JPH06103761B2 - 4相差動回転センサー - Google Patents

4相差動回転センサー

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JPH06103761B2
JPH06103761B2 JP1094958A JP9495889A JPH06103761B2 JP H06103761 B2 JPH06103761 B2 JP H06103761B2 JP 1094958 A JP1094958 A JP 1094958A JP 9495889 A JP9495889 A JP 9495889A JP H06103761 B2 JPH06103761 B2 JP H06103761B2
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JP
Japan
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rotation sensor
differential rotation
phase differential
electrode
semiconductor magnetoresistive
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JP1094958A
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順寿 中村
充弘 和田
悠 西野
慎一 川西
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、4相差動回転センサーに関し、更に詳しく
は、感度を向上させることが出来ると共に高温下の使用
にも耐え得る構造とした4相差動回転センサーに関す
る。
[従来の技術] 従来の4相差動回転センサーの一例を第4図〜第6図を
参照して説明する。
第4図に示す4相差動回転センサー51において、52〜59
は電極部であり、61〜68は半導体磁気抵抗素子である。
半導体磁気抵抗素子61は、InSbのY方向に延びるストラ
イプを1往復させてその両端に電極部52,53を設けたも
のである。ストライプ上にはショートバーが形成されて
いる。
半導体磁気抵抗素子62も前記半導体磁気抵抗素子61と同
様であるが、電極は52aと54であり、その電極52aは電極
52bを介して前記電極52に接続されている。
他の半導体磁気抵抗素子63〜68も同様に構成されてい
る。
各半導体磁気抵抗素子61〜68の間隔は、第5図に示すよ
うに、回転検出用ギアの歯のピッチPの1/4になってお
り、中央の間隔だけ3/4Pになっている。従って、間隔比
は、1:1:1:3:1:1:1である。
同図に示すように、電極52と56に電源電圧Vinを接続
し、電極55と59にGndを接続し、電極53をA相の出力端
子、電極54を相の出力端子、電極57を相の出力端
子、電極58をB相の出力端子とする。
第6図は電源電圧Vinの一つの半導体磁気抵抗素子に流
れる電流Iの関係を示す特性図である。aは温度25℃,b
は温度70℃,cは温度80℃,dは温度90℃,eは温度100℃で
ある。
[発明が解決しようとする課題] 上記従来の4相差動回転センサー51において、電源電圧
Vinを5Vより大きくすると、電流Iが大きくなりすぎる
ため、使用温度限界が25℃よりも低くなり実用に供しえ
なくなり、他方、電源電圧Vinを5Vより小さくすると、
出力信号が小さくなりすぎるため、S/Nが不十分となっ
て実用に供しえなくなる。
このため、電源電圧Vinは通常5Vに設定される。
しかし、感度を向上させるためには電源電圧Vinを5Vよ
り大きくするのが好ましく、また、使用温度限界は少な
くとも80℃程度まであるのが好ましい。
そこで、この発明の目的は、電源電圧Vinを大きくする
ことが出来ると共に使用温度限界を80℃以上に高くする
ことが出来るようにした4相差動回転センサーを提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段] この発明の4相差動回転センサーは、感磁性半導体のY
方向に延びるストライプを1往復半させてその両端に電
極部を設けた半導体磁気抵抗素子をX方向に8列並べ、
それら各列の間隔比を2:1:2:1:2:1:2としたことを構成
上の特徴とするものである。
[作用] この発明の4相差動回転センサーでは、感磁性半導体の
ストライプが1往復半しているので、1往復の場合より
も各半導体磁気抵抗素子の抵抗値が大きくなる。このた
め電流Iが制限されるから、電源電圧Vinを大きくで
き、感度を高くできる。
また、半導体磁気抵抗素子の各列の間隔は、比例定数を
kとして、2k,k,2k,k,2k,k,2kとなるが、回転検出用ギ
アの歯のピッチPに対してk=P/4とすれば、好適にA
相,相、相,B相を取り出せるようになる。
[実施例] 以下、図に示す実施例によりこの発明を更に詳細に説明
する。なお、これによりこの発明が限定されるものでは
ない。
第1図に示す4相差動回転センサー1において、2〜10
は電極部であり、11〜18は半導体磁気抵抗素子である。
半導体磁気抵抗素子11は、InSbのY方向に延びるストラ
イプを1往復半させてその両端に電極部2,3を設けたも
