JPH0595169A - 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール - Google Patents
半導体レーザ装置および半導体レーザモジユールInfo
- Publication number
- JPH0595169A JPH0595169A JP3254041A JP25404191A JPH0595169A JP H0595169 A JPH0595169 A JP H0595169A JP 3254041 A JP3254041 A JP 3254041A JP 25404191 A JP25404191 A JP 25404191A JP H0595169 A JPH0595169 A JP H0595169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- lens
- coaxial
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】同軸型の半導体レーザモジュールにおいて反射
戻り光対策として光ファイバ端面斜め研磨を施し、か
つ、これにより過剰結合損失の発生を防ぐ。 【構成】ヒートシンク１２により半導体レーザチップ１
の出射点をステム３の中心軸よりずらして位置させる。
同軸型レンズホルダ６にレンズ５とステム３を固定する
ことによりレーザ光ビームは中心軸に対し傾きを持ち、
光ファイバ端面２７の斜め研磨面をビーム入射方向と反
射側に向けることで、過剰損失のない、且つ、反射戻り
光量をさらに抑えた半導体レーザモジュールが提供され
る。
戻り光対策として光ファイバ端面斜め研磨を施し、か
つ、これにより過剰結合損失の発生を防ぐ。 【構成】ヒートシンク１２により半導体レーザチップ１
の出射点をステム３の中心軸よりずらして位置させる。
同軸型レンズホルダ６にレンズ５とステム３を固定する
ことによりレーザ光ビームは中心軸に対し傾きを持ち、
光ファイバ端面２７の斜め研磨面をビーム入射方向と反
射側に向けることで、過剰損失のない、且つ、反射戻り
光量をさらに抑えた半導体レーザモジュールが提供され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置および
光ファイバ付きモジュールに関し、特に、光ファイバ端
面での反射光の影響を防ぐとともに、結合損失も小さく
するモジュールに関するものである。
光ファイバ付きモジュールに関し、特に、光ファイバ端
面での反射光の影響を防ぐとともに、結合損失も小さく
するモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザモジュールを小型化する場
合、特に、ペルチェ素子による冷却を用いないモジュー
ルの場合、予め直径５．６ｍｍの小型ＣＡＮパッケージ
に半導体レーザチップおよびモンタ用ホトダイオードチ
ップを封止し、半導体レーザ装置としてスクリーニング
を経たのち、レンズを固定したホルダーに取付け、光フ
ァイバの光軸調整固定を行い、光ファイバ付きモジュー
ルにするという手法が有効であり広く用いられている。
合、特に、ペルチェ素子による冷却を用いないモジュー
ルの場合、予め直径５．６ｍｍの小型ＣＡＮパッケージ
に半導体レーザチップおよびモンタ用ホトダイオードチ
ップを封止し、半導体レーザ装置としてスクリーニング
を経たのち、レンズを固定したホルダーに取付け、光フ
ァイバの光軸調整固定を行い、光ファイバ付きモジュー
ルにするという手法が有効であり広く用いられている。
【０００３】図３はそのような従来の半導体レーザモジ
ュールの一例を示している。ステム３の直径５．６ｍｍ
という寸法は光ディスクのピックアップ用半導体レーザ
装置用多くの応用に普及しており、標準の一つと考えら
れる。このことも図３のモジュール構造が広く用いられ
る一つの理由と言える。
ュールの一例を示している。ステム３の直径５．６ｍｍ
という寸法は光ディスクのピックアップ用半導体レーザ
装置用多くの応用に普及しており、標準の一つと考えら
れる。このことも図３のモジュール構造が広く用いられ
る一つの理由と言える。
【０００４】図３に示した半導体レーザモジュールは、
レンズ５、及び光ファイバ７を固定したレンズホルダ６
に、互いの中心軸１０を一致させて半導体レーザ装置を
固定した構造である。
レンズ５、及び光ファイバ７を固定したレンズホルダ６
に、互いの中心軸１０を一致させて半導体レーザ装置を
固定した構造である。
【０００５】半導体レーザ装置は、ステム３に、ヒート
シンク３２を介して半導体レーザチップ１を固定し、窓
付きキャップ４で気密封止した構造で、半導体レーザチ
ップ１の光出射位置がステムの中心軸１０上にある。
シンク３２を介して半導体レーザチップ１を固定し、窓
付きキャップ４で気密封止した構造で、半導体レーザチ
ップ１の光出射位置がステムの中心軸１０上にある。
【０００６】半導体レーザチップの放射光が光ファイバ
結合の際、ファイバ端面で反射して半導体レーザ共振器
に戻った場合、半導体レーザの動作状態が不安定にな
り、ノイズ発生の原因になることが知られている。その
ため、半導体レーザモジュールでは、通常光ファイバ端
面での反射光が半導体レーザチップに戻らないようにす
る工夫がとられている。図３の例では、光ファイバ端面
３７が約９度の傾きに研磨されている。この場合、半導
体レーザチップ１より放射された光ビームはレンズ５に
より集光されて焦点を結び、その焦点に光ファイバ７の
端面が位置していれば光ファイバ７の中を導級するモー
ドに変換される。このとき半ファイバ端面３７では約４
％の反射率で反射戻り光が生じるが、端面３７が約９度
の傾きを持つためこの反射戻り光が半導体レーザチップ
１に戻るところでは大きな角度がついて入射し、半導体
レーザチップ１の固有モードに結合するのは非常に小さ
いレベルとなる。そのため、半導体レーザ１の動作状態
は反射戻り光による優乱を受けない。
結合の際、ファイバ端面で反射して半導体レーザ共振器
に戻った場合、半導体レーザの動作状態が不安定にな
り、ノイズ発生の原因になることが知られている。その
ため、半導体レーザモジュールでは、通常光ファイバ端
面での反射光が半導体レーザチップに戻らないようにす
る工夫がとられている。図３の例では、光ファイバ端面
