JPH0590211A - Device and method for vacuum treatment - Google Patents
Device and method for vacuum treatmentInfo
- Publication number
- JPH0590211A JPH0590211A JP25120791A JP25120791A JPH0590211A JP H0590211 A JPH0590211 A JP H0590211A JP 25120791 A JP25120791 A JP 25120791A JP 25120791 A JP25120791 A JP 25120791A JP H0590211 A JPH0590211 A JP H0590211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- temperature
- processed
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の製造に
おけるドライエッチング、アッシング、スパッタリン
グ、ＣＶＤ等を行う際に用いる真空処理装置、及び真空
処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method used when performing dry etching, ashing, sputtering, CVD and the like in the manufacture of semiconductor devices and the like.
【０００２】近年の半導体装置の製造においては、高集
積化の要求に伴って絶縁層や配線層の薄膜化や、膜質の
向上、マスクパターンどおりの精密な加工が必要になっ
てきている。そのためには、実際に加工した被処理基板
の表面状態を様々な角度から分析、評価して、この結果
をもとに精密加工を実現することが必要になる。In recent years in the manufacture of semiconductor devices, it has become necessary to reduce the thickness of insulating layers and wiring layers, improve the film quality, and perform precise processing according to a mask pattern, in accordance with the demand for higher integration. For that purpose, it is necessary to analyze and evaluate the surface condition of the actually processed substrate from various angles and to realize precision processing based on this result.
【０００３】[0003]
【従来の技術】以上のような背景に基づき、各種分析装
置を設けて被処理基板表面の分析を行うことのできる真
空処理装置が開発されている。このような装置は、例え
ば特公平3-24776 号公報に示されている。2. Description of the Related Art Based on the background described above, a vacuum processing apparatus has been developed which is capable of analyzing the surface of a substrate to be processed by providing various analyzing apparatuses. Such a device is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 3-24776.
【０００４】図１１は、この従来の真空処理装置である
ドライエッチング装置を説明するための図であり、３１
は準備室、３２はエッチング室、３３は熱処理室、３４
は分析室である。各室はゲートバルブ３５を介して接続
されている。これらの室間の試料の転送はロードロック
機構により行われるもので、まず準備室３１からエッチ
ング室３２に送られた被処理基板は、エッチング処理さ
れる。その後熱処理室３３に送られ、ここで表面の結晶
状態の分析により損傷度を評価して、この結果に応じて
高温処理し損傷回復を計る。FIG. 11 is a diagram for explaining a dry etching apparatus which is the conventional vacuum processing apparatus.
Is a preparation room, 32 is an etching room, 33 is a heat treatment room, and 34 is
Is the analysis room. The chambers are connected via a gate valve 35. The sample is transferred between these chambers by a load lock mechanism. First, the substrate to be processed sent from the preparation chamber 31 to the etching chamber 32 is subjected to etching treatment. After that, it is sent to the heat treatment chamber 33, where the degree of damage is evaluated by analyzing the crystal state of the surface, and high temperature treatment is performed according to this result to measure damage recovery.
【０００５】分析室３４には、エッチング前あるいはエ
ッチング後の被処理基板が送られ、表面分析を行って、
この結果に応じて次の処理の設定がなされる。このよう
な装置によれば、処理室と分析室とが直接接続されてお
り、この間の真空状態を保持したまま被処理基板を搬送
することが可能なため、大気に曝されることによる変質
がない状態で分析ができる。A substrate to be processed before or after etching is sent to the analysis chamber 34 for surface analysis.
The next process is set according to the result. According to such an apparatus, since the processing chamber and the analysis chamber are directly connected to each other and the substrate to be processed can be transferred while maintaining the vacuum state between them, deterioration due to exposure to the atmosphere is prevented. It can be analyzed without it.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな真空処理装置においては、例えばエッチング後被処
理基板表面に付着している反応生成物を分析しようとす
る場合に、測定時のイオンや電子照射による温度上昇の
ために、反応生成物が熱脱離したり、超高真空の分析室
に導入されるだけで蒸気圧の比較的高い物質は気化して
しまう。However, in such a vacuum processing apparatus, for example, when trying to analyze a reaction product adhering to the surface of the substrate to be processed after etching, ion or electron irradiation at the time of measurement is carried out. Due to the temperature rise due to, the reaction product is thermally desorbed or the substance having a relatively high vapor pressure is vaporized only by being introduced into the ultrahigh vacuum analysis chamber.
