JPH0581061B2 - - Google Patents

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JPH0581061B2
JPH0581061B2 JP61302819A JP30281986A JPH0581061B2 JP H0581061 B2 JPH0581061 B2 JP H0581061B2 JP 61302819 A JP61302819 A JP 61302819A JP 30281986 A JP30281986 A JP 30281986A JP H0581061 B2 JPH0581061 B2 JP H0581061B2
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JP
Japan
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bus
storage means
circuit
temporary storage
arithmetic unit
Prior art date
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JP61302819A
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JPS63156349A (ja
Inventor
Tsutomu Nakamori
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体集積回路装置の構造において、
各回路の配置と内部バス線の共通化と短縮化を図
り、半導体チツプ面積の増大を防止しかつアクセ
スの高速化を図つたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にワン
チツプマイクロコンピユータを構成する大規模集
積回路(以下、LSI)の構造に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕
既に知られるように、ワンチツプマイクロコン
ピユータ(以下、1チツプマイコン)は、マイク
ロコンピユータそのものを1チツプ化したもので
あり、中央処理装置(CPU)、記憶装置(ROM,
RAM)、入出力インターフエイス(I/O)等
を1つのチツプにパツケージしたLSIである。1
チツプマイコンに要求される要件は、いうまでも
なく高速化、高密度化、小型化等であり、例え
ば、CPUの演算手段等に付隨するレジスタ等の
一時記憶手段の情報を迅速にRAMに高速に書き
込んだりRAMからレジスタに高速に読み出した
り必要が出てくる。一方、半導体チツプはその面
積がコストに大きな影響を及ぼすため出来る限り
少ない面積で所望の機能を達成すべく高密度化、
小型化が必要である。即ち、1チツプマイコンで
は、CPU,ROM,RAM,I/O等の配置とこ
れらを結ぶバスとの配置次第で、その高性能化、
小型化、低コスト化に大きな影響を与える。
第5図は従来の1チツプマイコンの要部構成の
一例である。第5図において、15はメモリセ
ル、16はメモリセルを選択するためのワード
線、17は読出し又は書込みのためのビツト線、
18はビツト線のデータを出力する選択回路、1
9は各回路ブロツク間を結ぶ共通バス、20は演
算器回路系とバス19との切換回路、21は演算
器に附隨する一時記憶手段としてのレジスタ、2
2は演算器、23は切換回路20、レジスタ2
1、演算器22等を結ぶCPU内の内部バスであ
る。
このような構成において、例えば、レジスタ2
1に格納されているデータをメモリ15に記憶さ
せるためには、内部バス23→切換回路20→共
通バス19→選択回路18→ビツト線17→メモ
リ15、の経路を専有する構成となつている。こ
のように、例えば、記憶回路に記憶させるときで
も、CPU内の演算器系と記憶回路との間に専用
の経路を持たない構成となつているため、演算器
系と記憶回路との間の情報伝達をするためには、
他の情報伝達を停止して、上記の如き経路によつ
て共通バスを専有し、全体としてスループツトを
低下させるという問題を生じていた。
第6図は従来の1チツプマイコンの他の例であ
る。第6図において、35はCPU、36〜41
は記憶回路、34は前記CPUと記憶回路とを接
続する内部バス、42は外部バス、43および4
4は外部回路である。図からも明らかなように、
CPU35と記憶回路36〜41を結ぶ内部バス
34のための配線領域を半導体チツプの一部分に
設けざるを得ず、さらに外部バス42を介してデ
ータ伝送を行なうようになつているため、外部バ
スを通さず直接接続される信号線については上記
の内部バス34の如く別個に設ける必要があり、
チツプ面積の増大を来すといつた問題があつた。
〔問題点を解決するための手段および作用〕
本発明は上記の問題点を解消した半導体集積回
路装置を提供することにあり、その手段は、中央
処理装置、記憶手段、入出力インターフエース、
及び一時記憶手段とこれらを相互接続する第1の
バス(以下、外部共通バス)及び第2のバス(以
下、内部バス)を有する1チツプ化された半導体
集積回路装置において、前記記憶手段を挟んで、
一方の側に前記中央処理装置の演算器系回路を対
向配置し、他方の側に前記一時記憶手段を対向配
置し、前記演算系回路と一時記憶手段を前記第2
のバスに接続し、かつこれら手段の外側に設けら
れた前記第1のバスにより、前記演算器系回路と
一時記憶手段が接続され、該第1のバスは前記演
算器系回路と一時記憶手段の間のデータ転送を行
い、前記第2のバスは前記第1のバスとは独立し
て設けられ、一時記憶手段、記憶手段間のデータ
転送を行うことを特徴とする。
〔実施例〕
第1図は本発明に係る半導体集積回路装置の基
本構造を示すブロツク図である。第1図におい
て、1は記憶回路、2は外部共通バス3へのイン
ターフエイス回路、4はCPU内の演算器系回路、
5は外部インターフエイス回路である。図からも
明らかな如く、本発明の構造では、記憶回路1を
挟んで、外部バスインターフエイス回路2とは逆
の側に、対向して記憶回路1と隣接して演算器系
回路4を配置したものである。このように、記憶
回路1の両側に共通バス3へのインターフエイス
2と演算器回路4が配置されているため、共通バ
