JPH0585063U - 光半導体素子モジュール - Google Patents

光半導体素子モジュール

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JPH0585063U
JPH0585063U JP2475592U JP2475592U JPH0585063U JP H0585063 U JPH0585063 U JP H0585063U JP 2475592 U JP2475592 U JP 2475592U JP 2475592 U JP2475592 U JP 2475592U JP H0585063 U JPH0585063 U JP H0585063U
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JP
Japan
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semiconductor laser
optical
lens
laser chips
optical fiber
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JP2475592U
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政昭 及川
猛 中村
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 波長多重伝送系において、安価に伝送系が構
成できる光半導体素子、または、光半導体素子モジュー
ルを得ることを目的とする。 【構成】 波長の異なる2つの半導体レーザチップ1
a、1bを気密封止し、2つの半導体レーザチップ1
a、1bのレンズ11側の端面を20μm以下になるよ
うに揃え、2つの半導体レーザチップ1a、1bの発光
点9a、9bが20μm以下になるようにハンダで固定
し、2つの半導体レーザチップ1a、1bからの出射光
がレンズ11により光ファイバ端付近で40μm以下の
間隔で集光するように、半導体レーザチップ1a、1b
とレンズ11の位置を調整し、2つの半導体レーザチッ
プ1a、1bの一方の電極を電気的に接続したものであ
る。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、光ファイバを伝送路として用いる通信装置に使用される、半導体 レーザチップと光ファイバとをレンズを介して結合した光半導体素子モジュール に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は、例えば、伊藤良一・中村道治共著「半導体レーザ」(培風館)に示さ れた、従来の光半導体素子モジュールに組み込まれている光半導体素子を示す斜 視図であり、図において、1aは半導体レーザチップ、2はモニタホトダイオー ドチップ、3はステム、4はキャップ、5は無反射コートガラス、6は無反射コ ートガラス5をキャップ4に固定するための無反射コートガラス固定低融点ガラ ス、7e,7f,7g,7hは電極端子、8は電極端子7e,7f,7gをステ ム3に固定するための電極端子封止低融点ガラスである。なお、図において、キ ャップ4と無反射コートガラス5は一部を省略して示している。電極端子7hは ステム3に溶接により固定されている。半導体レーザチップ1aとモニタホトダ イオードチップ2はステム3にハンダで固定されている。半導体レーザチップ1 aの一方の電極とモニタホトダイオードチップ2の電極は各々電極端子7e,7 f,7gに金線で接続されており、半導体レーザチップ1aの他方の電極はステ ムを介して電極端子7hに接続されている。キャップ4と無反射コートガラス5 は無反射コートガラス固定低融点ガラス6で、また、ステム3と電極端子7e, 7f,7gは電極端子封止低融点ガラス8で、各々固定されている。半導体レー ザチップ1aとモニタホトダイオードチップ2はキャップ4と無反射コートガラ ス5と無反射コートガラス固定低融点ガラス6とステム3と電極端子7e、7f 、7gと電極端子封止低融点ガラス8とで気密封止されている。半導体レーザチ ップ1aの一方の出力光はモニタホトダイオードチップ2に入射し、半導体レー ザチップ1aの他方の出力光は無反射コートガラス5を通して光半導体素子外部 に出射する。
【0003】 また、図6は従来の光半導体素子モジュールであり、10はLDホルダ、11 はレンズ、12a、12bはネジ、13はレンズホルダ、14は光ファイバ、1 5はフェルール、16はフェルールホルダである。キャップ4とLDホルダ10 は接着剤で固定されている。レンズ11はレンズホルダ13にネジ12aで固定 されており、ネジ12aはレンズホルダ13とゆるみ止めのために接着剤で固定 されている。光ファイバ14はフェルール15に接着剤で固定されている。フェ ルール15はフェルールホルダ16にネジ12bで固定されており、ネジ12b はフェルールホルダ16とゆるみ止めのために接着剤で固定されている。半導体 レーザチップ1aの一方の出力光がレンズ11で集光されて光ファイバ14に入 射するように、レンズ11、光ファイバ14の位置は調整されている。LDホル ダ10とレンズホルダ13、および、レンズホルダ13とフェルールホルダ16 とはレーザ溶接で固定されている。半導体レーザチップ1aの他方の出力光はモ ニタホトダイオードチップ2に入射する。