【０００７】このように、従来装置では分析時に被処理
基板表面が変化してしまうために、正確な分析ができな
いという問題がある。As described above, the conventional apparatus has a problem that the surface of the substrate to be processed changes during the analysis, so that accurate analysis cannot be performed.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、図１に示すように、被処理基板３を真空
中において処理する真空処理装置であり、真空排気され
ており被処理基板３に対して処理を行う処理室１と、該
処理室１に接続していると共に真空排気され被処理基板
３の表面の状態を分析する分析室２と、該処理室１と分
析室２の間を真空状態を保持したまま被処理基板３を移
送する移送手段４と、被処理基板３の温度を常時管理す
る温度管理手段５とを有する構成とする。In order to solve the above problems, the present invention is a vacuum processing apparatus for processing a substrate 3 to be processed in vacuum as shown in FIG. A processing chamber 1 for processing a substrate 3, an analysis chamber 2 connected to the processing chamber 1 for analyzing the surface condition of a substrate 3 to be evacuated, and the processing chamber 1 and the analysis chamber 2 A transfer means 4 for transferring the substrate 3 to be processed while maintaining a vacuum state between them and a temperature management means 5 for constantly managing the temperature of the substrate 3 to be processed are configured.
【０００９】[0009]
【作用】上記手段によれば、真空処理装置において、常
時温度管理をして被処理基板を所望の温度に設定できる
ため、分析時における被処理基板の温度変化で反応生成
物の脱離等がなく、正確な分析を行うことができる。According to the above-mentioned means, in the vacuum processing apparatus, the temperature of the substrate to be processed can be set to a desired temperature by constantly controlling the temperature. Therefore, desorption of reaction products due to temperature change of the substrate to be processed during analysis can be prevented. Without, accurate analysis can be performed.
【００１０】[0010]
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。図１は、本発明をエッチング装置に
適用した第一の実施例を示す装置全体図であり、図２〜
図８は、図１における各部分の詳細を説明するための図
である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1 is an overall view of an apparatus showing a first embodiment in which the present invention is applied to an etching apparatus.
FIG. 8 is a diagram for explaining the details of each part in FIG.
【００１１】図中１はエッチング処理室、２は分析室、
３は半導体ウエハ、４は移送手段であるトランスファー
ロッド、５は温度管理手段、６，７は、温度管理手段を
構成する温度測定部，温度昇降部、８は処理室１と分析
室２との間に介在されるゲートバルブである。In the figure, 1 is an etching chamber, 2 is an analysis chamber,
3 is a semiconductor wafer, 4 is a transfer rod as a transfer means, 5 is a temperature control means, 6 and 7 are a temperature measurement part and a temperature elevating part which constitute the temperature control means, and 8 is a processing chamber 1 and an analysis chamber 2. It is a gate valve interposed between them.
【００１２】まず、図１を参照しながら本装置における
処理の概要を簡単に説明する。半導体ウエハ３をトラン
スファロッド４の先端に支持して処理室１内に移送し、
ここでエッチング処理を行う。その後ゲートバルブ８を
開き、ウエハ３をトランスファロッド４により真空状態
を保ったまま分析室２に移送して、ゲートバルブ８を閉
じる。First, the outline of the processing in this apparatus will be briefly described with reference to FIG. The semiconductor wafer 3 is supported by the tip of the transfer rod 4 and transferred into the processing chamber 1,
Etching is performed here. After that, the gate valve 8 is opened, the wafer 3 is transferred by the transfer rod 4 to the analysis chamber 2 while maintaining the vacuum state, and the gate valve 8 is closed.
