JPH0585063U - Optical semiconductor device module - Google Patents
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- JPH0585063U JPH0585063U JP2475592U JP2475592U JPH0585063U JP H0585063 U JPH0585063 U JP H0585063U JP 2475592 U JP2475592 U JP 2475592U JP 2475592 U JP2475592 U JP 2475592U JP H0585063 U JPH0585063 U JP H0585063U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 波長多重伝送系において、安価に伝送系が構
成できる光半導体素子、または、光半導体素子モジュー
ルを得ることを目的とする。
【構成】 波長の異なる2つの半導体レーザチップ1
a、1bを気密封止し、2つの半導体レーザチップ1
a、1bのレンズ11側の端面を20μm以下になるよ
うに揃え、2つの半導体レーザチップ1a、1bの発光
点9a、9bが20μm以下になるようにハンダで固定
し、2つの半導体レーザチップ1a、1bからの出射光
がレンズ11により光ファイバ端付近で40μm以下の
間隔で集光するように、半導体レーザチップ1a、1b
とレンズ11の位置を調整し、2つの半導体レーザチッ
プ1a、1bの一方の電極を電気的に接続したものであ
る。
(57) [Abstract] [Purpose] An object of the present invention is to obtain an optical semiconductor element or an optical semiconductor element module for which a transmission system can be constructed at low cost in a wavelength division multiplexing transmission system. [Configuration] Two semiconductor laser chips 1 having different wavelengths
a and 1b are hermetically sealed to form two semiconductor laser chips 1
The end surfaces of the lenses 1a and 1b on the lens 11 side are aligned to be 20 μm or less, and the two semiconductor laser chips 1a and 1b are fixed by soldering so that the light emitting points 9a and 9b are 20 μm or less. The semiconductor laser chips 1a and 1b are arranged so that the light emitted from the laser beams 1b and 1b is condensed by the lens 11 at intervals of 40 μm or less near the end of the optical fiber.
The position of the lens 11 is adjusted, and one electrode of the two semiconductor laser chips 1a and 1b is electrically connected.
Description
【0001】[0001]
この考案は、光ファイバを伝送路として用いる通信装置に使用される、半導体 レーザチップと光ファイバとをレンズを介して結合した光半導体素子モジュール に関するものである。 The present invention relates to an optical semiconductor element module used in a communication device using an optical fiber as a transmission line, in which a semiconductor laser chip and an optical fiber are coupled via a lens.
【0002】[0002]
図5は、例えば、伊藤良一・中村道治共著「半導体レーザ」(培風館)に示さ れた、従来の光半導体素子モジュールに組み込まれている光半導体素子を示す斜 視図であり、図において、1aは半導体レーザチップ、2はモニタホトダイオー ドチップ、3はステム、4はキャップ、5は無反射コートガラス、6は無反射コ ートガラス5をキャップ4に固定するための無反射コートガラス固定低融点ガラ ス、7e,7f,7g,7hは電極端子、8は電極端子7e,7f,7gをステ ム3に固定するための電極端子封止低融点ガラスである。なお、図において、キ ャップ4と無反射コートガラス5は一部を省略して示している。電極端子7hは ステム3に溶接により固定されている。半導体レーザチップ1aとモニタホトダ イオードチップ2はステム3にハンダで固定されている。半導体レーザチップ1 aの一方の電極とモニタホトダイオードチップ2の電極は各々電極端子7e,7 f,7gに金線で接続されており、半導体レーザチップ1aの他方の電極はステ ムを介して電極端子7hに接続されている。キャップ4と無反射コートガラス5 は無反射コートガラス固定低融点ガラス6で、また、ステム3と電極端子7e, 7f,7gは電極端子封止低融点ガラス8で、各々固定されている。半導体レー ザチップ1aとモニタホトダイオードチップ2はキャップ4と無反射コートガラ ス5と無反射コートガラス固定低融点ガラス6とステム3と電極端子7e、7f 、7gと電極端子封止低融点ガラス8とで気密封止されている。半導体レーザチ ップ1aの一方の出力光はモニタホトダイオードチップ2に入射し、半導体レー ザチップ1aの他方の出力光は無反射コートガラス5を通して光半導体素子外部 に出射する。 FIG. 5 is a perspective view showing an optical semiconductor element incorporated in a conventional optical semiconductor element module, for example, as shown in “Semiconductor Laser” by Ryoichi Ito and Michiharu Nakamura (Baifukan). 