JPH0583105A - 光絶縁型固体リレー - Google Patents
光絶縁型固体リレーInfo
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- JPH0583105A JPH0583105A JP3243935A JP24393591A JPH0583105A JP H0583105 A JPH0583105 A JP H0583105A JP 3243935 A JP3243935 A JP 3243935A JP 24393591 A JP24393591 A JP 24393591A JP H0583105 A JPH0583105 A JP H0583105A
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- Japan
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- light receiving
- receiving element
- light emitting
- emitting element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】駆動回路の構成を簡略化して従来よりも小型化
する。 【構成】赤外線を発光する発光素子ＬＤ1 と赤色光を発
光する発光素子ＬＤ2 とを直列接続して入力側電源の両
端間に接続する。発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 の接続点にノ
ット回路よりなる波形整形回路Ｗの出力端を接続する。
発光素子ＬＤ1 からの赤外線に応答する第１の受光素子
ＰＤと、発光素子ＬＤ2 からの赤色光に応答する第２の
受光素子ＰＤａとを逆並列に接続する。第１の受光素子
ＰＤは、ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子Ｓのゲー
ト−ソース間に接続され、起電力発生時にスイッチング
素子Ｓをオンにする。発光素子ＬＤ1 が消灯すれば、発
光素子ＬＤ2 が点灯して第２の受光素子ＰＤａに起電力
が生じ、スイッチング素子Ｓの残留電荷が第２の受光素
子ＰＤａの起電力により相殺される。
する。 【構成】赤外線を発光する発光素子ＬＤ1 と赤色光を発
光する発光素子ＬＤ2 とを直列接続して入力側電源の両
端間に接続する。発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 の接続点にノ
ット回路よりなる波形整形回路Ｗの出力端を接続する。
発光素子ＬＤ1 からの赤外線に応答する第１の受光素子
ＰＤと、発光素子ＬＤ2 からの赤色光に応答する第２の
受光素子ＰＤａとを逆並列に接続する。第１の受光素子
ＰＤは、ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子Ｓのゲー
ト−ソース間に接続され、起電力発生時にスイッチング
素子Ｓをオンにする。発光素子ＬＤ1 が消灯すれば、発
光素子ＬＤ2 が点灯して第２の受光素子ＰＤａに起電力
が生じ、スイッチング素子Ｓの残留電荷が第２の受光素
子ＰＤａの起電力により相殺される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入力信号に呼応して点
滅する発光素子と、発光素子に対向して配置された受光
素子とを備え、受光素子の出力によってＭＯＳＦＥＴよ
りなるスイッチング素子をオン、オフさせるようにした
光絶縁型固体リレーに関するものである。
滅する発光素子と、発光素子に対向して配置された受光
素子とを備え、受光素子の出力によってＭＯＳＦＥＴよ
りなるスイッチング素子をオン、オフさせるようにした
光絶縁型固体リレーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図２に示すように、発光ダイ
オードよりなる発光素子ＬＤと、複数個のフォトダイオ
ードを直列接続した受光素子ＰＤとを対向して配置し、
受光素子ＰＤの両端をＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチン
グ素子Ｓのゲート−ソース間に接続した光絶縁型固体リ
レーが提供されている。スイッチング素子ＳであるＭＯ
ＳＦＥＴがエンハンスメント形であるとすれば、発光素
子ＬＤの消灯時には受光素子ＰＤに起電力が得られない
からスイッチング素子Ｓはオフであり、発光素子ＬＤの
点灯時には受光素子ＰＤの起電力によってスイッチング
素子Ｓがオンになるのである。すなわち、入力信号によ
って発光素子ＬＤを点灯させれば、スイッチング素子Ｓ
をオンにすることができる。
オードよりなる発光素子ＬＤと、複数個のフォトダイオ
ードを直列接続した受光素子ＰＤとを対向して配置し、
受光素子ＰＤの両端をＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチン
グ素子Ｓのゲート−ソース間に接続した光絶縁型固体リ
レーが提供されている。スイッチング素子ＳであるＭＯ
ＳＦＥＴがエンハンスメント形であるとすれば、発光素
子ＬＤの消灯時には受光素子ＰＤに起電力が得られない
からスイッチング素子Ｓはオフであり、発光素子ＬＤの
点灯時には受光素子ＰＤの起電力によってスイッチング
素子Ｓがオンになるのである。すなわち、入力信号によ
って発光素子ＬＤを点灯させれば、スイッチング素子Ｓ
をオンにすることができる。
【０００３】ところで、発光素子ＬＤが点灯状態から消
灯すれば、受光素子ＰＤに起電力が発生しなくなるか
ら、受光素子ＰＤはダイオードとして機能する。したが
って、ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子Ｓの容量成
分による残留電荷は、受光素子ＰＤを通って放電しよう
とするが、このとき受光素子ＰＤの特性の非直線性によ
って受光素子ＰＤは比較的高抵抗を示すから、残留電荷
の放電には長時間を要することになる。すなわち、オン
はできるがオフになりにくいという問題が生じる。
灯すれば、受光素子ＰＤに起電力が発生しなくなるか
ら、受光素子ＰＤはダイオードとして機能する。したが
って、ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子Ｓの容量成
分による残留電荷は、受光素子ＰＤを通って放電しよう
とするが、このとき受光素子ＰＤの特性の非直線性によ
って受光素子ＰＤは比較的高抵抗を示すから、残留電荷
の放電には長時間を要することになる。すなわち、オン
はできるがオフになりにくいという問題が生じる。
【０００４】そこで、スイッチング素子Ｓのゲート−ソ
ース間にデプレッション形のＭＯＳＦＥＴよりなるスイ
ッチング素子Ｓａのドレイン−ソース間を接続し、スイ
ッチング素子Ｓａのゲート−ソース間に抵抗Ｒを接続し
た駆動回路１を設けているのである。このような駆動回
路１を設ければ、発光素子ＬＤの消灯時にはスイッチン
グ素子Ｓａの残留電荷が抵抗Ｒを介して放電されると、
スイッチング素子Ｓａがオンになり、スイッチング素子
Ｓの残留電荷はスイッチング素子Ｓａを通して放電され
ることになる。このように、駆動回路１を設けることに
よって、オフ時間を短縮することができるのである。
ース間にデプレッション形のＭＯＳＦＥＴよりなるスイ
ッチング素子Ｓａのドレイン−ソース間を接続し、スイ
ッチング素子Ｓａのゲート−ソース間に抵抗Ｒを接続し
た駆動回路１を設けているのである。このような駆動回
路１を設ければ、発光素子ＬＤの消灯時にはスイッチン
グ素子Ｓａの残留電荷が抵抗Ｒを介して放電されると、
スイッチング素子Ｓａがオンになり、スイッチング素子
Ｓの残留電荷はスイッチング素子Ｓａを通して放電され
ることになる。このように、駆動回路１を設けることに
よって、オフ時間を短縮することができるのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成では、駆動回路１としてスイッチング素子Ｓａおよび
抵抗Ｒが必要であって、これらの素子は占有面積が比較
的大きいものであるから、受光素子ＬＤの受光面積を制
約するという問題が生じる。すなわち、小型化を阻害す
る要因になっている。
成では、駆動回路１としてスイッチング素子Ｓａおよび
抵抗Ｒが必要であって、これらの素子は占有面積が比較
的大きいものであるから、受光素子ＬＤの受光面積を制
約するという問題が生じる。すなわち、小型化を阻害す
る要因になっている。
【０００６】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、駆動回路の構成を簡略化して従来よりも小型
化できるようにした光絶縁型固体リレーを提供しようと
するものである。
のであり、駆動回路の構成を簡略化して従来よりも小型
化できるようにした光絶縁型固体リレーを提供しようと
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、直列接続され入力側電源の両端間に挿
入された発光波長の異なる一対の発光素子と、入力信号
に呼応して両発光素子の接続点の電位を入力側電源のい
ずれか一端の電位に選択的に設定する波形整形回路と、
一方の発光素子に対向して配置されこの発光素子の発光
波長に応答するフォトダイオードよりなる第１の受光素
子と、第１の受光素子の両端にゲート−ソース間が接続
され第１の受光素子への発光素子からの光の入切に伴っ
てオン、オフするＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素
子と、他方の発光素子に対向して配置されこの発光素子
の発光波長に応答するフォトダイオードよりなり第１の
受光素子に対して逆並列に接続された第２の受光素子と
を具備している。
達成するために、直列接続され入力側電源の両端間に挿
