JPH0588562B2 - - Google Patents
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- JPH0588562B2 JPH0588562B2 JP60079484A JP7948485A JPH0588562B2 JP H0588562 B2 JPH0588562 B2 JP H0588562B2 JP 60079484 A JP60079484 A JP 60079484A JP 7948485 A JP7948485 A JP 7948485A JP H0588562 B2 JPH0588562 B2 JP H0588562B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/45—Differential amplifiers
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- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は少なくとも部分的に反転入力端子で受
け取られた入力信号を増幅して出力端子に出力信
号を生ずる増幅器であつて、この増幅器が複合増
幅器部を具え、この複合増幅器部が、 少なくとも部分的に反転入力端子で受け取られ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る第1段と; 上記第1段の出力端子と入力端子の間に結合さ
れた第1のコンデンサと; 少なくとも部分的に非反転入力端子で受け取ら
れた入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生
ずる相互コンダクタンス第2段と; を具え、前記第1段と第2段の内いずれか一方の
段の出力端子をこれら第1段と第2段の内の他方
の段の入力端子に結合し、第1段と第2段の残り
の入力端子を前記複合増幅器部の反転入力端子に
結合し、前記第1段と第2段の残りの出力端子を
前記複合増幅器部の出力端子に結合した増幅器に
関するものである。
け取られた入力信号を増幅して出力端子に出力信
号を生ずる増幅器であつて、この増幅器が複合増
幅器部を具え、この複合増幅器部が、 少なくとも部分的に反転入力端子で受け取られ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る第1段と; 上記第1段の出力端子と入力端子の間に結合さ
れた第1のコンデンサと; 少なくとも部分的に非反転入力端子で受け取ら
れた入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生
ずる相互コンダクタンス第2段と; を具え、前記第1段と第2段の内いずれか一方の
段の出力端子をこれら第1段と第2段の内の他方
の段の入力端子に結合し、第1段と第2段の残り
の入力端子を前記複合増幅器部の反転入力端子に
結合し、前記第1段と第2段の残りの出力端子を
前記複合増幅器部の出力端子に結合した増幅器に
関するものである。
このような増幅器は半導体集積回路の形態で作
られる演算増幅器に適しており、例えば、グレイ
(Gray)他の「アナリシス アンド デザイン
オブ アナログ インンテグレーテツド サーキ
ツツ」(Analysis and Design of Analogue
Integrated Circuits)、ジヨン ウイリー アン
ド サンズ社、1977年、の第420〜426頁及び第
515〜521頁から既知である。
られる演算増幅器に適しており、例えば、グレイ
(Gray)他の「アナリシス アンド デザイン
オブ アナログ インンテグレーテツド サーキ
ツツ」(Analysis and Design of Analogue
Integrated Circuits)、ジヨン ウイリー アン
ド サンズ社、1977年、の第420〜426頁及び第
515〜521頁から既知である。
反転(即ち、負)入力端子と、非反転(即ち、
正)入力端子と、出力端子とを有する演算増幅器
(即ち、「オペ アンプ」)は代表的には出力端子
と入力端子の間にフイードバツク回路を接続した
増幅器系で使用される。オペ アンプは入力端子
で受け取つた入力信号を増幅して出力端子に出力
信号を生ずる。負帰還ループの利得はμβであり、
ここでμはオペアンプの順方向利得であり、βは
負帰還回路網の利得である。構成により、μ及び
βは電圧利得であることもあり、電両利得である
こともある。
正)入力端子と、出力端子とを有する演算増幅器
(即ち、「オペ アンプ」)は代表的には出力端子
と入力端子の間にフイードバツク回路を接続した
増幅器系で使用される。オペ アンプは入力端子
で受け取つた入力信号を増幅して出力端子に出力
信号を生ずる。負帰還ループの利得はμβであり、
ここでμはオペアンプの順方向利得であり、βは
負帰還回路網の利得である。構成により、μ及び
βは電圧利得であることもあり、電両利得である
こともある。
入力信号が何等かの周波数で変わると、出力信
号も同じように変化する。低周波では両者はほぼ
同相である。しかし、周波数が高くなると共に、
入力信号の位相は漸進的に入力信号の位相より遅
れる。ループ利得μβは落ち、系は不安定になつ
てくる。そして両信号間の位相差が180゜に達し、
μβが1より大きいと系は発振する。蓋し、フイ
ードバツクが正となるからである。
号も同じように変化する。低周波では両者はほぼ
同相である。しかし、周波数が高くなると共に、
入力信号の位相は漸進的に入力信号の位相より遅
れる。ループ利得μβは落ち、系は不安定になつ
てくる。そして両信号間の位相差が180゜に達し、
μβが1より大きいと系は発振する。蓋し、フイ
ードバツクが正となるからである。
最低の受容可能なマージンはμβが1となる点
でループ位相差が135゜に等しい時生ずると考えら
れる。これは大雑把に云えば、安定基準は利得が
1となる周波数の外へループ利得が9dB/オクタ
ーブより大きく落ちないということである。
でループ位相差が135゜に等しい時生ずると考えら
れる。これは大雑把に云えば、安定基準は利得が
1となる周波数の外へループ利得が9dB/オクタ
ーブより大きく落ちないということである。
オペ アンプを用いる系のフイードバツク回路
はしばしばオペ アンプの設計が完了した後に設
けられる。斯くしてオペ アンプの設計に際し回
路の精密な振幅特性を考慮に入れることができな
い。従つて、設計は普通負帰還利得が1であると
いう「最悪の場合」を仮定して行なわれる。これ
による安定基準はオペ アンプの順方向利得μが
μが1となる周波数の外9dB/OCTより高くロ
ールオフしないというものである。
はしばしばオペ アンプの設計が完了した後に設
けられる。斯くしてオペ アンプの設計に際し回
路の精密な振幅特性を考慮に入れることができな
い。従つて、設計は普通負帰還利得が1であると
いう「最悪の場合」を仮定して行なわれる。これ
による安定基準はオペ アンプの順方向利得μが
μが1となる周波数の外9dB/OCTより高くロ
ールオフしないというものである。
多分この安定基準を満足する最も簡単な方法は
唯一つの相互コンダクタンス増幅器段を用いるも
のである。第1図はこのタイプの従来技術の差動
増幅器段Aを一般的に示したものである。第2図
はこの差動増幅段Aの代表的な内部構成を示した
もので、その中心はエミツタ結合されたNPNト
ランジスタQX及びQYにある。これらのトラン
ジスタのベースは夫々電圧VI-とVI+を受け取る
入力端子に接続されている。これらの電圧の差が
増幅器の入力信号VIである。差動増幅器段Aは
基本的には相互コンダクタンス増幅器、即ち、電
圧−電流変換器であるが、負荷インピーダンスが
差動増幅器段Aを電圧増幅器に変える。この出力
信号はトランジスタQXのコレクタに現われる電
圧VOである。
唯一つの相互コンダクタンス増幅器段を用いるも
のである。第1図はこのタイプの従来技術の差動
増幅器段Aを一般的に示したものである。第2図
はこの差動増幅段Aの代表的な内部構成を示した
もので、その中心はエミツタ結合されたNPNト
ランジスタQX及びQYにある。これらのトラン
ジスタのベースは夫々電圧VI-とVI+を受け取る
入力端子に接続されている。これらの電圧の差が
増幅器の入力信号VIである。差動増幅器段Aは
基本的には相互コンダクタンス増幅器、即ち、電
圧−電流変換器であるが、負荷インピーダンスが
差動増幅器段Aを電圧増幅器に変える。この出力
信号はトランジスタQXのコレクタに現われる電
圧VOである。
相互コンダクタンス増幅器段Aの周波数応答は
出力側にある寄生容量CPOに依存する唯一つの
主たる極(主極)により大幅に決まる。第3図は
相互コンダクタンス増幅器段Aの利得μが周波数
と共に変化する様子を示す。利得は主極の周波
数Oを越すと、6dB/OCTで下り、次に帯域幅を
限る一層高次の極の周波数Lを越すと6dB/OCT
よりも高く下る。全増幅器系の特性であり、容易
に変えることができない帯域幅制限周波数Lは利
得が1となる周波数Uより高い所に生ずる。斯く
して相互コンダクタンス増幅器段Aは自動的に前
述した安定基準を満足する。蓋し、OとUの間で
は利得のロールオフが9dB/OCTより低いから
である。従つて周波数補償は必要ではない。しか
し、最高利得は40dB程度にすぎず、これは多く
の用途に対して低すぎる。
出力側にある寄生容量CPOに依存する唯一つの
主たる極(主極)により大幅に決まる。第3図は
相互コンダクタンス増幅器段Aの利得μが周波数
と共に変化する様子を示す。利得は主極の周波
数Oを越すと、6dB/OCTで下り、次に帯域幅を
限る一層高次の極の周波数Lを越すと6dB/OCT
よりも高く下る。全増幅器系の特性であり、容易
に変えることができない帯域幅制限周波数Lは利
得が1となる周波数Uより高い所に生ずる。斯く
して相互コンダクタンス増幅器段Aは自動的に前
述した安定基準を満足する。蓋し、OとUの間で
は利得のロールオフが9dB/OCTより低いから
である。従つて周波数補償は必要ではない。しか
し、最高利得は40dB程度にすぎず、これは多く
の用途に対して低すぎる。
2個の相互コンダクタンス増幅器段を縦続接続
すると利得を高くできる。第4図は従来からの
741オペ アンプでこれをどのようにして行なう
かを一般的に示したもので、これについてはグレ
イ(Gray)他の前述した著書にのつている。741
オペ アンプでは、電圧VIを差動増幅器段A′の
2個の入力端子に差動的に供給し、電差動増幅器
段A′の出力端子を反転段A″の反転入力端子に接
続する。反転段A″の出力端子は電圧VOを与える。
反転段A″の出力端子と入力端子の間に補償コン
デンサCを接続する。このように接続すると
A″とCを組合せたものが電流−電圧変換器とし
て働らく。これにより増幅器全体は電圧増幅を与
える。
すると利得を高くできる。第4図は従来からの
741オペ アンプでこれをどのようにして行なう
かを一般的に示したもので、これについてはグレ
イ(Gray)他の前述した著書にのつている。741
オペ アンプでは、電圧VIを差動増幅器段A′の
2個の入力端子に差動的に供給し、電差動増幅器
段A′の出力端子を反転段A″の反転入力端子に接
続する。反転段A″の出力端子は電圧VOを与える。
反転段A″の出力端子と入力端子の間に補償コン
デンサCを接続する。このように接続すると
A″とCを組合せたものが電流−電圧変換器とし
て働らく。これにより増幅器全体は電圧増幅を与
える。
2個の主極がこの2段増幅器の周波数応答を大
きく決めるが、一方の主極は増幅器の出力側の寄
生容量CPOに依存し、他方が反転段A″の入力側
の寄生容量に依存する。第5図は第4図の場合の
漸近的利得変化を描いたものである。第5図で上
側の曲線IはコンデンサCを欠いたと仮定したら
周波数応答がどのようになるかを示したもので、
下側の曲線は現実の周波数補償された応答を表わ
す。寄生容量CPO及びCPAに関連する極周波数
を夫々O及びAで示す。周波数O,A及びLの各
夫を通過する度に利得ロールオフは6dB/OCT
づつ大きくなる。
きく決めるが、一方の主極は増幅器の出力側の寄
生容量CPOに依存し、他方が反転段A″の入力側
の寄生容量に依存する。第5図は第4図の場合の
漸近的利得変化を描いたものである。第5図で上
側の曲線IはコンデンサCを欠いたと仮定したら
周波数応答がどのようになるかを示したもので、
下側の曲線は現実の周波数補償された応答を表わ
す。寄生容量CPO及びCPAに関連する極周波数
を夫々O及びAで示す。周波数O,A及びLの各
夫を通過する度に利得ロールオフは6dB/OCT
づつ大きくなる。
コンデンサCを欠くと、OとAはμが1より大
きい所の出発点OS及びASにある。この場合A′と
A″を組合わせたものは前述した安定規準を満足
しない。蓋し、μはASを過ぎた後12dB/OCTで
下がるからである。
きい所の出発点OS及びASにある。この場合A′と
A″を組合わせたものは前述した安定規準を満足
しない。蓋し、μはASを過ぎた後12dB/OCTで
下がるからである。
コンデンサCは2個の主極を更に離すことによ
り周波数補償を与える。下側の極Oは下つて最終
位置OFになり、上側の極Aは上つて最終位置AF
になり、これは利得が1となる周波数Uの上にあ
る。利得は6dB/OCTより高くUの外へロール
オフすることはなく、安定基準を満足する。最高
利得は80dB程度である。これは改良されている
が、未だ多くの用途に対しては低すぎる。
り周波数補償を与える。下側の極Oは下つて最終
位置OFになり、上側の極Aは上つて最終位置AF
になり、これは利得が1となる周波数Uの上にあ
る。利得は6dB/OCTより高くUの外へロール
オフすることはなく、安定基準を満足する。最高
利得は80dB程度である。これは改良されている
が、未だ多くの用途に対しては低すぎる。
米国特許第4243943号でイー・チエリー(E.
