JPH0578655A - 有機薄膜el素子 - Google Patents

有機薄膜el素子

Info

Publication number
JPH0578655A
JPH0578655A JP2340900A JP34090090A JPH0578655A JP H0578655 A JPH0578655 A JP H0578655A JP 2340900 A JP2340900 A JP 2340900A JP 34090090 A JP34090090 A JP 34090090A JP H0578655 A JPH0578655 A JP H0578655A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
thin film
organic
light emitting
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2340900A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3005909B2 (ja
Inventor
Koji Utsuki
功二 宇津木
Emi Nagahata
絵美 長幡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2340900A priority Critical patent/JP3005909B2/ja
Publication of JPH0578655A publication Critical patent/JPH0578655A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3005909B2 publication Critical patent/JP3005909B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 電子出願以前の出願であるので 要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は平面光源やディスプレイに使用される 有機薄膜EL素子に関するものである。
(従来の技術) 有機蛍光物質を有機発光体薄膜層としたEL)電界 発光)素子は、安価な大面積フルカラー表示素子を 実現するものとして注目を集めている(電子情報通 信学会技術報告、第89巻、No.106、49ページ、 1989年)。報告によると、第5図に示すように強い蛍 光を発する有機色素を有機発光体薄膜層54に使用 し、青、緑、赤色の明るい発光を得ている。これ は、薄膜状で強い蛍光を発し、ピンホール欠陥の 少ない有機色素を用いたことで、高輝度なフルカ ラー表示を実現できたと考えられている。
(発明が解決しようとする課題) 前述の有機色素を用いた有機薄膜EL素子は、 青、緑、赤の発光を示す。しかし、従来より知ら れているように、有機色素の中には溶液状では非 常に強い蛍光を示しながら、薄膜状では極端に蛍 光が弱くなったり、全く蛍光を示さないものも多 くあって、選択できる色素材料の数は限られ、高 輝度なフルカラー表示有機薄膜EL素子実現のため にはまだ十分ではない。
本発明は以上のべたような従来の事情に対処し てなされたもので、これまで薄膜状では蛍光が弱 すぎて利用できなかった有機色素を用いることも できる高輝度なフルカラーの有機薄膜EL素子を提 供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明者は、低電圧駆動で高輝度なフルカラー の有機薄膜EL素子を得るべく鋭意研究の結果、有 機発光体薄膜層の有機発光材料を有機電荷輸送性 材料中に分散させることで濃度消光が防止され、 有機色素の選択の幅が広がって特性の優れた有機 薄膜EL素子が得られることを見出し、本発明に 至った。
すなわち本発明は、少なくとも一方が透明な一 対の電極間に少なくとも有機発光体薄膜層を有す る有機薄膜EL素子において、有機発光体薄膜層の 成分が有機電荷輸送性材料と有機発光材料の混合 物からなることを特徴とする有機薄膜EL素子であ る。
本発明の有機薄膜EL素子としては、第1図のよ うにガラス基板11上に透明電極12と背面電極15と の間に有機発光体薄膜層14のみが形成されたもの の他、第2図のように有機正孔注入層23と有機発光 体薄膜層24が形成されたもの、第3のように有機発 光体薄膜層34と有機電子注入層36が形成されたも の、および第4図のように有機正孔注入層43、有機 発光体薄膜層44、有機電子注入層46が形成されあ ものが挙げられる。
なお、透明電極としては通常用いられるもので あればいずれでもよく、例えばITO以外には SnO2:Sb、ZnO:AlやAuなどが挙げられる。背面電 極にはIn、Mg、Ag、Mg:In、Mg:Agなどが使われ る。
本発明の有機発光材料として用いられる請求項 (2)のピラン誘導体の具体的な例としては、4-(ジシ アノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリ ル)-4H-ピラン、4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6- [2-(9-ジュロリジイル)エチニル]-4H-ピラン、4-(ジ シアノメチレン)-2-フェニル-6[2-(9-ジュロリジイ ル)エチニル]-4H-ピラン、4-(ジシアノメチレン)-2, 6-[2-(9-ジュロイジイル)エチニル]-4H-ピラン、4-(ジ シアノメチレン)-2-メチル-6-[2-(9-ジュロリジイル) エチニル]-4H-チオピランなどがあるがこの限りで はない。
本発明の有機発光材料として用いられる請求項 (3)のクマリン誘導体の具体的な例としては、7-ジ エチルアミノ-4-メチルクマリン、4,6-ジメチル-7- エチルアミノクマリン、3-(2'-ベンゾチアゾイル)-7- ジエチルアミノクマリン、3-(2'-ベンズイミダゾイ ル)-7-N,N-ジエチルアミノクマリン、7-アミノ-3- フェニルクマリン、3-(2'-N-メチルベンズイミダゾ イル)-7-N,N-ジエチルアミノクマリン、7-ジエチル アミノ-4-トリフルオロメチルクマリン、2,3,5,6- 1H,4H-テトラヒドロ-8-メチルキノルアジノ[9,9a, 1-gh]クマリン、7-アミノ-4-メチルクマリン、7-ジ メチルアミノシクロペンタ[C]クマリン、7-ジメチ ルアミノ-4-トリフルオロメチルクマリン、1,2,4,5, 3H,6H,10H-テロラヒドロ-8-トリフルオロメチル [1]ベンゾピラノ[9,9a,1-gh]キノリジン-10-オン、4- メチル-7-(スルホメチルアミノ)クマリンナトルム 塩、7-エチルアミノ-6-メチル-4-トリフルオロメチ ルクマリン、7-ジメチルアミノ-4-メチルクマリ ン、1,2,4,5,3H,6H,10H-テトラヒドロ-カルボエ トキシ[1]-ベンゾピラノ[9,9a,1-gh]キノリジノ-10- オン、9-アセチル-1,2,4,5,3H,6H,10H-テトラヒ ドロ[1]ベンゾピラノ[9,9a,1-gh]キノリジノ-10-オ ン、9-シアノ-1,2,4,5,3H,6H,10H-テトラヒドロ [1]ベンゾピラノ[9,9a,1-gh]キノリジノ-10-オン、9- (t-ブトキシカルボニル)-1,2,4,5,3H,6H,10H-テト ラヒドロ[1]ベンゾピラノ[9,9a,1-gh]キノリジノ-10- オン、4-メチルピペリジノ[3,2-g]クマリン、4-トリ フルオロメチルピペリジノ[3,2-g]クマリン、9-カル ボキシ-1,2,4,5,3H,6H,10H-テトラヒドロ[1]ベン ゾピラノ[9,9a,1-gh]キノリジノ-10-オン、N-エチ ル-4-トリフルオロメチルピペリジノ[3,2-g]クマリ ン、2,3,6,7-テトラヒドロ-11-オキソ-1H,5H,11H- (1)ベンゾピラノ[6,7,8-ij]-キノリジン-10-カルボン 酸などがあるがこの限りではない。
本発明の有機発光材料として用いられる請求項 (4)のシアニン誘導体の具体的な例としては、3,3'- (ジ-n-プロピル)-2,2'-オキサカルボシアニンアイオ ダイド、3,3'-)ジ-n-ペンチル)-2,2'-オキサカルボシ アニンアイオダイド、3,3'-(ジ-n-ヘキシル)-2,2'-オ キサカルボシアニンアイオダイド、3,3'-(ジ-n-プロ ピル)-2,2'-オキサカルボシアニンアイオダイド、3, 3'-(ジ-n-プロピル)-2,2'-チアジカルボシアニンアイ オダイド、1-カルボキシエチル-3'-エチル-4,2'-キノ- チアジカルボシアニンアイオダイド、1-1'-ジエチ ル-3,3,3',3'-テトラメチル-2,2'-インドトリカルボシ アニンアイオダイド、3,3'-ジエチル-2,2'-オキサシ アニンアイオダイド、3,3'-ジエチル-2,2'-チアシア ニンアイオダイド、1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-2, 2'-インドシアニンパークロレート、1,3'-ジエチル- 2,2'-キノ-チアシアニンアイオダイド、1,3'-ジエチ ル-2,2'-キノ-セレナシアニンアイオダイド、1,1'-ジ エチル-2,2'-キノシアニンアイオダイド、1,1'-ジエ チル-2,4'-キノシアニンアイオダイド、3,3′−ジエ