のである。ストライプ上にはショートバーが形成されて
いる。また、ストライプの幅も従来より細くされてい
る。
半導体磁気抵抗素子12も前記半導体磁気抵抗素子11と同
様であるが、電極3と電極4の間でストライプを1往復
半させている。
他の半導体磁気抵抗素子13〜18も同様に構成されてい
る。
各半導体磁気抵抗素子11〜18はX方向に並んでおり、そ
れらの間隔は第2図に示すように回転検出用ギアの歯の
ピッチPの1/2と1/4とが交互になっている。間隔比は、
2:1:2:1:2:1:2である。
同図に示すように、電極2,6,10に電源電圧Vinを接続
し、電極4と8にGndを接続する。
X方向に回転検出用ギアの歯が移動すれば、電極3がB
相の出力端子、電極5が相の出力端子、電極7が相
の出力端子、電極9がA相の出力端子となる。
第3図は上記4相差動回転センサー1における電源電圧
Vinと一つの半導体磁気抵抗素子に流れる電流Iの関係
を実測した特性図である。aは温度25℃,bは温度70℃,c
は温度80℃,dは温度90℃,eは温度100℃である。
各半導体磁気抵抗素子11〜18の抵抗値が従来より大きく
なっているため、従来と同じ電源電圧Vinの値に対して
電流Iは従来の約1/3になっている。従って、従来と同
じ使用温度にするなら電源電圧Vinを従来の3倍程度に
高くすることが出来、感度を向上できる。また、従来と
同じ電源電圧Vinにするなら100℃以上の使用温度にも耐
えられるようになる。
[発明の効果] この発明の4相差動回転センサーによれば、各半導体磁
気抵抗素子の抵抗値が大きくなり電流が制限されるか
ら、供給電圧を大きくすることが出来、感度を向上でき
る。また、高温での使用にも耐えられるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の4相差動回転センサーの
要部平面図、第2図は第1図の4相差動回転センサーに
対する電源・信号の接続図、第3図は第1図の4相差動
回転センサーの電圧電流特性図、第4図は従来の4相差
動回転センサーの一例の要部平面図、第5図は第4図の
4相差動回転センサーに対する電源・信号の接続図、第
6図は第4図の4相差動回転センサーの電圧電流特性図
である。 (符号の説明) 1……4相差動回転センサー 2〜10……電極部 11〜18……半導体磁気抵抗素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】感磁性半導体のY方向に延びるストライプ
    を1往復半させてその両端に電極部を設けた半導体磁気
    抵抗素子をX方向に8列並べ、それら各列の間隔比を2:
    1:2:1:2:1:2としたことを特徴とする4相差動回転セン
    サー。
JP1094958A 1989-04-14 1989-04-14 4相差動回転センサー Expired - Lifetime JPH06103761B2 (ja)

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JP1094958A JPH06103761B2 (ja) 1989-04-14 1989-04-14 4相差動回転センサー

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JP1094958A JPH06103761B2 (ja) 1989-04-14 1989-04-14 4相差動回転センサー

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JPH02272782A JPH02272782A (ja) 1990-11-07
JPH06103761B2 true JPH06103761B2 (ja) 1994-12-14

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JP1094958A Expired - Lifetime JPH06103761B2 (ja) 1989-04-14 1989-04-14 4相差動回転センサー

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EP1124271B8 (en) * 1998-08-07 2007-09-19 Asahi Kasei EMD Corporation Magnetic sensor and method for fabricating the same
US7372119B2 (en) 2001-10-01 2008-05-13 Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. Cross-shaped Hall device having extensions with slits
JP4653397B2 (ja) 2002-01-15 2011-03-16 旭化成エレクトロニクス株式会社 ホール素子の製造方法
TW200736813A (en) 2005-12-16 2007-10-01 Asahi Kasei Denshi Kk Position detector

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