【００１３】この分析室２において、ウエハ３の表面の
状態を分析して、この分析結果に基づき処理室１で行う
次の処理の設定を行う。トランスファロッド４には温度
測定部６，温度昇降部７に接続される温度計及び加熱冷
却手段が内蔵されており先端のウエハ３との接触部まで
延びている。この温度計によりウエハ３の温度を測り、
これを温度測定部６で認識して、この結果に基づいて温
度昇降部７側へデータ出力する。In the analysis chamber 2, the state of the surface of the wafer 3 is analyzed, and the next process performed in the processing chamber 1 is set based on the analysis result. The transfer rod 4 has a built-in thermometer and heating / cooling means connected to the temperature measuring unit 6 and the temperature elevating / lowering unit 7, and extends to the contact portion with the tip of the wafer 3. This thermometer measures the temperature of the wafer 3,
The temperature measuring unit 6 recognizes this and outputs data to the temperature elevating / lowering unit 7 side based on the result.
【００１４】これを受けた温度昇降部７は、データに応
じてトランスファロッド４に内蔵され先端まで延びる加
熱冷却手段を制御してウエハ３の温度を設定する。この
ような状態のもとで分析を行うことで、ウエハ３の表面
をエッチング処理されたそのままの状態に保つことがで
き、正確な分析が可能になる。In response to the data, the temperature elevating / lowering unit 7 controls the heating / cooling means built in the transfer rod 4 and extending to the tip of the transfer rod 4 to set the temperature of the wafer 3. By performing the analysis under such a condition, the surface of the wafer 3 can be kept as it is after being subjected to the etching treatment, and the accurate analysis can be performed.
【００１５】図２は、温度管理手段の具体的構成を示す
図である。温度管理手段５における温度測定部６からは
熱電対あるいは光ファイバによる温度計６ａが延びてト
ランスファロッド４内を通りウエハ３に接触している。
また温度昇降部７はウエハ３の近傍にありウエハ３を加
熱あるいは冷却するための冷媒、例えば水、アルコー
ル、フロリナート、シリコーンオイル、これらの混合物
が入れられた水槽７ａに接続されており、この水の温度
を調節できるようになっている。FIG. 2 is a diagram showing a specific structure of the temperature control means. A thermometer 6a formed of a thermocouple or an optical fiber extends from the temperature measuring section 6 of the temperature control means 5 and passes through the transfer rod 4 to contact the wafer 3.
Further, the temperature raising / lowering unit 7 is located in the vicinity of the wafer 3 and is connected to a water tank 7a containing a coolant for heating or cooling the wafer 3, for example, water, alcohol, Fluorinert, silicone oil, or a mixture thereof. The temperature can be adjusted.
【００１６】また、温度測定部６から延びる温度計は赤
外線放射温度計６ｂでもよい。この場合には外部から入
射窓９を通して赤外線をウエハ３に放射して、その反射
状態を検出するすることにより温度を測定する。入射窓
としては、常温程度の物体が放出する１０μｍ前後の波
長を透過するＺｎＳあるいはＺｎＳｅ等の材料を使用す
る。Further, the thermometer extending from the temperature measuring section 6 may be an infrared radiation thermometer 6b. In this case, infrared rays are radiated to the wafer 3 from the outside through the incident window 9 and the reflection state thereof is detected to measure the temperature. For the entrance window, a material such as ZnS or ZnSe that transmits a wavelength of about 10 μm emitted by an object at room temperature is used.
【００１７】更に、本実施例ではウエハ３の温度調節は
水槽中の水の温度を変えることで行っているが、常時冷
却水あるいは液化窒素を循環する水槽をウエハ３の近傍
に設置して、ヒータの加熱により温度調節することも可
能である。（図示なし）尚、図２において熱電対や光フ
ァイバによる温度計６ａと赤外線放射温度計６ｂとが併
せて示されているが、何れか一方が設けられていればよ
い。Further, in the present embodiment, the temperature of the wafer 3 is adjusted by changing the temperature of the water in the water tank. However, a water tank for constantly circulating cooling water or liquefied nitrogen is installed near the wafer 3, It is also possible to adjust the temperature by heating the heater. Although not shown in the drawing, the thermometer 6a and the infrared radiation thermometer 6b using a thermocouple or an optical fiber are shown together in FIG. 2, but either one may be provided.