チ ル-2,2'-チアゾリノカルボシアニンアイオダイド、 3,3'-ジエチル-2,2'-オキサカルボシアニンアイオダ イド、3,3,9'-トリエチル-5,5'-ジフェニル-2,2'-オキ サカルボシアニンアイオダイド、1,3,1',3'-テトラ エチル-5,6,5',6'-テトラクロロ-2,2'-イミダカルボシ アニンアイオダイド、1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル- 2,2'-インドカルボシアニンアイオダイド、3,3',9- トリエチル-2,2'-チアカルボシアニンアイオダイ ド、3,3'-ジエチル-9-メチル-チアカルボシアニンア イオダイド、アンハイドロ-3,3'-ジスルホプロピル- 9-メチルセレナカルボシアニンハイドロキサイドト リエチルアミン塩、3,3'-ジエチル-4,4'-ジメチル-2, 2'-チアゾロカルボシアニンアイオダイド、3,3'-ジ エチル-2,2'-チアカルボシアニンアイオダイド、ア ンハイドロ-3,3'-ジスルホプロピルチアカルボシア ニンハイドロキサイドトリエチルアミン塩、3,3'- ジエチル-2,2'-セレナカルボシアニンアイオダイ ド、アンハイドロ-3,3'-ジスルホプロピル-9-メチル- 2,2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)チアカルボシアニンハイド ロキサイドトリエチルアミン塩、3,3'-ジエチル-9- メチル-2,2'-(6,7,6',7'-ジベンゾ)チアカルボシアニ ンアイオダイド、3,3',9-トリエチル-2,2'-(4,5,4', 5'-ジベンゾ)チアカルボシアニンブロマイド、1,3, 3,1',3',3'-ヘキサメチル-2,2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)- インドカルボシアニンアイオダイド、3,3'-ジエチ ル-2,2'-(6,7,6',7'-ジベンゾ)チアカルボシアニンア イオダイド、1,3'-ジエチル-4,2'-キノキサカルボシ アニンアイオダイド、3,3'-ジエチル-2,2'-(4,5,4', 5'-ジベンゾ)チアカルボシアニンアイオダイド、1, 1'-ジエチル-2,2'-キノカルボシアニンアイオダイ ド、1,3'-ジエチル-4,2'-キノチアカルボシアニンア イオダイド、1,1'-ジエチル-2,4'-キノカルボシアニ ンアイオダイド、1,1'-ジエチル-4,4'-キノカルボシ アニンアイオダイド、3,3'-ジエチル-2,2'-オキサジ カルボシアニンアイオダイド、1,3,3,1',2',3'-オキ サメチル-2,2'-インドジカルボシアニンアイオダイ ド、3,3'-ジエチル-2,2'-チアジカルボシアニンアイ オダイド、3,3'-ジエチル-9,11-ネオペンチレン-2, 2'-チアジカルボシアニンアイオダイド、3,3'-ジエ チル-2,2'-セレナジカルボシアニンアイオダイド、 1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-2,2'-(4,5,4',5'-ジベン ゾ)インドジカルボシアニンパークロレート、3,3'- ジエチル-2,2'-(6,7,6',7'-ジベンゾ)チアジカルボシ アニンアイオダイド、3,3'-ジエチル-2,2'-(4,5,4', 5'-ジベンゾ)チアジカルボシアニンアイオダイド、 1,1'-ジエチル-11-クロロ-2,2'-キノジカルボシアニ ンブロマイド、1,1'-ジエチル-2,2'-キノジカルボシ アニンアイオダイド、1,1'ジエチル-11-クロロ-4,4'- キノジカルボシアニンアイオダイド、1,1'-ジエチ ル-4,4'-キノジカルボシアニンアイオダイドなどが あるがこの限りではない。
本発明の有機発光材料として用いられる請求項 (5)のキサンテン系色素の具体的な例としては、9- (2'-カルボキシフェニル)-6-ヒドロキシ3H-キサンテ ン-3-オン、9-(2'-カルボキシフェニル)-2,7-ジクロ ロ-6-ヒドロキシ-3H-キサンテン-3-オン、2,4,5,7- テトラブロモ-9-(2'-カルボキシフェニル)-6-ヒドロ キシ-3H-キサンテン-3-オンジナトリウム塩、4,5-ジ ブロモ-9-(2'-カルボキシフェニル)-6-ヒドロキシ-3H- キサンテン-3-オンジナトリウム塩、4,5-ジヨード- 9-(2'-カルボキシフェニル)-6-ヒドロキシ-3H-キサン テン-3-オンジナトリウム塩、2,4,5,7-テトラブロ モ-3',4',5',6'-テトラクロロ-9-(2'-カルボキシフェニ ル)-6-ヒドロキシ-3H-キサンテン-3-オンジナトリウ ム塩、2,4,5,7-テトラヨード-9-(2'-カルボキシフェ ニル)-6-ヒドロキシ-3H-キサンテン-3-オンジナトリ ウム塩、2,4,5,7-テトラヨード-3',4',5',6'-テトラク ロロ-9-(2'-カルボキシフェニル)-6-ヒドロキシ-3H-キ サンテン-3-オンジナトリウム塩、2-(6-アミノ-3-イ ミノ-3H-キサンテン-9-イル)ベンゾイックアシッド ヒドロクロリド、メチル-2,6-アミノ-3-イミノ-3H- キサンテン-9-イル)ベンゾエートヒドロクロリド、 エチル-2-(6-エチルアミノ-3-エチルイミノ-3H-キサ ンテン-9イル)ベンゾエートヒドロクロリド、エチ ル-2-(6-エチルアミノ-3-エチルイミノ-2,7-ジメチル- 3H-キサンテン-9-イル)ベンゾエートヒドロクロリ ド、2-(6-メチルアミノ-3-メチルイミノ-3H-キサン テン-9-イル)ベンゾイックアシッドパークロレー ト、2-(6-ジメチルアミノ-3-ジエチルイミノ-3H-キ サンテン-9-イル)ベンゾイックアシッドヒドロクロ リド、2-(6-ジメチルアミノ-3-ジメチルイミノ-3H- キサンテン-9-イル)ベンゾイックアシッドパークロ レート、エチル-(6-ジエチルアミノ-3-ジエチルイミ ノ-3H-キサンテン-9-イル)ベンゾエートヒドロクロ リド、2-(6-エチルアミノ-3-エチルイミノ-2,7ジメ チル-3H-キサンテン-9-イル)ベンゾイックアシッド パークロレート、エチル-(6-エチルアミノ-3-エチル イミノ-2,7ジメチル-3H-キサンテン-9-イル)ベンゾ エートパークロレート、2-(6-アセチルアミノ-3-ア セチルイミノ-3H-キサンテン-9-イル)ベンゾイック アシッド、8-(2,4-ジスホニル)-2,3,5,6,11,2,14, 15-1H,4H,10H,13H-オクタヒドロジキノリジノ[9, 9a,1-bc;9,9a,1-hi]キサンテリウムヒドロクロリ ド、スルホローダミンB,[9-(0-カルボキシフェニ ル)-6-(ジエチルアミノ)-3H-キサンテン-3-イリデン] ジエチルアンモニウムクロリド、等あるがこの限 りではない。
本発明の有機発光材料として用いられる請求項 (6)のピリリウム系色素の具体的な例としては、2- (3',4'-ジヒドロキシフェニル)-3,5,7-トリヒドロキ シ-1-ベンゾピリリウムパークロレート、7-ヒドロ キシ-2-[3-(7-ヒドロキシ-2H-1-ベンゾピラン-2-イリ デン)-1-プロペニル]-1-ベンゾピリリウムパークロ レート、2-フェニル-4-[2-[4-[2-[(2-メチル-1-オキソ- 2-プロペニル)オキシ]エトシキシ]フェニル]-エテニ ル]-1-ベンゾピリリウムパークロレート、2,4,6-ト リフェニルチオピリリウムパークロレート、2,6-ジ フェニル-4-(4-メチルフェニル)チオピリリウムパー クロレート、2,6-ビス(4-メチルフェニル)-4-(フェニ ルチオピリリウム)パークロレート、2,6-ジフェニ ル-4-(4-メトキシフェニル)チオピリリウムパークロ レート、2,6-ジフェニル-4-[4-(2-ヒドロキシエトキ シ)フェニル]チオピリリウムパークロレート、2,6- ビス(4-メトキシフェニル)-4-フェニルチオピリリウ ムパークロレート、2,6-ジフェニル-4-[(3-メチル-2- ベンゾオキサゾリニルイデン)メチル]チオピリリウ ムパークロレート、2,6-ジフェニル-4-[(3-メチル-2- ベンゾチアゾリニルイデン)メチル]チオピリリウム パークロレート、2,6-ジフェニル-4-[3-(1,3,3-トリ メチル-2,3-ジヒドロ-1H-インドール-2-イリデン)-1- プロペニル]チオピリリウムパークロレート、2,6- ジフェニル-4-[3-(1,3,3-トリメチル-2,3-ジヒドロ- 1H-インドール-2-イリデン)-1-プロペニル]セレナピ リリウムパークロレート、4-(1'-ベンゾチオピラン- 2'-イリデンメチル)-2-メチル−1−ベンゾチオピリリ
