JPH0590720A - 複合プリント配線板 - Google Patents
複合プリント配線板Info
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- JPH0590720A JPH0590720A JP24898691A JP24898691A JPH0590720A JP H0590720 A JPH0590720 A JP H0590720A JP 24898691 A JP24898691 A JP 24898691A JP 24898691 A JP24898691 A JP 24898691A JP H0590720 A JPH0590720 A JP H0590720A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路ＴＳＯＰやベアチップＩＣの
熱膨張係数に基板全体の熱膨張係数を近似させることに
より、電子部品との接続信頼性を向上させ且つ電子部品
の破損を防止することのできる複合プリント配線板を提
供すること。 【構成】 銅箔（１２）の裏面に溶着した多孔性セラミ
ックスもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹
脂を含浸させた複合絶縁材料層（１３）を有するプリン
ト配線板において、多孔性セラミックスの空孔間隙に熱
硬化性樹脂を含浸させたベース基板（１１）と複合絶縁
材料層（１３）とをプリプレグ（１４）により積層させ
たこと。
熱膨張係数に基板全体の熱膨張係数を近似させることに
より、電子部品との接続信頼性を向上させ且つ電子部品
の破損を防止することのできる複合プリント配線板を提
供すること。 【構成】 銅箔（１２）の裏面に溶着した多孔性セラミ
ックスもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹
脂を含浸させた複合絶縁材料層（１３）を有するプリン
ト配線板において、多孔性セラミックスの空孔間隙に熱
硬化性樹脂を含浸させたベース基板（１１）と複合絶縁
材料層（１３）とをプリプレグ（１４）により積層させ
たこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスもしくは
ガラス質と熱硬化性樹脂を複合させた複合プリント配線
板に関し、特には銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミッ
クスもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂
を含浸させた複合絶縁材料層を有するプリント配線板に
関する。
ガラス質と熱硬化性樹脂を複合させた複合プリント配線
板に関し、特には銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミッ
クスもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂
を含浸させた複合絶縁材料層を有するプリント配線板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線板材料はガラスエポキシ等の
有機材料とアルミナ等の無機材料とに大別される。無機
材料を使用したセラミックス配線板は高耐熱性や高放熱
性、低熱膨張性を生かして特徴のある分野を築いてい
る。しかし、セラミックス配線板は蒸着やスパッタリン
グによる薄膜技術によるにせよ、グリーンシートを使用
し、印刷した導体ペーストとコファイヤーによる厚膜技
術によるにせよ加工工程が複雑であり量産性に劣るもの
であった。
有機材料とアルミナ等の無機材料とに大別される。無機
材料を使用したセラミックス配線板は高耐熱性や高放熱
性、低熱膨張性を生かして特徴のある分野を築いてい
る。しかし、セラミックス配線板は蒸着やスパッタリン
グによる薄膜技術によるにせよ、グリーンシートを使用
し、印刷した導体ペーストとコファイヤーによる厚膜技
術によるにせよ加工工程が複雑であり量産性に劣るもの
であった。
【０００３】一方、有機材料を使用したプリント配線板
は量産性に富み、さらにパターンの微細加工や多層化が
容易なため民生機器用のほか産業機器用にも広く使用さ
れている。しかし、電子機器の高密度実装化が進み高速
化が要求される昨今においては、プリント配線板の高放
熱性が要求されるに到った。また、半導体集積回路（Ｉ