３７が約９度の傾きに研磨されている。この場合、半導
体レーザチップ１より放射された光ビームはレンズ５に
より集光されて焦点を結び、その焦点に光ファイバ７の
端面が位置していれば光ファイバ７の中を導級するモー
ドに変換される。このとき半ファイバ端面３７では約４
％の反射率で反射戻り光が生じるが、端面３７が約９度
の傾きを持つためこの反射戻り光が半導体レーザチップ
１に戻るところでは大きな角度がついて入射し、半導体
レーザチップ１の固有モードに結合するのは非常に小さ
いレベルとなる。そのため、半導体レーザ１の動作状態
は反射戻り光による優乱を受けない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体レー
ザモジュールでは、反射戻り光の影響を抑えるために、
光ファイバ端面３７を約９度に傾けていることから、光
ファイバ７に入射した後のビームが光ファイバ７の中心
軸と平行でない、即ち、過剰な結合損失が不可避とな
る。図３の例では結合損失は約７ｄＢであり、このうち
約３ｄＢが端面斜め研磨による過剰損失である。これは
小型でかつ高出力の半導体レーザモジュールを実現する
際の大きな問題であった。
ザモジュールでは、反射戻り光の影響を抑えるために、
光ファイバ端面３７を約９度に傾けていることから、光
ファイバ７に入射した後のビームが光ファイバ７の中心
軸と平行でない、即ち、過剰な結合損失が不可避とな
る。図３の例では結合損失は約７ｄＢであり、このうち
約３ｄＢが端面斜め研磨による過剰損失である。これは
小型でかつ高出力の半導体レーザモジュールを実現する
際の大きな問題であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、同軸型の容器を有し、前記容器の中心軸から半導
体レーザチップの出射位置をずらしたことを特徴として
おり、また本発明の半導体レーザモジュールは、上記本
発明の半導体レーザ装置と、レンズおよび光ファイバを
同軸型のホルダに搭載する半導体レーザモジュールであ
り、前記半導体レーザ装置の同軸型容器および前記レン
ズそれぞれの中心軸は前記同軸型ホルダの中心軸と一致
させ、前記光ファイバの先端は斜めとすることを特徴と
している。
置は、同軸型の容器を有し、前記容器の中心軸から半導
体レーザチップの出射位置をずらしたことを特徴として
おり、また本発明の半導体レーザモジュールは、上記本
発明の半導体レーザ装置と、レンズおよび光ファイバを
同軸型のホルダに搭載する半導体レーザモジュールであ
り、前記半導体レーザ装置の同軸型容器および前記レン
ズそれぞれの中心軸は前記同軸型ホルダの中心軸と一致
させ、前記光ファイバの先端は斜めとすることを特徴と
している。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の半導体レーザ装置の断面図である。
半導体レーザチップ１，および直径５．６ｍｍのステム
３，キャップ４は図３の従来例と全く同一である。従来
例ではヒートシンク３２の厚みが３００μｍであり、こ
の場合、半導体レーザチップ１の出射点が、ステム３の
外径５．６ｍｍという基準面の中心軸１０と一致するよ
うにステム３のサプマウント部分が設計されている。本
発明では厚み２２０μｍのヒートシンク１２を用いるこ
とにより、半導体レーザチップ１の出射点の位置をステ
ム中心軸１０から垂直放射角方向に８０μｍの軸ずらし
を精度よく実現している。
る。図１は本発明の半導体レーザ装置の断面図である。
半導体レーザチップ１，および直径５．６ｍｍのステム
３，キャップ４は図３の従来例と全く同一である。従来
例ではヒートシンク３２の厚みが３００μｍであり、こ
の場合、半導体レーザチップ１の出射点が、ステム３の
外径５．６ｍｍという基準面の中心軸１０と一致するよ
うにステム３のサプマウント部分が設計されている。本
発明では厚み２２０μｍのヒートシンク１２を用いるこ
とにより、半導体レーザチップ１の出射点の位置をステ
ム中心軸１０から垂直放射角方向に８０μｍの軸ずらし
を精度よく実現している。
【００１０】図２は本発明のもう一つの実施例である半
導体レーザモジュールの断面図である。半導体レーザチ
ップ１，ヒートシンク１２，ステム３，キャップ４は図
１に示した本発明の前述実施例の半導体レーザ装置であ
る。レンズ５は先球セルフォックレンズを用い、その中
心軸がレンズホルダ６の中心軸１１と同一になるように
ソルダ固定されている。前述の半導体レーザ装置とレン
ズホルダ６との固定も中心軸を一致させるように行なわ
れる。従って、半導体レーザチップ１の出射点はレンズ
５の光軸に対し前述の８０μｍだけ軸ずらしされる。そ
のためレンズ５より出射した光ビームはレンズ５の光軸
に対し平行でなく３度傾いている。光ファイバ７は本実
施例ではシングルモードファイバでありスライドリング
８を介してレンズホルダ６に固定してある。光ファイバ
端２７は６度傾けてあり、光ファィバ中心軸はレンズ５
及びレンズホルダ６の中心軸１１と一致している。この
光ファイバ端２７の６度の傾斜を光ビームの３度の入射
方向と逆向きにすれば、相対角度９度の入射ビームは入
射後相対角度３度の光ファイバ中心軸と一致し、過剰損
失を生じない。また、反射戻り光に関しても、戻り光の
光ビームの半導体レーザチップ１への入射角は、図３の
従来例に比べ倍以上に深くなり、戻り光量のレベルは８
ｄＢ以上下がることになる。結果として図２の半導体レ
ーザモジュールでは結合損失４ｄＢを達成し、図３の従
来例に対し３ｄＢの改善を見ることができた。
導体レーザモジュールの断面図である。半導体レーザチ
ップ１，ヒートシンク１２，ステム３，キャップ４は図
１に示した本発明の前述実施例の半導体レーザ装置であ
る。レンズ５は先球セルフォックレンズを用い、その中
心軸がレンズホルダ６の中心軸１１と同一になるように
ソルダ固定されている。前述の半導体レーザ装置とレン
ズホルダ６との固定も中心軸を一致させるように行なわ
れる。従って、半導体レーザチップ１の出射点はレンズ
５の光軸に対し前述の８０μｍだけ軸ずらしされる。そ
のためレンズ５より出射した光ビームはレンズ５の光軸
に対し平行でなく３度傾いている。光ファイバ７は本実
施例ではシングルモードファイバでありスライドリング
８を介してレンズホルダ６に固定してある。光ファイバ