【００１８】図３は、トランスファロッド４におけるウ
エハの支持状態を示す図である。トランスファロッド４
の先端には、電圧を加えることでウエハ３を静電吸着す
る吸着板１０あるいはクランプ１１が備えられており、
ウエハ３を支持して移送可能となっている。図３では両
方の支持手段が示されているが、何れか一方が設けられ
ていればよい。FIG. 3 is a view showing a wafer supporting state on the transfer rod 4. Transfer rod 4
Is provided with a chucking plate 10 or a clamp 11 for electrostatically chucking the wafer 3 by applying a voltage,
The wafer 3 can be supported and transferred. Although both supporting means are shown in FIG. 3, only one of them may be provided.
【００１９】図４は、容量型のプラズマエッチングを行
う場合の処理室１及びトランスファロッド４の構成を示
す図である。トランスファロッド４内にはマッチングボ
ックス１２及び高周波電源に接続されて高周波電力を導
くケーブルが導入され、先端のウエハ３の接触部分まで
延びている。このような装置で、ガス供給口１４から反
応ガスを導入すると共に高周波電力をかけることで平行
平板の容量型のリアクタとして反応ガスを励起してウエ
ハ３との化学反応を起こさせ、エッチングを行う。FIG. 4 is a diagram showing the construction of the processing chamber 1 and the transfer rod 4 when performing capacitive plasma etching. A cable that is connected to the matching box 12 and the high frequency power source and guides the high frequency power is introduced into the transfer rod 4, and extends to the contact portion of the wafer 3 at the tip. In such an apparatus, by introducing a reaction gas from the gas supply port 14 and applying high frequency power, the reaction gas is excited as a parallel plate capacitive reactor to cause a chemical reaction with the wafer 3 to perform etching. ..
【００２０】図５は、誘導コイル型のプラズマエッチン
グを行う場合の処理室１の構成を示す図である。処理室
１の周囲には、マッチングボックス１２及び高周波電源
に接続されたコイル１５が巻かれてあり、高周波電力を
導入することにより誘導型リアクタとして、ガス供給口
１４から供給されるガスを励起してエッチングを行う。FIG. 5 is a diagram showing the construction of the processing chamber 1 when performing induction coil type plasma etching. A coil 15 connected to a matching box 12 and a high frequency power source is wound around the processing chamber 1, and the high frequency power is introduced to excite the gas supplied from the gas supply port 14 as an inductive reactor. Etching.
【００２１】図６は、処理室１をダウンフローチャンバ
とするための構成を示す図である。処理室１の上方には
導波管２０を介してマグネトロン１９が接続される発光
室１６が設けられる。この発光室１６はその上面に石英
板１７を有していると共に下面には処理室１との間をし
きるための導体でできたパンチングボード１８が設けら
れている。FIG. 6 is a diagram showing a structure for making the processing chamber 1 a downflow chamber. A light emitting chamber 16 to which a magnetron 19 is connected via a waveguide 20 is provided above the processing chamber 1. The light emitting chamber 16 has a quartz plate 17 on its upper surface, and a punching board 18 made of a conductor for separating the space between the light emitting chamber 16 and the processing chamber 1 is provided on the lower surface.
【００２２】このような装置において、マグネトロン１
９で発生させたマイクロ波は導波管２０及び石英管１７
を通して発光室１６に導入され、これにより反応ガスが
プラズマ化される。In such a device, the magnetron 1
The microwave generated in 9 is the waveguide 20 and the quartz tube 17
Is introduced into the light emitting chamber 16 through the gas, and the reaction gas is turned into plasma.