Cherry)は差動フイードバツクループのネスト
(nest)に3段以上を配置して周波数補償をした
増幅器で利得/安定問題にアプローチしている。
ループの中心は正規には増幅器の出力段にある。
チエリーの基本的目的は出力段を巡る戻り差
(return difference)を最大にするにある。チエ
リーの補償の仕方は極ゼロ キヤンセル
(polezero cancellation)を含み、周波数ゼロを
用いて周波数極を受容可能な位置にずらすもので
ある。これは複雑なプロセスであり、チエリーの
方法の採用を厳しく限定する。
Cherry)は差動フイードバツクループのネスト
(nest)に3段以上を配置して周波数補償をした
増幅器で利得/安定問題にアプローチしている。
ループの中心は正規には増幅器の出力段にある。
チエリーの基本的目的は出力段を巡る戻り差
(return difference)を最大にするにある。チエ
リーの補償の仕方は極ゼロ キヤンセル
(polezero cancellation)を含み、周波数ゼロを
用いて周波数極を受容可能な位置にずらすもので
ある。これは複雑なプロセスであり、チエリーの
方法の採用を厳しく限定する。
それ故本発明の目的は比較的簡単な構成で利得
が高い周波数補償された増幅器を提供するにあ
る。
が高い周波数補償された増幅器を提供するにあ
る。
この目的を達成するため本発明によれば冒頭に
述べた種類の増幅器において、前記複合増幅器部
の出力端子と入力端子との間に第2のコンデンサ
を結合し、 前記増幅器が更に: 少なくとも部分的に非反転入力端子で受け取つ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る相互コンダクタンス第3段を具え、前記複合増
幅器部と第3段の内のいずれか一方のものの出力
端子を、これら複合増幅器部と第3段の内の他方
のものの入力端子に結合し、前記複合増幅器部と
第3段の内の前記一方のものの入力端子を前記増
幅器の反転入力端子に結合し、前記複合増幅器部
と第3段の内の前記他方のものの出力端子を増幅
器の出力端子に結合し、前記第1のコンデンサの
他を前記複合増幅器部の順方向利得が、その利得
が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高くロ
ールオフしないように選択し、前記第2のコンデ
ンサの値を前記増幅器の順方向利得が、その利得
が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高くロ
ールオフしないように選んだだことを特徴とす
る。
述べた種類の増幅器において、前記複合増幅器部
の出力端子と入力端子との間に第2のコンデンサ
を結合し、 前記増幅器が更に: 少なくとも部分的に非反転入力端子で受け取つ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る相互コンダクタンス第3段を具え、前記複合増
幅器部と第3段の内のいずれか一方のものの出力
端子を、これら複合増幅器部と第3段の内の他方
のものの入力端子に結合し、前記複合増幅器部と
第3段の内の前記一方のものの入力端子を前記増
幅器の反転入力端子に結合し、前記複合増幅器部
と第3段の内の前記他方のものの出力端子を増幅
器の出力端子に結合し、前記第1のコンデンサの
他を前記複合増幅器部の順方向利得が、その利得
が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高くロ
ールオフしないように選択し、前記第2のコンデ
ンサの値を前記増幅器の順方向利得が、その利得
が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高くロ
ールオフしないように選んだだことを特徴とす
る。
本発明によれば、オペ アンプで用いるのに特
に適した多段増幅器が容量的にネストされ、周波
数補償が行なわれる3段以上の増幅器段が得られ
る。基本的考えは一対の増幅器段をコンデンサで
一つにして1個の安定な装置を作り、次にこの装
置ともう一つの増幅器段につき同じことを行うと
いうものである。この増幅器の順方向利得は利得
が1となる周波数の外に9dB/OCTより高く下
がることはない。このため本発明増幅器は利得が
1以下の負帰還回路と共にこの回路を用いるとル
ープ利用についての前述した安定規準を満足でき
る。
に適した多段増幅器が容量的にネストされ、周波
数補償が行なわれる3段以上の増幅器段が得られ
る。基本的考えは一対の増幅器段をコンデンサで
一つにして1個の安定な装置を作り、次にこの装
置ともう一つの増幅器段につき同じことを行うと
いうものである。この増幅器の順方向利得は利得
が1となる周波数の外に9dB/OCTより高く下
がることはない。このため本発明増幅器は利得が
1以下の負帰還回路と共にこの回路を用いるとル
ープ利用についての前述した安定規準を満足でき
る。
増幅器のネステイングは2段のうちの一方を中
心とし、これをここでは第1段と称する。この段
は(少なくとも)反転増幅器のように機能する。
反転増幅器は反転入力端子と出力端子とを有す
る。ここでいう「反転入力端子」とは開ループ出
力信号が増幅装置の反転入力端子にある信号又は
「非反転入力端子」をも有する場合は、非反転入
力端子にある信号に対する反転入力端子の信号に
対して実質的に逆、即ち、位相遅れを無視して極
性が逆である増幅装置の端子を意味する。
心とし、これをここでは第1段と称する。この段
は(少なくとも)反転増幅器のように機能する。
反転増幅器は反転入力端子と出力端子とを有す
る。ここでいう「反転入力端子」とは開ループ出
力信号が増幅装置の反転入力端子にある信号又は
「非反転入力端子」をも有する場合は、非反転入
力端子にある信号に対する反転入力端子の信号に
対して実質的に逆、即ち、位相遅れを無視して極
性が逆である増幅装置の端子を意味する。
残りの段は必要に応じて第2段、第3段等々と
呼ばれる。これらは各々相互コンダクタンス段
(即ち、電圧−電流変換器)であつて、(少なくと
も)非反転増幅器のように機能する。このため、
これらの残りの段は各々は非反転入力端子と出力
端子とを有する。ここで「非反転入力端子」は開
ループ出力信号が増幅装置の非反転入力端子の信
号又は「反転入力端子」を有する場合は反転入力
端子で受け取られる信号に対する非反転入力端子
で受け取られる信号とほぼ同相である増幅装置の
端子を意味する。
呼ばれる。これらは各々相互コンダクタンス段
(即ち、電圧−電流変換器)であつて、(少なくと
も)非反転増幅器のように機能する。このため、
これらの残りの段は各々は非反転入力端子と出力
端子とを有する。ここで「非反転入力端子」は開
ループ出力信号が増幅装置の非反転入力端子の信
号又は「反転入力端子」を有する場合は反転入力
端子で受け取られる信号に対する非反転入力端子
で受け取られる信号とほぼ同相である増幅装置の
端子を意味する。
ネステイングは第1段と第2段とを含む複合増
幅器部で始まる。第1段と第2段の一方の出力端
子を他方の入力端子に結合する。これらの2段の
残りの出力端子は複合増幅器部の反転入力端子に
結合する。複合増幅器部は2段の残りの出力端子
に結合される出力端子を有する。第1段の出力端
子と反転入力端子との間に結合する第1のコンデ
ンサの値を複合増幅器部の順方向利得が、その利
得が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高く
ロールオフしないように選べば、前述した安定基
準を満足し、複合増幅器部を更にネステイングす
るのに適したものとなる。
幅器部で始まる。第1段と第2段の一方の出力端
子を他方の入力端子に結合する。これらの2段の
残りの出力端子は複合増幅器部の反転入力端子に
結合する。複合増幅器部は2段の残りの出力端子
に結合される出力端子を有する。第1段の出力端
子と反転入力端子との間に結合する第1のコンデ
ンサの値を複合増幅器部の順方向利得が、その利
得が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高く
ロールオフしないように選べば、前述した安定基
準を満足し、複合増幅器部を更にネステイングす
るのに適したものとなる。
次のネステイングレベルでは、複合増幅器部と
第3段の一方の出力端子をこれらの2個の要素の
入力端子に結合する。こうすると3段増幅器が創
出される。これら複合増幅器部と第3段の残りの
入力端子に結合された反転入力端子を有する。こ
れらの2個の要素の残りの出力端子を3段増幅器
の出力端子に結合する。複合増幅器部の出力端子
と反転入力端子との間に結合する第2のコンデン
サの値を前記3段増幅器の順方向利得が、その利
得が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高く
ロールオフしないように選べば、利得ロールオフ
安定基準を満足することができる。
第3段の一方の出力端子をこれらの2個の要素の
入力端子に結合する。こうすると3段増幅器が創
出される。これら複合増幅器部と第3段の残りの
入力端子に結合された反転入力端子を有する。こ
れらの2個の要素の残りの出力端子を3段増幅器
の出力端子に結合する。複合増幅器部の出力端子
と反転入力端子との間に結合する第2のコンデン
サの値を前記3段増幅器の順方向利得が、その利
得が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高く
ロールオフしないように選べば、利得ロールオフ
安定基準を満足することができる。
本発明の種々の変形例が可能である。例えば、
段をどのように相互に結合するかに依存して3段
増幅器の4例がある。本発明はまた種々のタイプ
のトランジスタ、例えば、バイポーラ トランジ
スタ、電界効果トランジスタ(FET)又はその
両者で作ることができる。FETは絶縁ゲート形
FETでも、接合形FETでもよい。
段をどのように相互に結合するかに依存して3段
増幅器の4例がある。本発明はまた種々のタイプ
のトランジスタ、例えば、バイポーラ トランジ
スタ、電界効果トランジスタ(FET)又はその
両者で作ることができる。FETは絶縁ゲート形
FETでも、接合形FETでもよい。
本発明増幅器の各例は比較的簡単な構成で高利
得を与える。補償コンデンサは極を分離すること
により周波数補償を達成する。極をずらすために
周波数ゼロを導入する必要はない。こうしてチエ
リーの場合の極ゼロ キヤンセルを扱う際の困難
が回避される。また、チエリーの場合の出力段を
中心にネステイングするという特有の偏りがな
い。こうして本発明多段増幅器はチエリーのもの
よりフレキシブルで、従来技術を大きく改良する
ものである。
得を与える。補償コンデンサは極を分離すること
により周波数補償を達成する。極をずらすために
周波数ゼロを導入する必要はない。こうしてチエ
リーの場合の極ゼロ キヤンセルを扱う際の困難
が回避される。また、チエリーの場合の出力段を
中心にネステイングするという特有の偏りがな
い。こうして本発明多段増幅器はチエリーのもの
よりフレキシブルで、従来技術を大きく改良する
ものである。
いくつかの実施例を挙げて図面につき本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
図面と説明で使用される同じような符号は同じ
か又は非常に類似している項目を表わす。本当の
コンデンサは実線で示し、他方寄生容量
(parasitic capacitance)は点線で示す。寄生容
量は基準電圧VREF(これは代表的にはアースであ
る)に対して規定される。本発明の周波数補償
(frequency compensation)に無関係な寄生容量
は示さない。
か又は非常に類似している項目を表わす。本当の
コンデンサは実線で示し、他方寄生容量
(parasitic capacitance)は点線で示す。寄生容
量は基準電圧VREF(これは代表的にはアースであ
る)に対して規定される。本発明の周波数補償
(frequency compensation)に無関係な寄生容量
は示さない。
図面上の或る種の要素(素子)は動作及びそれ
を採用する理由が自明であり、以下では説明を詳
明する。特に、Rに適当な符号を付して表わす抵
抗は一般には論じない。バイポーラ トランジス
タのエミツタ又は電界効果トランジスタ(FET)
のソース側に示されている抵抗は実存する抵抗、
即ち真性抵抗(intrinsic resistance)であり得
る。符号「I」に「E」,「C」,「S」又は「D」
を含む符号を付したもので示す電流源も一般には
論じない。「E」及び「C」はバイポーラ トラ
ンジスタのためのエミツタ及びコレクタ電流源を
示し、「S」及び「D」は夫々FETのソース及び
ドレイン電流源を示す。各増幅器は低電圧源と高
電圧源の間に接続するが、これらの電圧源は夫々
「VEE」及び「VCC」(例えば第6図)又は「VSS」
及び「VDD」(例えば第14図)で示す。
を採用する理由が自明であり、以下では説明を詳
明する。特に、Rに適当な符号を付して表わす抵
抗は一般には論じない。バイポーラ トランジス
タのエミツタ又は電界効果トランジスタ(FET)
のソース側に示されている抵抗は実存する抵抗、
即ち真性抵抗(intrinsic resistance)であり得
る。符号「I」に「E」,「C」,「S」又は「D」
を含む符号を付したもので示す電流源も一般には
論じない。「E」及び「C」はバイポーラ トラ
ンジスタのためのエミツタ及びコレクタ電流源を
示し、「S」及び「D」は夫々FETのソース及び
ドレイン電流源を示す。各増幅器は低電圧源と高
電圧源の間に接続するが、これらの電圧源は夫々
「VEE」及び「VCC」(例えば第6図)又は「VSS」
及び「VDD」(例えば第14図)で示す。
第6a〜第6d図につき説明する。これらは
夫々周波数補償される3段増幅器の4つの実施例
21、22、23及び24を示す。これらの増幅器21〜
24の各々は(少なくとも)電圧VI-を受け取る
反転入力端子と、電圧VOを出す出力端子とを有
する反転増幅器として動作する。これらの増幅器
21〜24の各々は電圧VI+を受け取る非反転入
力端子も有すると好適である。必らずしもそうす
る必要はないが代表的には一定である電圧VB1,
VB2及びVB3を増幅器21〜24に種々に与える。
夫々周波数補償される3段増幅器の4つの実施例
21、22、23及び24を示す。これらの増幅器21〜
24の各々は(少なくとも)電圧VI-を受け取る
反転入力端子と、電圧VOを出す出力端子とを有
する反転増幅器として動作する。これらの増幅器
21〜24の各々は電圧VI+を受け取る非反転入
力端子も有すると好適である。必らずしもそうす
る必要はないが代表的には一定である電圧VB1,
VB2及びVB3を増幅器21〜24に種々に与える。
増幅器21又は23への入力信号は反転入力端
子で受け取られる入力電流IIである。増幅器21
又は23はこの入力電流IIを増幅して出力端子に
出力信号として出力電流IOを生ずる。
子で受け取られる入力電流IIである。増幅器21
又は23はこの入力電流IIを増幅して出力端子に
出力信号として出力電流IOを生ずる。
増幅器22又は24への入力信号は非反転入力
端子がある場合電圧VI+に対してとつた電圧VI-
から成る電圧VIである。増幅器22又は24が
非反転入力端子を欠く場合は、電圧VIは何等か
の基準電圧に対してとつた電圧VI+である。増幅
器22又は24は電圧VIを増幅して出力信号と
して電圧VOを生ずる。
端子がある場合電圧VI+に対してとつた電圧VI-
から成る電圧VIである。増幅器22又は24が
非反転入力端子を欠く場合は、電圧VIは何等か
の基準電圧に対してとつた電圧VI+である。増幅
器22又は24は電圧VIを増幅して出力信号と
して電圧VOを生ずる。
増幅器21〜24は全て基本的には同じ態様で
構成されている。2個の相互コンダクタンス段を
補償コンデンサで一つにして利得が1となる周波
数の外へ9dB/OCTより高く利得がロールオフ
することがないという安定基準にかなう組合せを
形成する。この組合せと第3の相互コンダクタン
ス段とをもう一つの補償コンデンサで一つにして
利得ロールオフ基準を満足する新しい組合せ、即
ち、増幅器21,22,23又は24を形成す
る。
構成されている。2個の相互コンダクタンス段を
補償コンデンサで一つにして利得が1となる周波
数の外へ9dB/OCTより高く利得がロールオフ
することがないという安定基準にかなう組合せを
形成する。この組合せと第3の相互コンダクタン
ス段とをもう一つの補償コンデンサで一つにして
利得ロールオフ基準を満足する新しい組合せ、即
ち、増幅器21,22,23又は24を形成す
る。
第6a図及び第6b図に示すように、増幅器2
1及び22は各々一つの複合増幅器部11を含む
が、この複合増幅器部11は入力信号電流を増幅
し、入力信号電流を生ずる。複合増幅器部11は
(少なくとも)入力電流を受け取るための反転入
力端子と、出力電流を出すための出力端子とを有
する反転増幅器として機能する。増幅器21が非
反転入力端子を有する場合は、この非反転入力端
子を複合増幅器部11の非反転入力端子に接続す
る。増幅器22でも複合増幅器部11が電圧VB1
を受け取るための非反転入力端子を有し得る。
1及び22は各々一つの複合増幅器部11を含む
が、この複合増幅器部11は入力信号電流を増幅
し、入力信号電流を生ずる。複合増幅器部11は
(少なくとも)入力電流を受け取るための反転入
力端子と、出力電流を出すための出力端子とを有
する反転増幅器として機能する。増幅器21が非
反転入力端子を有する場合は、この非反転入力端
子を複合増幅器部11の非反転入力端子に接続す
る。増幅器22でも複合増幅器部11が電圧VB1
を受け取るための非反転入力端子を有し得る。
複合増幅器部11は相互コンダクタンス増幅器
段A1及びA2を具えるが、これらの増幅器段の
各々は入力信号を増幅して出力端子に出力信号を
生ずる。相互コンダクタンス増幅器段A1は(少
なくとも)複合増幅器部11の反転入力端子に接
続された反転入力端子を有する反転増幅器として
機能する。複合増幅器部11が非反転入力端子を
有する場合は、これを相互コンダクタンス増幅器
段A1の非反転入力端子に接続する。相互コンダ
クタンス増幅器段A2は(少なくとも)相互コン
ダクタンス増幅器段A1の出力端子に接続され、
その出力信号を受け取る非反転入力端子を有する
非反転増幅器として機能する。相互コンダクタン
ス増幅器段A2は電圧VB2を受け取るための反転
入力端子を有し得る。相互コンダクタンス増幅器
段A2の出力端子は複合増幅器部11の出力端子
に接続する。相互コンダクタンス増幅器段A1の
出力端子と反転入力端子の間に補償コンデンサC
1を設け、複合増幅器部11用の周波数補償を与
える。このように接続するとA1とC1の組合せ
が補償コンデンサC1が伝達関数を支配する周波
数レンジで電流−電圧変換器になる。相互コンダ
クタンス増幅器段A2は相互コンダクタンス装
置、即ち、電圧−電流変換器であるから、複合増
幅器部11は電流増幅器である。
段A1及びA2を具えるが、これらの増幅器段の
各々は入力信号を増幅して出力端子に出力信号を
生ずる。相互コンダクタンス増幅器段A1は(少
なくとも)複合増幅器部11の反転入力端子に接
続された反転入力端子を有する反転増幅器として
機能する。複合増幅器部11が非反転入力端子を
有する場合は、これを相互コンダクタンス増幅器
段A1の非反転入力端子に接続する。相互コンダ
クタンス増幅器段A2は(少なくとも)相互コン
ダクタンス増幅器段A1の出力端子に接続され、
その出力信号を受け取る非反転入力端子を有する
非反転増幅器として機能する。相互コンダクタン
ス増幅器段A2は電圧VB2を受け取るための反転
入力端子を有し得る。相互コンダクタンス増幅器
段A2の出力端子は複合増幅器部11の出力端子
に接続する。相互コンダクタンス増幅器段A1の
出力端子と反転入力端子の間に補償コンデンサC
1を設け、複合増幅器部11用の周波数補償を与
える。このように接続するとA1とC1の組合せ
が補償コンデンサC1が伝達関数を支配する周波
数レンジで電流−電圧変換器になる。相互コンダ
クタンス増幅器段A2は相互コンダクタンス装
置、即ち、電圧−電流変換器であるから、複合増
幅器部11は電流増幅器である。
複合増幅器部11に加えて、増幅器21又は2
2は入力信号を増幅して出力端子に出力信号を出
す相互コンダクタンス増幅器段A3と補償コンデ
ンサC2とを具える。相互コンダクタンス増幅器
段A3は(少なくとも)非反転入力端子を有する
非反転増幅器として動作する。補償コンデンサC
2は複合増幅器部11の出力端子と反転入力端子
との間に接続し、増幅器21又は22のための周
波数補償を与える。
2は入力信号を増幅して出力端子に出力信号を出
す相互コンダクタンス増幅器段A3と補償コンデ
ンサC2とを具える。相互コンダクタンス増幅器
段A3は(少なくとも)非反転入力端子を有する
非反転増幅器として動作する。補償コンデンサC
2は複合増幅器部11の出力端子と反転入力端子
との間に接続し、増幅器21又は22のための周
波数補償を与える。
増幅器21では、複合増幅器部11の反転入力
端子が増幅器21の反転入力端子に接続されてい
て信号電流IIを受け取る。相互コンダクタンス増
幅器段A3の非反転入力端子は複合増幅器部11
の出力端子に接続してその出力を受け取り、増幅
器21の出力端子に信号電流IOを与える。増幅器
21内の相互コンダクタンス増幅器段A3は反転
入力端子を有し、電圧VB3を受け取り得る。複合
増幅器部11の両端間に補償コンデンサC2を接
続すると、11とC2の組合せが補償コンデンサ
C2が伝達関数を支配する周波数レンジで電流−
電圧変換器として動作する。相互コンダクタンス
増幅器段A3は電圧−電流変換器であるから、増
幅器21は電流増幅器である。
端子が増幅器21の反転入力端子に接続されてい
て信号電流IIを受け取る。相互コンダクタンス増
幅器段A3の非反転入力端子は複合増幅器部11
の出力端子に接続してその出力を受け取り、増幅
器21の出力端子に信号電流IOを与える。増幅器
21内の相互コンダクタンス増幅器段A3は反転
入力端子を有し、電圧VB3を受け取り得る。複合
増幅器部11の両端間に補償コンデンサC2を接
続すると、11とC2の組合せが補償コンデンサ
C2が伝達関数を支配する周波数レンジで電流−
電圧変換器として動作する。相互コンダクタンス
増幅器段A3は電圧−電流変換器であるから、増
幅器21は電流増幅器である。
増幅器22では、複合増幅器部11の出力端子
を増幅器22の出力端子に接続し、信号電圧VO
を与える。複合増幅器部11の反転入力端子を相
互コンダクタンス増幅器段A3の出力端子に接続
し、その入力信号を受け取る。相互コンダクタン
ス増幅器段A3の非反転入力端子を増幅器22の
反転入力端子に接続し、電圧VI-を受け取る。増
幅器22内の相互コンダクタンス増幅器段A3は
反転入力端子を有し、この反転入力端子を増幅器
22の非反転入力端子に接続し、電圧VI+を受け
取るようにすると好適である。相互コンダクタン
ス増幅器段A3は電圧−電流変換器であり、複合
増幅器部11は電流−電圧変換器であるから、増
幅器22は電圧増幅器として働らく。
を増幅器22の出力端子に接続し、信号電圧VO
を与える。複合増幅器部11の反転入力端子を相
互コンダクタンス増幅器段A3の出力端子に接続
し、その入力信号を受け取る。相互コンダクタン
ス増幅器段A3の非反転入力端子を増幅器22の
反転入力端子に接続し、電圧VI-を受け取る。増
幅器22内の相互コンダクタンス増幅器段A3は
反転入力端子を有し、この反転入力端子を増幅器
22の非反転入力端子に接続し、電圧VI+を受け
取るようにすると好適である。相互コンダクタン
ス増幅器段A3は電圧−電流変換器であり、複合
増幅器部11は電流−電圧変換器であるから、増
幅器22は電圧増幅器として働らく。
第6c及び6d図に示すように、増幅器23と
24は各々相互コンダクタンス増幅器段A1及び
A2並びにその相互間に接続された補償コンデン
サC1を具え、これらが入力信号電圧を増幅して
入力信号電圧を生ずる周波数補償された複合増幅
器部12を形成する。この複合増幅器部12は
(少なくとも)反転入力端子と出力端子とを有す
る反転増幅器として機能する。増幅器23が非反
転入力端子を有する場合は、この非反転入力端子
を複合増幅器部12の非反転入力端子に接続す
る。増幅器24でも、複合増幅器部12が電圧
VB2を受け取る非反転入力端子を有し得る。
24は各々相互コンダクタンス増幅器段A1及び
A2並びにその相互間に接続された補償コンデン
サC1を具え、これらが入力信号電圧を増幅して
入力信号電圧を生ずる周波数補償された複合増幅
器部12を形成する。この複合増幅器部12は
(少なくとも)反転入力端子と出力端子とを有す
る反転増幅器として機能する。増幅器23が非反
転入力端子を有する場合は、この非反転入力端子
を複合増幅器部12の非反転入力端子に接続す
る。増幅器24でも、複合増幅器部12が電圧
VB2を受け取る非反転入力端子を有し得る。
複合増幅器部12の反転入力端子を相互コンダ