【0004】 光ファイバを用いた光通信の方式の1つとして、複数の波長の光信号を一本の 光ファイバで伝送する波長多重伝送方式がある。従来、波長多重伝送方式には、 上記の従来例に示した光半導体素子モジュールと光合分波器を使用していた。図 7に、従来の波長多重伝送方式の構成例を示す。図において、18a、18bは 受光素子モジュール、19は光分波器、20b、20c、20d、20e、20 fは光ファイバ、21a、21bは波長の異なる発光素子モジュール、22は光 合波器である。発光素子モジュール21a、21bは上記の従来例に示した光半 導体素子モジュールと同等のものである。波長の異なる発光素子モジュール21 a、21bからの光信号は、光ファイバ20d、20eを通り、光合波器22に 入射する。光合波器22により一本の光ファイバ20fに集められた光信号は、 光分波器19へ伝送され、光分波器19により、出力光は各波長に分けられ、一 方の波長の光信号は受光素子モジュール18aへ、他方の波長の光信号は受光素 子モジュール18bへ入射する。このように、従来の波長多重伝送方式では、複 数の発光素子モジュールと光合波器と光分波器と複数の受光素子モジュール等が 必要であり、各々を光ファイバで結線することが必要であった。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
従来の光半導体モジュールは以上のように構成されているので、波長多重伝送 をする場合には、光半導体素子モジュールを複数使用しなければならず、伝送系 に光合波器を使用することが必要であり、また、これらを光ファイバで結線する ために、系の構成が複雑で高価になるなどの課題があった。
【0006】 この考案は上記のような課題を解決するためになされたもので、光半導体素子 モジュール2台を1台にすることが可能で、光合波器を必要としない、安価に波 長多重伝送系が構成できることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この考案に係る光半導体素子モジュールは、発光波長の異なる2つ半導体レー ザチップとレンズを備え、2つの半導体レーザチップのレンズ側の端面を20μ m以下になるように揃え、2つの半導体レーザチップの発光点が20μm以下に なるようにハンダで固定し、2つの半導体レーザチップの各々一方の電極を電気 的に接続し、2つの半導体レーザチップからの出射光がレンズにより光ファイバ 端付近で40μm以下の間隔で集光するように半導体レーザチップとレンズの位 置を調整したものである。
【0008】
【作用】
この考案における光半導体素子モジュールは、波長の異なる2つの半導体レー ザチップのレンズ側の端面を20μm以下になるように揃え、発光点が20μm 以下になるようにハンダで固定し、2つの半導体レーザチップからの出射光がレ ンズにより光ファイバ端付近で40μm以下の間隔で集光するように、半導体レ ーザチップとレンズの位置を調整したことにより、一般的に使われているG15 0/125マルチモード光ファイバに2つの異なる波長の光信号を結合させるこ とが可能である。このため、2つの光信号を1本の光ファイバで送信することが 可能である。
【0009】
【実施例】
実施例1. 以下この考案の光半導体素子モジュールの一実施例を図について説明する。図 1はこの考案の光半導体素子モジュールに組み込まれる光半導体素子の斜視図で ある。図1において1aは発光波長1300nmの半導体レーザチップ、1bは 発光波長1550nmの半導体レーザチップ、7a、7b、7c、7dは電極端 子、8は電極端子7a、7b、7cをステム3に固定するための電極端子封止低 融点ガラスである。なお、図においてキャップ4と無反射コートガラス5は一部 を省略して示している。電極端子7dはステム3に溶接により固定されている。 半導体レーザチップ1bは半導体レーザチップ1aにハンダで互いのカソード電 極を電気的に接続するように、固定されている。半導体レーザチップ1aとモニ タホトダイオード2はステム3に、それぞれハンダで固定されている。半導体レ ーザチップ1aのアノード電極は電極端子7cに、半導体レーザチップ1bのア ノード電極は電極端子7aに、半導体レーザチップ1bと半導体レーザチップ1 aのカソード電極はステム3を介して電極端子7dに接続されている。モニタホ トダイオードチップ2の各々の一方の電極は電極端子7bに金線で接続されてお り、他方の電極はステム3を介して電極端子7dに接続されている。キャップ4 と無反射コートガラス5は無反射コートガラス固定低融点ガラス6で、また、ス テム3と電極端子7a,7b,7cは電極端子封止低融点ガラス8で、各々キャ ップ4内の気密を保っている。半導体レーザチップ1a,1bの一方の出力光は モニタホトダイオードチップ2に入射し、半導体レーザチップ1a、1bの他方 の出力光は無反射コートガラス5を通して光半導体素子外部に出射する。
【0010】 図2は、図1の半導体レーザチップ部を拡大した図である。図において、9a は半導体レーザチップ1aの発光点、9bは半導体レーザチップ1bの発光点で ある。発光点と発光点は、20μm以下になるように、半導体レーザチップ1a と半導体レーザチップ1bとはハンダで固定されている。また、半導体レーザチ ップ1aの発光点9a側の電極と半導体レーザチップ1bの発光点9b側の電極 とはハンダで接続されており、この2つの電極は金線で電極端子7aに接続され ている。なお、半導体レーザチップ1aと半導体レーザチップ1bの無反射コー トガラス5側の端面、すなわち、光半導体素子モジュールのレンズ側の端面は2 0μm以下にそろえられている。