【００２３】図７は、紫外線又はレーザ照射により反応
ガスを励起するための構成を示す図である。紫外光源
（又はレーザ光源）２１からの紫外線（又はレーザ）を
入射窓２２から入射することで処理室１のガス供給口１
４から供給される反応ガスの励起を行う。反応ガスとし
て例えば塩素ガスを用いる場合には塩素分子を解離でき
る400nm 以下の波長を持った低圧水銀ランプ、あるいは
ＡｒＦ，ＫｒＦのエキシマレーザを用いる。FIG. 7 is a diagram showing a structure for exciting the reaction gas by irradiation with ultraviolet rays or laser. When the ultraviolet light (or laser) from the ultraviolet light source (or laser light source) 21 enters through the entrance window 22, the gas supply port 1 of the processing chamber 1
The reaction gas supplied from No. 4 is excited. When chlorine gas is used as the reaction gas, a low-pressure mercury lamp having a wavelength of 400 nm or less that can dissociate chlorine molecules or an ArF or KrF excimer laser is used.
【００２４】図８は、分析室２の具体的構成を示す図で
ある。分析のための１次プローブとしてＸ線源２３、電
子銃２４及びイオン銃２５を備えてると共に、光電子分
光法、オージェ電子分光法、低速イオン散乱分光法に必
要な半球型エネルギーアナライザ２６有している。これ
により電子及びイオンの運動エネルギーを測定すること
で、ウエハ３表面の元素の同定や化学的状態を分析する
ことができる。FIG. 8 is a diagram showing a specific structure of the analysis room 2. An X-ray source 23, an electron gun 24 and an ion gun 25 are provided as a primary probe for analysis, and a hemispherical energy analyzer 26 necessary for photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and slow ion scattering spectroscopy is also provided. There is. Thus, by measuring the kinetic energy of electrons and ions, it is possible to identify the element on the surface of the wafer 3 and analyze the chemical state.
【００２５】また、ウエハ３に照射して反射及び回折し
た電子線を投影するスクリーン２７を備え、低速電子回
折法及び反射高速電子線回折法により表面原子の物理的
配列を分析することができる。Further, a screen 27 for irradiating the wafer 3 and projecting the reflected and diffracted electron beams is provided, and the physical arrangement of surface atoms can be analyzed by the slow electron diffraction method and the reflected high energy electron diffraction method.
【００２６】更に、四重極質量分析器２８を備え、ウエ
ハ３の温度を変化させることで熱脱離分光法を行い、熱
脱離する物質を同定することができる。図９及び図１０
は、他の実施例を説明する装置全体図である。Further, the quadrupole mass analyzer 28 is provided, and the thermal desorption spectroscopy can be performed by changing the temperature of the wafer 3 to identify the substance to be thermally desorbed. 9 and 10
[FIG. 6] is an overall view of an apparatus for explaining another embodiment.
【００２７】図９は、処理室１の圧力と分析室２の圧力
との差、例えば処理室１が１×10-5〜数Torrで、分析室
２が10-8以下というような場合にその圧力差を考慮して
処理室１と分析室２との間に差動排気室２９を設けてい
る。FIG. 9 shows the difference between the pressure in the processing chamber 1 and the pressure in the analysis chamber 2, for example, when the processing chamber 1 has a pressure of 1 × 10 −5 to several Torr and the analysis chamber 2 has a pressure of 10 −8 or less. A differential exhaust chamber 29 is provided between the processing chamber 1 and the analysis chamber 2 in consideration of the pressure difference.
【００２８】また図１０は、差動排気室２９にロードロ
ック室３０を接続して、ウエハ３を交換する場合に処理
室１及び分析室２が大気に曝されることがないように構
成したものである。Further, in FIG. 10, the load lock chamber 30 is connected to the differential exhaust chamber 29 so that the processing chamber 1 and the analysis chamber 2 are not exposed to the atmosphere when the wafer 3 is exchanged. It is a thing.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明によれば、被処理基板表面の分析
を行うにあたり、被処理基板が大気に曝されることがな
いと共に、常に所望の温度になるように温度管理できる
ために、被処理基板の表面状態が変化することがなく、
処理された状態のままでの有効な分析が可能となる。According to the present invention, when the surface of a substrate to be processed is analyzed, the substrate to be processed is not exposed to the atmosphere, and the temperature can be controlled so that it is always at a desired temperature. The surface condition of the processed substrate does not change,
It enables effective analysis in the as-processed state.