1a is a semiconductor laser chip, 2 is a monitor photo diode chip, 3 is a stem, 4 is a cap, 5 is an antireflection coated glass, 6 is an antireflection coated glass for fixing the antireflection coated glass 5 to the cap 4, and has a low melting point. Glasses 7e, 7f, 7g and 7h are electrode terminals, and 8 is an electrode terminal sealing low melting point glass for fixing the electrode terminals 7e, 7f and 7g to the stem 3. In the figure, the cap 4 and the anti-reflection coated glass 5 are partially omitted. The electrode terminal 7h is fixed to the stem 3 by welding. The semiconductor laser chip 1a and the monitor photodiode chip 2 are fixed to the stem 3 by soldering. One electrode of the semiconductor laser chip 1a and the electrode of the monitor photodiode chip 2 are connected to the electrode terminals 7e, 7f, 7g by gold wires, respectively, and the other electrode of the semiconductor laser chip 1a is an electrode via a stem. It is connected to the terminal 7h. The cap 4 and the non-reflection coating glass 5 are fixed to the non-reflection coating glass fixed low-melting glass 6, and the stem 3 and the electrode terminals 7e, 7f and 7g are fixed to the electrode terminal sealing low-melting glass 8, respectively. The semiconductor laser chip 1a and the monitor photodiode chip 2 are composed of a cap 4, an antireflection coating glass 5, an antireflection coating glass fixing low melting point glass 6, a stem 3, electrode terminals 7e, 7f, 7g and an electrode terminal sealing low melting point glass 8. It is hermetically sealed. One output light of the semiconductor laser chip 1a is incident on the monitor photodiode chip 2, and the other output light of the semiconductor laser chip 1a is emitted to the outside of the optical semiconductor element through the antireflection coated glass 5.
【0003】 また、図6は従来の光半導体素子モジュールであり、10はLDホルダ、11 はレンズ、12a、12bはネジ、13はレンズホルダ、14は光ファイバ、1 5はフェルール、16はフェルールホルダである。キャップ4とLDホルダ10 は接着剤で固定されている。レンズ11はレンズホルダ13にネジ12aで固定 されており、ネジ12aはレンズホルダ13とゆるみ止めのために接着剤で固定 されている。光ファイバ14はフェルール15に接着剤で固定されている。フェ ルール15はフェルールホルダ16にネジ12bで固定されており、ネジ12b はフェルールホルダ16とゆるみ止めのために接着剤で固定されている。半導体 レーザチップ1aの一方の出力光がレンズ11で集光されて光ファイバ14に入 射するように、レンズ11、光ファイバ14の位置は調整されている。LDホル ダ10とレンズホルダ13、および、レンズホルダ13とフェルールホルダ16 とはレーザ溶接で固定されている。半導体レーザチップ1aの他方の出力光はモ ニタホトダイオードチップ2に入射する。FIG. 6 shows a conventional optical semiconductor element module, 10 is an LD holder, 11 is a lens, 12a and 12b are screws, 13 is a lens holder, 14 is an optical fiber, 15 is a ferrule, and 16 is a ferrule. It is a holder. The cap 4 and the LD holder 10 are fixed with an adhesive. The lens 11 is fixed to the lens holder 13 with a screw 12a, and the screw 12a is fixed to the lens holder 13 with an adhesive to prevent loosening. The optical fiber 14 is fixed to the ferrule 15 with an adhesive. The ferrule 15 is fixed to the ferrule holder 16 with a screw 12b, and the screw 12b is fixed to the ferrule holder 16 with an adhesive to prevent loosening. The positions of the lens 11 and the optical fiber 14 are adjusted so that one output light of the semiconductor laser chip 1a is condensed by the lens 11 and is incident on the optical fiber 14. The LD holder 10 and the lens holder 13, and the lens holder 13 and the ferrule holder 16 are fixed by laser welding. The other output light from the semiconductor laser chip 1a is incident on the monitor photodiode chip 2.