入された発光波長の異なる一対の発光素子と、入力信号
に呼応して両発光素子の接続点の電位を入力側電源のい
ずれか一端の電位に選択的に設定する波形整形回路と、
一方の発光素子に対向して配置されこの発光素子の発光
波長に応答するフォトダイオードよりなる第１の受光素
子と、第１の受光素子の両端にゲート−ソース間が接続
され第１の受光素子への発光素子からの光の入切に伴っ
てオン、オフするＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素
子と、他方の発光素子に対向して配置されこの発光素子
の発光波長に応答するフォトダイオードよりなり第１の
受光素子に対して逆並列に接続された第２の受光素子と
を具備している。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、ＭＯＳＦＥＴよりなるスイ
ッチング素子のゲート−ソース間に第２の受光素子が接
続されるのであって、第２の受光素子は第１の受光素子
とは逆並列に接続され、かつ、第１の受光素子とは択一
的に点灯する発光素子が対向しているから、第１の受光
素子の起電力を生じなくなると第２の受光素子が逆向き
の起電力を生じるのであって、スイッチング素子の残留
電荷が第２の受光素子の起電力によって相殺されるので
ある。その結果、スイッチング素子の応答特性を向上さ
せることができる。また、両発光素子は発光波長が異な
るのであって、第１の受光素子と第２の受光素子とは、
各発光素子の発光波長に応答するように分光感度が選択
されているから、第１の受光素子と第２の受光素子とは
近接して配置することができるのであって、駆動回路と
してスイッチング素子および抵抗を配置するスペースが
不要になるとともに、新たに設けた第２の受光素子の専
有スペースが小さいことによって、第１の受光素子の受
光面積を相対的に大きくとることができ、結果的に小型
化につながるのである。
ッチング素子のゲート−ソース間に第２の受光素子が接
続されるのであって、第２の受光素子は第１の受光素子
とは逆並列に接続され、かつ、第１の受光素子とは択一
的に点灯する発光素子が対向しているから、第１の受光
素子の起電力を生じなくなると第２の受光素子が逆向き
の起電力を生じるのであって、スイッチング素子の残留
電荷が第２の受光素子の起電力によって相殺されるので
ある。その結果、スイッチング素子の応答特性を向上さ
せることができる。また、両発光素子は発光波長が異な
るのであって、第１の受光素子と第２の受光素子とは、
各発光素子の発光波長に応答するように分光感度が選択
されているから、第１の受光素子と第２の受光素子とは
近接して配置することができるのであって、駆動回路と
してスイッチング素子および抵抗を配置するスペースが
不要になるとともに、新たに設けた第２の受光素子の専
有スペースが小さいことによって、第１の受光素子の受
光面積を相対的に大きくとることができ、結果的に小型
化につながるのである。
【０００９】
【実施例】図１に示すように、一対の発光素子ＬＤ1 ，
ＬＤ2 が直列接続され、各発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 には
それぞれ限流用の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 が直列接続されてい
る。一方の発光素子ＬＤ1 は赤外線発光ダイオードより
なり、他方の発光素子ＬＤ2 は赤色発光ダイオードより
なる。発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 、抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の直列
回路は、入力側電源の両端間に接続される。発光素子Ｌ
Ｄ1 と抵抗Ｒ2 との接続点にはノット回路よりなる波形
整形回路Ｗの出力端が接続される。波形整形回路Ｗには
２値の信号が入力されるのであって、波形整形回路Ｗの
入力がＬレベルであって出力がＨレベルであるときには
発光素子ＬＤ2 が点灯する。逆に、波形整形回路Ｗの入
力がＨレベルであると発光素子ＬＤ1 が点灯する。すな
わち、両発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 は、波形整形回路Ｗへ
の入力に応じて択一的に点灯するのである。
ＬＤ2 が直列接続され、各発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 には
それぞれ限流用の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 が直列接続されてい
る。一方の発光素子ＬＤ1 は赤外線発光ダイオードより
なり、他方の発光素子ＬＤ2 は赤色発光ダイオードより