【図１】本発明の一実施例を説明するエッチング装置の
全体図である。FIG. 1 is an overall view of an etching apparatus for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】図１における温度管理手段の構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of temperature management means in FIG.
【図３】図１におけるトランスファロッドのウエハ支持
状態を示す図である。3 is a diagram showing a wafer supporting state of a transfer rod in FIG.
【図４】図１において容量型のプラズマエッチングを行
う場合の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration when performing capacitive plasma etching in FIG.
【図５】図１において誘導コイル型のプラズマエッチン
グを行う場合の構成を示す図である。5 is a diagram showing a configuration in the case of performing induction coil type plasma etching in FIG.
【図６】図１における処理室をダウンフローチャンバと
する場合の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration when the processing chamber in FIG. 1 is a downflow chamber.
【図７】図１における処理室に紫外線又はレーザ照射を
行う場合の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration in the case where the processing chamber in FIG. 1 is irradiated with ultraviolet rays or laser.
【図８】図１における分析室の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of an analysis room in FIG.
【図９】差動排気室を設けた装置の例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of an apparatus provided with a differential exhaust chamber.
【図１０】差動排気室及びロードロック室を設けた例を
示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example in which a differential exhaust chamber and a load lock chamber are provided.
【図１１】従来の真空処理装置（ドライエッチング装
置）を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a conventional vacuum processing apparatus (dry etching apparatus).
１・・・処理室 ２・・・分析室 ３・・・半導体ウエハ ４・・・トランスファロッド ５・・・温度管理手段 ６・・・温度測定部 ７・・・温度昇降部 1 ... Processing room 2 ... Analysis room 3 ... Semiconductor wafer 4 ... Transfer rod 5 ... Temperature control means 6 ... Temperature measuring unit 7 ... Temperature raising / lowering unit
Claims (4)
る真空処理装置であり、 真空排気され被処理基板(3) に対して処理を行う処理室
(1) と、 該処理室(1) に接続されており、真空排気され被処理基
板(3) の表面の状態を分析する分析室(2) と、 該処理室(1) と分析室(2) の間を真空状態を保持したま
ま被処理基板(3) を移送する移送手段(4) と、 被処理基板(3) の温度を管理する温度管理手段(5) とを
有することを特徴とする真空処理装置。1. A vacuum processing apparatus for processing a substrate (3) to be processed in a vacuum, wherein the processing chamber is evacuated to perform processing on the substrate (3) to be processed.
(1), an analysis chamber (2) that is connected to the processing chamber (1) and is evacuated to analyze the surface state of the substrate (3) to be processed, and the processing chamber (1) and the analysis chamber ( It has a transfer means (4) for transferring the substrate (3) to be processed while keeping a vacuum state between (2) and a temperature control means (5) for controlling the temperature of the substrate (3) to be processed. Vacuum processing equipment.
(3) の温度を測定する温度測定部(6) と、該温度測定部
(6) の測定結果に基づき被処理基板(3) の温度を昇降さ
せる温度昇降部(7) とからなることを特徴とする請求項
１記載の真空処理装置。2. The temperature control means (5) is a substrate to be processed.
A temperature measuring unit (6) for measuring the temperature of (3), and the temperature measuring unit
The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising a temperature elevating unit (7) for elevating the temperature of the substrate (3) to be processed based on the measurement result of (6).
の被処理基板(3) との接触部に接続されていることを特
徴とする請求項１記載の真空処理装置。3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature control means (5) is connected to a contact portion of the transfer means with the substrate to be processed (3).
