JPH0599756A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
- Publication number
- JPH0599756A JPH0599756A JP25660791A JP25660791A JPH0599756A JP H0599756 A JPH0599756 A JP H0599756A JP 25660791 A JP25660791 A JP 25660791A JP 25660791 A JP25660791 A JP 25660791A JP H0599756 A JPH0599756 A JP H0599756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- temperature
- output
- signal
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小面積内での集積化が可能で、かつ、消費電
流の小さな温度検出回路を提供することである。 【構成】 信号発生回路１が発生する基本周波数信号
と、遅延回路４が、その基本周波数信号を温度に応じて
遅延時間を変化させて遅延し、その遅延回路４からの出
力信号と上記基本周波数信号とを比較するＮＡＮＤゲー
ト８からの出力に基づいて温度を検出し、可変容量ダイ
オード２３の容量を変えることにより信号発生回路１の
温度補償を行なう。
流の小さな温度検出回路を提供することである。 【構成】 信号発生回路１が発生する基本周波数信号
と、遅延回路４が、その基本周波数信号を温度に応じて
遅延時間を変化させて遅延し、その遅延回路４からの出
力信号と上記基本周波数信号とを比較するＮＡＮＤゲー
ト８からの出力に基づいて温度を検出し、可変容量ダイ
オード２３の容量を変えることにより信号発生回路１の
温度補償を行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度検出回路に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、水晶発振器の温度補償を行なう場
合、温度検出回路として例えばリングオシレータとかサ
ーミスタが用いられている。
合、温度検出回路として例えばリングオシレータとかサ
ーミスタが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】温度検出回路としてリ
ングオシレータを用いる場合には、その発振周波数を低
く抑えて消費電流を低減させるため、ＣＭＯＳインバー
タを多段接続するかあるいは容量素子を接続しなければ
ならない。そのため集積化した場合に、面積が大きくな
るかあるいは外付素子を必要とする欠点がある。
ングオシレータを用いる場合には、その発振周波数を低
く抑えて消費電流を低減させるため、ＣＭＯＳインバー
タを多段接続するかあるいは容量素子を接続しなければ
ならない。そのため集積化した場合に、面積が大きくな
るかあるいは外付素子を必要とする欠点がある。
【０００４】またサーミスタを用いる場合には、集積化
ができないため外付けしなければならない欠点がある。
ができないため外付けしなければならない欠点がある。
【０００５】本発明の目的は小面積内での集積化が可能
で、かつ、消費電流の小さな温度検出回路を提供するこ
とである。
で、かつ、消費電流の小さな温度検出回路を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、信号発生手段
が発生する基本周波数信号を、遅延時間が温度に応じて
変化する遅延手段によって遅延し、この遅延された信号
と上記基本周波数信号とを比較する比較手段の出力に基
づいて温度を検出することにより上記目的を達成してい
る。
が発生する基本周波数信号を、遅延時間が温度に応じて
変化する遅延手段によって遅延し、この遅延された信号
と上記基本周波数信号とを比較する比較手段の出力に基
づいて温度を検出することにより上記目的を達成してい
る。
【０００７】
【実施例】以下、この発明を図面に示す一実施例に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【０００８】図１において、１は信号発生手段を構成す
る信号発生回路で、水晶発振回路２および分周回路３か
らなり、水晶発振回路２から出力される基準周波数信号
を分周回路３で所定の基本周波数信号に分周して出力す
る。４は遅延手段を構成する遅延回路で、３段のインバ
ータ５〜５およびコンデンサ６，６からなる充放電回路
を構成しており、温度の変化に応じてインバータ５のし
きい値Ｖthが変化するため、充放電時間が変化すること
により遅延時間ｔが変化する。本例では、周囲温度がT1
℃のとき遅延時間がt1となるように設定する。なお、必
要な遅延時間は充分小さいのでコンデンサ６、６の容量
は数ｐＦ程度でよく、この遅延回路４は集積可能であ
る。７はカウンタ、８は比較手段を構成するＮＡＮＤゲ
ート、９、１０はインバータである。１１、１２はＡＮ
Ｄゲート、１３は温度データ変換部で、Ｐチャネル・ト
ランジスタ１４、Ｎチャネル・トランジスタ１５、抵抗
１６（抵抗値Ｒ）およびコンデンサ１７（容量Ｃａ）か
らなり、ＮＡＮＤゲート８からの出力信号ｄのパルス幅
ｔ（温度データ）を電圧に変換する。１８はＡ／Ｄ変換