クタンス増幅器段A2の非反転入力端子に接続
し、相互コンダクタンス増幅器段A2の出力端子
を相互コンダクタンス増幅器段A1の反転入力端
子に接続する。相互コンダクタンス増幅器段A1
の出力端子を複合増幅器部12の出力端子に接続
する。相互コンダクタンス増幅器段A1は電圧
VB1を受け取るための非反転入力端子を有し得
る。
クタンス増幅器段A2の非反転入力端子に接続
し、相互コンダクタンス増幅器段A2の出力端子
を相互コンダクタンス増幅器段A1の反転入力端
子に接続する。相互コンダクタンス増幅器段A1
の出力端子を複合増幅器部12の出力端子に接続
する。相互コンダクタンス増幅器段A1は電圧
VB1を受け取るための非反転入力端子を有し得
る。
相互コンダクタンス増幅器段A1の出力端子と
反転入力端子との間にコンデンサC1を接続し、
複合増幅器部12を周波数補償する。これにより
A1とC1の組合せは電流−電圧変換器となるか
ら、複合増幅器部12は電圧増幅器である。
反転入力端子との間にコンデンサC1を接続し、
複合増幅器部12を周波数補償する。これにより
A1とC1の組合せは電流−電圧変換器となるか
ら、複合増幅器部12は電圧増幅器である。
増幅器21及び22におけるように、増幅器2
3及び24の残りの要素(素子)は相互コンダク
タンス増幅器段A3とコンデンサC2である。コ
ンデンサC2は複合増幅器部12の出力端子と反
転入力端子との間に接続し、増幅器23又は24
のための周波数補償を与える。このように接続す
ると12とC2の組合せがコンデンサC2が伝達
関数を支配する周波数レンジで電流−電圧変換器
として動作する。相互コンダクタンス増幅器段A
3はそれが増幅器21及び22内で複合増幅器部
11と相互接続されるのと同じように、増幅器2
3及び24内で複合増幅器部12と相互接続され
る。斯くして増幅器23は電流増幅器として働ら
き、増幅器24は電圧増幅器として働らく。
3及び24の残りの要素(素子)は相互コンダク
タンス増幅器段A3とコンデンサC2である。コ
ンデンサC2は複合増幅器部12の出力端子と反
転入力端子との間に接続し、増幅器23又は24
のための周波数補償を与える。このように接続す
ると12とC2の組合せがコンデンサC2が伝達
関数を支配する周波数レンジで電流−電圧変換器
として動作する。相互コンダクタンス増幅器段A
3はそれが増幅器21及び22内で複合増幅器部
11と相互接続されるのと同じように、増幅器2
3及び24内で複合増幅器部12と相互接続され
る。斯くして増幅器23は電流増幅器として働ら
き、増幅器24は電圧増幅器として働らく。
第7a〜7d図は夫々増幅器21〜24のバイ
ポーラ トランジスタによる実施例を示す。相互
コンダクタンス増幅器段A1の主部はNPNトラ
ンジスタQX1であるトランジスタQX1のベー
スとコレクタは夫々相互コンダクタンス増幅器段
A1の反転入力端子と出力端子とに接続する。ト
ランジスタQX1のエミツタはNPNトランジス
タQY1に結合する。トランジスタQY1のベー
スを相互コンダクタンス増幅器段A1の非反転入
力端子に接続する。トランジスタQX1とQY1
は要素RX1,RY1,IE1及びICX1と組んで普通の
差動増幅器として動作する。相互コンダクタンス
増幅器段A2の中心はエミツタどうしを結合した
NPNトランジスタQX2及びQY2にある。これ
らのベースは夫々相互コンダクタンス増幅器段A
2の反転入力端子及び非反転入力端子に接続す
る。相互コンダクタンス増幅器段A2の出力はト
ランジスタQX2のコレクタから取り出される。
トランジスタQX2及びQY2は要素(素子)RX
2,RY2,IE2及びICX2と組み合わさつて普通の
差動増幅器として動作する。同じように、相互コ
ンダクタンス増幅器段A3の中心はエミツタどう
しを結合したNPNトランジスタQX3及びQY3
にある。これらのベースは夫々相互コンダクタン
ス増幅器段A3の反転入力端子及び非反転入力端
子に接続する。相互コンダクタンス増幅器段A3
の出力はトランジスタQX3のコレクタから取り
出す。トランジスタQX3及びQY3は要素(素
子)RX3,RY3,IE3及びICX3と組んで普通の差
動増幅器として動作する。
ポーラ トランジスタによる実施例を示す。相互
コンダクタンス増幅器段A1の主部はNPNトラ
ンジスタQX1であるトランジスタQX1のベー
スとコレクタは夫々相互コンダクタンス増幅器段
A1の反転入力端子と出力端子とに接続する。ト
ランジスタQX1のエミツタはNPNトランジス
タQY1に結合する。トランジスタQY1のベー
スを相互コンダクタンス増幅器段A1の非反転入
力端子に接続する。トランジスタQX1とQY1
は要素RX1,RY1,IE1及びICX1と組んで普通の
差動増幅器として動作する。相互コンダクタンス
増幅器段A2の中心はエミツタどうしを結合した
NPNトランジスタQX2及びQY2にある。これ
らのベースは夫々相互コンダクタンス増幅器段A
2の反転入力端子及び非反転入力端子に接続す
る。相互コンダクタンス増幅器段A2の出力はト
ランジスタQX2のコレクタから取り出される。
トランジスタQX2及びQY2は要素(素子)RX
2,RY2,IE2及びICX2と組み合わさつて普通の
差動増幅器として動作する。同じように、相互コ
ンダクタンス増幅器段A3の中心はエミツタどう
しを結合したNPNトランジスタQX3及びQY3
にある。これらのベースは夫々相互コンダクタン
ス増幅器段A3の反転入力端子及び非反転入力端
子に接続する。相互コンダクタンス増幅器段A3
の出力はトランジスタQX3のコレクタから取り
出す。トランジスタQX3及びQY3は要素(素
子)RX3,RY3,IE3及びICX3と組んで普通の差
動増幅器として動作する。
3個の主たる極が増幅器21〜24の各々の周
波数応答を大きく決める。増幅器21〜24の周
波数の関数としての漸近的利得(asymptotic
gain)を夫々第8a〜8d図に示す。第8a〜8
d図の上側の曲線Iは仮にコンデンサC1もC2
もないとした場合に増幅器21〜24の対応する
一つの利得μが漸近的に変化する様子を示す。中
央の曲線はコンデンサC1が存在するが、コン
デンサC2は設けない場合の利得μの変化を示
す。下側の曲線はコンデンサC1とC2を設け
た本発明の場合の周波数補償された漸近的利得の
変化を示す。
波数応答を大きく決める。増幅器21〜24の周
波数の関数としての漸近的利得(asymptotic
gain)を夫々第8a〜8d図に示す。第8a〜8
d図の上側の曲線Iは仮にコンデンサC1もC2
もないとした場合に増幅器21〜24の対応する
一つの利得μが漸近的に変化する様子を示す。中
央の曲線はコンデンサC1が存在するが、コン
デンサC2は設けない場合の利得μの変化を示
す。下側の曲線はコンデンサC1とC2を設け
た本発明の場合の周波数補償された漸近的利得の
変化を示す。
第8a〜8d図及び付随する極分割の解析では
下記の規約を用いる。寄生容量CPI,CPO,
CPA,CPB,CPC及びCPDに関連する極周波数
を夫々I,O,A,B,C及びDで示す。これら
の極周波数はコンデンサC1もC2もなければ
夫々出発周波数IS,OS,AS,BS,CS及びDS
に
あろう。コンデンサC1もC2も存在すれば夫々
終局周波数IF,OF,AF,BF,CF及びDFにあ
る。
複合増幅器部11又は12を周波数補償するため
にコンデンサC1を挿入するが、コンデンサC2
を欠く場合は極周波数I,D,A及びOは中間周
波数IM,DM,AM及びOMにあるであろう。
下記の規約を用いる。寄生容量CPI,CPO,
CPA,CPB,CPC及びCPDに関連する極周波数
を夫々I,O,A,B,C及びDで示す。これら
の極周波数はコンデンサC1もC2もなければ
夫々出発周波数IS,OS,AS,BS,CS及びDS
に
あろう。コンデンサC1もC2も存在すれば夫々
終局周波数IF,OF,AF,BF,CF及びDFにあ
る。
複合増幅器部11又は12を周波数補償するため
にコンデンサC1を挿入するが、コンデンサC2
を欠く場合は極周波数I,D,A及びOは中間周
波数IM,DM,AM及びOMにあるであろう。
入力容量CPI及び出力容量CPOは(普通は)内
部容量CPA〜CPDよりも大きい。従つて、出発
周波数IS又はOSは出発周波数AS〜DSの各々より
も小さい(と仮定される)。
部容量CPA〜CPDよりも大きい。従つて、出発
周波数IS又はOSは出発周波数AS〜DSの各々より
も小さい(と仮定される)。
以下に現われる式では、C1及びC2は夫々コン
デンサC1及びC2の値である。CPI,CPO,CPA,
CPB,CPC及びCPDは夫々容量CPI,CPO及びCPA
〜CPDの値である。GM1,GM2及びGM3は相互コ
ンダクタンス増幅器段A1〜A3の夫々の相互コ
ンダクタンスである。
デンサC1及びC2の値である。CPI,CPO,CPA,
CPB,CPC及びCPDは夫々容量CPI,CPO及びCPA
〜CPDの値である。GM1,GM2及びGM3は相互コ
ンダクタンス増幅器段A1〜A3の夫々の相互コ
ンダクタンスである。
増幅器21〜24の利得が1となる周波数Uは
ほぼ下記の通りである。
ほぼ下記の通りである。
U=GM3/2πC2
この利得が1となる周波数Uは第8a〜8d図
の全ての下側曲線にあてはまる。
の全ての下側曲線にあてはまる。
増幅器21〜24の各々の全増系はUより高い
ところに生ずる帯域幅限界周波数Lにより特徴づ
けられる。第1の主極を通りこすと利得は6dB/
OCTで下り、Lを含む各先きの極を通る度に
6dB/OCT以上で下がる。増幅器21〜24の
場合はそこに向つて主極が動く終局周波数は普通
はLを越えることがない。以下の式から計算され
る何等かの終局周波数がLを越える場合は、その
終局周波数はLに等しいものとする。
ところに生ずる帯域幅限界周波数Lにより特徴づ
けられる。第1の主極を通りこすと利得は6dB/
OCTで下り、Lを含む各先きの極を通る度に
6dB/OCT以上で下がる。増幅器21〜24の
場合はそこに向つて主極が動く終局周波数は普通
はLを越えることがない。以下の式から計算され
る何等かの終局周波数がLを越える場合は、その
終局周波数はLに等しいものとする。
増幅器21の場合の主極は増幅器21の入力側
にある寄生容量CPIと、相互コンダクタンス増幅
器段A1の出力側にある寄生容量CPBと、複合
増幅器部11の出力側にある寄生容量CPCとに
依存する。説明の便宜上、BSはCSより低いと仮
定する。逆であることも等しくあり得る。第8a
図に示すように、IS,BS及びCSは全てμが1を
越える所で生ずる。コンデンサC1もC2も両方
とも欠けている場合は、BSを通つた後利得が1
になる前では利得μは9dB/OCT以上で下がる。
従つて、コンデンサC1及びC2を欠く組合せA
1〜A3は利得ロールオフ安定基準を満足しな
い。
にある寄生容量CPIと、相互コンダクタンス増幅
器段A1の出力側にある寄生容量CPBと、複合
増幅器部11の出力側にある寄生容量CPCとに
依存する。説明の便宜上、BSはCSより低いと仮
定する。逆であることも等しくあり得る。第8a
図に示すように、IS,BS及びCSは全てμが1を
越える所で生ずる。コンデンサC1もC2も両方
とも欠けている場合は、BSを通つた後利得が1
になる前では利得μは9dB/OCT以上で下がる。
従つて、コンデンサC1及びC2を欠く組合せA
1〜A3は利得ロールオフ安定基準を満足しな
い。
コンデンサC1を入れると極IとBが更に離
れ、増幅器21の複合増幅器部11が安定基準を
満足できるようになる。最下位の極IはIMに下
がる。十分に周波数補償された増幅器21では一
層高い周波数BがUが生ずる点より高いfBFに
移る。この時複合増幅器部11の出力端子を直接
その反転入力端子に接続して負帰還をかけると複
合増幅器部11は安定になるであろう。
れ、増幅器21の複合増幅器部11が安定基準を
満足できるようになる。最下位の極IはIMに下
がる。十分に周波数補償された増幅器21では一
層高い周波数BがUが生ずる点より高いfBFに
移る。この時複合増幅器部11の出力端子を直接
その反転入力端子に接続して負帰還をかけると複
合増幅器部11は安定になるであろう。
コンデンサC1が存在する上に、更にコンデン
サC2を挿入すると増幅器21内で極IとCが更
に離される。最下位の極Iは更に下つてIFとな
る。高位の極CはUを越えてCFになる。利得は
Uに達する前に9dB/OCT以上で下がることは
ない。U<CF≦BFという条件に従つて、増幅器
21は利得ロールオフ安定基準を満足し、利得1
(又はそれ以下の)を有する負帰還を用いると無
条件に安定になるであろう。
サC2を挿入すると増幅器21内で極IとCが更
に離される。最下位の極Iは更に下つてIFとな
る。高位の極CはUを越えてCFになる。利得は
Uに達する前に9dB/OCT以上で下がることは
ない。U<CF≦BFという条件に従つて、増幅器
21は利得ロールオフ安定基準を満足し、利得1
(又はそれ以下の)を有する負帰還を用いると無
条件に安定になるであろう。
増幅器21で前述した補償を達成するのに必要
とされるC1とC2の値は次式で近似的に計算でき
る。BF =GM1/2πCPI(1+CPB/C1)CF =GM2/2πC1(1+CPC/C2) 上式はBSがCSより低いか否かにかかわらず成
立する。
とされるC1とC2の値は次式で近似的に計算でき
る。BF =GM1/2πCPI(1+CPB/C1)CF =GM2/2πC1(1+CPC/C2) 上式はBSがCSより低いか否かにかかわらず成
立する。
増幅器22の場合は状況が似ているが、多少複
数になつている。この主極は増幅器の出力側の寄
生容量のCPO、相互コンダクタンス増幅器段A
1の出力側の寄生容量CPB及び複合増幅器部1
1の入力側の寄生容量CPDに依存する。説明の
便宜上DSはBSよりも低いと仮定する。逆も勿論
あり得る。コンデンサC1とC2を欠くと、第8
b図に見るように、組合せA1〜A3はここでも
安定基準を満足しない。
数になつている。この主極は増幅器の出力側の寄
生容量のCPO、相互コンダクタンス増幅器段A
1の出力側の寄生容量CPB及び複合増幅器部1
1の入力側の寄生容量CPDに依存する。説明の
便宜上DSはBSよりも低いと仮定する。逆も勿論
あり得る。コンデンサC1とC2を欠くと、第8
b図に見るように、組合せA1〜A3はここでも
安定基準を満足しない。
コンデンサC1を挿入すると、極DとBが更に
分離され、増幅器22の複合増幅器部11が安定
基準を満足できるようになる。極DはOSより低
いDMに下がる。即ち、DはOと交差する。最下
位の極はここではDである。十分に補償された増
幅器22では最高位の極BがUを越えてBFに移
る。コンデンサC2を挿入すると同じように極D
とOが分離される。最下位の極Dは更にDFに下
がる。一層高い極OはUを越えてOFに移る。条
件U<OF≦BFに従つて増幅器22は安定基準を
満足する。
分離され、増幅器22の複合増幅器部11が安定
基準を満足できるようになる。極DはOSより低
いDMに下がる。即ち、DはOと交差する。最下
位の極はここではDである。十分に補償された増
幅器22では最高位の極BがUを越えてBFに移
る。コンデンサC2を挿入すると同じように極D
とOが分離される。最下位の極Dは更にDFに下
がる。一層高い極OはUを越えてOFに移る。条
件U<OF≦BFに従つて増幅器22は安定基準を
満足する。
増幅器22のC1とC2の値は次式から近似計算
できる。BF =GM1/2πCPD(1+CPB/C1+CPB/CPD)OF =GM2/2πC1(1+CPO/C2) BSがDSより低いと、極BとDの一方はDFにつ
き示した位置に下がり、他方はBFにつき示した
位置に移る。上の2個の式の第1のものはこの場
合でも最高位の極の値を与える。
できる。BF =GM1/2πCPD(1+CPB/C1+CPB/CPD)OF =GM2/2πC1(1+CPO/C2) BSがDSより低いと、極BとDの一方はDFにつ
き示した位置に下がり、他方はBFにつき示した
位置に移る。上の2個の式の第1のものはこの場
合でも最高位の極の値を与える。
増幅器23及び24の場合の状況は前に第8a
〜8d図につき与えた符号規約を用いればほとん
ど自明である。増幅器23の主極は増幅器の入力
側の寄生容量CPI、相互コンダクタンス増幅器段
A1の入力側の寄生容量CPA及び複合増幅器部
12の出力側の寄生容量CPCに依存する。増幅
器24の主極は増幅器の出力側の寄生容量CPO、
相互コンダクタンス増幅器段A1の入力側の寄生
容量CPA及び複合増幅器部12の入力側の寄生
容量CPDに依存する。コンデンサC1とC2の
両方を欠くと、第8c及び8d図に示したよう
に、組合せA1〜A3は利得ロールオフ安定基準
を満足しない。増幅器23とその複合増幅器部1
2での補償は基本的には増幅器22とその複合増
幅器部11での補償と同じである。増幅器24と
その複合増幅器部12での補償は基本的には増幅
器21とその複合増幅器部11での補償と同じで
ある。
〜8d図につき与えた符号規約を用いればほとん
ど自明である。増幅器23の主極は増幅器の入力
側の寄生容量CPI、相互コンダクタンス増幅器段
A1の入力側の寄生容量CPA及び複合増幅器部
12の出力側の寄生容量CPCに依存する。増幅
器24の主極は増幅器の出力側の寄生容量CPO、
相互コンダクタンス増幅器段A1の入力側の寄生
容量CPA及び複合増幅器部12の入力側の寄生
容量CPDに依存する。コンデンサC1とC2の
両方を欠くと、第8c及び8d図に示したよう
に、組合せA1〜A3は利得ロールオフ安定基準
を満足しない。増幅器23とその複合増幅器部1
2での補償は基本的には増幅器22とその複合増
幅器部11での補償と同じである。増幅器24と
その複合増幅器部12での補償は基本的には増幅
器21とその複合増幅器部11での補償と同じで
ある。
増幅器23の安定条件は、例えば、ASがCSよ
り低いと仮定してU<IF≦CFである。次式が増
幅器23の場合のC1とC2の近似値を与える。CF =GM1/2πCPC(1+CPA/C1+CPA/CPC)IF =GM2/2πC1(1+CPI/C2) CSがASより低いとすると、極A及びCの一方
がAFにつき示した位置に下り、他方がCFにつき
示した位置に上がる。この場合でも上の2個の式
の第1のものが最高位の極AFの値を与える。
り低いと仮定してU<IF≦CFである。次式が増
幅器23の場合のC1とC2の近似値を与える。CF =GM1/2πCPC(1+CPA/C1+CPA/CPC)IF =GM2/2πC1(1+CPI/C2) CSがASより低いとすると、極A及びCの一方
がAFにつき示した位置に下り、他方がCFにつき
示した位置に上がる。この場合でも上の2個の式
の第1のものが最高位の極AFの値を与える。
増幅器24の安定条件はU<DF≦AFである。
同じように次式が増幅器24の場合のC1とC2の
近似値を与える。AF =GM1/2πCPO(1+CPA/C1)DF =GM2/2πC1(1+CPD/C2) これらの式はASがDSより低い場合も逆の場合
も有効である。
同じように次式が増幅器24の場合のC1とC2の
近似値を与える。AF =GM1/2πCPO(1+CPA/C1)DF =GM2/2πC1(1+CPD/C2) これらの式はASがDSより低い場合も逆の場合
も有効である。
第7a〜7d図に示したタイプの増幅器の主極
周波数は相互コンダクタンス増幅器段の入力部に
電圧ホロワを置いた場合でも実質的な悪影響を受
けない。同じようにこれらのタイプの増幅器の主
極は相互コンダクタンス増幅器段の出力部に電流
ホロワを置いた場合でもそう変化しない。
周波数は相互コンダクタンス増幅器段の入力部に
電圧ホロワを置いた場合でも実質的な悪影響を受
けない。同じようにこれらのタイプの増幅器の主
極は相互コンダクタンス増幅器段の出力部に電流
ホロワを置いた場合でもそう変化しない。
第9図は相互コンダクタンス増幅器段の入力部
と出力部に夫々電圧ホロワと電流ホロワを置いた
第7b図の増幅器22の基本的実施例を示す。各
電圧ホロワは符号「VF」にベースがそれ電圧ホ
ロワに接続されているトランジスタの符号の最后
の2文字をつけた符号で示す。同じように電流ホ
ロワは符号「CF」にコレクタがその電流ホロワ
に接続されているトランジスタの符号の最后の2
文字をつけた符号で示す。正規の、即ち、「非反
転」出力端子に加えて、相互コンダクタンス増幅
器段A1〜A3の各々は非反転出力端子に現われ
る出力信号と逆の信号を与える「反転」出力端子
をも有し得る。この状況を第9図に示すが、ここ
では非反転出力端子からの信号と反転出力端子か
らの信号とに夫々「+」及び「−」符号を付して
ある。第9図に示すように、反転出力信号を与え
るトランジスタQY1〜QY3のいずれに対して
もコレクタ電流源を与えなければならない。最后
に、第9図はエミツタ電流源とコレクタ電流源の
代表的な構成を示している。
と出力部に夫々電圧ホロワと電流ホロワを置いた
第7b図の増幅器22の基本的実施例を示す。各
電圧ホロワは符号「VF」にベースがそれ電圧ホ
ロワに接続されているトランジスタの符号の最后
の2文字をつけた符号で示す。同じように電流ホ
ロワは符号「CF」にコレクタがその電流ホロワ
に接続されているトランジスタの符号の最后の2
文字をつけた符号で示す。正規の、即ち、「非反
転」出力端子に加えて、相互コンダクタンス増幅
器段A1〜A3の各々は非反転出力端子に現われ
る出力信号と逆の信号を与える「反転」出力端子
をも有し得る。この状況を第9図に示すが、ここ
では非反転出力端子からの信号と反転出力端子か
らの信号とに夫々「+」及び「−」符号を付して
ある。第9図に示すように、反転出力信号を与え
るトランジスタQY1〜QY3のいずれに対して
もコレクタ電流源を与えなければならない。最后
に、第9図はエミツタ電流源とコレクタ電流源の
代表的な構成を示している。
第10a図と第10b図は、ほとんど自明であ
るが、夫々第9図に示したような現在のバイポー
ラ増幅器に適している代表的な電流ホロワCFX
と電圧ホロワVFXとを示す。電流ホロワCFXは
電流IIXが入る入力端子と電流IOXが出る出力端子
とを有する。入力端子は関連する「QX」トラン
ジスタのコレクタを介して増幅器に接続され、出
力端子は「QX」トランジスタのコレクタ電流源
に接続されている。電圧ホロワVFXは電圧VIXに
ある入力端子と電圧VOXにある出力端子とを有
し、入力端子は相互コンダクタンス増幅器段の入
力端子に接続され、出力端子は関連する「QX」
トランジスタのベースに接続されている。
るが、夫々第9図に示したような現在のバイポー
ラ増幅器に適している代表的な電流ホロワCFX
と電圧ホロワVFXとを示す。電流ホロワCFXは
電流IIXが入る入力端子と電流IOXが出る出力端子
とを有する。入力端子は関連する「QX」トラン
ジスタのコレクタを介して増幅器に接続され、出
力端子は「QX」トランジスタのコレクタ電流源
に接続されている。電圧ホロワVFXは電圧VIXに
ある入力端子と電圧VOXにある出力端子とを有
し、入力端子は相互コンダクタンス増幅器段の入
力端子に接続され、出力端子は関連する「QX」
トランジスタのベースに接続されている。
現在の増幅器では、一連の増幅器段の「先導」
段はその増幅器段系列への入力信号を受け取る段
である。増幅器段系列の出力信号を供給する段は
「最終」段である。先導段と最終段との間の各段
は中間、即ち、「中央」段である。
段はその増幅器段系列への入力信号を受け取る段
である。増幅器段系列の出力信号を供給する段は
「最終」段である。先導段と最終段との間の各段
は中間、即ち、「中央」段である。
増幅器21〜24のいずれでも先導段が反転出
力端子を有し、中央段が反転入力端子と非反転人
力端子の両方を有する場合は、先導段の反転出力
端子を先導段の非反転出力端子に接続されていな
い側の中央段の入力端子に接続できる。同じこと
が中央段とについても行なえる。こうすると平衡
度が改善され、縦電流不平衡比が大きくなる。
力端子を有し、中央段が反転入力端子と非反転人
力端子の両方を有する場合は、先導段の反転出力
端子を先導段の非反転出力端子に接続されていな
い側の中央段の入力端子に接続できる。同じこと
が中央段とについても行なえる。こうすると平衡
度が改善され、縦電流不平衡比が大きくなる。
第11図は第7d図の一実施例を示すが、ここ
では先導段と中央段がこの方法で夫々中央段と最
終段に接続されている。特に、先導段A3のトラ
ンジスタQY3のコレクタは中央段A2のトラン
ジスタQX2のベースに接続する。そして中央段
A2のトランジスタQY2のコレクタを最終段A
1のトランジスタQY1のベースに接続する。
では先導段と中央段がこの方法で夫々中央段と最
終段に接続されている。特に、先導段A3のトラ
ンジスタQY3のコレクタは中央段A2のトラン
ジスタQX2のベースに接続する。そして中央段
A2のトランジスタQY2のコレクタを最終段A
1のトランジスタQY1のベースに接続する。
これらの接続は3個の他の対称的な極を導入す
る。第1のものは増幅器の反転出力力側の寄生容
量CPO′に依存し、第2のものは相互コンダクタ
ンス増幅器段A1の非反転入力側の寄生容量
CPA′に依存し、第3のものは増幅器24の複合
増幅器部12の非反転入力端子側の寄生容量
CPD′に依存する。従つて、相互コンダクタンス
増幅器段A1の反転出力端子と非反転入力端子と
の間に別のコンデンサC1′を接続し、コンデン
サC1につき前述したのと同じ態様で複合増幅器
部12を周波数補償する。同じように、複合増幅
器部12の反転出力端子と非反転入力端子との間
に別のコンデンサC2′を接続し、コンデンサC
2につき前述したのと同じ態様で増幅器24を周
波数補償する。加えて、正規にはエミツタ電流源
が規定された電圧で動作しなければならないが、
これは第11図に示したように電流源を接続する
ことにより達成される。上述した考慮は本発明の
他の増幅器にもあてはまる。
る。第1のものは増幅器の反転出力力側の寄生容
量CPO′に依存し、第2のものは相互コンダクタ
ンス増幅器段A1の非反転入力側の寄生容量
CPA′に依存し、第3のものは増幅器24の複合
増幅器部12の非反転入力端子側の寄生容量
CPD′に依存する。従つて、相互コンダクタンス
増幅器段A1の反転出力端子と非反転入力端子と
の間に別のコンデンサC1′を接続し、コンデン
サC1につき前述したのと同じ態様で複合増幅器
部12を周波数補償する。同じように、複合増幅
器部12の反転出力端子と非反転入力端子との間
に別のコンデンサC2′を接続し、コンデンサC
2につき前述したのと同じ態様で増幅器24を周
波数補償する。加えて、正規にはエミツタ電流源
が規定された電圧で動作しなければならないが、
これは第11図に示したように電流源を接続する
ことにより達成される。上述した考慮は本発明の
他の増幅器にもあてはまる。
第12図は増幅器24のバイポーラトランジス
タによる好適な実施例を示す。ここでは相互コン
ダクタンス増幅器段A3がトランジスタQX3と
QY3のコレクタに接続されている電流ホロワか
ら非反転出力信号VO3+と反転出力信号VO3-とを
与える。これらの電流ホロワは電流源NPNトラ
ンジスタQSX及びQSYにコレクタ結合されてい
るPNPトランジスタQFX及びQFYから成る信号
VO3-及びVO3+は相互コンダクタンス増幅器段A
2の反転入力端子と非反転入力端子とに供給され
る。これらの入力端子は夫々電圧ホロワVFX2
及びVFY2を介して増幅トランジスタ対QX2J
及びQY2J並びに増幅トランジスタ対QX2K
及びQY2Kに結合される(ここでは相互コンダ
クタンス増幅器段A2が一対の副段に分けられて
いる)。相互コンダクタンス増幅器段A2はトラ
ンジスタQX2J及びQX2Kのコレクタから一
対の非反転出力信号VO2J及びVO2Kを出力する。
タによる好適な実施例を示す。ここでは相互コン
ダクタンス増幅器段A3がトランジスタQX3と
QY3のコレクタに接続されている電流ホロワか
ら非反転出力信号VO3+と反転出力信号VO3-とを
与える。これらの電流ホロワは電流源NPNトラ
ンジスタQSX及びQSYにコレクタ結合されてい
るPNPトランジスタQFX及びQFYから成る信号
VO3-及びVO3+は相互コンダクタンス増幅器段A
2の反転入力端子と非反転入力端子とに供給され
る。これらの入力端子は夫々電圧ホロワVFX2
及びVFY2を介して増幅トランジスタ対QX2J
及びQY2J並びに増幅トランジスタ対QX2K
及びQY2Kに結合される(ここでは相互コンダ
クタンス増幅器段A2が一対の副段に分けられて
いる)。相互コンダクタンス増幅器段A2はトラ
ンジスタQX2J及びQX2Kのコレクタから一
対の非反転出力信号VO2J及びVO2Kを出力する。
ここでは相互コンダクタンス増幅器段A1が一
対の並列な副段A1J及びA1Kからできてい
る。各副段は反転入力端子を有する。副段A1J
では、その反転入力端子が信号VO2Jを受け取り、
電圧ホロワVFX1Jを介してPNPトランジスタ
QX1Jに結合されている。副段A1Kでは反転
入力端子が信号VO2Kを受け取り、電圧ホロワ
VFX1Kを介してNPNトランジスタQX1Kに
結合されている。トランジスタQX1J及びQX
1KのコレクタはA1J及びA1Kの出力信号を
出すが、一つに接続されて電圧VOを発生する。
対の並列な副段A1J及びA1Kからできてい
る。各副段は反転入力端子を有する。副段A1J
では、その反転入力端子が信号VO2Jを受け取り、
電圧ホロワVFX1Jを介してPNPトランジスタ
QX1Jに結合されている。副段A1Kでは反転
入力端子が信号VO2Kを受け取り、電圧ホロワ
VFX1Kを介してNPNトランジスタQX1Kに
結合されている。トランジスタQX1J及びQX
1KのコレクタはA1J及びA1Kの出力信号を
出すが、一つに接続されて電圧VOを発生する。
寄生容量CPO及びCPDに依存し、コンデンサ
C2により分離される主極の他に、第12図の増
幅器24は副段A1J及びA1Kの反転入力側の
寄生容量CPAJ及びCPAKに依存する一対の主極
を有する。そこで増幅器の出力端子と副段A1J
及びA1Kの夫々の入力端子との間に夫々コンデ
ンサC1J及びC1Kを接続し、寄生容量CPAJ
及びCPAKに関連する極から寄生容量CPOに関
連する極を分離する。こうすると前述した態様で
相互コンダクタンス増幅器段A1及びA2の周波
数補償が得られる。VEE電源と相互コンダクタン
ス増幅器段A2の非反転入力端子との間にコンデ
ンサC2″を接続し、後者を高周波に対して仮想
接地する。
C2により分離される主極の他に、第12図の増
幅器24は副段A1J及びA1Kの反転入力側の
寄生容量CPAJ及びCPAKに依存する一対の主極
を有する。そこで増幅器の出力端子と副段A1J
及びA1Kの夫々の入力端子との間に夫々コンデ
ンサC1J及びC1Kを接続し、寄生容量CPAJ
及びCPAKに関連する極から寄生容量CPOに関
連する極を分離する。こうすると前述した態様で
相互コンダクタンス増幅器段A1及びA2の周波
数補償が得られる。VEE電源と相互コンダクタン
ス増幅器段A2の非反転入力端子との間にコンデ
ンサC2″を接続し、後者を高周波に対して仮想
接地する。
第12図では、電源電圧VEE及びVCCは夫々
0.9V以上及び−0.9V以下である。抵抗RIX/
RIY,RCX3/RCY3,RSX/RSY,RX2
J/RY2J及びRX2K/RY2Kは夫々3000,
50000,50000,5000及び5000Ωである。電流源
IE3,IE2及びICX2J/ICX2Kは夫々2,20及び5μAで
ある。コンデンサC1J及びC1Kは各々3PFで
ある。コンデンサC2及びC2″は各々10PFであ
る。寄生容量CPO,CPAJ/CPAK及びCPDは
夫々約200,3及び3PFである。低周波での利得
μは約110dBであり、Uは約1MHzである。
0.9V以上及び−0.9V以下である。抵抗RIX/
RIY,RCX3/RCY3,RSX/RSY,RX2
J/RY2J及びRX2K/RY2Kは夫々3000,
50000,50000,5000及び5000Ωである。電流源
IE3,IE2及びICX2J/ICX2Kは夫々2,20及び5μAで
ある。コンデンサC1J及びC1Kは各々3PFで
ある。コンデンサC2及びC2″は各々10PFであ
る。寄生容量CPO,CPAJ/CPAK及びCPDは
夫々約200,3及び3PFである。低周波での利得
μは約110dBであり、Uは約1MHzである。
増幅器21〜24で用いられた周波数補償技術
は4段以上の増幅器に拡張し、高利得を得ること
ができる。増加する各段はもう一つの主極を付加
するが、これは本発明のコンデンサ技術により適
当に動かし、周波数補償を与えることがきる。
は4段以上の増幅器に拡張し、高利得を得ること
ができる。増加する各段はもう一つの主極を付加
するが、これは本発明のコンデンサ技術により適
当に動かし、周波数補償を与えることがきる。
第13図は3段増幅器22と、相互コンダクタ
ンス増幅器段A4と、補償コンデンサC3とから
成る4段増幅器34を示す。相互コンダクタンス
増幅器段A4はA3と同じように動作し、相互コ
ンダクタンス増幅器段A2が複合増幅器部11に
接続されるのと同じ態様で内部増幅器22に接続
される。同じように、内部増幅器22の出力端子
と反転入力端子との間にコンデンサC3を接続
し、コンデンサC2が増幅器22を周波数補償す
るのと同り態様で増幅器22の反転入力側にある
寄生容量CPGに依存する主極に対し周波数補償
する。
ンス増幅器段A4と、補償コンデンサC3とから
成る4段増幅器34を示す。相互コンダクタンス
増幅器段A4はA3と同じように動作し、相互コ
ンダクタンス増幅器段A2が複合増幅器部11に
接続されるのと同じ態様で内部増幅器22に接続
される。同じように、内部増幅器22の出力端子
と反転入力端子との間にコンデンサC3を接続
し、コンデンサC2が増幅器22を周波数補償す
るのと同り態様で増幅器22の反転入力側にある
寄生容量CPGに依存する主極に対し周波数補償
する。
本発明に係る増幅器は部分的に又は全体的にバ
イポーラ以外の技術で作ることができる。電界効
果トランジスタ(FET)は、絶縁ゲート形でも
接合ゲート形でもよい。この時各トランジスタは
第1のフロー電極(flow electrode)と、第2の
フロー電極と、これらのフロー電極間の電流伝達
を規制する制御電極とを有する。バイポーラトラ
ンジスタの場合は、そのベース、エミツタ及びコ
レクタが夫々第1のフロー電極と、第2のフロー
電極と、制御電極である。電界効果トランジスタ
(FET)の場合はこれらの電極は夫々、ゲート、
ソース及びドレインである。
イポーラ以外の技術で作ることができる。電界効
果トランジスタ(FET)は、絶縁ゲート形でも
接合ゲート形でもよい。この時各トランジスタは
第1のフロー電極(flow electrode)と、第2の
フロー電極と、これらのフロー電極間の電流伝達
を規制する制御電極とを有する。バイポーラトラ
ンジスタの場合は、そのベース、エミツタ及びコ
レクタが夫々第1のフロー電極と、第2のフロー
電極と、制御電極である。電界効果トランジスタ
(FET)の場合はこれらの電極は夫々、ゲート、
ソース及びドレインである。
例えば、第14図は第7b図に類似する、第6
b図のFETによる実施例である。第7b図のエ
ミツタ結合されたバイポーラトランジスタの各対
は第14図ではソース結合された絶縁ゲート形
FETの対応する対で置き換えられている。この
対応関係は第14図ではダツシユ(プライム)を
付することにより示されている。
b図のFETによる実施例である。第7b図のエ
ミツタ結合されたバイポーラトランジスタの各対
は第14図ではソース結合された絶縁ゲート形
FETの対応する対で置き換えられている。この
対応関係は第14図ではダツシユ(プライム)を
付することにより示されている。
本発明増幅器の種々の要素を作る方法は半導体
技術で周知である。各増幅器は半導体チツプの活
性領域を分離するのにPN接合絶縁を用いてモノ
リシツク集積回路の一部として作ると好適であ
る。
技術で周知である。各増幅器は半導体チツプの活
性領域を分離するのにPN接合絶縁を用いてモノ
リシツク集積回路の一部として作ると好適であ
る。
以上本発明を特定の実施例につき記述してきた
が、この記述は単に説明の便宜上のためであつ
て、特許請求の範囲で規定された本発明の範囲を
限定するものと考えてはならない。例えば、上述
したのと逆極性の半導体素子を用いて同じ結果を
得ることができる。本発明増幅器の一つと共に用
いらるべき負帰還回路網の特性がその増幅器を設
計する前に知られていれば、その補償コンデンサ
の値はループ利得の安定規準を満足するように適
当に調整すれば十分で、必らずしも開ループ利得
ロールオフ安定規準を満足する必要はない。この
ように、当業者ならば特許請求の範囲に規定され
ている本発明の真の範囲と精神を逸脱せずに種々
の修正例、変形例及び用途を作ることができる
が、それらは全て本発明の範囲に含まれるもので
ある。
が、この記述は単に説明の便宜上のためであつ
て、特許請求の範囲で規定された本発明の範囲を
限定するものと考えてはならない。例えば、上述
したのと逆極性の半導体素子を用いて同じ結果を
得ることができる。本発明増幅器の一つと共に用
いらるべき負帰還回路網の特性がその増幅器を設
計する前に知られていれば、その補償コンデンサ
の値はループ利得の安定規準を満足するように適
当に調整すれば十分で、必らずしも開ループ利得
ロールオフ安定規準を満足する必要はない。この
ように、当業者ならば特許請求の範囲に規定され
ている本発明の真の範囲と精神を逸脱せずに種々
の修正例、変形例及び用途を作ることができる
が、それらは全て本発明の範囲に含まれるもので
ある。
第1,2及び3図は従来技術の一段増幅器のブ