空処理方法であり、 前記温度管理手段(5) により常時温度管理しながら、前
記処理室(1) で処理を行う工程と、前記分析室(2) によ
り分析を行う工程とがなされることを特徴とする真空処
理方法。4. A vacuum processing method for processing a substrate to be processed in a vacuum, comprising the steps of: performing processing in the processing chamber (1) while constantly controlling the temperature by the temperature control means (5); and the analysis chamber. (2) The step of performing the analysis according to (2) is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25120791A JPH0590211A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Device and method for vacuum treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25120791A JPH0590211A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Device and method for vacuum treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590211A true JPH0590211A (en) | 1993-04-09 |
Family
ID=17219293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25120791A Withdrawn JPH0590211A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Device and method for vacuum treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590211A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07198342A (en) * | 1993-11-09 | 1995-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Thin-film-thickness measuring device |
| JPH0943174A (en) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Jeol Ltd | Surface analyzer with plasma etching unit |
| JP2004319723A (en) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Fujitsu Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
| USRE40225E1 (en) | 1993-11-09 | 2008-04-08 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Two-dimensional beam deflector |
| JP2008527753A (en) * | 2005-01-18 | 2008-07-24 | ポイント ３５ マイクロストラクチャーズ リミテッド | Improved method and apparatus for monitoring the etching of microstructures |
| JP2016046444A (en) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | シャープ株式会社 | Deposition/analysis composite device, control method of deposition/analysis composite device, and vacuum chamber |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25120791A patent/JPH0590211A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07198342A (en) * | 1993-11-09 | 1995-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Thin-film-thickness measuring device |
| USRE40225E1 (en) | 1993-11-09 | 2008-04-08 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Two-dimensional beam deflector |
| USRE41906E1 (en) | 1993-11-09 | 2010-11-02 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Two dimensional beam deflector |
| JPH0943174A (en) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Jeol Ltd | Surface analyzer with plasma etching unit |
| JP2004319723A (en) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Fujitsu Ltd | Semiconductor manufacturing equipment |
| JP4497832B2 (en) * | 2003-04-16 | 2010-07-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor manufacturing equipment |
| JP2008527753A (en) * | 2005-01-18 | 2008-07-24 | ポイント ３５ マイクロストラクチャーズ リミテッド | Improved method and apparatus for monitoring the etching of microstructures |
| JP2016046444A (en) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | シャープ株式会社 | Deposition/analysis composite device, control method of deposition/analysis composite device, and vacuum chamber |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8671879B2 (en) | Systems and methods for plasma processing of microfeature workpieces | |
| KR860002082B1 (en) | Forming method and apparatus of resistor pattern | |
| US8858753B2 (en) | Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method | |
| JPH1031039A (en) | Measuring device and measuring method | |
| US8129202B2 (en) | Plasma doping method and apparatus | |
| US20060228818A1 (en) | Edge temperature compensation in thermal processing particularly useful for SOI wafers | |
| JPS60258915A (en) | Method and device for depositing laser chemical phase | |
| US5707692A (en) | Apparatus and method for processing a base substance using plasma and a magnetic field | |
| WO2020110192A1 (en) | Plasma processing device and sample processing method using same | |
| US6976782B1 (en) | Methods and apparatus for in situ substrate temperature monitoring | |
| JPH0590211A (en) | Device and method for vacuum treatment | |
| US5804923A (en) | Plasma processing apparatus having a protected microwave transmission window | |
| JP2811026B2 (en) | Semiconductor processing method and apparatus | |
| JP3563214B2 (en) | Plasma etching method | |
| JP3517400B2 (en) | Temperature measuring device for etching equipment | |
| JP2007103604A (en) | Etching method and processor | |
| JPH09213652A (en) | Laser annealing device | |
| WO2022239683A1 (en) | Substrate processing device and method for measuring process gas temperature and concentration | |
| JP3490753B2 (en) | Pattern drawing equipment | |
| US20220415672A1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate | |
| JPH11126811A (en) | Impurity measuring method and device | |
| JP2023169638A (en) | Film thickness measurement method and substrate processing device | |
| JP2022098599A (en) | Substrate processing device, substrate processing method, and uv irradiation unit | |
| JPH0634244U (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| TW202247710A (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |