JPH06102655A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06102655A JPH06102655A JP24841292A JP24841292A JPH06102655A JP H06102655 A JPH06102655 A JP H06102655A JP 24841292 A JP24841292 A JP 24841292A JP 24841292 A JP24841292 A JP 24841292A JP H06102655 A JPH06102655 A JP H06102655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- ray beam
- photomask
- metal impurities
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストで、かつ長期間の使用に耐えるフォ
トマスクの製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１の全面に金属不純物２をドープ
した後、ガラス基板１の所望の領域にＸ線ビームＸB を
照射する。この時、Ｘ線ビームＸB を照射した領域の金
属不純物２がＸ線のエネルギーによって着色し、遮光パ
ターン３が形成される。
トマスクの製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１の全面に金属不純物２をドープ
した後、ガラス基板１の所望の領域にＸ線ビームＸB を
照射する。この時、Ｘ線ビームＸB を照射した領域の金
属不純物２がＸ線のエネルギーによって着色し、遮光パ
ターン３が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程などで
使用するフォトマスクの製造技術に関するものである。
使用するフォトマスクの製造技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程などで使用されているフ
ォトマスクは、概略次のような方法によって製造されて
いる。
ォトマスクは、概略次のような方法によって製造されて
いる。
【０００３】まず、ガラス基板の全面にクロム（Ｃｒ）
あるいは酸化クロムなどの遮光膜を蒸着したマスクブラ
ンクスを用意し、このマスクブランクスの遮光膜蒸着面
に電子線レジストを被着した後、電子線露光装置を使っ
て電子線レジスト上に所望のパターンを描画する。次
に、この電子線レジストを現像して未露光部分を除去し
た後、遮光膜上に残ったレジストパターンをマスクにし
て遮光膜をエッチングすることにより遮光パターンを形
成する。
あるいは酸化クロムなどの遮光膜を蒸着したマスクブラ
ンクスを用意し、このマスクブランクスの遮光膜蒸着面
に電子線レジストを被着した後、電子線露光装置を使っ
て電子線レジスト上に所望のパターンを描画する。次
に、この電子線レジストを現像して未露光部分を除去し
た後、遮光膜上に残ったレジストパターンをマスクにし
て遮光膜をエッチングすることにより遮光パターンを形
成する。
【０００４】その他、エマルジョンマスクと呼ばれる乳
剤をガラス基板に被着した後、これを上記と同様の方法
でパターニングする方法もある。
剤をガラス基板に被着した後、これを上記と同様の方法
でパターニングする方法もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たフォトマスクの製造方法は、工程が極めて煩雑である
ことから、フォトマスクの製造コストが高くなってしま
う欠点がある。また、遮光膜とガラス基板との接着強度
が弱いため、フォトマスクの洗浄時などに遮光パターン
の一部が剥離したりするなど、耐久性にも問題がある。
たフォトマスクの製造方法は、工程が極めて煩雑である
ことから、フォトマスクの製造コストが高くなってしま
う欠点がある。また、遮光膜とガラス基板との接着強度
が弱いため、フォトマスクの洗浄時などに遮光パターン
の一部が剥離したりするなど、耐久性にも問題がある。
【０００６】すなわち、従来技術は、電子線レジストの
塗布量や膜厚、遮光膜のエッチング時間などを最適な条
件に設定しなければならないため、材料や加工条件など
の多くのパラメータを制御しなければならない。
塗布量や膜厚、遮光膜のエッチング時間などを最適な条
件に設定しなければならないため、材料や加工条件など
の多くのパラメータを制御しなければならない。
【０００７】また、電子線レジストやエッチング液など
の薬液は、温湿度が管理された場所に保管しなければな
らないので、それらのスペース確保が必要となると共
に、管理に人手を要する。
の薬液は、温湿度が管理された場所に保管しなければな
らないので、それらのスペース確保が必要となると共
に、管理に人手を要する。
【０００８】また、ガラス基板にクロムなどの遮光膜を
被着するための高価な蒸着装置を必要とする。
被着するための高価な蒸着装置を必要とする。
【０００９】また、フォトマスクの洗浄時に電池作用に
よってクロムが洗浄液に溶出したり、静電気によってク
ロムがガラス基板から剥離したりするなど、遮光パター
ンに欠陥が生じ易いため、フォトマスクの保管に細心の
注意を要する。特に、ネガコンタクト露光用のフォトマ
スクの場合は、遮光パターンが劣化し易いため、３００
〜５００回程度の露光で使用不可となってしまう。
よってクロムが洗浄液に溶出したり、静電気によってク
ロムがガラス基板から剥離したりするなど、遮光パター
ンに欠陥が生じ易いため、フォトマスクの保管に細心の
注意を要する。特に、ネガコンタクト露光用のフォトマ
スクの場合は、遮光パターンが劣化し易いため、３００
〜５００回程度の露光で使用不可となってしまう。