Ｃ）の小型薄型化によりＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌ
ｌ ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）が多く使用され、
プリント配線板の低熱膨張化が要求されたのである。
は量産性に富み、さらにパターンの微細加工や多層化が
容易なため民生機器用のほか産業機器用にも広く使用さ
れている。しかし、電子機器の高密度実装化が進み高速
化が要求される昨今においては、プリント配線板の高放
熱性が要求されるに到った。また、半導体集積回路（Ｉ
Ｃ）の小型薄型化によりＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌ
ｌ ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）が多く使用され、
プリント配線板の低熱膨張化が要求されたのである。
【０００４】即ち、小型薄型化により半導体集積回路パ
ッケージの熱膨張係数が従来よりシリコン寄りに小さ
く、およそ７×１０-6／℃となったため、それを搭載す
るプリント配線板の熱膨張を、従来のおよそ１．２〜
１．６×１０-5／℃から小さくし近似させないと、実装
時に熱膨張差によって半田接続部が破損したり、半導体
集積回路パッケージに亀裂が入ったりする不良が発生し
たのである。
ッケージの熱膨張係数が従来よりシリコン寄りに小さ
く、およそ７×１０-6／℃となったため、それを搭載す
るプリント配線板の熱膨張を、従来のおよそ１．２〜
１．６×１０-5／℃から小さくし近似させないと、実装
時に熱膨張差によって半田接続部が破損したり、半導体
集積回路パッケージに亀裂が入ったりする不良が発生し
たのである。
【０００５】このプリント配線板の低熱膨張化の要求に
対応するために、セラミックスと熱硬化性樹脂による複
合材料が注目されている。例えば、銅箔の裏面に熱膨張
係数が略７×１０-6／℃のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）組成あ
るいは熱膨張係数が略２．５×１０-6／℃のコージェラ
イト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）組成の多孔
性セラミックスもしくは多孔性ガラス質をプラズマ溶
射、ＣＶＤ、スパッタ等により形成し、それを多層プリ
ント配線板の外層材としてプリプレグとともに内層基板
と積層することにより、プリプレグからの樹脂を空孔間
隙に含浸させ一体化を行った低熱膨張複合材料の試みが
なされている。
対応するために、セラミックスと熱硬化性樹脂による複
合材料が注目されている。例えば、銅箔の裏面に熱膨張
係数が略７×１０-6／℃のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）組成あ
るいは熱膨張係数が略２．５×１０-6／℃のコージェラ
イト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）組成の多孔
性セラミックスもしくは多孔性ガラス質をプラズマ溶
射、ＣＶＤ、スパッタ等により形成し、それを多層プリ
ント配線板の外層材としてプリプレグとともに内層基板
と積層することにより、プリプレグからの樹脂を空孔間
隙に含浸させ一体化を行った低熱膨張複合材料の試みが
なされている。
【０００６】しかし、この方法によれば、銅箔の裏面の
多孔性セラミックス等は厚く形成することができなかっ
た。従って、厚い樹脂基板と積層した場合には、積層後
の全体の熱膨張係数を小さくすることはできなかった。
即ち、プラズマ溶射、ＣＶＤ，スパッタ等では０．２ｍ
ｍ以上の厚みとすることは困難であり、また銅箔の裏面
に溶着した状態で取り扱うためにも厚くできないのであ
り、これを０．６ｍｍ厚さのガラスエポキシ基板の両面
に０．２ｍｍ厚さのプリプレグを介して積層して、全体
の厚さ１．２ｍｍとした場合の熱膨張係数は１．３×１
０-5／℃と目的の７×１０-6／℃に比べ随分大きく使用
できないものとなったのである。
多孔性セラミックス等は厚く形成することができなかっ
た。従って、厚い樹脂基板と積層した場合には、積層後
の全体の熱膨張係数を小さくすることはできなかった。
即ち、プラズマ溶射、ＣＶＤ，スパッタ等では０．２ｍ
ｍ以上の厚みとすることは困難であり、また銅箔の裏面