なる。発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 、抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の直列
回路は、入力側電源の両端間に接続される。発光素子Ｌ
Ｄ1 と抵抗Ｒ2 との接続点にはノット回路よりなる波形
整形回路Ｗの出力端が接続される。波形整形回路Ｗには
２値の信号が入力されるのであって、波形整形回路Ｗの
入力がＬレベルであって出力がＨレベルであるときには
発光素子ＬＤ2 が点灯する。逆に、波形整形回路Ｗの入
力がＨレベルであると発光素子ＬＤ1 が点灯する。すな
わち、両発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 は、波形整形回路Ｗへ
の入力に応じて択一的に点灯するのである。
【００１０】両発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2 は、第１の受光
素子ＰＤおよび第２の受光素子ＰＤａに対向して配置さ
れる。第１の受光素子ＰＤは赤外線に応答する単結晶シ
リコンフォトダイオードよりなり、発光素子ＬＤ1 の点
灯時には起電力が生じ、発光素子ＬＤ2 の点灯時には起
電力が生じないような分光感度を有するものが選択され
ている。また、第２の受光素子ＰＤａは赤色光に応答す
るアモルファスシリコンフォトダイオードよりなり、発
光素子ＬＤ2 の点灯時には起電力が生じ、発光素子ＬＤ
1 の点灯時には起電力が生じないような分光感度を有す
るものが選択されている。第１の受光素子ＰＤは、従来
構成と同様にエンハンスメント形のＭＯＳＦＥＴよりな
るスイッチング素子Ｓのゲート−ソース間に接続され、
第１の受光素子ＰＤに起電力が生じたときにスイッチン
グ素子Ｓがオンになるように接続されている。また、第
２の受光素子ＰＤａは第１の受光素子ＰＤとは逆並列に
接続されて駆動回路１を構成するのであって、第２の受
光素子ＰＤａに起電力が生じたときにスイッチング素子
Ｓはオフになるように接続されている。
素子ＰＤおよび第２の受光素子ＰＤａに対向して配置さ
れる。第１の受光素子ＰＤは赤外線に応答する単結晶シ
リコンフォトダイオードよりなり、発光素子ＬＤ1 の点
灯時には起電力が生じ、発光素子ＬＤ2 の点灯時には起
電力が生じないような分光感度を有するものが選択され
ている。また、第２の受光素子ＰＤａは赤色光に応答す
るアモルファスシリコンフォトダイオードよりなり、発
光素子ＬＤ2 の点灯時には起電力が生じ、発光素子ＬＤ
1 の点灯時には起電力が生じないような分光感度を有す
るものが選択されている。第１の受光素子ＰＤは、従来
構成と同様にエンハンスメント形のＭＯＳＦＥＴよりな
るスイッチング素子Ｓのゲート−ソース間に接続され、
第１の受光素子ＰＤに起電力が生じたときにスイッチン
グ素子Ｓがオンになるように接続されている。また、第
２の受光素子ＰＤａは第１の受光素子ＰＤとは逆並列に
接続されて駆動回路１を構成するのであって、第２の受
光素子ＰＤａに起電力が生じたときにスイッチング素子
Ｓはオフになるように接続されている。
【００１１】上記構成によれば、波形整形回路Ｗへの入
力がＨレベルであると、発光素子ＬＤ1 が点灯して第１
の受光素子ＰＤに起電力が生じ、このとき、発光素子Ｌ
Ｄ2 は消灯しており、発光素子ＬＤ1 が点灯しても第２
の受光素子ＰＤａには起電力が生じないから、スイッチ
ング素子Ｓはオンになる。一方、波形整形回路Ｗへの入
力がＬレベルであると、発光素子ＬＤ2 が点灯して第２
の受光素子ＰＤａに起電力が生じ、このとき、発光素子
ＬＤ1 は消灯しており、発光素子ＬＤ2 が点灯しても第
１の受光素子ＰＤには起電力が生じないから、スイッチ
ング素子Ｓの残留電荷は第２の受光素子ＰＤａの起電力
によって相殺され、スイッチング素子Ｓはただちにオフ
になるのである。
力がＨレベルであると、発光素子ＬＤ1 が点灯して第１
の受光素子ＰＤに起電力が生じ、このとき、発光素子Ｌ
Ｄ2 は消灯しており、発光素子ＬＤ1 が点灯しても第２
の受光素子ＰＤａには起電力が生じないから、スイッチ
ング素子Ｓはオンになる。一方、波形整形回路Ｗへの入
力がＬレベルであると、発光素子ＬＤ2 が点灯して第２
の受光素子ＰＤａに起電力が生じ、このとき、発光素子
ＬＤ1 は消灯しており、発光素子ＬＤ2 が点灯しても第
１の受光素子ＰＤには起電力が生じないから、スイッチ
ング素子Ｓの残留電荷は第２の受光素子ＰＤａの起電力
によって相殺され、スイッチング素子Ｓはただちにオフ
になるのである。
【００１２】上述したように、第１の受光素子ＰＤと第
２の受光素子ＰＤａとは、分光感度が異なる波長に選択
され、両発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2の発光波長を各受光素
子ＰＤ，ＰＤａの分光感度に合わせているから、第１の
受光素子ＰＤと第２の受光素子ＰＤａとを近接させて配
置しても、第１の受光素子ＰＤと第２の受光素子ＰＤａ
とに選択的に起電力を生じさせることができるのであ
る。したがって、従来構成に比較すれば、受光側におい
て駆動回路１のスイッチング素子および抵抗が不要にな
り、かつ、第１の受光素子ＰＤと第２の受光素子ＰＤａ
とを近接させて配置できるようになったことによって、
第１の受光素子ＰＤの受光面積を相対的に大きくとるこ
とができ、全体として小型化につながるのである。
２の受光素子ＰＤａとは、分光感度が異なる波長に選択
され、両発光素子ＬＤ1 ，ＬＤ2の発光波長を各受光素
子ＰＤ，ＰＤａの分光感度に合わせているから、第１の
受光素子ＰＤと第２の受光素子ＰＤａとを近接させて配
置しても、第１の受光素子ＰＤと第２の受光素子ＰＤａ
とに選択的に起電力を生じさせることができるのであ
る。したがって、従来構成に比較すれば、受光側におい
て駆動回路１のスイッチング素子および抵抗が不要にな
り、かつ、第１の受光素子ＰＤと第２の受光素子ＰＤａ
とを近接させて配置できるようになったことによって、
第１の受光素子ＰＤの受光面積を相対的に大きくとるこ
とができ、全体として小型化につながるのである。
【００１３】上記実施例において、スイッチング素子Ｓ
にはエンハンスメント形のＭＯＳＦＥＴを用いているか
ら常閉型の固体リレーとなっているが、デプレッション
形のＭＯＳＦＥＴに置き換えれば常閉型の固体リレーを
構成できるものである。
にはエンハンスメント形のＭＯＳＦＥＴを用いているか
ら常閉型の固体リレーとなっているが、デプレッション
形のＭＯＳＦＥＴに置き換えれば常閉型の固体リレーを
構成できるものである。
【００１４】
【発明の効果】本発明は上述のように、ＭＯＳＦＥＴよ
りなるスイッチング素子のゲート−ソース間に第２の受
光素子が接続されるのであって、第２の受光素子は第１
の受光素子とは逆並列に接続され、かつ、第１の受光素
子とは相補的に点灯する発光素子が対向しているから、
第１の受光素子の起電力を生じなくなると第２の受光素
子が逆向きの起電力を生じるのであって、スイッチング
素子の残留電荷が第２の受光素子の起電力によって相殺
されるのである。その結果、スイッチング素子の応答特
性を向上させることができるという効果がある。また、
両発光素子は発光波長が異なるのであって、第１の受光
素子と第２の受光素子とは、各発光素子の発光波長に応
答するように分光感度が選択されているから、第１の受
光素子と第２の受光素子とは近接して配置することがで
きるのであって、駆動回路としてスイッチング素子およ
び抵抗を配置するスペースが不要になるとともに、新た
に設けた第２の受光素子の専有スペースが小さいことに
よって、第１の受光素子の受光面積を相対的に大きくと
ることができ、結果的に小型化につながるという利点が
ある。
りなるスイッチング素子のゲート−ソース間に第２の受
光素子が接続されるのであって、第２の受光素子は第１
の受光素子とは逆並列に接続され、かつ、第１の受光素
子とは相補的に点灯する発光素子が対向しているから、
第１の受光素子の起電力を生じなくなると第２の受光素
子が逆向きの起電力を生じるのであって、スイッチング
素子の残留電荷が第２の受光素子の起電力によって相殺
されるのである。その結果、スイッチング素子の応答特
性を向上させることができるという効果がある。また、
両発光素子は発光波長が異なるのであって、第１の受光
素子と第２の受光素子とは、各発光素子の発光波長に応
答するように分光感度が選択されているから、第１の受
光素子と第２の受光素子とは近接して配置することがで
きるのであって、駆動回路としてスイッチング素子およ
び抵抗を配置するスペースが不要になるとともに、新た
に設けた第２の受光素子の専有スペースが小さいことに
よって、第１の受光素子の受光面積を相対的に大きくと
ることができ、結果的に小型化につながるという利点が
ある。
【図１】実施例を示す回路図である。
【図２】従来例を示す回路図である。
１ 駆動回路 ＬＤ1 発光素子 ＬＤ2 発光素子 ＰＤ 受光素子 ＰＤａ 受光素子 Ｓ スイッチング素子 Ｗ 波形整形回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】そこで、スイッチング素子Ｓのゲート−ソ
ース間にデプレッション形のＭＯＳＦＥＴよりなるスイ
ッチング素子Ｓａのドレイン−ソース間を接続し、スイ
ッチング素子Ｓａのゲート−ソース間に抵抗Ｒを接続し
た駆動回路１を設けているのである。このような駆動回
路１を設ければ、発光素子ＬＤの点灯時にはスイッチン
グ素子Ｓａは自己バイアスされて、わずかの漏れ電流が
残るオフ状態となっているのであって、発光素子ＬＤの
消灯時にはスイッチング素子Ｓａはバイアスがなくなり
オン状態となって、スイッチング素子Ｓのゲート−ソー
ス間の残留電荷はスイッチング素子Ｓａを通してすみや
かに放電されることになる。このように、駆動回路１を
設けることによって、オフ時間を短縮することができる
のである。