【００１０】そこで、本発明の目的は、フォトマスクを
安価に製造することのできる技術を提供することにあ
る。
安価に製造することのできる技術を提供することにあ
る。
【００１１】本発明の他の目的は、長期間の使用に耐え
るフォトマスクを提供することにある。
るフォトマスクを提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１４】本発明によるフォトマスクの製造方法は、
ガラス基板の全面に金属不純物をドープした後、ガラス
基板の所望の領域にＸ線ビームを照射し、Ｘ線のエネル
ギーによって金属が着色する現象を利用してＸ線ビーム
照射領域の金属不純物を着色させ、これを遮光パターン
とするものである。
ガラス基板の全面に金属不純物をドープした後、ガラス
基板の所望の領域にＸ線ビームを照射し、Ｘ線のエネル
ギーによって金属が着色する現象を利用してＸ線ビーム
照射領域の金属不純物を着色させ、これを遮光パターン
とするものである。
【００１５】
【作用】上記した手段によれば、フォトマスクの製造工
程を大幅に簡略化することができるので、フォトマスク
を安価に提供することができる。また、本発明により得
られたフォトマスクは、遮光パターン（着色金属）がガ
ラス基板の内部に形成されていることから、従来のフォ
トマスクのように洗浄時などに遮光パターンが剥離した
りすることもないので、長期間の使用が可能となる。
程を大幅に簡略化することができるので、フォトマスク
を安価に提供することができる。また、本発明により得
られたフォトマスクは、遮光パターン（着色金属）がガ
ラス基板の内部に形成されていることから、従来のフォ
トマスクのように洗浄時などに遮光パターンが剥離した
りすることもないので、長期間の使用が可能となる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造
方法を図１および図２を用いて説明する。
方法を図１および図２を用いて説明する。
【００１７】まず、図１に示すように、屈折率が1.４７
程度の合成石英からなる透明なガラス基板１を用意し、
このガラス基板１の一面にイオン注入法などを用いて金
属不純物（例えばアルミニウム、Ｆｅなど）２をドープ
した後、ガラス基板１を２００〜３００℃で加熱して金
属不純物２をガラス基板１内に熱拡散させる。
程度の合成石英からなる透明なガラス基板１を用意し、
このガラス基板１の一面にイオン注入法などを用いて金
属不純物（例えばアルミニウム、Ｆｅなど）２をドープ
した後、ガラス基板１を２００〜３００℃で加熱して金
属不純物２をガラス基板１内に熱拡散させる。
【００１８】金属不純物２のドープ量は、ｐｐｍオーダ
ーで良く、この程度のドープ量では、ガラス基板１の透
過率に悪影響を及ぼすことはない。
ーで良く、この程度のドープ量では、ガラス基板１の透
過率に悪影響を及ぼすことはない。
【００１９】次に、図２に示すように、所定の径に絞っ
たＸ線ビームＸB をガラス基板１の所望の領域に照射す
る。この時、Ｘ線ビームＸB に照射された金属不純物２
がＸ線のエネルギーによって着色するため、Ｘ線ビーム
照射領域にはこの着色金属からなる遮光パターン３が形
成される。
たＸ線ビームＸB をガラス基板１の所望の領域に照射す
る。この時、Ｘ線ビームＸB に照射された金属不純物２
がＸ線のエネルギーによって着色するため、Ｘ線ビーム
照射領域にはこの着色金属からなる遮光パターン３が形
成される。
【００２０】このように、本実施例のフォトマスクの製
造方法によれば、下記のような効果を得ることができ
る。
造方法によれば、下記のような効果を得ることができ
る。
【００２１】(1) ガラス基板１への金属不純物２のドー
プと、Ｘ線ビームＸB の照射という極めて簡単な工程で
遮光パターン３を形成することができるので、フォトマ
スクの製造に際して制御すべきプロセスパラメータを大
幅に低減することができる。
プと、Ｘ線ビームＸB の照射という極めて簡単な工程で
遮光パターン３を形成することができるので、フォトマ
スクの製造に際して制御すべきプロセスパラメータを大
幅に低減することができる。
【００２２】(2) 電子線レジストやエッチング液などの
薬液を使用しないため、それらのスペース確保や管理の
ための人手が不要となる。
薬液を使用しないため、それらのスペース確保や管理の
ための人手が不要となる。
【００２３】(3) ガラス基板１にクロムなどの遮光膜を
被着するための高価な蒸着装置が不要となる。
被着するための高価な蒸着装置が不要となる。
【００２４】(4) 上記(1) 〜(3) により、フォトマスク
の製造コストを大幅に低減することができる。
の製造コストを大幅に低減することができる。
【００２５】(5) 着色金属からなる遮光パターン３をガ
ラス基板１の内部に形成するので、従来のフォトマスク
のように洗浄時などに遮光パターンが剥離したりするこ
ともなく、取扱いが簡単で、かつ長期間の使用に耐える
フォトマスクを得ることができる。
ラス基板１の内部に形成するので、従来のフォトマスク
のように洗浄時などに遮光パターンが剥離したりするこ
ともなく、取扱いが簡単で、かつ長期間の使用に耐える
フォトマスクを得ることができる。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２７】例えば図３に示すように、金属不純物２を
ドープしたガラス基板１にペリクル４を装着し、その
後、ガラス基板１にＸ線ビームＸB を照射して遮光パタ
ーン３を形成してもよい。
ドープしたガラス基板１にペリクル４を装着し、その
後、ガラス基板１にＸ線ビームＸB を照射して遮光パタ
ーン３を形成してもよい。
【００２８】この場合、ガラス基板１の一面のみにペリ
クル４を装着し、Ｘ線ビームＸB をガラス基板１の他面
側から照射することにより、ペリクル膜によるＸ線ビー
ムＸB の吸収を防ぐことができる。
クル４を装着し、Ｘ線ビームＸB をガラス基板１の他面
側から照射することにより、ペリクル膜によるＸ線ビー
ムＸB の吸収を防ぐことができる。
【００２９】ガラス基板１にペリクル４を装着した状態
で遮光パターン３を形成する上記の製造方法によれば、
遮光パターン３を形成してからペリクル４を装着するま
での間にガラス基板１の表面に異物が付着したりするよ
うな不具合を回避することができる。
で遮光パターン３を形成する上記の製造方法によれば、
遮光パターン３を形成してからペリクル４を装着するま
での間にガラス基板１の表面に異物が付着したりするよ
うな不具合を回避することができる。
【００３０】本発明の製造方法は、半導体製造工程で使
用するフォトマスクのみならず、リードフレームをエッ
チングで形成する場合に使用するフォトマスクや、光デ
ィスクの製造に使用するフォトマスクなどに適用するこ
とができる。
用するフォトマスクのみならず、リードフレームをエッ
チングで形成する場合に使用するフォトマスクや、光デ
ィスクの製造に使用するフォトマスクなどに適用するこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３２】(1) 本発明によれば、フォトマスクの製造
工程を大幅に簡略化することができるので、フォトマス
クを安価に提供することができる。
工程を大幅に簡略化することができるので、フォトマス
クを安価に提供することができる。
【００３３】(2) 本発明によれば、長期間の使用が可能
なフォトマスクを提供することができる。
なフォトマスクを提供することができる。
【図１】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造方
法を示すガラス基板の要部断面図である。
法を示すガラス基板の要部断面図である。
【図２】本発明の一実施例であるフォトマスクの製造方
法を示すガラス基板の要部断面図である。
法を示すガラス基板の要部断面図である。
【図３】本発明の他の実施例であるフォトマスクの製造
方法を示すガラス基板の要部断面図である。
方法を示すガラス基板の要部断面図である。
１ ガラス基板 ２ 金属不純物 ３ 遮光パターン ４ ペリクル ＸB Ｘ線ビーム
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板の全面に金属不純物をドープ
した後、前記ガラス基板の所望の領域にＸ線ビームを照
射し、Ｘ線ビーム照射領域の前記金属不純物を着色させ
ることによって遮光パターンを形成することを特徴とす
るフォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 イオン注入法によってガラス基板に金属
不純物をドープすることを特徴とする請求項１記載のフ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 ガラス基板の全面に金属不純物をドープ
した後、前記ガラス基板にペリクルを装着し、次いで前
記ガラス基板にＸ線ビームを照射することを特徴とする
請求項１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 ガラス基板の一面のみにペリクルを装着
し、前記ガラス基板の他面側からＸ線ビームを照射する
ことを特徴とする請求項３記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項５】 前記Ｘ線ビームを所定の径に絞ることを
特徴とする請求項１，２，３または４記載のフォトマス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24841292A JPH06102655A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24841292A JPH06102655A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102655A true JPH06102655A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17177736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24841292A Pending JPH06102655A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008090268A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用基板及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24841292A patent/JPH06102655A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008090268A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用基板及びその製造方法 |
| DE102007023223B4 (de) * | 2006-10-02 | 2016-08-18 | Lg Display Co., Ltd. | Flüssigkristalldisplay, Substrat für ein solches sowie Verfahren zum Herstellen des Substrats |
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