回路で温度データ変換部１３からのアナログ入力をデジ
タルデ―タに変換する。１９はラッチ回路で、ＡＮＤゲ
ート１２の出力信号ｅの立下がりでＡ／Ｄ変換回路１８
からのデータをラッチする。２０はＲＯＭで予め温度補
償用のデータを記憶させてあり、ラッチ回路１９の出力
に応じたデータを出力するものである。２１はＤ／Ａ変
換回路でＲＯＭ２０のデジタル出力信号をアナログ信号
に変換する。２２は抵抗、２３は可変容量ダイオードで
あり、Ｄ／Ａ変換回路２１の出力に応じて容量が変化す
る。
る信号発生回路で、水晶発振回路２および分周回路３か
らなり、水晶発振回路２から出力される基準周波数信号
を分周回路３で所定の基本周波数信号に分周して出力す
る。４は遅延手段を構成する遅延回路で、３段のインバ
ータ５〜５およびコンデンサ６，６からなる充放電回路
を構成しており、温度の変化に応じてインバータ５のし
きい値Ｖthが変化するため、充放電時間が変化すること
により遅延時間ｔが変化する。本例では、周囲温度がT1
℃のとき遅延時間がt1となるように設定する。なお、必
要な遅延時間は充分小さいのでコンデンサ６、６の容量
は数ｐＦ程度でよく、この遅延回路４は集積可能であ
る。７はカウンタ、８は比較手段を構成するＮＡＮＤゲ
ート、９、１０はインバータである。１１、１２はＡＮ
Ｄゲート、１３は温度データ変換部で、Ｐチャネル・ト
ランジスタ１４、Ｎチャネル・トランジスタ１５、抵抗
１６（抵抗値Ｒ）およびコンデンサ１７（容量Ｃａ）か
らなり、ＮＡＮＤゲート８からの出力信号ｄのパルス幅
ｔ（温度データ）を電圧に変換する。１８はＡ／Ｄ変換
回路で温度データ変換部１３からのアナログ入力をデジ
タルデ―タに変換する。１９はラッチ回路で、ＡＮＤゲ
ート１２の出力信号ｅの立下がりでＡ／Ｄ変換回路１８
からのデータをラッチする。２０はＲＯＭで予め温度補
償用のデータを記憶させてあり、ラッチ回路１９の出力
に応じたデータを出力するものである。２１はＤ／Ａ変
換回路でＲＯＭ２０のデジタル出力信号をアナログ信号
に変換する。２２は抵抗、２３は可変容量ダイオードで
あり、Ｄ／Ａ変換回路２１の出力に応じて容量が変化す
る。
【０００９】上記構成は、抵抗２２および可変容量ダイ
オード２３を除いて全て集積化してある。
オード２３を除いて全て集積化してある。
【００１０】次に動作について図２を参照に説明する。
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは図１のａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆ、ｇの出力信号を表している。
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは図１のａ、ｂ、ｃ、ｄ、
ｅ、ｆ、ｇの出力信号を表している。
【００１１】周囲温度がT1℃の場合の動作は、次の通り
である。
である。
【００１２】信号発生回路１から図２ａのパルスＰ１が
発生する。このパルスＰ１は遅延回路４によって図２ｂ
のパルスＰ１' のごとくレベル反転されるとともに遅延
される。カウンタ７は信号発生回路１の出力信号をカウ
ントし、図２ｃのような出力を生じる。そのため、パル
スＰ１が発生することにより図２ｄのパルスＰ２がＮＡ
ＮＤゲート８から生じることになる。このパルスＰ２の
パルス幅は温度の変化に応じて変化する遅延回路４の遅
延時間となるので、このパルスＰ２のパルス幅が温度デ
ータとなる。本例では、周囲温度がT1℃なのでパルスＰ
２のパルス幅はt1となる。パルスＰ２が出力されている
間、Ｐチャネル・トランジスタ１４がオンになり、この
とき、Ｎチャネル・トランジスタ１５はオフになってい
るのでコンデンサ１７が充電され、端子ｇの電圧Ｖｇが
上昇する。この電圧ＶｇはＶｇ＝Ｖdd（１−ｅ
-t・n/Ca・R ）で表わされ、ＮＡＮＤゲート８からの出力
信号ｄのパルス幅ｔ（温度データ）に応じて変化する。
すなわち、温度データ変換部１３で、温度データをＰ２
のパルス幅から電圧に変換することになる。ｎはカウン
ト数で、本例ではカウンタ７の設定により、ｎ＝３とし
てある。この電圧ＶｇはＡ／Ｄ変換回路１８でデジタル
データに変換されラッチ回路１９に供給される。続い
て、図２ａのパルスＰ３、パルスＰ４が発生すると、こ
のパルスＰ３、Ｐ４は図２ｂのパルスＰ２' Ｐ３' のご
とく遅延回路４で遅延され、図２ｄのごとくパルスＰ
５、Ｐ６がＮＡＮＤゲート８から生じ、上記と同様にコ
ンデンサ１７が充電される。こうしてコンデンサ１７は
電圧Ｖｇ１に充電され、これがＡ／Ｄ変換回路１８でデ
ジタルデータに変換され、ラッチ回路１９に供給され
る。そしてパルスＰ４の立下がりによってカウンタ７が
トリガされ、その出力ｃが“０”になると、ＡＮＤゲー
ト１２の出力が図２ｅのごとく“１”になり、信号発生
回路１より図２ａのごとくパルスＰ７が発生すると、Ａ
ＮＤゲート１２の出力は図２ｅのごとく“０”になる。
この出力ｅの立下がりによってラッチ回路１９はトリガ
され、Ａ／Ｄ変換回路１８からの温度データをラッチ
し、このデータがＲＯＭ２０のアドレス信号となる。Ｒ
ＯＭ２０はラッチ回路１９の出力に応じた予め記憶して
ある温度補償用のデータを出力しＤ／Ａ変換回路２１で
アナログ信号に変換して出力することにより可変容量ダ
イオード２３に印加する電圧が変化する。可変容量ダイ
