JPH0587906U - 負荷駆動回路 - Google Patents

負荷駆動回路

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JPH0587906U
JPH0587906U JP2732992U JP2732992U JPH0587906U JP H0587906 U JPH0587906 U JP H0587906U JP 2732992 U JP2732992 U JP 2732992U JP 2732992 U JP2732992 U JP 2732992U JP H0587906 U JPH0587906 U JP H0587906U
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JP
Japan
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turned
gate
field effect
fet1
effect transistor
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Pending
Application number
JP2732992U
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English (en)
Inventor
俊之 山崎
信夫 深沢
Original Assignee
日本電子機器株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電子機器株式会社 filed Critical 日本電子機器株式会社
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  • Electrical Control Of Air Or Fuel Supplied To Internal-Combustion Engine (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】FET2のオフの遅れ時間を低減し、ノイズを
低減する。 【構成】FET1のドレインとFET2のゲート間にカ
ソードをFET1側にしたダイオードD11を接続する。
あるいはFET2のゲートとアース間にトランジスタ6
を接続して、駆動信号でトランジスタ6を制御する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は負荷駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば電子制御燃料噴射式内燃機関においては、補助空気通路に電磁式のアイ ドルスピード制御弁を介装し、機関状態に応じてアイドルスピード制御弁の開度 を制御することにより補助空気流量を調整しているが、このアイドルスピード制 御弁を駆動する駆動回路として、開弁用、閉弁用の2つのソレノイドを備え、デ ューティ比を設定した駆動信号に基づいて開弁用、閉弁用の2つのソレノイドに 交互に通電してアイドルスピード制御弁を駆動するようなものがある(実開昭6 0−134841号公報参照)。
【0003】 かかるソレノイドを駆動する従来の負荷駆動回路を示す図3において、電界効 果トランジスタ(以後、FETと記す)1は、ドレインで、カソードがドレイン 側のダイオードD1、負荷としての閉弁用ソレノイド3を介して電源に接続し、 ソースでアースに接続し、ゲートで、図示しないマイコンから抵抗R1を介して デューティ比が設定された駆動信号を入力する。FET2は、FET1と同様に ドレインで、カソードがドレイン側のダイオードD3、開弁用ソレノイド4を介 して電源に接続し、ソースでアースに接続し、ゲートで抵抗R3、R5を介して FET1のドレインに接続している。尚、FET1、2のゲート−アース間に接 続されているC1、C2はノイズ低減用コンデンサ、R2、R4は電荷放電用抵 抗、D5はFET2のゲート保護用ツェナーダイオード、D2、D4は夫々電源 に接続したノイズ吸収用ダイオードである。
【0004】 またFET2のドレインにはソレノイド3、4等の断線・短絡を検出する自己 診断回路5が接続されている。 次に動作を説明する。 マイコンからの駆動信号がローレベルからハイレベルに立ち上がった時、抵抗 R1を介してコンデンサC1への充電が開始し、FET1のゲート電圧が所定電 圧に達した時、FET1はオンして電源からソレノイド3への通電が開始し、ア イドルスピード制御弁が閉弁方向に駆動される。またソレノイド3への通電中は FET2はゲート電圧が0であるのでオフしており、ソレノイド4への通電は停 止している。次に駆動信号がハイレベルからローレベルに立ち下がった時、FE T1のゲートに蓄積された電荷が抵抗R1、コンデンサC1を介して放電され、 FET1はオフしてソレノイド3への通電が停止し、ドレイン電圧がハイレベル になる。そして電源からソレノイド3、抵抗R5、R3を介してコンデンサC2 が充電され、FET2のゲート電圧が所定電圧に達した時、FET2はオンして ソレノイド4への通電が開始し、アイドルスピード制御弁が開弁方向に駆動され る。従って、アイドルスピード制御弁は前記駆動信号のデューティ比に応じた開 度に制御される。
【0005】 このようにFET1、2のゲート−アース間に接続された抵抗R1、コンデン サC1、抵抗R3、コンデンサC2の作用によりFET1、2のゲート電圧の立 ち上がり、立ち下がりが緩やかになってFET1、2のターンオン時間が長くな り、大きな電流変化がなくなるのでノイズが低減される。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の負荷駆動回路では、FET1のオン・オフによるドレイ ン電圧のローレベル、ハイレベルを利用してFET2をオフ・オンさせ、しかも FET2のゲートには抵抗R5、R3、及びノイズ低減用コンデンサC2を接続 している。したがってコンデンサC2、抵抗R3によりFET2のノイズは低減 されるものの、FET1、2のドレイン電圧を示す図4に示すように、FET1 がオンからオフになった時、あるいはオフからオンになった時、FET2のゲー トに蓄積された電荷はすぐに充放電されず、FET1のオン・オフに対するFE T2のオフ・オンに遅れ時間が生ずる。特にFET1がオンする時には、期間T でFET1、2が同時オンとなってしまう。したがってもともとアイドルスピー ド制御弁を駆動する負荷回路ではソレノイド3、4への通電量が多く、FET1 、2の同時オン状態が存在するとさらに通電量が増大し、FET1、2のオン・ オフ時の電流変化が大きくなって輻射ノイズ等が増大し、誤動作を引き起こすお それがある。