に溶着した状態で取り扱うためにも厚くできないのであ
り、これを０．６ｍｍ厚さのガラスエポキシ基板の両面
に０．２ｍｍ厚さのプリプレグを介して積層して、全体
の厚さ１．２ｍｍとした場合の熱膨張係数は１．３×１
０-5／℃と目的の７×１０-6／℃に比べ随分大きく使用
できないものとなったのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の経緯
に鑑みてなされたものでありその解決しようとする課題
は、銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミックスもしくは
多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂を含浸させた
複合絶縁材料層を使用しながら、且つ基板全体の熱膨張
係数を小さくすることにある。そして、本発明の目的は
半導体集積回路ＴＳＯＰやベアチップＩＣの熱膨張係数
に基板全体の熱膨張係数を近似させることにより、電子
部品との接続信頼性を向上させ且つ電子部品の破損を防
止することのできる複合プリント配線板を提供すること
にある。
に鑑みてなされたものでありその解決しようとする課題
は、銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミックスもしくは
多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂を含浸させた
複合絶縁材料層を使用しながら、且つ基板全体の熱膨張
係数を小さくすることにある。そして、本発明の目的は
半導体集積回路ＴＳＯＰやベアチップＩＣの熱膨張係数
に基板全体の熱膨張係数を近似させることにより、電子
部品との接続信頼性を向上させ且つ電子部品の破損を防
止することのできる複合プリント配線板を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明の採った手段は、実施例において使用する
符号を付して説明すると、「銅箔（１２）の裏面に溶着
した多孔性セラミックスもしくは多孔性ガラス質の空孔
間隙に熱硬化性樹脂を含浸させた複合絶縁材料層（１
３）を有するプリント配線板において、多孔性セラミッ
クスの空孔間隙に熱硬化性樹脂を含浸させたベース基板
（１１）と複合絶縁材料層（１３）とをプリプレグ（１
４）により積層させたことを特徴とする複合プリント配
線板（１０）」である。もしくは、「前記プリント配線
板において、セラミックス緻密体、４２ニッケル鉄合金
もしくはアラミド繊維強化熱硬化性樹脂のいづれか１つ
もしくは組み合わせたベース基板（１１）と複合絶縁材
料層（１３）とをプリプレグ（１４）により積層させた
ことを特徴とする複合プリント配線板（１０）」であ
る。
めに、本発明の採った手段は、実施例において使用する
符号を付して説明すると、「銅箔（１２）の裏面に溶着
した多孔性セラミックスもしくは多孔性ガラス質の空孔
間隙に熱硬化性樹脂を含浸させた複合絶縁材料層（１
３）を有するプリント配線板において、多孔性セラミッ
クスの空孔間隙に熱硬化性樹脂を含浸させたベース基板
（１１）と複合絶縁材料層（１３）とをプリプレグ（１
４）により積層させたことを特徴とする複合プリント配
線板（１０）」である。もしくは、「前記プリント配線
板において、セラミックス緻密体、４２ニッケル鉄合金
もしくはアラミド繊維強化熱硬化性樹脂のいづれか１つ
もしくは組み合わせたベース基板（１１）と複合絶縁材
料層（１３）とをプリプレグ（１４）により積層させた
ことを特徴とする複合プリント配線板（１０）」であ
る。
【０００９】
【作用】銅箔（１２）の裏面に溶着した多孔性セラミッ
クスもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂
を含浸させた複合絶縁材料層（１３）は熱膨張が５〜１
０×１０-6／℃と小さく、また熱放散性に優れたもので
ある。そしてこれと多孔性セラミックスの空孔に熱硬化
性樹脂を含浸させた熱膨張係数が２．５〜８×１０-6／
℃のベース基板（１１）もしくは熱膨張係数が２．５〜
７×１０-6／℃のセラミックス緻密体、熱膨張係数が略
６×１０-6／℃の４２ニッケル鉄合金もしくは熱膨張係
数が７〜１０×１０-6／℃のアラミド繊維強化熱硬化性
樹脂のいづれか１つもしくは組み合わせたベース基板
（１１）とをプリプレグにより積層させたので、全体の
熱膨張係数が１×１０-5／℃以下と小さなものになって