端２７は６度傾けてあり、光ファィバ中心軸はレンズ５
及びレンズホルダ６の中心軸１１と一致している。この
光ファイバ端２７の６度の傾斜を光ビームの３度の入射
方向と逆向きにすれば、相対角度９度の入射ビームは入
射後相対角度３度の光ファイバ中心軸と一致し、過剰損
失を生じない。また、反射戻り光に関しても、戻り光の
光ビームの半導体レーザチップ１への入射角は、図３の
従来例に比べ倍以上に深くなり、戻り光量のレベルは８
ｄＢ以上下がることになる。結果として図２の半導体レ
ーザモジュールでは結合損失４ｄＢを達成し、図３の従
来例に対し３ｄＢの改善を見ることができた。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、同軸型の
ＣＡＮパッケージの中心軸からずれるように半導体レー
ザチップの出射点を位置させることで、光ファィバ端面
を斜め研磨するという反射戻り光対策を用いながらその
角度の組み合わせにより、結合過剰損失の低減と反射戻
り光量の低減を同時に達成することができる。
ＣＡＮパッケージの中心軸からずれるように半導体レー
ザチップの出射点を位置させることで、光ファィバ端面
を斜め研磨するという反射戻り光対策を用いながらその
角度の組み合わせにより、結合過剰損失の低減と反射戻
り光量の低減を同時に達成することができる。
【図１】本発明の実施例の半導体レーザ装置の断面図。
【図２】本発明の一実施例の半導体レーザモジュールの
断面図。
断面図。
【図３】従来の半導体レーザモジュールの一例の断面
図。
図。
１ 半導体レーザチップ １２，３２ ヒートシンク ３ ステム ４ キャップ ５ レンズ ６ レンズホルダ ７ 光ファイバ ２７，３７ 光ファイバ端面 ８ スライトリング
Claims (2)
- 【請求項１】 同軸型の容器内に半導体レーザチップを
搭載した半導体レーザ装置において、該容器の中心軸か
ら半導体レーザチップの出射位置をずらしたことを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ装置と、レ
ンズおよび光ファイバを同軸型のホルダに搭載した半導
体レーザモジュールであり、該半導体レーザ装置の同軸
型容器および該レンズそれぞれの中心軸は該同軸型ホル
ダの中心軸と一致させ、該光ファイバの先端は射めとし
たことを特徴とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254041A JPH0595169A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール |
| US07/954,157 US5353294A (en) | 1991-10-02 | 1992-09-30 | Semiconductor laser device and semiconductor laser module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254041A JPH0595169A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595169A true JPH0595169A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17259419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254041A Pending JPH0595169A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5353294A (ja) |
| JP (1) | JPH0595169A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059711A2 (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser module |
| JP2004296877A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Olympus Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7263112B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-08-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module including a Peltier device therein and having a co-axial type package |
| US7663228B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-02-16 | Eudyna Devices Inc. | Electronic component and electronic component module |
| CN107357006A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-17 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种基于平窗型to封装的透镜耦合装置、结构和方法 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2699293B1 (fr) * | 1992-12-15 | 1995-03-03 | France Telecom | Système optique monolithique comportant des moyens de couplage perfectionnés entre une fibre optique et un phototransducteur. |
| JP2968916B2 (ja) * | 1993-08-25 | 1999-11-02 | ローム株式会社 | 光ファイバレセプタクルの製法 |