オード２３の容量の変化によって、水晶発振回路２の発
振周波数が調整されて温度補償が行なわれる。
発生する。このパルスＰ１は遅延回路４によって図２ｂ
のパルスＰ１' のごとくレベル反転されるとともに遅延
される。カウンタ７は信号発生回路１の出力信号をカウ
ントし、図２ｃのような出力を生じる。そのため、パル
スＰ１が発生することにより図２ｄのパルスＰ２がＮＡ
ＮＤゲート８から生じることになる。このパルスＰ２の
パルス幅は温度の変化に応じて変化する遅延回路４の遅
延時間となるので、このパルスＰ２のパルス幅が温度デ
ータとなる。本例では、周囲温度がT1℃なのでパルスＰ
２のパルス幅はt1となる。パルスＰ２が出力されている
間、Ｐチャネル・トランジスタ１４がオンになり、この
とき、Ｎチャネル・トランジスタ１５はオフになってい
るのでコンデンサ１７が充電され、端子ｇの電圧Ｖｇが
上昇する。この電圧ＶｇはＶｇ＝Ｖdd（１−ｅ
-t・n/Ca・R ）で表わされ、ＮＡＮＤゲート８からの出力
信号ｄのパルス幅ｔ（温度データ）に応じて変化する。
すなわち、温度データ変換部１３で、温度データをＰ２
のパルス幅から電圧に変換することになる。ｎはカウン
ト数で、本例ではカウンタ７の設定により、ｎ＝３とし
てある。この電圧ＶｇはＡ／Ｄ変換回路１８でデジタル
データに変換されラッチ回路１９に供給される。続い
て、図２ａのパルスＰ３、パルスＰ４が発生すると、こ
のパルスＰ３、Ｐ４は図２ｂのパルスＰ２' Ｐ３' のご
とく遅延回路４で遅延され、図２ｄのごとくパルスＰ
５、Ｐ６がＮＡＮＤゲート８から生じ、上記と同様にコ
ンデンサ１７が充電される。こうしてコンデンサ１７は
電圧Ｖｇ１に充電され、これがＡ／Ｄ変換回路１８でデ
ジタルデータに変換され、ラッチ回路１９に供給され
る。そしてパルスＰ４の立下がりによってカウンタ７が
トリガされ、その出力ｃが“０”になると、ＡＮＤゲー
ト１２の出力が図２ｅのごとく“１”になり、信号発生
回路１より図２ａのごとくパルスＰ７が発生すると、Ａ
ＮＤゲート１２の出力は図２ｅのごとく“０”になる。
この出力ｅの立下がりによってラッチ回路１９はトリガ
され、Ａ／Ｄ変換回路１８からの温度データをラッチ
し、このデータがＲＯＭ２０のアドレス信号となる。Ｒ
ＯＭ２０はラッチ回路１９の出力に応じた予め記憶して
ある温度補償用のデータを出力しＤ／Ａ変換回路２１で
アナログ信号に変換して出力することにより可変容量ダ
イオード２３に印加する電圧が変化する。可変容量ダイ
オード２３の容量の変化によって、水晶発振回路２の発
振周波数が調整されて温度補償が行なわれる。
【００１３】また、パルスＰ７が発生するによりＡＮＤ
ゲート１１からは図２ｆのごとくパルスＰ８が出力さ
れ、このパルスＰ８が出力されることによってＮチャネ
ル・トランジスタ１５がオンになり、このときＰチャネ
ル・トランジスタ１４はオフになっているのでコンデン
サ１７の充電電圧が瞬時に放電する。以下、上記同様の
動作を繰り返し、信号発生回路１の温度補償を行う。
ゲート１１からは図２ｆのごとくパルスＰ８が出力さ
れ、このパルスＰ８が出力されることによってＮチャネ
ル・トランジスタ１５がオンになり、このときＰチャネ
ル・トランジスタ１４はオフになっているのでコンデン
サ１７の充電電圧が瞬時に放電する。以下、上記同様の
動作を繰り返し、信号発生回路１の温度補償を行う。
【００１４】図２の後半部の波形は、温度が変化した場
合の各部の波形を示しており、遅延回路４の遅延時間が
長くなるに従ってコンデンサ１７の充電電圧が高くな
り、その電圧値に応じた温度補償が行なわれる。
合の各部の波形を示しており、遅延回路４の遅延時間が
長くなるに従ってコンデンサ１７の充電電圧が高くな
り、その電圧値に応じた温度補償が行なわれる。
【００１５】なお、上記の実施例では、カウンタ７を用
いることによって、３つの基本周波数信号の遅延時間を
加算する形で電圧に変換したが、この数は適宜任意に設
定可能である。
いることによって、３つの基本周波数信号の遅延時間を
加算する形で電圧に変換したが、この数は適宜任意に設
定可能である。
【００１６】基本周波数信号が１パルス発生するごとに
上記のような温度補償動作を行なう例について図３に基
づいて説明する。
上記のような温度補償動作を行なう例について図３に基
づいて説明する。
【００１７】同図において、２４はインバータで分周回
路３からの基本周波数信号をレベル反転してＮチャネル
・トランジスタ１５に供給するためのものである。
路３からの基本周波数信号をレベル反転してＮチャネル
・トランジスタ１５に供給するためのものである。
【００１８】次に動作について図４を参照にして説明す
る。なお、図１と同一番号は同一のものを示し、図４の
ａ、ｂ、ｈ、ｇは図３のａ、ｂ、ｈ、ｇの出力信号を表
している。
る。なお、図１と同一番号は同一のものを示し、図４の
ａ、ｂ、ｈ、ｇは図３のａ、ｂ、ｈ、ｇの出力信号を表
している。
【００１９】信号発生回路１から図４ａのパルスＰ９が
発生すると、遅延回路４からは図４ｂのパルスＰ９' が
生じ、その遅延時間t1に対応した幅のパルスＰ１０（図
２ｈ）がＮＡＮＤゲート８から生じることになる。この
パルスＰ１０が出力されている間、Ｐチャネル・トラン
ジスタ１４がオンになり、図４ｇのようにコンデンサ１
７が充電される。この充電電圧はＡ／Ｄ変換回路１８で
デジタルデータに変換され、ラッチ回路１９に供給され