ース間にデプレッション形のＭＯＳＦＥＴよりなるスイ
ッチング素子Ｓａのドレイン−ソース間を接続し、スイ
ッチング素子Ｓａのゲート−ソース間に抵抗Ｒを接続し
た駆動回路１を設けているのである。このような駆動回
路１を設ければ、発光素子ＬＤの点灯時にはスイッチン
グ素子Ｓａは自己バイアスされて、わずかの漏れ電流が
残るオフ状態となっているのであって、発光素子ＬＤの
消灯時にはスイッチング素子Ｓａはバイアスがなくなり
オン状態となって、スイッチング素子Ｓのゲート−ソー
ス間の残留電荷はスイッチング素子Ｓａを通してすみや
かに放電されることになる。このように、駆動回路１を
設けることによって、オフ時間を短縮することができる
のである。
Claims (1)
- 【請求項１】 直列接続され入力側電源の両端間に挿入
された発光波長の異なる一対の発光素子と、入力信号に
呼応して両発光素子の接続点の電位を入力側電源のいず
れか一端の電位に選択的に設定する波形整形回路と、一
方の発光素子に対向して配置されこの発光素子の発光波
長に応答するフォトダイオードよりなる第１の受光素子
と、第１の受光素子の両端にゲート−ソース間が接続さ
れ第１の受光素子への発光素子からの光の入切に伴って
オン、オフするＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素子
と、他方の発光素子に対向して配置されこの発光素子の
発光波長に応答するフォトダイオードよりなり第１の受
光素子に対して逆並列に接続された第２の受光素子とを
具備して成ることを特徴とする光絶縁型固体リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243935A JPH0583105A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光絶縁型固体リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243935A JPH0583105A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光絶縁型固体リレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0583105A true JPH0583105A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17111223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243935A Withdrawn JPH0583105A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光絶縁型固体リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0583105A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108136961A (zh) * | 2015-10-23 | 2018-06-08 | Zkw集团有限责任公司 | 用于监控激光车辆大灯的运行状态的监控设备 |
| JP7329124B1 (ja) * | 2022-12-21 | 2023-08-17 | セイコーグループ株式会社 | 電子回路及び電子装置 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP3243935A patent/JPH0583105A/ja not_active Withdrawn
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| JP2018533182A (ja) * | 2015-10-23 | 2018-11-08 | ツェットカーヴェー グループ ゲーエムベーハー | レーザ車両投光器の稼働状態を監視するための監視装置 |
| US10569711B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-02-25 | Zkw Group Gmbh | Monitoring apparatus for monitoring the operating state of a laser vehicle headlamp |
| CN108136961B (zh) * | 2015-10-23 | 2021-04-13 | Zkw集团有限责任公司 | 用于监控激光车辆大灯的运行状态的监控设备 |
| JP7329124B1 (ja) * | 2022-12-21 | 2023-08-17 | セイコーグループ株式会社 | 電子回路及び電子装置 |
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