ウ ムパークロレート、4-(4'-ジメチル-1'-ベンゾチオピ ラン-2'-イリデンメチル)-1-ベンゾチオピリリウム パークロレート、4-(4'6'-ジメチル-1'-ベンゾチオピ ラン-2'-イリデンメチル)-6-メチル-1-ベンゾチオピ リリウムパークロレート、4-(4'-メトキシ-1'-ベンゾ チオピラン-2'-イリデンメチル)-2-メチル-1-ベンゾ チオピリリウムパークロレート、4-(4'-メチル-7'-メ トキシ-1'-ベンゾピラン-2'-イリデンメチル)-7-メト キシ-1-ベンゾチオピリリウムパークロレート、4- (4'-メチル-7'-メトキシ-1'-ベンゾピラン-2'-イリ デンメチル)-2-メチルチオ-7-メトキシ-1-ベンゾピリ リウムパークロレート、4-(4'7'-ジメトキシ-1'-ベン ゾチオピラン-2'-イリデンメチル)-2-メチル-7-メト キシ-1-ベンゾチオピリリウムパークロレート、4- (4'-メトキシ-7'-クロロ-1'-ベンゾチオピラン-2'-イリ デンメチル)-2-メチル-7-クロロ-1-ベンゾピリリウム パークロレート、4-(4'-ジメチルアミノフェニル)-2- (4-メトキシフェニル-6-フェニルピリリウムパーク ロレート、4,6-ジェニル-2-(4-エトキシフェニル)チ オピリリウムパラ-トルエンスルホネート、2-(4-メ トキシフェニル)-6-フェニル-4-(パラートリル)-ピリ リウムテトラフルオロボレート等があるがこの限 りではない。
本発明の有機発光材料として用いられる請求項 (7)のオキソベンゾアントラセンの具体的な例とし ては、4-オキソ-10-メチル-4H-ベンゾ[d,e]アントラ センナトリウム、4-オキソ-10-メチル-4H-ベンゾ[d, e]アントラセン12-オラート、13-クロル-4-オキソ- 10-メチル-4H-ベンゾ[d,e]アントラセン、ナトリウ ム、13-クロル-4-オキソ-10-メチル-4H-ベンゾ[d,e]ア ントラセン、13-クロル-4-オキソ-10-メチル−12−N- メチル-N-フェニルカルバミルオキシ)-4H-ベンゾ [d,e]アントラセン、4-オキソ-10-メチル-12-ピロリ ジニル-4H-ベンゾ[d,e]アントラセン、10-ブトキシ カルボニル-4-オキソ-4H-ベンゾ[d,e]アントラセ ン、ナトリウム10-ブトキシカルボニル-4-オキソ- 4H-ベンゾ[d,e]アントラセン12-オラート、ナトリ ウム、12-ブトキシカルボニル-13-クロロ4H-オキソ-4H- ベンゾ[d,e]アントラセン12-オラートなどがあるが この限りではない。
また、本発明の有機発光体薄膜層に含まれる有 機電荷輸送性材料として用いられる請求項(8)の第3 級ジアミン系化合物の具体的な例としては、1,1-ビ ス(4-ジ-パラ-トリルアミノフェニル)シクロヘキサ ン、1,1-ビス(4-ジ-パラ-トリルアミノフェニル)-4- フェニルシクロヘキサン、N,N,N',N'-テトラ-パラ- トリル-4,4'-ジアミノビフェニル、N,N,N',N'-テトラ フェニル-4,4'-ジアミノビフェニル、4-(ジ-パラ-トリ ルアミノ)-4'-[4-(ジ-パラ-トリルアミノ)-スチリル]
ス チルベン、ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニ ル)フェニルメタン、4,4'-ビス(ビフェニルアミノ)ク ワドリフェニル、等があるがこの限りではない。
本発明の有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷 輸送性材料として用いられる請求項(9)のフタロシ アニン化合物の具体的な例としては、フタロシア ニン、マグネシウムフタロシアニン、クロムフタ ロシアニン、鉄フタロシアニン、亜鉛フタロシア ニン、ニッケルフタロシアニン、銅フタロシアニ ン、ガリウムフタロシアニン、鉛フタロシアニ ン、ヘキサデカヒドロフタロシアニン、マグネシ ウムヘキサデカヒドロフタロシアニン、ニッケル ヘキサデカヒドロフタロシアニン、コバルトヘキ サデカヒドロフタロシアニン、銅ヘキサデカヒド ロフタロシアニン、テトラフェニルフタロシアニ ン、マンガンテトラフェニルフタロシアニン、コ バルトテトラフェニルフタロシアニン、鉛テトラ フェニルフタロシアニン、スズテトラフェニルフ タロシアニン、パラジウムテトラフェニルフタロ シアニン、テトラキス-タ-シャリ-ブチルフタロシア ニン、フタロシアニンスルボン酸ナトリウム塩等 があるがこの限りではない。
有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸送性材 料として用いられる請求項(10)のナフタルイミド系 化合物の具体的な例としては、N-メチル-4-アミノ ナフタルイミド、N-エチル-4-アミノナフタルイミ ド、N-プロピル-4-アミノナフタルイミド、N-n-ブ チル-4-アミノナフタルイミド、4-アセチルアミノ ナフタルイミド、N-メチル-4-アセチルアミノナフ タルイミド、N-エチル-4-アセチルアミノナフタル イミド、N-プロピル-4-アセチルアミノナフタルイ ミド、N-n-ブチル-4-アセチルアミノナフタルイミ ド、N-メチル-4-メトキシナフタルイミド、N-エチ ル-4-メトキシナフタルイミド、N-プロピル-4-メト キシナフタルイミド、N-n-ブチル-4-メトキシナフ タルイミド、N-メチル-4-エトキシナフタルイミ ド、N-エチル-4-エトキシナフタルイミド、N-プロ ピル-4-エトキシナフタルイミド、N-n-ブチル-4-エ トキシナフタルイミド、4-アミノナフタルイミド、 N-(2,4-キシリル)-4-アミノナフタルイミドなどがあ るがこの限りではない。
有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸送性材 料として用いられる請求項(11)のキノリノール金属 錯体の具体的な例としては、トリス(8-ヒドロキシ キノリノール)アルミニウム、ビス(8-キノリノール) マグネシウム、トリス(8-キノリノール)インジウ ム、ビス(ベンゾ(f)-8-キノリノール)亜鉛、トリス(5- メチル-8-キノリノール)アルミニウム、8-キノリ ノールリチウム、トリス(5-クロロ-8-キノリノール) ガリウム、ビス(5-クロロ-8-キノリノール)カリシウ ムなどがあるがこの限りではない。
有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸送性材 料として用いられる請求項(12)の第3級アミン誘導 体の具体的な例としては、4,4'-ジメチル-4"-(2,2-ジ フェニル)ビニル)トリフェニルアミン、4,4'-ジメト キシ-4"-(2-(1-ナフェチル)ビニル)トリフェニルアミ ン、N,N-ジフェニル−4−(α−スチリル)-1-ナフチル
アミ ン、4,4'-ジメチル-4"-(2-(4-クロロフェニル)ビニル) トリフェニルアミン、9-(2-(4-N,N-ジエチルアミノ) フェニル)ビニル)アントラセンなどがあるがこの限 りではない。
有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸送性材 料として用いられる請求項(13)のスチリル系化合物 の具体的な例としては、2-(p-ジフェニルアミノス チリル)ナフト[1,2-d]チアゾール、2-(p-ジメチルア ミノスチリル)ナフト[1,2-d]チアゾール、2-(p-ジ フェニルアミノスチリル)ベンズオキサゾール、2- (p-ジメチルアミノスチリル)ベンズオキサゾール、 2-(p-ジフェニルアミノスチリル)ベンズオキサゾー ル、2-(p-ジフェニルアミノスチリル)キノリン、2- (p-ジメチルアミノスチリル)キノリン、4-(p-ジフェ ニルアミノスチリル)キノリン、4-(p-ジメチルアミ ノスチリル)キノリン、2-(p-ジフェニルアミノスチ リル)ベンゾチアゾール、2-(p-ジフェニルアミノス チリル)-3,3-ジメチル-3H-インドール、2-(p-ジメチ ルアミノスチリル)-3,3-ジメチル-3H-インドールな どがあるがこの限りではない。
有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸送性材 料として用いられる請求項(14)のジフェノキノン誘 導体の具体的な例としては、2,6-ジメチル-2',6'-ジ- t-ブチルジフェノキノン、2,2',6,6'-テトラ-t-ブチル ジフェノキノン、2,2',6,6'-テトラメチルジフェノキ ノンなどがあるが、この限りではない。
有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸送性材 料として用いられる請求項(15)の3,9-ペリレンジカ ルボン酸エステルの具体的な例として3,9-ペリレン ジカルボン酸ジフェニルエステル、3,9-ペリレンジ カルボン酸ジメチルエステル、3,9-ペリレンジカル ボン酸-ジ-(p-ジメトキシフェニル)エステル、3,9-ペ リレンジカルボン酸-ジ-(o-ジメトキシフェニル)エ ステル、3,9-ペリレンジカルボン酸-ジ-(p-ジメトキ シフェニル)エステル、3,9-ペリレンジカルボン酸- ジ-(p-ジメチルアミノフェニル)エステル、3,9-ペリ レンジカルボン酸-ジ-(p-ジエチルアミノフェニル) エステルなどがあるがこの限りではない。
(実施例) 以下、本発明の実施例について詳細に説明す る。