るこのデータは、パルスＰ１０の立上りによりラッチ回
路１９にラッチされる。このラッチされたデータに基づ
いて、上記実施例と同様にして信号発生回路１の温度補
償が行なわれる。そして、信号発生回路１がパルスＰ９
を出力し、図４ａのごとく“０”になると、Ｎチャネル
・トランジスタ１５がオンになり、このときＰチャネル
・トランジスタ１４はオフになっているので、コンデン
サ１７の充電電圧が放電される。以下、上記同様の動作
を繰り返し信号発生回路１の温度補償を行う。
発生すると、遅延回路４からは図４ｂのパルスＰ９' が
生じ、その遅延時間t1に対応した幅のパルスＰ１０（図
２ｈ）がＮＡＮＤゲート８から生じることになる。この
パルスＰ１０が出力されている間、Ｐチャネル・トラン
ジスタ１４がオンになり、図４ｇのようにコンデンサ１
７が充電される。この充電電圧はＡ／Ｄ変換回路１８で
デジタルデータに変換され、ラッチ回路１９に供給され
るこのデータは、パルスＰ１０の立上りによりラッチ回
路１９にラッチされる。このラッチされたデータに基づ
いて、上記実施例と同様にして信号発生回路１の温度補
償が行なわれる。そして、信号発生回路１がパルスＰ９
を出力し、図４ａのごとく“０”になると、Ｎチャネル
・トランジスタ１５がオンになり、このときＰチャネル
・トランジスタ１４はオフになっているので、コンデン
サ１７の充電電圧が放電される。以下、上記同様の動作
を繰り返し信号発生回路１の温度補償を行う。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
本周波数信号とその遅延された信号との位相差から温度
を検出するようにしたので、小面積内での集積化が可能
で、かつ、消費電流を小さくすることができる。
本周波数信号とその遅延された信号との位相差から温度
を検出するようにしたので、小面積内での集積化が可能
で、かつ、消費電流を小さくすることができる。
【図１】本発明の一実施例のブロック回路図。
【図２】図１の動作説明のためのタイミングチャート。
【図３】本発明の他の実施例のブロック回路図。
【図４】図３の動作説明のためのタイミングチャート。
１ 信号発生手段 ４ 遅延手段 ８ 比較手段
Claims (1)
- 【請求項１】 基本周波数信号を発生する信号発生手段
と、 上記基本周波数信号を遅延し、かつ、その遅延時間が温
度に応じて変化する遅延手段と、 上記遅延手段からの出力信号と上記基本周波数信号とを
比較する比較手段とを具備し、 上記比較手段からの出力に基づいて温度を検出する温度
検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25660791A JP2500507B2 (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25660791A JP2500507B2 (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 温度検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0599756A true JPH0599756A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2500507B2 JP2500507B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=17294985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25660791A Expired - Fee Related JP2500507B2 (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500507B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835553A (en) * | 1995-04-20 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit having a digital temperature sensor circuit |
| KR100712545B1 (ko) * | 2006-01-11 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 구간별 온도에 따라 온도 코드를 발생하는 온도 센서 및구간별 온도 검출 방법 |
| JP2009004075A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Hynix Semiconductor Inc | 温度センサー及びこれを用いる半導体メモリ装置 |
| JP2011095087A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Seiko Epson Corp | 温度センサ及び温度検出方法 |