ロツク図、回路図及び定性的周波数応答のグラ
フ、第4及び5図は従来技術の2段増幅器のブロ
ツク図及び周波数応答のグラフ、第6a,6b,
6c及び6d図は本発明に係る周波数補償のため
の容量性ネステイングを有する3段増幅器の4実
施例のブロツク図、第7a,7b,7c及び7d
図は第6a〜6d図の夫々の増幅器をバイポーラ
トランジスタを使つて作つたものの回路図、第
8a,8b,8c及び8d図は第7a〜7d図の
夫々の増幅器の周波数応答のグラフ、第9,10
a及び10b図は電流ホロワと電圧ホロワを用い
る第7b図の増幅器の一層一般化された実施例の
回路図、電流ホロワの回路図及び電圧ホロワの回
路図、第11図はもう一つの段間結合を含む第7
d図の増幅器の一層特定化された実施例の回路
図、第12図は第6d図の増幅器の好適なバイポ
ーラ トランジスタによる実施例の回路図、第1
3図は本発明に係る4段増幅器の一実施例のブロ
ツク図、第14図は第6b図の増幅器のFETに
よる実施例の回路図である。 11,12…複合増幅器部(複合部)、21〜
24…3段増幅器、34…4段増幅器、A…相互
コンダクタンス増幅器段(A1…第1段、A2…
相互コンダクタンス第2段、A3…相互コンダク
タンス第3段)、C…補償コンデンサ(C1…第
1のコンデンサ、C2…第2のコンデンサ)。
ロツク図、回路図及び定性的周波数応答のグラ
フ、第4及び5図は従来技術の2段増幅器のブロ
ツク図及び周波数応答のグラフ、第6a,6b,
6c及び6d図は本発明に係る周波数補償のため
の容量性ネステイングを有する3段増幅器の4実
施例のブロツク図、第7a,7b,7c及び7d
図は第6a〜6d図の夫々の増幅器をバイポーラ
トランジスタを使つて作つたものの回路図、第
8a,8b,8c及び8d図は第7a〜7d図の
夫々の増幅器の周波数応答のグラフ、第9,10
a及び10b図は電流ホロワと電圧ホロワを用い
る第7b図の増幅器の一層一般化された実施例の
回路図、電流ホロワの回路図及び電圧ホロワの回
路図、第11図はもう一つの段間結合を含む第7
d図の増幅器の一層特定化された実施例の回路
図、第12図は第6d図の増幅器の好適なバイポ
ーラ トランジスタによる実施例の回路図、第1
3図は本発明に係る4段増幅器の一実施例のブロ
ツク図、第14図は第6b図の増幅器のFETに
よる実施例の回路図である。 11,12…複合増幅器部(複合部)、21〜
24…3段増幅器、34…4段増幅器、A…相互
コンダクタンス増幅器段(A1…第1段、A2…
相互コンダクタンス第2段、A3…相互コンダク
タンス第3段)、C…補償コンデンサ(C1…第
1のコンデンサ、C2…第2のコンデンサ)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくとも部分的に反転入力端子で受取られ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る増幅器であつて、この増幅器が複合増幅器部を
具え、この複合増幅器部が、 少なくとも部分的に反転入力端子で受け取られ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る第1段と; 前記第1段の出力端子と入力端子の間に結合さ
れた第1のコンデンサと; 少なくとも部分的に非反転入力端子で受け取ら
れた入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生
ずる相互コンダクタンス第2段と; を具え、前記第1段と第2段の内のいずれか一方
の段の出力端子をこれら第1段と第2段の内の他
方の段の入力端子に結合し、第1段と第2段の残
りの入力端子を前記複合増幅器部の反転入力端子
に結合し、前記第1段と第2段の残りの出力端子
を前記複合増幅器部の出力端子に結合した増幅器
において、 前記複合増幅器部の出力端子と入力端子との間
に第2のコンデンサを結合し、 前記増幅器が更に: 少なくとも部分的に非反転入力端子で受け取つ
た入力信号を増幅して出力端子に出力信号を生ず
る相互コンダクタンス第3段を具え、前記複合増
幅器部と第3段の内のいずれか一方のものの出力
端子を、これら複合増幅器部と第3段の内の他方
のものの入力端子に結合し、前記複合増幅器部と
第3段の内の前記一方のものの入力端子を前記増
幅器の反転入力端子に結合し、前記複合増幅器部
と第3段の内の前記他方のものの出力端子を増幅
器の出力端子に結合し、前記第1のコンデンサの
値を前記複合増幅器部の順方向利得が、その利得
が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高くロ
ールオフしないように選択し、前記第2のコンデ
ンサの値を前記増幅器の順方向利得が、その利得
が1となる周波数の外へ9dB/OCTより高くロ
ールオフしないように選んだことを特徴とする増
幅器。 2 第1段の出力端子を第2段の非反転入力端子
に結合し、第2段の出力端子を第3段の非反転入
力端子に結合したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の増幅器。 3 第3段の出力端子を第1段の反転入力端子に
結合し、第1段の出力端子を第2段の非反転入力
端子に結合したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の増幅器。 4 第2段の出力端子を第1段の反転入力端子に
結合し、第1段の出力端子を第3段の非反転入力
端子に結合したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の増幅器。 5 第3段の出力端子を第2段の非反転入力端子
に結合し、第2段の出力端子を第1段の反転入力
端子に結合したことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の増幅器。 6 第1段を相互コンダクタンス段としたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項の
いずれかに記載の増幅器。 7 増幅器を第1の電圧源と第2の電圧源との間
に結合し、第2段と第3段の各々が反転入力端子
を有し、第2段と第3段の各々が第1と第2の同
じ極性のトランジスタを具え、各トランジスタが
第1のフロー電極と、第2のフロー電極と、両フ
ロー電極間の電流伝達を規制するための制御電極
とを有し、第1の電極どうしを一つに結合して第
1の電源に結合し、第1と第2のトランジスタの
制御電極を夫々その段の反転入力端子及び非反転
入力端子に結合し、第1のトランジスタの第2の
電極をその段の出力端子に結合し、第2のトラン
ジスタの第2の電極を第2の電源に結合したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6項
のいずれかに記載の増幅器。 8 第1段が第1の電源に結合された第1のフロ
ー電極と、第1段の出力端子に結合された第2の
フロー電極と、第1段の第1のトランジスタのフ
ロー電極どうしの間の電流伝達を規制し且つ第1
段の反転入力端子に結合されている制御電極とを
有する第1のトランジスタを具えることを特徴と
する特許請求の範囲第7項記載の増幅器。 9 第1段が第1のフロー電極と、第2の電源に
結合された第2のフロー電極と、第1段の第2の
トランジスタのフロー電極どうしの間の電流伝達
を規制し且つ第1段の非反転入力端子に結合され
ている制御電極とを有する第2のトランジスタを
具え、第1段の2個のトランジスタを同じ極性と
し、第1のフロー電極どうしを互に結合したこと
を特徴とする特許請求の範囲第8項記載の増幅
器。 10 各段が更にもう一つの入力端子を有し、こ
の入力端子が第1段の場合は非反転入力端子であ
り、第2段と第3段の各々の場合は反転入力端子
であり、各段がまたその入力信号を増幅してその
別の出力端子にその出力信号に逆の信号を生じ、
先導段の別の出力端子を中央段の別の入力端子に
結合し、中央段の別の出力端子を最終段の別の入
力端子に結合し、第1段の別の出力端子と別の入
力端子との間に複合部の別の第1のコンデンサを
結合し、第1段と第2段の中の先導段の別の入力
端子と第1段と第2段の中の最終段の別の出力端
子との間に別の第2のコンデンサを結合させたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の増幅
器。 11 別の第1のコンデンサの値を複合増幅器部
の順方向利得が、その利得が1となる周波数の外
へ9dB/OCTより高くロールオフすることがな
いように選択し、別の第2のコンデンサの値を増
幅器の順方向利得が、その利得が1となる周波数
の外へ9dB/OCTより高くロールオフすること
がないように選ぶことを特徴とする特許請求の範
囲第10項記載の増幅器。 12 第1段が少なくとも部分的に夫々の個別の
反転入力端子で受け取つた夫々の入力信号を増幅
して第1段の出力端子に結合されている夫々の出
力端子に夫々の出力信号を生ずる第1と第2の副
段を具え、第1の副段と第1段の入力端子を互に
結合し、複合増幅器部が第2の副段の反転入力端
子と第1段と第2段の最終段である第1段の出力
端子との間に結合された付加的第1のコンデンサ
を具えることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の増幅器。 13 付加的第1のコンデンサの値を複合増幅器
部の順方向利得が、その利得が1となる周波数の
外へ9dB/OCTより高くロールオフすることが
ないように選んだことを特徴とする特許請求の範
囲第12項記載の増幅器。 14 各副段が第1のフロー電極と、第2のフロ
ー電極と、両フロー電極間の電流伝達を規制する
制御電極とを有する夫々1個のトランジスタを具
え、両トランジスタが逆極性で、各トランジスタ
が夫々その副段の入力端子と出力端子に結合され
た制御電極と第2の電極とを有することを特徴と
する特許請求の範囲第13項記載の増幅器。 15 第2段もその入力信号を増幅して第2の副
段の入力端子に結合されている付加的出力端子に
付加的出力信号を生ずるようにしたことを特徴と
する特許請求の範囲第14項記載の増幅器。 16 各トランジスタが夫々そのトランジスタの
制御電極、第1のフロー電極及び第2のフロー電
極であるベースと、エミツタと、コレクタとを有
するバイポーラトランジスタであることを特徴と
する特許請求の範囲第8項記載の増幅器。 17 各トランジスタが夫々そのトランジスタの
制御電極、第1のフロー電極及び第2のフロー電
極であるゲートと、ソースと、ドレインとを有す
る電界効果トランジスタであることを特徴とする
特許請求の範囲第8項記載の増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/602,234 US4559502A (en) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | Multi-stage amplifier with capacitive nesting for frequency compensation |
US602234 | 1984-04-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60233914A JPS60233914A (ja) | 1985-11-20 |
JPH0588562B2 true JPH0588562B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=24410531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60079484A Granted JPS60233914A (ja) | 1984-04-19 | 1985-04-16 | 増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4559502A (ja) |
EP (1) | EP0159099B1 (ja) |
JP (1) | JPS60233914A (ja) |
CA (1) | CA1221747A (ja) |
DE (1) | DE3588172T2 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0324868A1 (de) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | Alfred Kärcher GmbH & Co. | Kolbenpumpe für ein Hochdruckreinigungsgerät |