| US5457557A (en) * | 1994-01-21 | 1995-10-10 | Ortel Corporation | Low cost optical fiber RF signal distribution system |
| US5511140A (en) * | 1994-10-13 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Molded plastic optical fiber-optoelectronic converter subassembly |
| JPH09511848A (ja) * | 1995-02-10 | 1997-11-25 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体レーザ変調器又は増幅器と２つの光ガラスファイバとの間の結合を具えたオプトエレクトロニクスデバイス |
| US5659413A (en) * | 1995-02-28 | 1997-08-19 | The Mitre Corporation | Laser satellite communication system |
| JP3288888B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2002-06-04 | 株式会社精工技研 | 光ファイバ光源組立体 |
| US5778127A (en) * | 1995-06-07 | 1998-07-07 | Gilliland; Patrick | Optical transceiver and filler composition |
| US5631991A (en) * | 1996-01-26 | 1997-05-20 | International Business Machines Corporation | Plastic optical subassemblies for light transfer between an optical fiber and an optoelectronic converter and the fabrication of such plastic optical subassemblies |
| JP3355270B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2002-12-09 | アルプス電気株式会社 | 発光モジュール |
| JP3495493B2 (ja) * | 1996-02-07 | 2004-02-09 | アルプス電気株式会社 | 発光モジュール |
| JPH09218324A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-19 | Alps Electric Co Ltd | 発光モジュール |
| JP3489323B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2004-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードモジユール、集光部品並びに光結合方法 |
| JPH1010372A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Alps Electric Co Ltd | Ｌｄモジュール |
| JPH1096839A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールの製造方法 |
| JP3206536B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2001-09-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| JP3854359B2 (ja) * | 1997-03-05 | 2006-12-06 | アルプス電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| US6239888B1 (en) | 1998-04-24 | 2001-05-29 | Lightpointe Communications, Inc. | Terrestrial optical communication network of integrated fiber and free-space links which requires no electro-optical conversion between links |
| US6868237B2 (en) | 1998-04-24 | 2005-03-15 | Lightpointe Communications, Inc. | Terrestrial optical communication network of integrated fiber and free-space links which requires no electro-optical conversion between links |
| JP2002182073A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光源−光ファイバ結合器 |
| US6782161B2 (en) * | 2001-02-05 | 2004-08-24 | Derma Laser Inc. | Laser diode apparatus provided with an aiming beam and injection method therefor |
| JP2002246683A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Toshiba Corp | 光送信器及び光伝送システム |
| US6860651B2 (en) * | 2001-06-26 | 2005-03-01 | Derosa Michael E. | Method and device for removing heat from a fiber-optic package |