【0004】 光ファイバを用いた光通信の方式の1つとして、複数の波長の光信号を一本の 光ファイバで伝送する波長多重伝送方式がある。従来、波長多重伝送方式には、 上記の従来例に示した光半導体素子モジュールと光合分波器を使用していた。図 7に、従来の波長多重伝送方式の構成例を示す。図において、18a、18bは 受光素子モジュール、19は光分波器、20b、20c、20d、20e、20 fは光ファイバ、21a、21bは波長の異なる発光素子モジュール、22は光 合波器である。発光素子モジュール21a、21bは上記の従来例に示した光半 導体素子モジュールと同等のものである。波長の異なる発光素子モジュール21 a、21bからの光信号は、光ファイバ20d、20eを通り、光合波器22に 入射する。光合波器22により一本の光ファイバ20fに集められた光信号は、 光分波器19へ伝送され、光分波器19により、出力光は各波長に分けられ、一 方の波長の光信号は受光素子モジュール18aへ、他方の波長の光信号は受光素 子モジュール18bへ入射する。このように、従来の波長多重伝送方式では、複 数の発光素子モジュールと光合波器と光分波器と複数の受光素子モジュール等が 必要であり、各々を光ファイバで結線することが必要であった。As one of optical communication systems using an optical fiber, there is a wavelength multiplexing transmission system in which optical signals of a plurality of wavelengths are transmitted by one optical fiber. Conventionally, an optical semiconductor device module and an optical multiplexer / demultiplexer shown in the above conventional example have been used in a wavelength division multiplexing transmission system. FIG. 7 shows a configuration example of a conventional wavelength division multiplexing transmission system. In the figure, 18a and 18b are light receiving element modules, 19 is an optical demultiplexer, 20b, 20c, 20d, 20e and 20f are optical fibers, 21a and 21b are light emitting element modules having different wavelengths, and 22 is an optical multiplexer. is there. The light emitting element modules 21a and 21b are equivalent to the optical semiconductor element modules shown in the above-mentioned conventional example. Optical signals from the light emitting element modules 21a and 21b having different wavelengths enter the optical multiplexer 22 through the optical fibers 20d and 20e. The optical signal collected by the optical multiplexer 22 into one optical fiber 20f is transmitted to the optical demultiplexer 19, and the output light is divided into each wavelength by the optical demultiplexer 19 so that the light of one wavelength is emitted. The signal enters the light receiving element module 18a, and the optical signal of the other wavelength enters the light receiving element module 18b. As described above, the conventional wavelength division multiplexing transmission method requires multiple light emitting element modules, an optical multiplexer, an optical demultiplexer, and a plurality of light receiving element modules, and it is necessary to connect each with an optical fiber. there were.
【0005】[0005]
従来の光半導体モジュールは以上のように構成されているので、波長多重伝送 をする場合には、光半導体素子モジュールを複数使用しなければならず、伝送系 に光合波器を使用することが必要であり、また、これらを光ファイバで結線する ために、系の構成が複雑で高価になるなどの課題があった。 Since the conventional optical semiconductor module is configured as described above, it is necessary to use a plurality of optical semiconductor element modules when performing wavelength division multiplexing transmission, and it is necessary to use an optical multiplexer in the transmission system. In addition, since these are connected by an optical fiber, there is a problem that the system configuration is complicated and expensive.
【0006】 この考案は上記のような課題を解決するためになされたもので、光半導体素子 モジュール2台を1台にすることが可能で、光合波器を必要としない、安価に波 長多重伝送系が構成できることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to combine two optical semiconductor element modules into one module, which does not require an optical multiplexer and is wavelength-multiplexed at low cost. The purpose is to configure a transmission system.
【0007】[0007]
この考案に係る光半導体素子モジュールは、発光波長の異なる2つ半導体レー ザチップとレンズを備え、2つの半導体レーザチップのレンズ側の端面を20μ m以下になるように揃え、2つの半導体レーザチップの発光点が20μm以下に なるようにハンダで固定し、2つの半導体レーザチップの各々一方の電極を電気 的に接続し、2つの半導体レーザチップからの出射光がレンズにより光ファイバ 端付近で40μm以下の間隔で集光するように半導体レーザチップとレンズの位 置を調整したものである。 An optical semiconductor device module according to the present invention includes two semiconductor laser chips having different emission wavelengths and a lens, and the end faces of the two semiconductor laser chips on the lens side are aligned so as to be 20 μm or less. Fixing with solder so that the emission point is 20 μm or less, and electrically connecting one electrode of each of the two semiconductor laser chips, and the light emitted from the two semiconductor laser chips is 40 μm or less near the optical fiber end by the lens. The positions of the semiconductor laser chip and the lens are adjusted so that the light is condensed at the intervals.
【0008】[0008]
この考案における光半導体素子モジュールは、波長の異なる2つの半導体レー ザチップのレンズ側の端面を20μm以下になるように揃え、発光点が20μm 以下になるようにハンダで固定し、2つの半導体レーザチップからの出射光がレ ンズにより光ファイバ端付近で40μm以下の間隔で集光するように、半導体レ ーザチップとレンズの位置を調整したことにより、一般的に使われているG15 0/125マルチモード光ファイバに2つの異なる波長の光信号を結合させるこ とが可能である。このため、2つの光信号を1本の光ファイバで送信することが 可能である。 In the optical semiconductor device module according to the present invention, two semiconductor laser chips having different wavelengths are aligned so that the end faces on the lens side are 20 μm or less, and fixed by soldering so that the light emitting point is 20 μm or less. The G150 / 125 multimode, which is generally used, is adjusted by adjusting the positions of the semiconductor laser chip and the lens so that the light emitted from the lens is condensed by the lens at an interval of 40 μm or less near the end of the optical fiber. It is possible to couple two different wavelength optical signals into an optical fiber. Therefore, it is possible to transmit two optical signals with one optical fiber.
【0009】[0009]
実施例1. 以下この考案の光半導体素子モジュールの一実施例を図について説明する。図 1はこの考案の光半導体素子モジュールに組み込まれる光半導体素子の斜視図で ある。図1において1aは発光波長1300nmの半導体レーザチップ、1bは 発光波長1550nmの半導体レーザチップ、7a、7b、7c、7dは電極端 子、8は電極端子7a、7b、7cをステム3に固定するための電極端子封止低 融点ガラスである。なお、図においてキャップ4と無反射コートガラス5は一部 を省略して示している。電極端子7dはステム3に溶接により固定されている。 半導体レーザチップ1bは半導体レーザチップ1aにハンダで互いのカソード電 極を電気的に接続するように、固定されている。半導体レーザチップ1aとモニ タホトダイオード2はステム3に、それぞれハンダで固定されている。半導体レ ーザチップ1aのアノード電極は電極端子7cに、半導体レーザチップ1bのア ノード電極は電極端子7aに、半導体レーザチップ1bと半導体レーザチップ1 aのカソード電極はステム3を介して電極端子7dに接続されている。モニタホ トダイオードチップ2の各々の一方の電極は電極端子7bに金線で接続されてお り、他方の電極はステム3を介して電極端子7dに接続されている。キャップ4 と無反射コートガラス5は無反射コートガラス固定低融点ガラス6で、また、ス テム3と電極端子7a,7b,7cは電極端子封止低融点ガラス8で、各々キャ ップ4内の気密を保っている。半導体レーザチップ1a,1bの一方の出力光は モニタホトダイオードチップ2に入射し、半導体レーザチップ1a、1bの他方 の出力光は無反射コートガラス5を通して光半導体素子外部に出射する。 Example 1. An embodiment of the optical semiconductor device module of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of an optical semiconductor device incorporated in an optical semiconductor device module of the present invention. In FIG. 1, 1a is a semiconductor laser chip having an emission wavelength of 1300 nm, 1b is a semiconductor laser chip having an emission wavelength of 1550 nm, 7a, 7b, 7c and 7d are electrode terminals, and 8 is an electrode terminal 7a, 7b, 7c fixed to the stem 3. It is a low melting point glass for electrode terminal sealing. In the figure, the cap 4 and the non-reflective coating glass 5 are partially omitted. The electrode terminal 7d is fixed to the stem 3 by welding. The semiconductor laser chip 1b is fixed to the semiconductor laser chip 1a by soldering so as to electrically connect the cathode electrodes of each other. The semiconductor laser chip 1a and the monitor photodiode 2 are fixed to the stem 3 with solder, respectively. The anode electrode of the semiconductor laser chip 1a is connected to the electrode terminal 7c, the anode electrode of the semiconductor laser chip 1b is connected to the electrode terminal 7a, and the cathode electrodes of the semiconductor laser chip 1b and the semiconductor laser chip 1a are connected to the electrode terminal 7d via the stem 3. It is connected. One electrode of each of the monitor photodiode chips 2 is connected to the electrode terminal 7b by a gold wire, and the other electrode is connected to the electrode terminal 7d via the stem 3. The cap 4 and the non-reflective coating glass 5 are the low-melting glass 6 fixed to the non-reflective coating glass, and the system 3 and the electrode terminals 7a, 7b, 7c are the electrode terminal sealing low-melting glass 8 in the cap 4, respectively. Is kept airtight. One of the output lights of the semiconductor laser chips 1a and 1b is incident on the monitor photodiode chip 2, and the other output light of the semiconductor laser chips 1a and 1b is emitted to the outside of the optical semiconductor element through the antireflection coated glass 5.
【0010】 図2は、図1の半導体レーザチップ部を拡大した図である。図において、9a は半導体レーザチップ1aの発光点、9bは半導体レーザチップ1bの発光点で ある。発光点と発光点は、20μm以下になるように、半導体レーザチップ1a と半導体レーザチップ1bとはハンダで固定されている。また、半導体レーザチ ップ1aの発光点9a側の電極と半導体レーザチップ1bの発光点9b側の電極 とはハンダで接続されており、この2つの電極は金線で電極端子7aに接続され ている。なお、半導体レーザチップ1aと半導体レーザチップ1bの無反射コー トガラス5側の端面、すなわち、光半導体素子モジュールのレンズ側の端面は2 0μm以下にそろえられている。FIG. 2 is an enlarged view of the semiconductor laser chip portion of FIG. In the figure, 9a is a light emitting point of the semiconductor laser chip 1a, and 9b is a light emitting point of the semiconductor laser chip 1b. The semiconductor laser chip 1a and the semiconductor laser chip 1b are fixed by soldering so that the light emitting point is 20 μm or less. Also, the electrode on the side of the light emitting point 9a of the semiconductor laser chip 1a and the electrode on the side of the light emitting point 9b of the semiconductor laser chip 1b are connected by solder, and these two electrodes are connected to the electrode terminal 7a by a gold wire. There is. The end faces of the semiconductor laser chip 1a and the semiconductor laser chip 1b on the non-reflection coating glass 5 side, that is, the end faces on the lens side of the optical semiconductor element module are aligned to 20 μm or less.
【0011】 また、図3はこの考案の光半導体素子モジュールの一実施例である。図3にお いて10はLDホルダ、11はレンズ、12a、12bはネジ、13はレンズホ ルダ、30は光ファイバ、15はフェルール、16はフェルールホルダである。 キャップ4とLDホルダ10は接着剤で固定されている。レンズ11はレンズホ ルダ13にネジ12aで固定されており、ネジ12aはレンズホルダ13とゆる み止めのために接着剤で固定されている。光ファイバ30はコア径50μm、ク ラッド径125μmのグレーデッドインデックス形のマルチモード光ファイバで あり、フェルール15に接着剤で固定されている。フェルール15はフェルール ホルダ16にネジ12bで固定されており、ネジ12bはフェルールホルダ16 とゆるみ止めのために接着剤で固定されている。半導体レーザチップ1a、1b の一方の出力光がレンズ11で集光されて光ファイバ30に入射するように、レ ンズ11、光ファイバ30の位置は調整されている。LDホルダ10とレンズホ ルダ13、および、レンズホルダ13とフェルールホルダ16とはレーザ溶接で 固定されている。半導体レーザチップ1a、1bの一方の出力光はモニタホトダ イオードチップ2に入射し、半導体レーザチップ1a、1bの他方の出力光はレ ンズ11を介して光ファイバ14に集光する。FIG. 3 shows an embodiment of the optical semiconductor device module of the present invention. In FIG. 3, 10 is an LD holder, 11 is a lens, 12a and 12b are screws, 13 is a lens holder, 30 is an optical fiber, 15 is a ferrule, and 16 is a ferrule holder. The cap 4 and the LD holder 10 are fixed with an adhesive. The lens 11 is fixed to the lens holder 13 with a screw 12a, and the screw 12a is fixed to the lens holder 13 with an adhesive to prevent loosening. The optical fiber 30 is a graded index type multimode optical fiber having a core diameter of 50 μm and a cladding diameter of 125 μm, and is fixed to the ferrule 15 with an adhesive. The ferrule 15 is fixed to the ferrule holder 16 with a screw 12b, and the screw 12b is fixed to the ferrule holder 16 with an adhesive to prevent loosening. The positions of the lens 11 and the optical fiber 30 are adjusted so that the output light from one of the semiconductor laser chips 1a and 1b is condensed by the lens 11 and enters the optical fiber 30. The LD holder 10 and the lens holder 13, and the lens holder 13 and the ferrule holder 16 are fixed by laser welding. One output light of the semiconductor laser chips 1a and 1b is incident on the monitor photodiode chip 2, and the other output light of the semiconductor laser chips 1a and 1b is condensed on the optical fiber 14 through the lens 11.