(実施例1) 有機発光体薄膜層の有機発光材料として2,3,6, 7-テトラヒドロ-11-オキソ−1H,5H,11H-(1)ベンゾ ピラノ[6,7,8-ij]-キノリジン-10-カルボン酸を用 い、有機電荷輸送性材料として1,1-ビス-(4-N,N-ジ トリルアミノフェニル)シクロヘキサンを用いた。
第1図に示すように、ガラス基板11上にITO透明電 極12を形成してから、上記の有機発光材料が有機 発光体薄膜層中に5モル%含まれるように有機電荷 輸送性材料とともに10-7Torrの真空中で共蒸着し て有機発光体薄膜層14を1000Å形成した。最後に背 面金属電極15としてInを電子ビーム蒸着法で 1500Å形成して有機薄膜EL素子を作製した。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したと ころ、約7Vの直流電圧の印加で約500cd/m2の明る い青緑色発光が得られた。従来の素子に比べ、発 光輝度・効率が1.5から2倍改善されている。この有 機薄膜EL素子を電流密度0.5mA/cm2の状態でエー ジング試験をしたところ、輝度半減時間は300時間 以上であった。従来の素子では100から300時間で あった。
(実施例2) 有機発光体薄膜層の発光材料として4-(ジシアノ メチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)- 4H-ピランを用いた以外は実施例1と同様にして素 子を作製し、約200cd/m2の明るい橙色発光が得ら れた。
(実施例3) 有機発光体薄膜層の発光材料として1,1'-ジエチ ル-2,2'-キノシアニンアイオダイドを用いた以外は 実施例1と同様にして素子を作製した。約7Vの直流 電圧の印加で約100cd/m2の明るい黄色発光が得ら れた。この素子を電流密度0.5mA/cm2の状態でエー ジング試験をしたところ輝度半減時間は約300時間 であった。
(実施例4) 有機発光体薄膜層の発光材料として、3,3'-ジエ チル-2,2'-チアカルボシアニンアイオダイドを用い た以外は実施例1と同様にして素子を作製し、約 150cd/m2の明るい黄色発光が得られた。
(実施例5) 有機発光体薄膜層14の有機発光材料として、2- (6-ジエチルアミノ-3-ジエチルイミノ-3H-キサンテ ン-9-イル)-ベンゾイックアシッドヒドロクロリドを 用いた以外は実施例1と同様にして素子を作製し た。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したこ とろ、約10Vの直流電圧の印加で約120cd/m2の明る い黄色発光が得られた。従来の素子に比で発光輝 度・効率が約1.2倍改善されている。
(実施例6) 有機発光体薄膜層の発光材料として、エチル-2- (6-エチルアミノ-3-エチルイミノ-3H-キサンテン-9- イル)ベンゾエートヒドロクロリドを用いた以外は 実施例1と同様にして素子を作製し、約15Vの直流 電圧の印加で約100cd/m2の明るい黄色発光が得ら れた。
(実施例7) 有機発光体薄膜層14の機発光材料として、2-13', 4'-ジヒドロキシフェニル)-3,5,7-トリヒドロキシ-1- ベンゾピリリウムパークロレートを用いた。第1図 に示すようにガラス基板11にITO透明電極12を形成 してから上記の有機発光材料が有機発光体薄膜層 中に5モル%含まれるように有機電荷輸送性材料と とみに10-7Torrの真空中で共蒸着して有機発光体 薄膜層14を1000Å形成した。最後に背面金属電極15 として、Inを電子ビーム蒸着法で1500Å形成して有 機薄膜EL素子を作製した。この素子の発光特性を 乾燥窒素中で測定したところ約10Vの直流電圧の印 加で約120cd/m2の明るい赤色発光が得られた。
(実施例8) 有機発光体薄膜層14の有機発光材料として、4- オキソ-10-メチル-4H-ベンゾ[d,e]アントラセンを 用いた。これ以外は、実施例7と同様にして有機薄 膜EL素子を作製した。この素子の発光特性を乾燥 窒素中で測定したところ約10Vの直流電圧の印加で 約120cd/m2の明るい発光が得られた。発光が得ら れた。
(実施例9) 有機発光体薄膜層14の有機電荷輸送性材料とし て、無金属フタロシアニンを用い、有機発光材料 として、2-(6-ジメチルアミノ-3-ジエチルイミノ- 3H-キサンテン-9-イル)-ベンゾイックアシッドヒド ロクロリドを用いた。
第1図に示すように、ガラス基板11にITO透明電 極12を形成してから、上記の有機発光材料が有機 発光体薄膜層中に5モル%含まれるように有機電荷 輸送性材料とともに10-7Torrの真空中で共蒸着し て有機発光体薄膜層14を1000Å形成した。最後に背 面金属電極15として、Inを電子ビーム蒸着法で 1500Å形成して有機薄膜EL素子を作製した。この 素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ約 10Vの直流電圧の印加で約120cd/m2の明るい黄色発 光が得られた。従来の素子に比べ発光輝度・効率が 約1.2倍改善されている。
(実施例10) 有機発光体薄膜層14の有機電荷輸送性材料とし て、コバルトフタロシアニンを用いた以外は実施 例9と同様にして素子を作製し、約15Vの直流電圧 の印加で約100cd/m2の明るい黄色発光が得られ た。
(実施例11) 有機発光体薄膜層14の有機電荷輸送性材料とし て4-(ジ−パラ−トリルアミノ-4'[4-(ジ−パラ−ト リルアミノ)スチリル]スチルベンを用い有機発光材 料として4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチ ルアミノスチリル)-4H-ピランを用いた。第1図に示 すようにガラス基板11にITO透明電極12を形成して から上記の有機発光材料が有機発光体薄膜中に1モ ル%含まれるように有機電荷輸送性材料とともに 10-7Torrの真空中で共蒸着して有機発光体薄膜層 14を1000Å形成した。最後に背面電極15としてInを 電子ビーム蒸着法で1500Å形成して有機薄膜EL素 子を作製した。この素子の発光特性を乾燥窒素中 で測定したところ約15Vの直流電圧の印加で約100 の明るい橙色発光が得られた。
(実施例12) 有機発光体薄膜層14の有機電荷輸送性材料とし てN-(2,4-キシリル)-4-アミノナフタルイミドを用 い、有機発光材料として4-(ジシアノミチレン)-2-メ チル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピランを用 いた。第2図に示すようにガラス基板21にITO透明 電極22を形成してから、正孔注入層として、1,1-ビ ス(4-N,N-ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン を用い10-7Torrの真空蒸着で形成した。次に上記 の有機発光材料が有機発光体薄膜中に1モル%含ま れるように有機電荷輸送性材料とともに10-7Torr の真空中で共蒸着して有機発光体薄膜層24を 700Å形成した。最後に背面電極25としてMgIn合金 (In10at%)を電子ビーム蒸着で1500Å形成して、素 子を作成した。この素子の発光特性を乾燥窒素中 で測定したところ、約13Vの直流電圧の印加で約 100cd/m2の橙色発光が得られた。
(実施例13) 有機発光体薄膜層14の有機電荷輸送性材料とし てトリス(8-ヒドロキシキノリノール)アルミニウム を用い、有機発光材料として、2,3,6,7-テトラヒド ロ-9-メチル-11-オキソ-1H,5H,11H-(1)ベンゾピラ ノ[6,7,8-ij]-キノリジンをもちいた。第2図に示すよ うにガラス基板21にITO透明電極22を形成してか ら、正孔注入層として1,1-ビス(4-N,N-ジトリルア ミノフェニル)シクロヘキサンを用い10-7Torrの真 空蒸着で形成した。次に上記の有機発光材料が有 機発光体薄膜中に1モル%含まれるように有機電荷 輸送性材料とともに10-7Torrの真空中で共蒸着し て有機発光体薄膜層24を500Å形成した。最後に、 背面電極25としてMgIn合金(In10at%)を電子ビー ム蒸着で1500Å形成して、素子を作成した。この素 子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、約 20Vの直流電圧の印加で約80cd/m2の青色の発光が 得られた。
(実施例14) 有機発光体薄膜層14の有機電荷輸送性材料とし て2-(p-ジメチルアミノスチリル)-3,3-ジメチル-3-イ ンドールを用い、有機発光材料として、-4(ジシア ノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリ ル)-4H-ピランをもちいた。第3図に示すようにガラ ス基板31にITO透明電極23を形成してから、上記の 有機発光材料を有機発光体薄膜中に1モル%含まれ るように有機電荷輸送性材料とともに10-7Torrの 真空中で共蒸着して有機発光体薄膜層34を500Å形 成した。次に有機電子注入層36として2-(4'-tert-ブ チルフェニル)-5-(4"-ビフェニル)-1,3,4-オキサジア ゾールを用い、10-6Torrの真空中で300Å蒸着し た。最後に、背面電極35としてMgIn合金(In10at %)を電子ビーム蒸着で1500Å形成して、素子を作成 した。この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定し たところ、約18Vの直流電圧の印加で約100cd/m2の 橙色の発光が得られた。