ス3と演算器系回路4の双方から記憶回路1へア
クセスすることが可能となりアクセスの高速化を
図ることができ、かつ回路の面積を従来に比して
大幅に減少させることができる。
第2図は第1図構造の具体的実施例を示すブロ
ツク図である。第2図において、6は記憶回路1
内の複数個のメモリセル、7はメモリセル6を選
択するワード線、8は読出し/書込みのビツト
線、9はビツト線を選択する選択回路、10は各
回路ブロツク間を結ぶ共通バス、11はインター
フエイス回路、12は一時記憶手段としてのレジ
スタ、13は演算回路、14は演算器系回路と共
通バス10との間のインターフエイス回路であ
る。図からも明らかなように、ビツト線8は選択
回路9とインターフエイス11の間を結んでお
り、このため、共通バス10とレジスタ12の双
方からのアクセスが可能であり、アクセスの高速
化を図ることができる。
第3図は本発明のさらに他の実施例を示すブロ
ツク図である。第3図において、51は内部バス
であり、外部回路aおよびbとの間にバス切換手
段SWが設けられており、52はレジスタ52
1、レジスタ522、演算器523およびバス切
換手段SW等を包含する回路集合、53はメモリ
である。図からも明らかな如く、本実施例では回
路集合52とメモリ53とを内部バス51を挟ん
で対向して配置している。このような配置によつ
て内部バス51に必要とされる配線領が最小とな
り半導体チツプ面積の増大を防止することができ
る。
第4図は第3図構造の具体例を示すブロツク図
である。第4図において、54は記憶回路であり
55〜60のブロツクを有しており541は外部
バス74とのインターフエイス回路、61〜66
は内部バス線、68〜70はレジスタ、71は演
算器、72はバス切換回路、73は外部バス、6
7はレジスタ68〜71の回路集合である。図か
らも明らかなように、記憶回路54と回路集合6
7とは内部バスにそつて対向配置されており、そ
のため余分な配線領域が不要となりチツプ面積を
減少させることができる。第7図は第4図のバス
切換回路72の詳細図であり、各内部バス51と
外部バス73はオペアンプOPにより接続されて
おり、制御信号線Sに供給される制御信号によつ
て、いずれかのOPが選択され内部バスと外部バ
スが接続される。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明の回路配置によつて1
チツプマイコンにおけるチツプ面積を大幅に減小
させることができ、かつ情報伝達の経路が短縮さ
れるために従来に比べて高速化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体集積回路装置の基
本構造を示すブロツク図、第2図は第1図構造の
具体例ブロツク図、第3図は本発明の他の実施例
ブロツク図、第4図は第3図構造の具体例ブロツ
ク図、第5および6図は従来の構造例ブロツク
図、および第7図は第4図切換回路の一実施例回
路図である。 (符号の説明)、1……記憶回路、2……イン
ターフエイス、3……外部共通バス、4……演算
系回路、6……メモリセル、7……ワード線、8
……ビツト線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 中央処理装置、記憶手段、入出力インターフ
    エース、及び一時記憶手段とこれらを相互接続す
    る第1のバス及び第2のバスを有する1チツプ化
    された半導体集積回路装置において、 前記記憶手段を挟んで、一方の側に前記中央処
    理装置の演算器系回路を対向配置し、他方の側に
    前記一時記憶手段を対向配置し、 前記演算系回路と一時記憶手段を前記第2のバ
    スに接続し、かつこれら手段の外側に設けられた
    前記第1のバスにより、前記演算器系回路と一時
    記憶手段が接続され、 該第1のバスは前記演算器系回路と一時記憶手
    段の間のデータ転送を行い、前記第2のバスは前
    記第1のバスとは独立して設けられ、一時記憶手
    段、記憶手段間のデータ転送を行うことを特徴と
    する半導体集積回路装置。 2 前記第2のバスを切換手段により切り換えら
    れるようにした特許請求の範囲第1項に記載の半
    導体集積回路装置。
JP30281986A 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置 Granted JPS63156349A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30281986A JPS63156349A (ja) 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP30281986A JPS63156349A (ja) 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63156349A JPS63156349A (ja) 1988-06-29
JPH0581061B2 true JPH0581061B2 (ja) 1993-11-11

Family

ID=17913476

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JP30281986A Granted JPS63156349A (ja) 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58225440A (ja) * 1982-06-24 1983-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ制御装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS58225440A (ja) * 1982-06-24 1983-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ制御装置

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JPS63156349A (ja) 1988-06-29

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