【0007】 本考案ではこのような従来の課題に鑑みてなされたもので、2つの電界効果ト ランジスタが同時オンしない負荷駆動回路を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このため本考案は、ゲートに容量を有し、オンして第1の負荷へ通電させる第 1の電界効果トランジスタと、ゲートに容量を有し、該第1の電界効果トランジ スタがオンしている時にはオフし、オフの時にオンして第2の負荷へ通電させる 第2の電界効果トランジスタと、を備えた負荷駆動回路において、前記第1の電 界効果トランジスタがオンした時に第2の電界効果トランジスタのゲート−ソー ス間に蓄積された電荷を放電させる放電手段を備えるようにした。
【0009】
【作用】
上記の構成によれば、第1の電界効果トランジスタがオンした時、放電手段に より第2の電界効果トランジスタのゲート−ソース間に蓄積された電荷が放電さ れるので、第2の電界効果トランジスタは、ゲート電圧が低下して急速にターン オフする。したがって第1の電界効果トランジスタがオンした時に第2の電界効 果トランジスタがオフする遅れ時間の短縮が可能となり、2つの電界効果トラン ジスタの同時オン状態が回避され、ノイズを低減することが可能となる。
【0010】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図1及び2に基づいて説明する。尚、図3と同一要素 のものについては同一符号を付して説明は省略する。 第1実施例を示す図1において、FET1、2は夫々第1、2の電界効果トラ ンジスタであり、閉弁用ソレノイド3、開弁用ソレノイド4は夫々第1、2の負 荷である。放電手段としての整流ダイオードD11は、カソードをFET1のドレ イン側にしてFET1のドレインとFET2のゲート間に接続している。
【0011】 次に動作を説明する。 駆動信号がローレベルからハイレベルに立ち上がった時、FET1はオンして ソレノイド3への通電が開始し、FET1のドレイン電圧は略0Vとなる。この 時、ダイオードD11のカソード側、アノード側が夫々ローレベル、ハイレベルと なるので、ダイオードD11が導通してコンデンサC2に蓄積されている電荷はダ イオードD11、FET1を介してアースに急速に放電され、FET2は急速にオ フする。したがってFET2は急速にオフし、FET1、2の同時オン状態が回 避される。
【0012】 尚、FET1がオフしている時、ドレイン電圧はFET2のゲート電圧よりも 高く、ダイオードD11は導通しない。 かかる構成によれば、FET2がオフする時、FET2のゲートに蓄積された 電荷をダイオードD11を介してFET1のドレインを介してアースに放電させる 構成とすることにより、FET2のオフ時にFET2は急速にオフし、FET1 、2の同時オン状態が回避される。したがって同時オンによる大電流は流れない ので輻射ノイズが低減し、誤動作が防止されて品質が向上する。
【0013】 次に第2実施例について説明する。 このものは、バイポーラトランジスタを利用して第2の電界効果トランジスタ のゲートに蓄積された電荷を放電させるようにしたものである。 図2において、NPNバイポーラトランジスタ(以後、単にトランジスタと記 す)6は、コレクタでFET2のゲートに接続し、エミッタでアースに接続し、 ベースで抵抗Rを介して駆動信号を入力する。
【0014】 次に動作を説明する。 駆動信号がローレベルからハイレベルに立ち上がった時、FET1はオンし、 トランジスタ6もオンする。トランジスタ6がオンするとFET2のゲートに蓄 積された電荷はトランジスタ6のコレクタ、エミッタを介してアースに急速に放 電される。したがってトランジスタ6を利用しても同様の効果が得られる。
【0015】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、第2の電界効果トランジスタがオフする 時、第2の電界効果トランジスタのゲートに蓄積した電荷を放電手段で放電させ る構成にすることにより、第2の電界効果トランジスタのオフ時に、第2の電界 効果トランジスタは急速にオフし、第1、2の電界効果トランジスタの同時オン 状態が回避される。したがって同時オンによる大電流は流れないので輻射ノイズ が低減し、誤動作が防止されて品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1実施例を示す回路図。
【図2】本考案の第2実施例を示す回路図。
【図3】従来の回路図。
【図4】図3の信号波形図。
【符号の説明】
1、2 電界効果トランジスタ(FET) 3、4 ソレノイド 5 自己診断回路 D11 ダイオード 6 トランジスタ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】ゲートに容量を有し、オンして第1の負荷
    へ通電させる第1の電界効果トランジスタと、ゲートに
    容量を有し、該第1の電界効果トランジスタがオンして
    いる時にはオフし、オフの時にオンして第2の負荷へ通
    電させる第2の電界効果トランジスタと、を備えた負荷
    駆動回路において、 前記第1の電界効果トランジスタがオンした時に第2の
    電界効果トランジスタのゲート−ソース間に蓄積された
    電荷を放電させる放電手段を備えたことを特徴とする負
    荷駆動回路。
JP2732992U 1992-04-24 1992-04-24 負荷駆動回路 Pending JPH0587906U (ja)

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JP2732992U JPH0587906U (ja) 1992-04-24 1992-04-24 負荷駆動回路

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ID=12218035

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294883A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Jeol Ltd 駆動電圧発生回路
JP2013227903A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Denso Corp 車載電子制御装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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