いる。ここで、複合プリント配線板（１０）全体の熱膨
張係数はセラミックスもしくはガラス質であればその組
成、多孔性セラミックスもしくはガラス質であれば空孔
間隙率、全体の基板厚みに占める複合絶縁材料層（１
３）及びベース基板（１１）の厚みにより決定される。
クスもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂
を含浸させた複合絶縁材料層（１３）は熱膨張が５〜１
０×１０-6／℃と小さく、また熱放散性に優れたもので
ある。そしてこれと多孔性セラミックスの空孔に熱硬化
性樹脂を含浸させた熱膨張係数が２．５〜８×１０-6／
℃のベース基板（１１）もしくは熱膨張係数が２．５〜
７×１０-6／℃のセラミックス緻密体、熱膨張係数が略
６×１０-6／℃の４２ニッケル鉄合金もしくは熱膨張係
数が７〜１０×１０-6／℃のアラミド繊維強化熱硬化性
樹脂のいづれか１つもしくは組み合わせたベース基板
（１１）とをプリプレグにより積層させたので、全体の
熱膨張係数が１×１０-5／℃以下と小さなものになって
いる。ここで、複合プリント配線板（１０）全体の熱膨
張係数はセラミックスもしくはガラス質であればその組
成、多孔性セラミックスもしくはガラス質であれば空孔
間隙率、全体の基板厚みに占める複合絶縁材料層（１
３）及びベース基板（１１）の厚みにより決定される。
【００１０】
【実施例】次に、本発明を実施例に従って詳細に説明す
る。図１には、本発明に関わる複合プリント配線板の１
実施例の断面図が示してある。この実施例の場合のベー
ス基板（１１）は多孔性セラミックスの空孔に熱硬化性
樹脂を含浸したものである。その製造方法は、まずコー
ジェライトまたはアルミナ組成のセラミックス原料をバ
インダーとともに混練し、ドクターブレイドによるシー
ト成形法かプレス成形法で板状に成形する。次にそれを
焼成して多孔性セラミックスとするのであるが、それは
焼成温度及び時間を調整することにより空孔率が決定さ
れる。即ち、セラミックス粒間の溶融を完全に行わせ
ず、接点のみの溶融に抑えることによって多孔性とす
る。本実施例では空孔率を略３０％とした。３０％は、
後の熱硬化性樹脂の含浸性と目的とする熱膨張率により
決定した。そして多孔性セラミックスに対して真空下で
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含浸し、１２０〜１
７０℃で６０〜３６０分加熱し熱硬化性樹脂を硬化させ
ベース基板（１１）を得た。なお、コージェライト組成
の場合のベース基板（１１）の熱膨張係数は略３．５×
１０-6／℃であった。上記実施例では他に、熱硬化性樹
脂として、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂等の一般に
プリント配線板材料に使用される熱硬化性樹脂が使用で
きた。
る。図１には、本発明に関わる複合プリント配線板の１
実施例の断面図が示してある。この実施例の場合のベー
ス基板（１１）は多孔性セラミックスの空孔に熱硬化性
樹脂を含浸したものである。その製造方法は、まずコー
ジェライトまたはアルミナ組成のセラミックス原料をバ
インダーとともに混練し、ドクターブレイドによるシー
ト成形法かプレス成形法で板状に成形する。次にそれを
焼成して多孔性セラミックスとするのであるが、それは
焼成温度及び時間を調整することにより空孔率が決定さ
れる。即ち、セラミックス粒間の溶融を完全に行わせ
ず、接点のみの溶融に抑えることによって多孔性とす
る。本実施例では空孔率を略３０％とした。３０％は、
後の熱硬化性樹脂の含浸性と目的とする熱膨張率により
決定した。そして多孔性セラミックスに対して真空下で
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含浸し、１２０〜１
７０℃で６０〜３６０分加熱し熱硬化性樹脂を硬化させ
ベース基板（１１）を得た。なお、コージェライト組成
の場合のベース基板（１１）の熱膨張係数は略３．５×
１０-6／℃であった。上記実施例では他に、熱硬化性樹
脂として、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂等の一般に
プリント配線板材料に使用される熱硬化性樹脂が使用で
きた。
【００１１】そして、このコージェライト組成の多孔性
セラミックスを使ったベース基板（１１）の両面に公知
のパターン形成法を使って銅の導体回路を形成し内層基