(実施例15) 有機発光体薄膜層の有機電荷輸送性材料として 4,4'-ジメチル-(4"(2,2-ジフェニル)ビニル)トリフェ ニルアミンを用い、有機発光材料として、4-(ジシ アノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリ ル)-4H-ピランをもちいた。第4図に示すようにガラ ス基板41にITO透明電極42を形成してから、正孔注 入層43として1,1-ビス(4-N,N-ジトリルアミノフェ ニル)シクロヘキサンを用い、10-7Torrの真空蒸着 で形成した。次に上記の有機発光材料が有機発光 体薄膜中に1モル%含まれるように有機電荷輸送性 材料とともに10-7Torrの真空中で共蒸着して有機 発光体薄膜層44を500Å形成した。次に有機電子注 入層36として2-(4'-tert-ブチルフェニル)-5-(4"-ビ フェニル)-1,3,4-オキサジアゾールを用い、10-6 Torrの真空中で300Å蒸着した。最後に、背面電極 35としてMgIn合金(In10at%)を電子ビーム蒸着で 1500Å形成して、素子を作成した。この素子の発光 特性を乾燥窒素中で測定したところ、約20Vの直流 電圧の印加で約100cd/m2の橙色の発光が得られた。
(実施例16) 有機発光体薄膜層の有機電荷輸送性材料として 2,6-ジメチル-2',6'-ジ-t-ブチルジフェニキノンを用 い、有機発光材料として、N,N-(ジ-1,4-t-ブチル)3, 4,9,10-ペリレンテトラカルボキシルイミドを用い た。第2図に示すようにガラス基板21にITO透明電 極22を形成してから、正孔注入層23として1,1-ビス (4-N,N-ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサンを 用い、10-7Torrの真空蒸着で形成した。次に上記 の有機発光材料が有機発光体薄膜中に1モル%含ま れるように有機電荷輸送性材料とともに10-7Torr の真空中で共蒸着して有機発光体薄膜層24を 700Å形成した。最後に、背面電極25としてMgIn合 金(In10at%)を電子ビーム蒸着で1500Å形成して、 素子を作成した。この素子の発光特性を乾燥窒素 中で測定したところ、約15Vの直流電圧の印加で約 50cd/m2の赤色の発光が得られた。
(実施例17) 有機発光体薄膜層の有機電荷輸送性材料として 3,9-ペリレンジカルボン酸ジフェニルエステルを用 い、有機発光材料として、4-(ジシアノメチレン)-2- メチル-6-(p-ジメチルアミノスチル)-4H-ピランを用 いた。第2図に示すようにガラス基板21にITO透明 電極22を形成してから、正孔注入層23として1,1-ビ ス(4-N,N-ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン を用い、10-7Torrの真空蒸着で形成した。次に上 記の有機発光材料が有機発光体薄膜中に1モル%含 まれるように有機電荷輸送性材料とともに10- 7 Torrの真空中で共蒸着して有機発光体薄膜層24を 500Å形成した。最後に、背面電極25としてMgIn合 金(In10at%)を電子ビーム蒸着で1500Å形成して、 素子を作成した。この素子の発光特性を乾燥窒素 中で測定したところ、約20Vの直流電圧の印加で約 120cd/m2の赤色の発光が得られた。
(発明の効果) 以上説明したように本発明により、青から赤に 至る高輝度な有機薄膜EL素子のフルカラー化を実 現でき、低電圧駆動の薄膜発光体としてきわめて 有効であり、その工業的価値は高い。
【図面の簡単な説明】
第1図から第4図は本発明の実施例に用いた有機 薄膜EL素子の概略断面図、第5図は従来より知られ ている有機薄膜EL素子の概略断面図である。 11,51…ガラス基板、12,25…ITO透明電極、23,43, 53…有機正孔注入層、14,24,34,44,54…有機発光体 薄膜層、15,55…背面電極、36,46…有機電子注入層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−306556 (32)優先日 平2(1990)11月13日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願平2−279183 (32)優先日 平2(1990)10月19日 (33)優先権主張国 日本(JP)

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一方が透明な一対の電極間に
    少なく とも有機発光体薄膜層を有する有機薄膜EL素子に おいて、有機発光体薄膜層の成分が有機電荷輸送 性材料と有機発光材料の混合物からなることを特 徴とする有機薄膜EL素子。
  2. 【請求項2】 有機発光体薄膜層に含まれる有機発光材
    料は、 一般式; (式中、Xは酸素原子または硫黄原子、R1は2-(4-置 換もしくは未置換アミノスチリル)基または2-(9- ジュロリジイル)エチニル基、R2はアルキル基、ア リール基または2-(9-ジュロリジイル)エチニル基を 示す。) で示されるピラン誘導体である請求項(1)に記載の 有機薄膜EL素子。
  3. 【請求項3】 有機発光体薄膜層に含まれる有機発光材
    料は、 一般式; (式中、R3は水素原子、カルボキシル基、アルコキ シル基、アルコキシカルボニル基、アルカノイル 基、シアノ基、アリール基または複素環式芳香族 化合物、R4は水素原子、アルキル基、ハロアルキ ル基、カルボキシル基、アルカノイル基またはア ルコキシカルボニル基、R5は水素原子またはアル キル基、R6は置換もしくは未置換のアミノ基、R7 は水素原子またはアミノ基を含んだR6と縮合環を 形成してもよい。また、R3とR4は互いに縮合炭素 環状体を形成してもよい。) で示されるクマリン誘導体またはその塩である請 求項(1)に記載の有機薄膜EL素子。
  4. 【請求項4】 有機発光体薄膜層に含まれる有機発光材
    料は、 一般式; (式中、nは0〜3の整数であり、R1は水素原子、アル キル基またはハロゲン原子、あるいはR1同士でネ オペンチレン基を形成してもよく、R2およびR3は 少なくとも窒素原子を含む複素環化合物残基を示 し、かつR2とR3のどちらか一方の複素環に含まれ る窒素原子は正の電荷を持っている) で示されるシアニン系化合物である請求項(1)に記 載の有機薄膜EL素子。
  5. 【請求項5】 有機発光体薄膜層に含まれる有機発光材
    料は一 般式; (I) (式中、R11〜R17はそれぞれ同一もしくは異なる基 であって、水素原子、アルキル基、アリール基、 置換アルキル基、置換アリール基、アリル基、ア ルコキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシカルボ ニル基、カルボキシル基、スルホニル基、ニトロ 基又はハロゲン原子)または (II) (式中、R21〜R31はそれぞれ同一もしくは異なる基 であって、水素原子、アルキル基、アリール基、 置換アルキル基、置換アリール基、アリル基、ア ルコキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシカルボ ニル基、カルボキシル基、スルホニル基、ニトロ 基又はハロゲン原子) で示されるキサンテン系化合物である請求項(1)に 記載の有機薄膜EL素子。
  6. 【請求項6】 有機発光体薄膜層に含まれる有機発光材
    料は一 般式; (I) (式中、R1〜R5はそれぞれ同一もしくは異なる基で あって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア ラルキル基、置換アルキル基、置換アリール基、 置換アラルキル基、アリル基、アルコキシ基、ヒ ドロキシル基、アルコキシカルボニル基、カルボ キシル基、スルホニル基、ニトロ基、アミノ基、 イミド基又はハロゲン原子)、 X1は、酸素、硫黄又はセレン、 Y1は、過塩素酸、スルホン酸、 又は、フルオロほう酸、または; (式中、R6〜R12はそれぞれ同一もしくは異なる基で あって、水素原子、アルキル基、アリール基、ア ラルキル基、置換アルキル基、置換アリール基、 置換アラルキル基、アリル基、アルコキシ基、ヒ ドロキシル基、アルコキシカルボニル基、カルボ ニル基、スルホニル基、ニトロ基、アミノ基、イ ミド基又はハロゲン原子、 X2は、酸素、硫黄又はセレン、 Y2は、過塩素酸、スルホン酸、又は、フルオロほ う酸で示されるピリリウム系化合物である請求項 (1)に記載の有機薄膜EL素子。
  7. 【請求項7】 有機発光体薄膜層に含まれる有機発光材