【0012】 2つの発光点の間隔が20μm以下と小さく、また、2つの半導体レーザチッ プのレンズ側の端面を20μm以下になるように揃えているので、レンズによる 半導体レーザチップと光ファイバとの結合倍率を1.5から2倍とすると、2つ の半導体レーザチップからの出射光がレンズにより光ファイバ端付近で40μm 以下の間隔で集光できる。このため、一般的に使われているG150/125マ ルチモード光ファイバに2つの異なる波長の光信号を結合させることが可能であ る。Since the distance between the two light emitting points is as small as 20 μm or less and the end faces of the two semiconductor laser chips on the lens side are aligned so as to be 20 μm or less, the coupling between the semiconductor laser chip and the optical fiber by the lens is performed. When the magnification is 1.5 to 2 times, the light emitted from the two semiconductor laser chips can be condensed by the lens at intervals of 40 μm or less near the end of the optical fiber. Therefore, it is possible to couple two different wavelength optical signals to a commonly used G150 / 125 multimode optical fiber.
【0013】 また、2つの半導体レーザチップとモニタホトダイオードの各々一方の電極を ステムを介して電極端子7dに接続し、2つの半導体レーザチップとモニタホト ダイオードの各々他方の電極を7c、7a、7cに各々接続しているので、2つ の半導体レーザチップを各々独立に駆動することができる。Further, one electrode of each of the two semiconductor laser chips and the monitor photodiode is connected to the electrode terminal 7d via the stem, and the other electrodes of the two semiconductor laser chips and the monitor photodiode are connected to 7c, 7a, 7c. Since they are connected to each other, the two semiconductor laser chips can be driven independently.
【0014】 図4はこの考案における光半導体素子モジュールを使用して波長多重伝送系を 構成した一例である。図において、17は上記実施例に示した本考案の光半導体 素子モジュール、18a、18bは受光素子モジュール、19は光分波器、20 a、20b、20cは光ファイバである。本考案の光半導体素子モジュール17 からの2つの光信号は光ファイバ20aを通り、光分波器19に伝送され、光分 波器19により、光信号は各波長に分けられ、一方の波長の光信号は受光素子モ ジュール18aへ、他方の波長の光信号は受光素子モジュール18bへ入射する 。このように、2つの光半導体素子モジュールを1つにでき、2つの異なる波長 の光信号を1本の光ファイバに結合させられるので、光合波器を使用しなくても 良い。FIG. 4 shows an example in which a wavelength division multiplex transmission system is configured by using the optical semiconductor device module according to the present invention. In the figure, 17 is the optical semiconductor device module of the present invention shown in the above embodiment, 18a and 18b are light receiving device modules, 19 is an optical demultiplexer, and 20a, 20b and 20c are optical fibers. Two optical signals from the optical semiconductor device module 17 of the present invention are transmitted to the optical demultiplexer 19 through the optical fiber 20a, and the optical demultiplexer 19 divides the optical signals into respective wavelengths. The optical signal enters the light receiving element module 18a, and the optical signal of the other wavelength enters the light receiving element module 18b. In this way, two optical semiconductor element modules can be integrated into one, and optical signals of two different wavelengths can be combined into one optical fiber. Therefore, it is not necessary to use an optical multiplexer.