| US6865199B2 (en) | 2001-07-27 | 2005-03-08 | General Instrument Corporation | Inexpensive analog laser module |
| US20030090765A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Neff Brian W. | Free-space optical communication system |
| JP2003283036A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器 |
| US6715936B2 (en) * | 2002-01-22 | 2004-04-06 | Megasense, Inc. | Photonic component package and method of packaging |
| CN100451708C (zh) * | 2004-04-16 | 2009-01-14 | 中国科学院半导体研究所 | 同轴封装半导体激光器陶瓷插针 |
| DE102006041959A1 (de) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Karl Storz Gmbh & Co. Kg | Beleuchtungssystem zum Erzeugen von Licht und zum Einkoppeln des Lichts in ein proximales Ende eines Lichtleitkabels einer Beobachtungsvorrichtung für die Endoskopie oder Mikroskopie |
| US9547133B2 (en) * | 2010-03-31 | 2017-01-17 | University Court Of The University Of St Andrews | LED illuminator for side-emitting optical fibers |
| US12000552B2 (en) * | 2019-01-18 | 2024-06-04 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle |
| US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946434B2 (ja) * | 1978-01-10 | 1984-11-12 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| US4399453A (en) * | 1981-03-23 | 1983-08-16 | Motorola, Inc. | Low thermal impedance plastic package |
| EP0155528B1 (de) * | 1984-02-22 | 1989-02-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Modulgehäuse |
| DE3413667A1 (de) * | 1984-04-11 | 1985-10-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum einjustieren einer an einem ende eines optischen wellenleiters vorgesehenen koppeloptik auf einen halbleiterlaser und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| JPS6279213U (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-21 | ||
| US5087109A (en) * | 1986-10-09 | 1992-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for coupling semiconductor laser with optical fiber |
| JPH01147509A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Toshiba Corp | 光通信用ファイバモジュールの光軸合わせ装置 |
| US5074682A (en) * | 1988-03-02 | 1991-12-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser module and positioning method thereof |
| NL9000027A (nl) * | 1990-01-05 | 1991-08-01 | Philips Nv | Opto-elektronische inrichting met een, een lens omvattende koppeling tussen een optische transmissievezel en een halfgeleiderlaserdiode. |
| DE4009380A1 (de) * | 1990-03-23 | 1991-09-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Lasermodul |
| DE59009661D1 (de) * | 1990-06-27 | 1995-10-19 | Siemens Ag | Sende- und Empfangsmodul für eine bidirektionale optische Nachrichten- und Signalübertragung. |
| JPH05173046A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sony Corp | 光導波路装置 |