板としそれと、ガラス織布強化エポキシ樹脂プリプレグ
（１４）を介して、銅箔の裏面に多孔性セラミックスも
しくは多孔性ガラス質を溶着したものと積層プレスを行
い、適宜スルーホール穴明、メッキ、エッチング等を施
して、複合絶縁材料層（１３）及びベース基板（１１）
を有する複合プリント配線板（１０）を得た。
セラミックスを使ったベース基板（１１）の両面に公知
のパターン形成法を使って銅の導体回路を形成し内層基
板としそれと、ガラス織布強化エポキシ樹脂プリプレグ
（１４）を介して、銅箔の裏面に多孔性セラミックスも
しくは多孔性ガラス質を溶着したものと積層プレスを行
い、適宜スルーホール穴明、メッキ、エッチング等を施
して、複合絶縁材料層（１３）及びベース基板（１１）
を有する複合プリント配線板（１０）を得た。
【００１２】ここでプリプレグ（１４）はプリント配線
板に使用されるプリプレグが使用できるが、含浸した樹
脂が積層時に、銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミック
スもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙を埋めるように含
浸性の良い樹脂を選択する必要がある。ガラス織布は不
織布であってもよく、ガラスに替えてアラミド繊維でも
よく繊維の材質は限定されない。また、積層プレスは真
空下の低圧プレスが望ましく、オートクレーブ法がよ
い。その理由は、銅箔の裏面に溶着したセラミックス等
やベース基板（１１）のセラミックスに余分な圧力を加
えて破損させないためである。
板に使用されるプリプレグが使用できるが、含浸した樹
脂が積層時に、銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミック
スもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙を埋めるように含
浸性の良い樹脂を選択する必要がある。ガラス織布は不
織布であってもよく、ガラスに替えてアラミド繊維でも
よく繊維の材質は限定されない。また、積層プレスは真
空下の低圧プレスが望ましく、オートクレーブ法がよ
い。その理由は、銅箔の裏面に溶着したセラミックス等
やベース基板（１１）のセラミックスに余分な圧力を加
えて破損させないためである。
【００１３】こうして得た複合プリント配線板（１０）
の熱膨張係数は複合絶縁材料層（１３）に使用した多孔
性セラミックス等の組成の種類（Ａ）、その厚さ
（Ｂ）、ベース基板（１１）に使用した多孔性セラミッ
クスの組成の種類（Ｃ）、その空孔率（Ｄ）、その厚さ
（Ｄ）及び介在する０．１ｍｍプリプレグの枚数（Ｅ）
によって決定される。その数例を表１に示す。
の熱膨張係数は複合絶縁材料層（１３）に使用した多孔
性セラミックス等の組成の種類（Ａ）、その厚さ
（Ｂ）、ベース基板（１１）に使用した多孔性セラミッ
クスの組成の種類（Ｃ）、その空孔率（Ｄ）、その厚さ
（Ｄ）及び介在する０．１ｍｍプリプレグの枚数（Ｅ）
によって決定される。その数例を表１に示す。
【００１４】 表１ Ｉ ＩＩ ＩＩＩ ───────────────────────────────── （Ａ） コージェライト アルミナ アルミナ （Ｂ） ０．１ｍｍ ０．１ｍｍ ０．１ｍｍ （Ｃ） コージェライト コージェライト コージェライト （Ｄ） ０．６ｍｍ １．０ｍｍ ０．６ｍｍ （Ｅ） 表裏とも２枚 表裏とも２枚 表裏とも２枚 総厚さ １．２ｍｍ １．６ｍｍ １．２ｍｍ ───────────────────────────────── 熱膨張係数４×１０-6／℃ ７×１０-6／℃ ８×１０-6／℃
【００１５】なお、表１のＩの複合プリント配線板（１
０）は熱膨張係数が半導体ベアチップのそれに非常に近
く、１０ｍｍ角以上の大型チップ向けや、フリップチッ
プ実装に好適である。またＩＩ、ＩＩＩは熱膨張係数が
ＴＳＯＰのそれに近く、ＴＳＯＰの実装に好適な他、表
面がアルミナであるため放熱性に優れた特徴がある。ま
た、複合絶縁材料層（１３）及びベース基板（１１）は
ともに多孔質であり空孔間隙に熱硬化性樹脂が含浸され
ているのでドリルによる穴明が容易であるが、ドリルの
磨耗が早いのでダイアモンドドリルを使用するとよい。
また、以上は４層基板について述べたが、４層に限定さ
れず１層以上の導体層があればよい。絶縁層の構成は、
反り等を考慮すると、ベース基板（１１）の両側にプリ