    料は一 般式; (式中、R1は、ヒドロキシル基、アルキル基、ヒド ロキシアルキル基、 又は、アルコキシカルボニル基、 R2は、ヒドロキシル基又はハロゲン原子、 R3は、ヒドロキシル基又は−O、ただし Mは、ナトリウム、カリウム、リチウム又はアンモ ニウム) で示されるオキソベンゾアントラセン系化合物で ある請求項(1)に記載の有機薄膜EL素子。
  8. 【請求項8】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸
    送性材 料は一般式; (式中、R1〜R4は同一もしくは異なる基であって、 水素原子、アルキル基、アリール基、置換アルキ ル基、または置換アリール基、R5はアルキレン基) で示される第3級ジアミン系化合物である請求項(1) に記載の有機薄膜EL素子。
  9. 【請求項9】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷輸
    送性材 料は一般式; (I) (式中、R1〜R6はそれぞれ同一もしくは異なる基で あって、水素原子、水酸基、フェニル基、アルキ ル基、又はスルホン酸塩)または、 (II) (式中、R17〜R32はそれぞれ同一もしくは異なる基 であって、水素原子、フェニル基、アルキル基、 又はスルホン酸塩、 Mは金属、 で示されるフタロシアニン系化合物である請求項 (1)に記載の有機薄膜EL素子。
  10. 【請求項10】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷
    輸送性 材料は一般式; (式中、R1、R2およびR3はそれぞれ同一でも異なっ ていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール 基、置換アルキル基、置換アリール基、アルコキ シル基、フェニル基、置換フェニル基、アミノ 基、アシルアミノ基からなる群から選ばれる)で示 されるナフタルイミド系化合物である請求項(1)に 記載の有機薄膜EL素子。
  11. 【請求項11】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷
    輸送性 材料は一般式; (I) (式中、Mは金属原子、R1〜R3は同一でも相異なっ てもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシル 基またはハロゲン基からなる群から選ばれ、nは1 から3の整数である) または、 (II) (式中、Mは金属原子、R1〜R3は同一でも相異なっ ていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキ シル基またはハロゲン基からなる群から選ばれ、n は2または3の整数である) で示されるキノリノール金属錯体である請求項(1) に記載の有機薄膜EL素子。
  12. 【請求項12】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷
    輸送性 材料は一般式、 (式中、R1は水素原子、フェニル基、置換フェニル 基、ナフチル基、置換ナフチル基、R2はフェニル 基、置換フェニル基、置換フェニル基、R3はフェ ニレン基、ナフチレン基、R4はアルキル基、フェ ニル基、置換フェニル基、R5はアルキル基、フェ ニル基、置換フェニル基からなる群から選ばれ る。) で示される第3級アミン誘導体である請求項(1)に記 載の有機薄膜EL素子。
  13. 【請求項13】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷
    輸送材 料は一般式、 (式中、Aはベンズオキサゾール、ベンゾチアゾー ル、ナフトチアゾール、インドールおよびキノリ ンからなる群から選ばれる。また、R1とR2とフェ ニル基、置換フェニル基およびアルキル基からな る群から選ばれる。) で示されるスチリル系化合物である請求項(1)に記 載の有機薄膜EL素子。
  14. 【請求項14】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷
    輸送材 料は一般式、 (式中、R1〜R4はそれぞれ同一もしくは異なる基で あって、アルキル基、アリル基、アルコキシル基 またはハロゲン原子を示す)で表されるジフェノキ ノン誘導体である請求項(1)に記載の有機薄膜EL素 子。
  15. 【請求項15】 有機発光体薄膜層に含まれる有機電荷
    輸送材 料は一般式、 (式中、Rはアルキル基、アルコキシル基、フェニ ル基および置換フェニル基からなる群から選ばれ る。)で示される3,9-ペリレンジカルボン酸エステル である請求項(1)に記載の有機薄膜EL素子。
JP2340900A 1989-12-11 1990-11-30 有機薄膜el素子 Expired - Lifetime JP3005909B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2340900A JP3005909B2 (ja) 1989-12-11 1990-11-30 有機薄膜el素子

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31879789 1989-12-11
JP33106689 1989-12-22
JP16011790 1990-06-19
JP1-331066 1990-10-19
JP2-160117 1990-10-19
JP1-318797 1990-10-19
JP27918390 1990-10-19
JP2-279183 1990-10-19
JP30655690 1990-11-13
JP2-306556 1990-11-13
JP2340900A JP3005909B2 (ja) 1989-12-11 1990-11-30 有機薄膜el素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0578655A true JPH0578655A (ja) 1993-03-30
JP3005909B2 JP3005909B2 (ja) 2000-02-07

Family

ID=27553234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2340900A Expired - Lifetime JP3005909B2 (ja) 1989-12-11 1990-11-30 有機薄膜el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3005909B2 (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07288185A (ja) * 1994-04-20 1995-10-31 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜el素子
US5540999A (en) * 1993-09-09 1996-07-30 Takakazu Yamamoto EL element using polythiophene
US5792557A (en) * 1994-02-08 1998-08-11 Tdk Corporation Organic EL element
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000164359A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000260566A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2000315580A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6465116B1 (en) 1998-06-08 2002-10-15 Nec Corporation Organic electroluminescent device
US6699594B1 (en) 1998-06-08 2004-03-02 Nec Corporation Organic electroluminescent device
WO2005075451A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. アミノジベンゾジオキシン誘導体及びそれを用いた有機電界発光素子
US6953628B2 (en) 2000-11-30 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device and display apparatus
US7238435B2 (en) 2001-09-04 2007-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Polymeric compound and organic luminescence device