| US5283802A (en) * | 1993-06-04 | 1994-02-01 | Bear Hsiung | Adjustable laser module mounting device |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3254041A patent/JPH0595169A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-30 US US07/954,157 patent/US5353294A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059711A2 (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser module |
| EP1059711A3 (en) * | 1999-06-10 | 2002-07-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor laser module |
| JP2004296877A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Olympus Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7263112B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-08-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module including a Peltier device therein and having a co-axial type package |
| US7663228B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-02-16 | Eudyna Devices Inc. | Electronic component and electronic component module |
| CN107357006A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-17 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种基于平窗型to封装的透镜耦合装置、结构和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5353294A (en) | 1994-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0595169A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジユール | |
| US7467897B2 (en) | Light transmitting modules with optical power monitoring | |
| US4733094A (en) | Bidirectional optoelectronic component operating as an optical coupling device | |
| US6567435B1 (en) | VCSEL power monitoring system using plastic encapsulation techniques | |
| US6969204B2 (en) | Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package | |
| US5881193A (en) | Low profile optical subassembly | |
| US5848211A (en) | Photonics module having its components mounted on a single mounting member | |
| EP0836105B1 (en) | An optical transmission/reception module | |
| JPH05206578A (ja) | 外部キャビティダイオードレーザ | |
| US6282006B1 (en) | Optical communications apparatus and method | |
| US5675597A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5721426A (en) | Optical transmitting/receiving module having communication lines coupled by a single lens | |
| JPS6384184A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS60182781A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100853315B1 (ko) | 반사손실 저감구조를 구비한 레이저 다이오드 패키지 | |
| JPS61145876A (ja) | 発光素子用パツケ−ジ | |
| JP2003332671A (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| JPH0459799B2 (ja) | ||
| JPH0710508Y2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0499082A (ja) | 半導体レーザ用ステム | |
| JPH0677599A (ja) | レンズからの反射戻り光が少ない半導体レーザモジュール | |
| CN115275765A (zh) | 一种sld光发射结构 | |
| JPS59188967A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0612367B2 (ja) | 半導体レ−ザと光フアイバとの結合方法 | |
| JPH08122582A (ja) | Ｐｄモジュール |