プレグ（１４）層を同じ厚さで有し、複合絶縁材料層
（１３）もその両側に設けることが望ましい。また、上
記ベース基板（１１）として、コージェライト、アルミ
ナ、ムライト等のセラミックス緻密体、４２ニッケル鉄
合金を使用することによっても、低熱膨張の複合プリン
ト配線板（１０）を得ることができる。セラミックス緻
密体の場合でスルーホールを必要とするなら、グリーン
シートの状態でスルーホールに相当する箇所に予めスル
ーホールよりも大きな穴を形成しておいて焼成し、最終
的に積層を完了後樹脂で含浸されたその穴にスルーホー
ルを位置合わせすればよい。ただし、緻密体は焼成時に
焼き縮みが大きいので注意を要す。また、４２ニッケル
鉄合金を使用する場合は、積層前に予め必要に応じたパ
ターン形状に形成しておく必要がある。また、さらにベ
ース基板（１１）は熱膨張係数が小さく複合絶縁材料層
（１３）との積層後の熱膨張係数を大きく損なうことが
ないアラミド繊維強化熱硬化性樹脂とすることもでき
る。セラミックス緻密体あるいはニッケル鉄合金もしく
はアラミド繊維強化熱硬化性樹脂の種類（Ｆ）、その厚
さ（Ｇ）と複合プリント配線板（１０）の熱膨張係数の
数例を表２に示す。
０）は熱膨張係数が半導体ベアチップのそれに非常に近
く、１０ｍｍ角以上の大型チップ向けや、フリップチッ
プ実装に好適である。またＩＩ、ＩＩＩは熱膨張係数が
ＴＳＯＰのそれに近く、ＴＳＯＰの実装に好適な他、表
面がアルミナであるため放熱性に優れた特徴がある。ま
た、複合絶縁材料層（１３）及びベース基板（１１）は
ともに多孔質であり空孔間隙に熱硬化性樹脂が含浸され
ているのでドリルによる穴明が容易であるが、ドリルの
磨耗が早いのでダイアモンドドリルを使用するとよい。
また、以上は４層基板について述べたが、４層に限定さ
れず１層以上の導体層があればよい。絶縁層の構成は、
反り等を考慮すると、ベース基板（１１）の両側にプリ
プレグ（１４）層を同じ厚さで有し、複合絶縁材料層
（１３）もその両側に設けることが望ましい。また、上
記ベース基板（１１）として、コージェライト、アルミ
ナ、ムライト等のセラミックス緻密体、４２ニッケル鉄
合金を使用することによっても、低熱膨張の複合プリン
ト配線板（１０）を得ることができる。セラミックス緻
密体の場合でスルーホールを必要とするなら、グリーン
シートの状態でスルーホールに相当する箇所に予めスル
ーホールよりも大きな穴を形成しておいて焼成し、最終
的に積層を完了後樹脂で含浸されたその穴にスルーホー
ルを位置合わせすればよい。ただし、緻密体は焼成時に
焼き縮みが大きいので注意を要す。また、４２ニッケル
鉄合金を使用する場合は、積層前に予め必要に応じたパ
ターン形状に形成しておく必要がある。また、さらにベ
ース基板（１１）は熱膨張係数が小さく複合絶縁材料層
（１３）との積層後の熱膨張係数を大きく損なうことが
ないアラミド繊維強化熱硬化性樹脂とすることもでき
る。セラミックス緻密体あるいはニッケル鉄合金もしく
はアラミド繊維強化熱硬化性樹脂の種類（Ｆ）、その厚
さ（Ｇ）と複合プリント配線板（１０）の熱膨張係数の
数例を表２に示す。
【００１６】 表２ ＩＶ Ｖ ＶＩ ───────────────────────────────── （Ａ） コージェライト コージェライト コージェライト （Ｂ） ０．１ｍｍ ０．１ｍｍ ０．１ｍｍ （Ｆ） ムライト ４２ニッケル鉄 アラミド強化樹脂 （Ｇ） ０．６ｍｍ ０．２５ｍｍ ０．５ｍｍ （Ｅ） 表裏とも２枚 表裏とも２枚 アラミド強化樹脂 総厚さ １．２ｍｍ ０．８５ｍｍ １．２ｍｍ ───────────────────────────────── 熱膨張係数５×１０-6／℃ ７×１０-6／℃ ８×１０-6／℃ こうして得た複合プリント配線板は、多数の半導体ＴＳ
ＯＰやベアチップＩＣを搭載したメモリーモジュール等
のマルチチップモジュールや高発熱のパワーデバイス等
の電子部品や半導体集積回路パッケージを搭載したマザ
ーボート等の用途に好適である。
ＯＰやベアチップＩＣを搭載したメモリーモジュール等
のマルチチップモジュールや高発熱のパワーデバイス等
の電子部品や半導体集積回路パッケージを搭載したマザ
ーボート等の用途に好適である。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の複合プリン
ト配線板にあっては半導体集積回路ＴＳＯＰやベアチッ
プに熱膨張係数を近似させることができ、電子部品の接