US7485023B2 (en) 2005-03-31 2009-02-03 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device having partition wall and a manufacturing method of the same by relief printing method
US7546803B2 (en) 2006-01-30 2009-06-16 Toppan Printing Co., Ltd. Letterpress printing machine
US7686665B2 (en) 2005-09-22 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a printed matter and a printed matter
US7687390B2 (en) 2006-03-28 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method
US7696683B2 (en) 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7719183B2 (en) 2005-07-01 2010-05-18 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device
US7791275B2 (en) 2006-03-30 2010-09-07 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
US7819716B2 (en) 2006-02-15 2010-10-26 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7880382B2 (en) 2006-03-08 2011-02-01 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence panel and manufacturing method of the same
US9537119B2 (en) 2012-12-27 2017-01-03 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US9700908B2 (en) 2012-12-27 2017-07-11 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US9755186B2 (en) 2013-12-12 2017-09-05 Kateeva, Inc. Calibration of layer thickness and ink volume in fabrication of encapsulation layer for light emitting device
US9802403B2 (en) 2012-12-27 2017-10-31 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US9832428B2 (en) 2012-12-27 2017-11-28 Kateeva, Inc. Fast measurement of droplet parameters in industrial printing system
US11141752B2 (en) 2012-12-27 2021-10-12 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5540999A (en) * 1993-09-09 1996-07-30 Takakazu Yamamoto EL element using polythiophene
US5792557A (en) * 1994-02-08 1998-08-11 Tdk Corporation Organic EL element
JPH07288185A (ja) * 1994-04-20 1995-10-31 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜el素子
US6465116B1 (en) 1998-06-08 2002-10-15 Nec Corporation Organic electroluminescent device
US6699594B1 (en) 1998-06-08 2004-03-02 Nec Corporation Organic electroluminescent device
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000164359A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000260566A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2000315580A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6953628B2 (en) 2000-11-30 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device and display apparatus
US7094477B2 (en) 2000-11-30 2006-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device and display apparatus
US7238435B2 (en) 2001-09-04 2007-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Polymeric compound and organic luminescence device
US7691493B2 (en) 2001-09-04 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Polymeric compound and organic luminescence device
US7605277B2 (en) 2004-02-09 2009-10-20 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Aminodibenzodioxin derivative and organic electroluminescent using the same
WO2005075451A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. アミノジベンゾジオキシン誘導体及びそれを用いた有機電界発光素子
US7485023B2 (en) 2005-03-31 2009-02-03 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device having partition wall and a manufacturing method of the same by relief printing method
US7719183B2 (en) 2005-07-01 2010-05-18 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device
US7686665B2 (en) 2005-09-22 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a printed matter and a printed matter
US7696683B2 (en) 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7546803B2 (en) 2006-01-30 2009-06-16 Toppan Printing Co., Ltd. Letterpress printing machine
US7819716B2 (en) 2006-02-15 2010-10-26 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
US7880382B2 (en) 2006-03-08 2011-02-01 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence panel and manufacturing method of the same
US7687390B2 (en) 2006-03-28 2010-03-30 Toppan Printing Co., Ltd. Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method