US4973919A (en) * | 1989-03-23 | 1990-11-27 | Doble Engineering Company | Amplifying with directly coupled, cascaded amplifiers |
NL8901824A (nl) * | 1989-07-14 | 1991-02-01 | Philips Nv | Versterkerschakeling. |
US5155447A (en) * | 1991-02-11 | 1992-10-13 | Signetics Company | Multi-stage amplifier with capacitive nesting and multi-path forward feeding for frequency compensation |
US5410273A (en) * | 1993-11-01 | 1995-04-25 | Advanced Micro Devices | Low distortion operational amplifier |
US5504456A (en) * | 1994-02-09 | 1996-04-02 | Psc, Inc. | Low noise wide band amplifier |
US5486790A (en) * | 1994-02-10 | 1996-01-23 | Philips Electronics North America Corporation | Multistage amplifier with hybrid nested miller compensation |
US5477190A (en) * | 1994-12-16 | 1995-12-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low voltage linear output buffer operational amplifier |
JP3126629B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2001-01-22 | シャープ株式会社 | 演算増幅器 |
SG52763A1 (en) * | 1996-05-16 | 1998-09-28 | Inst Of Microelectronics | Low-voltage multipath-miller-zero-compensated cmos class-ab operational amplifier |
US6002299A (en) * | 1997-06-10 | 1999-12-14 | Cirrus Logic, Inc. | High-order multipath operational amplifier with dynamic offset reduction, controlled saturation current limiting, and current feedback for enhanced conditional stability |
US5917376A (en) * | 1997-08-22 | 1999-06-29 | Burr-Brown Corporation | Circuit and technique for compensating high gain amplifier without compensation capacitors |
WO2000003476A1 (en) | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Steensgaard Madsen Jesper | Wide-bandwidth operational amplifier |
US6456159B1 (en) | 2000-09-08 | 2002-09-24 | Analog Devices, Inc. | CMOS operational amplifier |
US6307430B1 (en) | 2000-10-02 | 2001-10-23 | Cirrus Logic, Inc. | Noise reduction technique in chopper stabilized amplifier |
US6466091B1 (en) | 2000-10-02 | 2002-10-15 | Cirrus Logic, Inc. | High order multi-path operational amplifier with reduced input referred offset |
US7551024B2 (en) * | 2001-03-13 | 2009-06-23 | Marvell World Trade Ltd. | Nested transimpedance amplifier |
US6515540B1 (en) | 2001-12-10 | 2003-02-04 | Cirrus Logic, Inc. | High order multi-path operational amplifier with output saturation recovery |
AU2003243062A1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-12 | Igor Anatolievich Abrosimov | High speed amplifier incorporating pre-emphasis |
DE102004002826B4 (de) * | 2004-01-13 | 2008-01-03 | Atmel Germany Gmbh | Schaltung zur Änderung einer Frequenz |
JP4567420B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2010-10-20 | 富士通株式会社 | フィルタ回路及びシグマデルタa/d変換器 |
US7202746B1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-10 | Cirrus Logic, Inc. | Multiple-stage operational amplifier and methods and systems utilizing the same |
US7202738B1 (en) | 2005-02-08 | 2007-04-10 | Maxim Integrated Products, Inc. | Accurate voltage to current converters for rail-sensing current-feedback instrumentation amplifiers |
US7132883B2 (en) * | 2005-02-08 | 2006-11-07 | Maxim Integrated Products, Inc. | Chopper chopper-stabilized instrumentation and operational amplifiers |
US7209000B2 (en) * | 2005-02-08 | 2007-04-24 | Maxim Integrated Products, Inc. | Frequency stabilization of chopper-stabilized amplifiers |
US7199654B1 (en) | 2005-06-17 | 2007-04-03 | Ess Technology, Inc. | Multi-stage amplifier with switching circuitry |
US7459972B2 (en) * | 2005-11-02 | 2008-12-02 | Marvell World Trade Ltd. | Amplifiers with compensation |
US7535295B1 (en) | 2006-09-15 | 2009-05-19 | Maxim Integrated Products, Inc. | Chopper stabilized amplifiers combining low chopper noise and linear frequency characteristics |
JP4580950B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-11-17 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
US7973605B2 (en) * | 2008-09-15 | 2011-07-05 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Three-stage frequency-compensated operational amplifier for driving large capacitive loads |
US7889004B1 (en) | 2009-09-30 | 2011-02-15 | Analog Devices, Inc. | Operational amplifiers with enhanced parameters |
US8008968B2 (en) * | 2009-12-03 | 2011-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Multipath amplifier |
CN104335484B (zh) * | 2012-04-05 | 2018-01-09 | 马维尔国际贸易有限公司 | 头戴式耳机放大器 |
CN104601123A (zh) * | 2014-12-24 | 2015-05-06 | 天津大学 | 用于驱动大负载电容的低功耗三级运算放大器 |
US9680420B2 (en) * | 2015-09-29 | 2017-06-13 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for compensation of electronic circuitry and associated methods |
US10663490B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-05-26 | Keithley Instruments, Llc | Nested ammeter |
CN110768636A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-07 | 西安邮电大学 | 一种用于多级运算放大器的稳定性补偿方法及电路结构 |
Family Cites Families (5)
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GB1601062A (en) * | 1978-02-01 | 1981-10-21 | Univ Monash | Negative-feedback amplifier |
AU521165B2 (en) * | 1978-02-01 | 1982-03-18 | Monash University | Feedback circuits |
US4227157A (en) * | 1979-01-05 | 1980-10-07 | Motorola, Inc. | Frequency compensated high frequency amplifiers |
US4335355A (en) * | 1979-09-28 | 1982-06-15 | American Microsystems, Inc. | CMOS Operational amplifier with reduced power dissipation |
US4366446A (en) * | 1980-10-22 | 1982-12-28 | Rca Corporation | Feedback linearization of cascode amplifier configurations |
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