続信頼性を向上させ電子部品の破損を防止できる。ま
た、構成材料の種類、厚さ等を種々変化させることがで
き、いろんな電子部品との熱膨張の整合を行ったり、放
熱性を改善したりすることも可能である。
ト配線板にあっては半導体集積回路ＴＳＯＰやベアチッ
プに熱膨張係数を近似させることができ、電子部品の接
続信頼性を向上させ電子部品の破損を防止できる。ま
た、構成材料の種類、厚さ等を種々変化させることがで
き、いろんな電子部品との熱膨張の整合を行ったり、放
熱性を改善したりすることも可能である。
【図１】本発明に係わる複合プリント配線板の１実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】本発明に係わる複合プリント配線板の別の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１０ 複合プリント配線板 １１ ベース基板 １２ 導体回路 １３ 複合絶縁材料層 １４ プリプレグ
Claims (2)
- 【請求項１】 銅箔の裏面に溶着した多孔性セラミック
スもしくは多孔性ガラス質の空孔間隙に熱硬化性樹脂を
含浸させた複合絶縁材料層を有するプリント配線板にお
いて、多孔性セラミックスの空孔間隙に熱硬化性樹脂を
含浸させたベース基板と前記複合絶縁材料層とをプリプ
レグにより積層させたことを特徴とする複合プリント配
線板。 - 【請求項２】 請求項１記載のプリント配線板におい
て、セラミックス緻密体、４２ニッケル鉄合金もしくは
アラミド繊維強化熱硬化性樹脂のいづれか１つもしくは
組み合わせたベース基板と前記複合絶縁材料層とをプリ
プレグにより積層させたことを特徴とする複合プリント
配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24898691A JPH0590720A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 複合プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24898691A JPH0590720A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 複合プリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590720A true JPH0590720A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17186329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24898691A Pending JPH0590720A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 複合プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19961842A1 (de) * | 1999-12-21 | 2001-07-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Mehrschichtleiterplatte |
| WO2013097126A1 (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | 广东生益科技股份有限公司 | 电路基板及其制作方法 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24898691A patent/JPH0590720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19961842A1 (de) * | 1999-12-21 | 2001-07-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Mehrschichtleiterplatte |
| WO2013097126A1 (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | 广东生益科技股份有限公司 | 电路基板及其制作方法 |
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