US7791275B2 (en) 2006-03-30 2010-09-07 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
US11141752B2 (en) 2012-12-27 2021-10-12 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US10797270B2 (en) 2012-12-27 2020-10-06 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US11678561B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US9802403B2 (en) 2012-12-27 2017-10-31 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US11489146B2 (en) 2012-12-27 2022-11-01 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US9832428B2 (en) 2012-12-27 2017-11-28 Kateeva, Inc. Fast measurement of droplet parameters in industrial printing system
US11233226B2 (en) 2012-12-27 2022-01-25 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US11167303B2 (en) 2012-12-27 2021-11-09 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US10784470B2 (en) 2012-12-27 2020-09-22 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US10784472B2 (en) 2012-12-27 2020-09-22 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US9700908B2 (en) 2012-12-27 2017-07-11 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US9537119B2 (en) 2012-12-27 2017-01-03 Kateeva, Inc. Nozzle-droplet combination techniques to deposit fluids in substrate locations within precise tolerances
US10950826B2 (en) 2012-12-27 2021-03-16 Kateeva, Inc. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
US11088035B2 (en) 2013-12-12 2021-08-10 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US10811324B2 (en) 2013-12-12 2020-10-20 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US10586742B2 (en) 2013-12-12 2020-03-10 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US10522425B2 (en) 2013-12-12 2019-12-31 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light emitting device
US11456220B2 (en) 2013-12-12 2022-09-27 Kateeva, Inc. Techniques for layer fencing to improve edge linearity
US9831473B2 (en) 2013-12-12 2017-11-28 Kateeva, Inc. Encapsulation layer thickness regulation in light emitting device
US11551982B2 (en) 2013-12-12 2023-01-10 Kateeva, Inc. Fabrication of thin-film encapsulation layer for light-emitting device
US9806298B2 (en) 2013-12-12 2017-10-31 Kateeva, Inc. Techniques for edge management of printed layers in the fabrication of a light emitting device
US9755186B2 (en) 2013-12-12 2017-09-05 Kateeva, Inc. Calibration of layer thickness and ink volume in fabrication of encapsulation layer for light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3005909B2 (ja) 2000-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0578655A (ja) 有機薄膜el素子
US4769292A (en) Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
CA2051758C (en) Electroluminescent element
US5932363A (en) Electroluminescent devices
US6723455B2 (en) Organic electro-luminescent element and material of organic electro-luminescent element
JP3213063B2 (ja) 内部接合形有機エレクトロルミネセント素子
US5759444A (en) Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5059863A (en) Organic electroluminescent device
US5121029A (en) Electroluminescence device having an organic electroluminescent element
KR100227607B1 (ko) 유기일렉트로루미너센스소자
KR20010093121A (ko) 유기 전기발광 소자
EP0373582B1 (en) Electroluminescence device
US20100025671A1 (en) Electroluminescent devices
US6410166B1 (en) Organic electroluminescence device doping device and organic electroluminescence device
KR20010031273A (ko) 아민 유도체 및 이를 사용한 유기 전계발광 소자
JPH0790260A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3575335B2 (ja) 有機発光素子
KR20050095613A (ko) 발광소자, 그것에 이용하는 축합다환계 화합물 및 그제조방법
JPH09176630A (ja) 高い動作安定性を有するエレクトロルミネセンスデバイス
US20070200096A1 (en) Doped lithium quinolate
JP2003051387A (ja) 有機電界発光素子
JP3598097B2 (ja) 発光素子およびその製造方法
US20030057826A1 (en) Nitrogen-containing heterocyclic compound
JP2002047274A (ja) 有機電界発光素子
JPH041290A (ja) 有機薄膜el素子

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126

Year of fee payment: 10

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126

Year of fee payment: 10

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126

Year of fee payment: 12