充分なＳ／Ｎ比が得られ、かつ、第１層とし
て非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３の厚みによる変動による
反射率の変化を小さくできる。
【００１８】図３は、第１層の膜厚変動と反射率との関
係を示すもので、図中、（イ）は本発明の光学的情報記
録媒体の反射率曲線、（ロ）は比較例の反射率曲線を示
し、第１層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３の厚みに
よる変動による反射率の変化を小さくできることが確認
される。
係を示すもので、図中、（イ）は本発明の光学的情報記
録媒体の反射率曲線、（ロ）は比較例の反射率曲線を示
し、第１層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３の厚みに
よる変動による反射率の変化を小さくできることが確認
される。
【００１９】また、第１層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ層３は、レーザー光６に対して半透明であるため、基
板１側から入射されたレーザー光６の一部は第１層とし
て非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３で吸収され、透過した光
は吸収の大きな（消衰係数は約３．４）第２層としての
結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４で更に吸収される。このため、レ
ーザーエネルギーの熱変換効率が増し、単純な二層構造
で図４に示すように充分な記録感度が得られる。
ｅ層３は、レーザー光６に対して半透明であるため、基
板１側から入射されたレーザー光６の一部は第１層とし
て非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３で吸収され、透過した光
は吸収の大きな（消衰係数は約３．４）第２層としての
結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４で更に吸収される。このため、レ
ーザーエネルギーの熱変換効率が増し、単純な二層構造
で図４に示すように充分な記録感度が得られる。
【００２０】なお、第１層として同じ組成でも、結晶質
のものでは消衰係数が３以上になるため、干渉の効果が
見られなくなり、再生信号として十分なＳ／Ｎが得られ
なくなる。
のものでは消衰係数が３以上になるため、干渉の効果が
見られなくなり、再生信号として十分なＳ／Ｎが得られ
なくなる。
【００２１】通常、記録膜の成膜はスパッタリング法が
用いられている。一般的に、スパッタリングのターゲッ
トに金属間化合物を用いると、成膜された膜にはほとん
ど組成ずれが生じることがない。本発明において、第１
層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３と第２層としての
結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４の組成は、いずれも金属間化合物
と同じであるため、スパッタリングのターゲットに直接
金属間化合物を使用でき、組成ずれのほとんどない記録
層３，４が得られ、安定した情報記録媒体Ａの製造が可
能となる。
用いられている。一般的に、スパッタリングのターゲッ
トに金属間化合物を用いると、成膜された膜にはほとん
ど組成ずれが生じることがない。本発明において、第１
層として非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層３と第２層としての
結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層４の組成は、いずれも金属間化合物
と同じであるため、スパッタリングのターゲットに直接
金属間化合物を使用でき、組成ずれのほとんどない記録
層３，４が得られ、安定した情報記録媒体Ａの製造が可
能となる。
【００２２】以上説明したように本発明よれば、二層構
造の記録膜２の第１層の膜厚変動に対して反射率変化が
小さい拡散・合金化タイプの光学的情報記録媒体Ａが得
られ、更に、断熱層や反射層を設けなくても、単純な層
構成で良好な記録感度が得られた。なお、本発明は、上
記実施例に限らず、本発明の要旨を変えない範囲で種々
変形実施可能なことは勿論である。
造の記録膜２の第１層の膜厚変動に対して反射率変化が
小さい拡散・合金化タイプの光学的情報記録媒体Ａが得
られ、更に、断熱層や反射層を設けなくても、単純な層
構成で良好な記録感度が得られた。なお、本発明は、上
記実施例に限らず、本発明の要旨を変えない範囲で種々
変形実施可能なことは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明よれば、高密
度記録に適した合金化タイプの光学的情報記録媒体にお
いて、記録膜の膜厚変動によって生じる反射率の変化が
小さく良好な再生が行え、しかも、断熱層や反射層を必
要としない単純な二層構造で良好な記録感度をもつ光学
的情報記録媒体を提供できるといった効果を奏する。
度記録に適した合金化タイプの光学的情報記録媒体にお
いて、記録膜の膜厚変動によって生じる反射率の変化が
小さく良好な再生が行え、しかも、断熱層や反射層を必
要としない単純な二層構造で良好な記録感度をもつ光学
的情報記録媒体を提供できるといった効果を奏する。
【図１】本発明の光学的情報記録媒体の断面図。
【図２】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる三角図。
【図３】本発明の光学的情報記録媒体の第１層の膜厚変
動と反射率との関係を示す説明図。
動と反射率との関係を示す説明図。
【図４】本発明の光学的情報記録媒体の記録パワーとＣ
／Ｎとの関係を示す説明図。
／Ｎとの関係を示す説明図。
【符号の説明】 １…透明基板、２…二層構造の記録膜、３…非晶質Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ層（第１層）、４…原子数比２：３の結晶
質Ｂｉ−Ｔｅ層（第２層）、５…紫外線硬化樹脂層、６
…レーザー光、７…拡散・合金化部分。
−Ｓｂ−Ｔｅ層（第１層）、４…原子数比２：３の結晶
質Ｂｉ−Ｔｅ層（第２層）、５…紫外線硬化樹脂層、６
…レーザー光、７…拡散・合金化部分。
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板に二層に積層された記録膜へ上
記基板側からレーザー光を照射させて上記二層の構成原
子を相互に拡散・合金化させることにより、上記レーザ
ー光の上記記録膜に対する多重繰返し反射の干渉条件を
変えて上記記録膜の反射率を変化させることにより情報
記録する光学的情報記録媒体において、 上記基板上に設けられた上記記録膜の第１層はＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅからなる三角図においてＳｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴ
ｅを結ぶ線上の組成である非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層
で、上記第１層上に設けられた第２層は原子数比２：３
の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層で、さらに上記第２層上に紫外線
硬化樹脂層が設けられていることを特徴とする光学的情
報記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板に二層に積層された記録膜へ上
記基板側からレーザー光を照射させて上記二層の構成原
子を相互に拡散・合金化させることにより、上記レーザ
ー光の上記記録膜に対する多重繰返し反射の干渉条件を
変えて上記記録膜の反射率を変化させることにより情報
記録する光学的情報記録媒体において、 上記基板上に設けられた上記記録膜の第１層は原子数比
１：２：４、１：４：７、２：２：５の内のいずれかの
非晶質Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層で、上記第１層上に設けられ
た第２層は原子数比２：３の結晶質Ｂｉ−Ｔｅ層で、さ
らに上記第２層上に紫外線硬化樹脂層が設けられている
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4265680A JPH06119657A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4265680A JPH06119657A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119657A true JPH06119657A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17420515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4265680A Pending JPH06119657A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580632A (en) * | 1993-09-22 | 1996-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium |
| WO1999030908A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP4265680A patent/JPH06119657A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580632A (en) * | 1993-09-22 | 1996-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium |
| US5652037A (en) * | 1993-09-22 | 1997-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium |
| WO1999030908A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques |
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