【0015】[0015]
また、この考案の光半導体素子モジュールによれば、波長の異なる2つの半導 体レーザチップを気密封止し、2つの半導体レーザチップのキャップのレンズ側 の端面を20μm以下になるように揃え、2つの半導体レーザチップの発光点が 20μm以下になるようにハンダで固定し、2つの半導体レーザチップからの出 射光がレンズにより光ファイバ端付近で40μm以下の間隔で集光したので、2 つの異なる波長の光を1本の光ファイバで伝送でき、波長多重伝送系が容易に、 かつ、安価に構成できる効果がある。 Further, according to the optical semiconductor device module of the present invention, two semiconductor laser chips having different wavelengths are hermetically sealed, and the end faces of the caps of the two semiconductor laser chips on the lens side are aligned to be 20 μm or less, Two semiconductor laser chips were fixed with solder so that the emission point was 20 μm or less, and the light emitted from the two semiconductor laser chips was condensed by the lens at intervals of 40 μm or less near the end of the optical fiber. The light of the wavelength can be transmitted by one optical fiber, and the wavelength multiplex transmission system can be easily and inexpensively constructed.
【図1】この考案の一実施例による光半導体素子モジュ
ールに組み込まれる光半導体素子を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an optical semiconductor device incorporated in an optical semiconductor device module according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の半導体レーザチップ部の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of the semiconductor laser chip portion of FIG.
【図3】この考案の光半導体素子モジュールを示す断面
図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an optical semiconductor device module of the present invention.
【図4】この考案の光半導体素子モジュールを使用した
波長多重伝送系の一構成例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of a wavelength division multiplex transmission system using the optical semiconductor device module of the present invention.
【図5】従来の光半導体素子を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a conventional optical semiconductor element.
【図6】従来の光半導体素子モジュールを示す断面図で
ある。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a conventional optical semiconductor device module.
【図7】従来の光半導体素子モジュールを使用した波長
多重伝送系の一構成例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of a wavelength division multiplexing transmission system using a conventional optical semiconductor device module.
1a 半導体レーザチップ 1b 半導体レーザチップ 4 キャップ 9a 発光点 9b 発光点 11 レンズ 30 光ファイバ 1a Semiconductor laser chip 1b Semiconductor laser chip 4 Cap 9a Light emitting point 9b Light emitting point 11 Lens 30 Optical fiber
Claims (1)
ンズを介して光学的に結合、または、結合できるように
した光半導体素子モジュールにおいて、発光波長の異な
る2つ半導体レーザチップとレンズを備え、上記2つの
半導体レーザチップのレンズ側の端面を20μm以下に
なるように揃え、上記2つの半導体レーザチップの発光
点が20μm以下になるようにハンダで固定し、上記2
つの半導体レーザチップの各々一方の電極を電気的に接
続し、2つの半導体レーザチップからの出射光がレンズ
により光ファイバ端付近で40μm以下の間隔で集光す
るように半導体レーザチップとレンズの位置が調整され
ていることを特徴とする光半導体素子モジュール。1. An optical semiconductor element module in which a semiconductor laser chip and an optical fiber are optically coupled via a lens or capable of being coupled to each other, and two semiconductor laser chips having different emission wavelengths and a lens are provided. The end faces of the two semiconductor laser chips on the lens side are aligned so as to be 20 μm or less, and the two semiconductor laser chips are fixed by soldering so that the emission point is 20 μm or less.
The electrodes of one semiconductor laser chip are electrically connected to each other, and the light emitted from the two semiconductor laser chips is focused by the lens at a distance of 40 μm or less near the end of the optical fiber. The optical semiconductor device module is characterized in that
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2475592U JPH0585063U (en) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | Optical semiconductor device module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2475592U JPH0585063U (en) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | Optical semiconductor device module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0585063U true JPH0585063U (en) | 1993-11-16 |
Family
ID=12146967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2475592U Pending JPH0585063U (en) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | Optical semiconductor device module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0585063U (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311923A (en) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | Package for optical semiconductor element |
-
1992
- 1992-04-17 JP JP2475592U patent/JPH0585063U/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311923A (en) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | Package for optical semiconductor element |
JP4550386B2 (en) * | 2003-03-27 | 2010-09-22 | 三菱電機株式会社 | Package for optical semiconductor devices |
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