【0011】 また、図3はこの考案の光半導体素子モジュールの一実施例である。図3にお いて10はLDホルダ、11はレンズ、12a、12bはネジ、13はレンズホ ルダ、30は光ファイバ、15はフェルール、16はフェルールホルダである。 キャップ4とLDホルダ10は接着剤で固定されている。レンズ11はレンズホ ルダ13にネジ12aで固定されており、ネジ12aはレンズホルダ13とゆる み止めのために接着剤で固定されている。光ファイバ30はコア径50μm、ク ラッド径125μmのグレーデッドインデックス形のマルチモード光ファイバで あり、フェルール15に接着剤で固定されている。フェルール15はフェルール ホルダ16にネジ12bで固定されており、ネジ12bはフェルールホルダ16 とゆるみ止めのために接着剤で固定されている。半導体レーザチップ1a、1b の一方の出力光がレンズ11で集光されて光ファイバ30に入射するように、レ ンズ11、光ファイバ30の位置は調整されている。LDホルダ10とレンズホ ルダ13、および、レンズホルダ13とフェルールホルダ16とはレーザ溶接で 固定されている。半導体レーザチップ1a、1bの一方の出力光はモニタホトダ イオードチップ2に入射し、半導体レーザチップ1a、1bの他方の出力光はレ ンズ11を介して光ファイバ14に集光する。
【0012】 2つの発光点の間隔が20μm以下と小さく、また、2つの半導体レーザチッ プのレンズ側の端面を20μm以下になるように揃えているので、レンズによる 半導体レーザチップと光ファイバとの結合倍率を1.5から2倍とすると、2つ の半導体レーザチップからの出射光がレンズにより光ファイバ端付近で40μm 以下の間隔で集光できる。このため、一般的に使われているG150/125マ ルチモード光ファイバに2つの異なる波長の光信号を結合させることが可能であ る。
【0013】 また、2つの半導体レーザチップとモニタホトダイオードの各々一方の電極を ステムを介して電極端子7dに接続し、2つの半導体レーザチップとモニタホト ダイオードの各々他方の電極を7c、7a、7cに各々接続しているので、2つ の半導体レーザチップを各々独立に駆動することができる。
【0014】 図4はこの考案における光半導体素子モジュールを使用して波長多重伝送系を 構成した一例である。図において、17は上記実施例に示した本考案の光半導体 素子モジュール、18a、18bは受光素子モジュール、19は光分波器、20 a、20b、20cは光ファイバである。本考案の光半導体素子モジュール17 からの2つの光信号は光ファイバ20aを通り、光分波器19に伝送され、光分 波器19により、光信号は各波長に分けられ、一方の波長の光信号は受光素子モ ジュール18aへ、他方の波長の光信号は受光素子モジュール18bへ入射する 。このように、2つの光半導体素子モジュールを1つにでき、2つの異なる波長 の光信号を1本の光ファイバに結合させられるので、光合波器を使用しなくても 良い。
【0015】
【考案の効果】
また、この考案の光半導体素子モジュールによれば、波長の異なる2つの半導 体レーザチップを気密封止し、2つの半導体レーザチップのキャップのレンズ側 の端面を20μm以下になるように揃え、2つの半導体レーザチップの発光点が 20μm以下になるようにハンダで固定し、2つの半導体レーザチップからの出 射光がレンズにより光ファイバ端付近で40μm以下の間隔で集光したので、2 つの異なる波長の光を1本の光ファイバで伝送でき、波長多重伝送系が容易に、 かつ、安価に構成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例による光半導体素子モジュ
ールに組み込まれる光半導体素子を示す斜視図である。
【図2】図1の半導体レーザチップ部の拡大図である。
【図3】この考案の光半導体素子モジュールを示す断面
図である。
【図4】この考案の光半導体素子モジュールを使用した
波長多重伝送系の一構成例を示す図である。
【図5】従来の光半導体素子を示す斜視図である。
【図6】従来の光半導体素子モジュールを示す断面図で
ある。
【図7】従来の光半導体素子モジュールを使用した波長
多重伝送系の一構成例を示す図である。
【符号の説明】
1a 半導体レーザチップ 1b 半導体レーザチップ 4 キャップ 9a 発光点 9b 発光点 11 レンズ 30 光ファイバ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザチップと光ファイバとをレ
    ンズを介して光学的に結合、または、結合できるように
    した光半導体素子モジュールにおいて、発光波長の異な
    る2つ半導体レーザチップとレンズを備え、上記2つの
    半導体レーザチップのレンズ側の端面を20μm以下に
    なるように揃え、上記2つの半導体レーザチップの発光
    点が20μm以下になるようにハンダで固定し、上記2
    つの半導体レーザチップの各々一方の電極を電気的に接
    続し、2つの半導体レーザチップからの出射光がレンズ
    により光ファイバ端付近で40μm以下の間隔で集光す
    るように半導体レーザチップとレンズの位置が調整され
    ていることを特徴とする光半導体素子モジュール。
JP2475592U 1992-04-17 1992-04-17 光半導体素子モジュール Pending JPH0585063U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311923A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Mitsubishi Electric Corp 光半導体素子用パッケージ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311923A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Mitsubishi Electric Corp 光半導体素子用パッケージ
JP4550386B2 (ja) * 2003-03-27 2010-09-22 三菱電機株式会社 光半導体素子用パッケージ

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