| JP2015197414A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 富士フイルム株式会社 | センサタグ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105021298A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-04 | 苏州经贸职业技术学院 | 一种二极管温度传感器 |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP25660791A patent/JP2500507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835553A (en) * | 1995-04-20 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit having a digital temperature sensor circuit |
| KR100712545B1 (ko) * | 2006-01-11 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 구간별 온도에 따라 온도 코드를 발생하는 온도 센서 및구간별 온도 검출 방법 |
| JP2007187661A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 温度センサ及び区間別温度の検出方法 |
| JP2009004075A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Hynix Semiconductor Inc | 温度センサー及びこれを用いる半導体メモリ装置 |
| JP2011095087A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Seiko Epson Corp | 温度センサ及び温度検出方法 |
| JP2015197414A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 富士フイルム株式会社 | センサタグ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2500507B2 (ja) | 1996-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2897795B2 (ja) | サンプルホールド型位相比較回路 | |
| TW200424543A (en) | A method and apparatus for detecting on-die voltage variations | |
| US20080303507A1 (en) | Current Measurement Circuit and Method | |
| SG188739A1 (en) | Low power high resolution sensor interface | |
| US6388479B1 (en) | Oscillator based power-on-reset circuit | |
| JPS62149215A (ja) | 時定数回路 | |
| US20200366298A1 (en) | Time-to-digital converter and phase locked loop | |
| US6518848B2 (en) | Oscillation stop detection circuit | |
| JP2500507B2 (ja) | 温度検出回路 | |
| US20170194950A1 (en) | Delay Circuit for Clock Generation | |
| EP0069444A2 (en) | Trigger pulse generator | |
| US8441295B2 (en) | Delay generator | |
| US10656032B2 (en) | Temperature sensor in an integrated circuit and method of calibrating the temperature sensor | |
| JPS584848B2 (ja) | Ａ／ｄ変換回路 | |
| CN111722520A (zh) | 一种时间数字转换器、相位差的检测方法 | |
| JP3392278B2 (ja) | 発振器 | |
| US11892869B2 (en) | Clock generator device and clock generation method | |
| JP3217314B2 (ja) | タイマ回路 | |
| US5469086A (en) | Floating detection circuit | |
| JPH10267759A (ja) | 焦電型赤外線検出装置 | |
| JPH025605A (ja) | 温度補償型発振器 | |
| JPH0353705A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3126390B2 (ja) | 信号検出回路 | |
| JP3315457B2 (ja) | のこぎり波発生回路 | |
| JP4353791B2 (ja) | パルス発生器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |