JPH057335A - 電子スチルカメラ - Google Patents
電子スチルカメラInfo
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- JPH057335A JPH057335A JP3149142A JP14914291A JPH057335A JP H057335 A JPH057335 A JP H057335A JP 3149142 A JP3149142 A JP 3149142A JP 14914291 A JP14914291 A JP 14914291A JP H057335 A JPH057335 A JP H057335A
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- 238000005375 photometry Methods 0.000 abstract description 10
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スミアによる誤差のない測光データが得られ
る電子スチルカメラを提供する。 【構成】 測光前走査において、固体撮像素子の蓄積電
荷を全て読み出した後、空走査を行ってスミア情報を検
出し、測光走査で測光情報を得て、これらスミア情報,
測光情報にもとづいて最適露出量を算出する。なおスミ
ア情報の検出は測光後走査で行ってもよい。
る電子スチルカメラを提供する。 【構成】 測光前走査において、固体撮像素子の蓄積電
荷を全て読み出した後、空走査を行ってスミア情報を検
出し、測光走査で測光情報を得て、これらスミア情報,
測光情報にもとづいて最適露出量を算出する。なおスミ
ア情報の検出は測光後走査で行ってもよい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子スチルカメラ(スチ
ルビデオカメラともいう)に関し、特にその測光に関す
るものである。
ルビデオカメラともいう)に関し、特にその測光に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の電子スチルカメラのブロッ
ク図である。図において、1はレンズユニット、2はレ
ンズ駆動モータであり、22はシャッタ、3は絞り、4
はシャッタ・絞り駆動回路である。5は画像を電気信号
に変換する固体撮像素子であり、システム制御回路9の
指示により垂直方向の任意の行を指定して蓄積電荷をリ
セットしたり読み出すことが出来る機能がある。23は
γ補正回路である。6は固体撮像素子5の出力をアナロ
グ−ディジタル変換するA/D変換回路である。現状安
価に得られるA/D変換回路は8ビット分解能程度のも
のが多いので、γ補正回路23によってγ補正を行って
からA/D変換を行うことによって量子化ノイズの発生
を抑えている。7はA/D変換回路6の出力を記憶する
フレームメモリである。9はシステム全体を制御するシ
ステム制御回路である。10はメモリ7の出力に対して
帯域制限等の処理を行う撮像信号処理回路である。11
は撮像信号処理回路10の出力をディジタル−アナログ
変換するD/A変換回路である。12はD/A変換回路
11の出力をFM変調するFM変調回路である。13は
FM変調回路12の出力を電流増幅するREC(記録)
アンプである。14は磁気ヘッド、15は記録媒体であ
る磁気シート、16は磁気シート15を回転させるモー
タ、17はモータの回転を安定させるためのモータサー
ボ回路である。20はレリーズスイッチでありこのスイ
ッチの投入とともに一連の撮影動作が開始される。21
はA/D変換回路6の信号の平均値を算出する平均値算
出回路である。
ク図である。図において、1はレンズユニット、2はレ
ンズ駆動モータであり、22はシャッタ、3は絞り、4
はシャッタ・絞り駆動回路である。5は画像を電気信号
に変換する固体撮像素子であり、システム制御回路9の
指示により垂直方向の任意の行を指定して蓄積電荷をリ
セットしたり読み出すことが出来る機能がある。23は
γ補正回路である。6は固体撮像素子5の出力をアナロ
グ−ディジタル変換するA/D変換回路である。現状安
価に得られるA/D変換回路は8ビット分解能程度のも
のが多いので、γ補正回路23によってγ補正を行って
からA/D変換を行うことによって量子化ノイズの発生
を抑えている。7はA/D変換回路6の出力を記憶する
フレームメモリである。9はシステム全体を制御するシ
ステム制御回路である。10はメモリ7の出力に対して
帯域制限等の処理を行う撮像信号処理回路である。11
は撮像信号処理回路10の出力をディジタル−アナログ
変換するD/A変換回路である。12はD/A変換回路
11の出力をFM変調するFM変調回路である。13は
FM変調回路12の出力を電流増幅するREC(記録)
アンプである。14は磁気ヘッド、15は記録媒体であ
る磁気シート、16は磁気シート15を回転させるモー
タ、17はモータの回転を安定させるためのモータサー
ボ回路である。20はレリーズスイッチでありこのスイ
ッチの投入とともに一連の撮影動作が開始される。21
はA/D変換回路6の信号の平均値を算出する平均値算
出回路である。
【0003】図5は、よく用いられる固体撮像素子の一
例としてのインターライン型CCDの概念図である。図
において、102は光を電荷に変えて蓄積するフォトダ
イオード、103はフォトダイオードから移された蓄積
電荷を1H(水平走査期間)に1段ずつ垂直に転送する
垂直CCDである。V1〜V4は垂直CCDの転送電極
であり、V1はフォトダイオードの奇数行の電荷を垂直
CCDに転送する転送ゲートをかねている。また、V3
は同様に偶数行のフォトダイオードに対応する転送ゲー
トとなっている。垂直CCDは4相の転送パルスで駆動
される。104は垂直CCD103より1Hに1段転送
されてくる電荷を水平に転送する水平CCDである。H
1,H2は水平CCDの転送電極であり2相のパルスで
駆動される。105は電荷を電圧に変換し出力する出力
アンプである。Voutは出力端子である。106は不
要電荷を掃き捨てるためのトップドレインである。Vs
ubは基板バイアス端子である。
例としてのインターライン型CCDの概念図である。図
において、102は光を電荷に変えて蓄積するフォトダ
イオード、103はフォトダイオードから移された蓄積
電荷を1H(水平走査期間)に1段ずつ垂直に転送する
垂直CCDである。V1〜V4は垂直CCDの転送電極
であり、V1はフォトダイオードの奇数行の電荷を垂直
CCDに転送する転送ゲートをかねている。また、V3
は同様に偶数行のフォトダイオードに対応する転送ゲー
トとなっている。垂直CCDは4相の転送パルスで駆動
される。104は垂直CCD103より1Hに1段転送
されてくる電荷を水平に転送する水平CCDである。H
1,H2は水平CCDの転送電極であり2相のパルスで
駆動される。105は電荷を電圧に変換し出力する出力
アンプである。Voutは出力端子である。106は不
要電荷を掃き捨てるためのトップドレインである。Vs
ubは基板バイアス端子である。
【0004】図6は図5に示すインターライン型のCC
Dの駆動タイミングを示す図である。図6において、時
刻t1から奇数フィールド垂直ブランキング期間が開始
される。時刻t2に転送ゲートV1をハイレベルにして
奇数行の電荷を垂直CCD103に転送する。時刻t3
よりV1からV4に4相に駆動パルスを印加することに
よって1Hに1ラインずつ電荷を水平CCD104にシ
フトし水平方向に高速転送して読み出す。時刻t5で奇
数フィールドの電荷の読出しを終了し偶数フィールドの
垂直ブランキング期間になる。時刻t6で転送ゲートV
3をハイレベルにすることによって偶数行の電荷を垂直
CCD103に転送し時刻t7から読出しを開始する。
基板バイアス端子Vsubに30V程度のパルスを与え
ることによってそれまでフォトダイオード102に蓄積
されていた電荷を基板方向に掃き捨ていることが可能で
ある。このことを利用して電荷蓄積時間のコントロール
が可能である。図6の時刻t4は水平ブランキング期間
であり、時刻t4に図示のように基板バイアス端子Vs
ubにパルスを印加した場合、時刻t4からt6迄がフ
ォトダイオード12の電荷蓄積時間となる。
Dの駆動タイミングを示す図である。図6において、時
刻t1から奇数フィールド垂直ブランキング期間が開始
される。時刻t2に転送ゲートV1をハイレベルにして
奇数行の電荷を垂直CCD103に転送する。時刻t3
よりV1からV4に4相に駆動パルスを印加することに
よって1Hに1ラインずつ電荷を水平CCD104にシ
フトし水平方向に高速転送して読み出す。時刻t5で奇
数フィールドの電荷の読出しを終了し偶数フィールドの
垂直ブランキング期間になる。時刻t6で転送ゲートV
3をハイレベルにすることによって偶数行の電荷を垂直
CCD103に転送し時刻t7から読出しを開始する。
基板バイアス端子Vsubに30V程度のパルスを与え
ることによってそれまでフォトダイオード102に蓄積
されていた電荷を基板方向に掃き捨ていることが可能で
ある。このことを利用して電荷蓄積時間のコントロール
が可能である。図6の時刻t4は水平ブランキング期間
であり、時刻t4に図示のように基板バイアス端子Vs
ubにパルスを印加した場合、時刻t4からt6迄がフ
ォトダイオード12の電荷蓄積時間となる。
【0005】図7は図4に示す従来の電子スチルカメラ
の動作シークエンスを示す図である。時刻T0にレリー
ズスイッチ20が投入されるとシャッタ22が開き、一
連の撮影シークエンスが開始される。時刻T0からT1
の間に、ある絞り値にて電荷蓄積時間を変えながらM回
の走査すなわち測光走査を行い、固体撮像素子5の出力
平均値より最適絞り値Avおよび最適シャッタスピード
Tvを算出する。さらに詳しく測光動作について説明す
ると、まず絞り3を解放にして電荷蓄積時間を変えなが
らK回の走査を行い同時に平均値算出回路21にて固体
撮像素子5の出力走査毎の平均値を算出する。電荷蓄積
時間は最初の走査では最大値(例えば1/30秒)にし
走査毎に前回走査の1/2の蓄積時間に変化させて行
く。平均値算出回路21は出力である平均値がある値の
範囲内に入っていればその値からシステム制御回路9に
て適正露光量(最適露出量ともいう)を得るシャッタス
ピードと絞り値であるTvとAvを計算することが出来
る。平均値が大きすぎた場合は固体撮像素子5のエリア
の大部分が飽和していたと考えられる。また平均値が小
さすぎた場合はS/Nが悪すぎて適正露光量を得る際の
計算の誤差が大きくなりすぎるため画像の平均値が適正
な範囲に入るまで電荷蓄積時間を変えながら走査する。
最小の電荷蓄積時間にしても最適露光量が得られなかっ
た場合は絞り3を1段絞って再び電荷蓄積時間を変えな
がらM回の走査を行う。この動作を最適露光量が得られ
るまで繰り返す。T1からT2の間に絞りをAvに設定
しT2に固体撮像素子5のVsubにリセットパルスを
印加して全蓄積電荷を基板に掃き捨て本露出を開始す
る。時刻T3にシャッタ22を閉じ本露出を終了する。
次に時刻T4からT5にかけて信号の読出し走査を行う
とともに磁気シート15に処理信号を記録する。
の動作シークエンスを示す図である。時刻T0にレリー
ズスイッチ20が投入されるとシャッタ22が開き、一
連の撮影シークエンスが開始される。時刻T0からT1
の間に、ある絞り値にて電荷蓄積時間を変えながらM回
の走査すなわち測光走査を行い、固体撮像素子5の出力
平均値より最適絞り値Avおよび最適シャッタスピード
Tvを算出する。さらに詳しく測光動作について説明す
ると、まず絞り3を解放にして電荷蓄積時間を変えなが
らK回の走査を行い同時に平均値算出回路21にて固体
撮像素子5の出力走査毎の平均値を算出する。電荷蓄積
時間は最初の走査では最大値(例えば1/30秒)にし
走査毎に前回走査の1/2の蓄積時間に変化させて行
く。平均値算出回路21は出力である平均値がある値の
範囲内に入っていればその値からシステム制御回路9に
て適正露光量(最適露出量ともいう)を得るシャッタス
ピードと絞り値であるTvとAvを計算することが出来
る。平均値が大きすぎた場合は固体撮像素子5のエリア
の大部分が飽和していたと考えられる。また平均値が小
さすぎた場合はS/Nが悪すぎて適正露光量を得る際の
計算の誤差が大きくなりすぎるため画像の平均値が適正
な範囲に入るまで電荷蓄積時間を変えながら走査する。
最小の電荷蓄積時間にしても最適露光量が得られなかっ
た場合は絞り3を1段絞って再び電荷蓄積時間を変えな
がらM回の走査を行う。この動作を最適露光量が得られ
るまで繰り返す。T1からT2の間に絞りをAvに設定
しT2に固体撮像素子5のVsubにリセットパルスを
印加して全蓄積電荷を基板に掃き捨て本露出を開始す
る。時刻T3にシャッタ22を閉じ本露出を終了する。
次に時刻T4からT5にかけて信号の読出し走査を行う
とともに磁気シート15に処理信号を記録する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来、図7に示すよう
に測光走査は時間を短縮するために走査する毎にシャッ
タ22を閉じることをせずにシャッタ22を開けたま
ま、固体撮像素子5の電子シャッタ動作によって電荷蓄
積時間を制御している。しかしながら前記従来例では、
電荷蓄積時間が短かく高輝度被写体が存在した場合に
は、スミアという現象が発生し、測光精度が悪化する。
図8はスミア現象を説明する図である。インターライン
型CCDでは垂直転送は1Hに1段ずつ行われるため、
高輝度被写体の画像が投影されている箇所では斜め入射
光等の影響で垂直転送路中に露光電荷が発生してしま
う。この電荷は1Hに1段ずつ転送され出力されるため
縦帯状の偽信号となってしまう。実際に画像を記録する
場合は、このスミア現象を防ぐためにシャッタ22を閉
じた状態で固体撮像素子5の信号を読み出すため、スミ
アは発生しない。したがって、測光時にスミア信号を含
んだ信号で最適露出量を求めるとスミアの量によっては
本露出時に露出量不足となってしまう場合が有る。
に測光走査は時間を短縮するために走査する毎にシャッ
タ22を閉じることをせずにシャッタ22を開けたま
ま、固体撮像素子5の電子シャッタ動作によって電荷蓄
積時間を制御している。しかしながら前記従来例では、
電荷蓄積時間が短かく高輝度被写体が存在した場合に
は、スミアという現象が発生し、測光精度が悪化する。
図8はスミア現象を説明する図である。インターライン
型CCDでは垂直転送は1Hに1段ずつ行われるため、
高輝度被写体の画像が投影されている箇所では斜め入射
光等の影響で垂直転送路中に露光電荷が発生してしま
う。この電荷は1Hに1段ずつ転送され出力されるため
縦帯状の偽信号となってしまう。実際に画像を記録する
場合は、このスミア現象を防ぐためにシャッタ22を閉
じた状態で固体撮像素子5の信号を読み出すため、スミ
アは発生しない。したがって、測光時にスミア信号を含
んだ信号で最適露出量を求めるとスミアの量によっては
本露出時に露出量不足となってしまう場合が有る。
【0007】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、スミア現象による誤差のない測光
のできる電子スチルカメラを提供することを目的とする
ものである。
めになされたもので、スミア現象による誤差のない測光
のできる電子スチルカメラを提供することを目的とする
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、電子スチルカメラをつぎの(1)のとおりに
構成する。
するため、電子スチルカメラをつぎの(1)のとおりに
構成する。
【0009】(1)固体撮像素子と、該固体撮像素子を
駆動し測光情報を得る測光手段と、前記固体撮像素子を
駆動しスミア情報を検出するスミア情報検出手段と、前
記測光手段の出力と前記スミア情報検出手段の出力にも
とづいて所要の露光量を算出する露光量算出手段とを備
えた電子スチルカメラ。
駆動し測光情報を得る測光手段と、前記固体撮像素子を
駆動しスミア情報を検出するスミア情報検出手段と、前
記測光手段の出力と前記スミア情報検出手段の出力にも
とづいて所要の露光量を算出する露光量算出手段とを備
えた電子スチルカメラ。
【0010】
【作用】前記(1)の構成により、測光情報とスミア情
報が得られ、この測光情報とスミア情報にもとづいて所
要の露光量が算出される。
報が得られ、この測光情報とスミア情報にもとづいて所
要の露光量が算出される。
【0011】
【実施例】以下本発明を実施例により詳しく説明する。
図1は本発明の第1実施例である“電子スチルカメラ”
のブロック図である。図において、図4と同一番号を付
したブロックは同一の機能を有しており、異なっている
のは固体撮像素子5の出力に対するゲインを切り替える
可変ゲインアンプ24と可変ゲインアンプ24の出力に
対してγ補正をオンオフできるよにう構成した可変γ補
正回路25、測光前の走査よりスミア成分の平均値を記
憶するスミア値メモリ26、測光走査時に測光領域のデ
ータの平均値からスミア値を減算する減算回路27であ
る。
図1は本発明の第1実施例である“電子スチルカメラ”
のブロック図である。図において、図4と同一番号を付
したブロックは同一の機能を有しており、異なっている
のは固体撮像素子5の出力に対するゲインを切り替える
可変ゲインアンプ24と可変ゲインアンプ24の出力に
対してγ補正をオンオフできるよにう構成した可変γ補
正回路25、測光前の走査よりスミア成分の平均値を記
憶するスミア値メモリ26、測光走査時に測光領域のデ
ータの平均値からスミア値を減算する減算回路27であ
る。
【0012】図2は本実施例の測光動作を示すタイミン
グチャートであり、図3は本実施例の測光動作を示すフ
ローチャートである。以下図2,図3を参照しながら、
本実施例の動作を説明する。
グチャートであり、図3は本実施例の測光動作を示すフ
ローチャートである。以下図2,図3を参照しながら、
本実施例の動作を説明する。
【0013】先ず、可変γ補正回路25においてγを1
に設定する(ステップS1参照)。可変ゲインアンプ2
4は測光に適したゲインに設定されている。
に設定する(ステップS1参照)。可変ゲインアンプ2
4は測光に適したゲインに設定されている。
【0014】実際の測光データを得るための測光走査の
前に測光前走査を1V期間行う(S2)。フォトダイオ
ード102の蓄積電荷を有効期間ですべて読み出したあ
と、空走査を1H行うことによってスミア信号(情報)
の検出が行われる。このスミア信号の1画素当りの平均
値Vsmを平均値算出回路21にて算出し(S3)、ス
ミア値メモリ26に記憶し(S4)全測光走査が終了す
るまでその値を保持する。次に測光データを得るための
測光走査を行う(S5,測光走査1)。測光領域の1画
素当りの平均値Vmeanを求めた後(S6)、先に記
憶されているスミアの値Vsmを測光領域のデータ平均
値Vmeanから減算回路27によって減算する(S
7)ことによってスミアによるデータの誤差を補正す
る。
前に測光前走査を1V期間行う(S2)。フォトダイオ
ード102の蓄積電荷を有効期間ですべて読み出したあ
と、空走査を1H行うことによってスミア信号(情報)
の検出が行われる。このスミア信号の1画素当りの平均
値Vsmを平均値算出回路21にて算出し(S3)、ス
ミア値メモリ26に記憶し(S4)全測光走査が終了す
るまでその値を保持する。次に測光データを得るための
測光走査を行う(S5,測光走査1)。測光領域の1画
素当りの平均値Vmeanを求めた後(S6)、先に記
憶されているスミアの値Vsmを測光領域のデータ平均
値Vmeanから減算回路27によって減算する(S
7)ことによってスミアによるデータの誤差を補正す
る。
【0015】この補正後の値Vmが所定の上限値Vma
xと下限値Vminの範囲中にあれば(S8 YE
S)、この値Vmにもとづいて最適露出量を算出し(S
9)測光動作を終了する。前記Vmが上限値Vmaxと
下限値Vminの範囲内にないときは(S8 NO)、
電荷蓄積時間又は絞り値を変更し(S10)ステップS
5に戻り再度測光走査(測光走査2)をくり返す。この
ような測光走査のくり返し(測光走査1,2……)によ
りVmin≦Vm≦Vmaxになれば、そのVm値にも
とづいて最適露出量を算出し測光動作を終了する。フロ
ーチャートでは省略されているが、前述の測光走査のく
り返しによるVmin≦Vm≦Vmaxにならないとき
は、測光範囲外として測光動作を終了する。
xと下限値Vminの範囲中にあれば(S8 YE
S)、この値Vmにもとづいて最適露出量を算出し(S
9)測光動作を終了する。前記Vmが上限値Vmaxと
下限値Vminの範囲内にないときは(S8 NO)、
電荷蓄積時間又は絞り値を変更し(S10)ステップS
5に戻り再度測光走査(測光走査2)をくり返す。この
ような測光走査のくり返し(測光走査1,2……)によ
りVmin≦Vm≦Vmaxになれば、そのVm値にも
とづいて最適露出量を算出し測光動作を終了する。フロ
ーチャートでは省略されているが、前述の測光走査のく
り返しによるVmin≦Vm≦Vmaxにならないとき
は、測光範囲外として測光動作を終了する。
【0016】算出した最適露出量により絞り値Av,シ
ャッタスピートTvを決定し本露出を行う。本露出の際
は可変γ補正回路25のγ値は0.45に設定される。
ャッタスピートTvを決定し本露出を行う。本露出の際
は可変γ補正回路25のγ値は0.45に設定される。
【0017】以上の第1実施例では、測光前走査におい
て、蓄積電荷を有効期間中にすべてを読み出した後、空
走査を行いスミア情報を検出しているが、蓄積電荷の読
出しを禁止してスミア情報を検出するようにしてもよ
い。この例を本発明の第2実施例として説明する。
て、蓄積電荷を有効期間中にすべてを読み出した後、空
走査を行いスミア情報を検出しているが、蓄積電荷の読
出しを禁止してスミア情報を検出するようにしてもよ
い。この例を本発明の第2実施例として説明する。
【0018】本実施例の構成は、システム制御回路9,
平均値算出回路21以外は第1実施例と同様である。図
9,図10に示すように、固体撮像素子5の垂直CCD
の転送電極V1,V3をハイレベルにすることなく(フ
ォトダイオード102から垂直CCD103への読出し
パルスを与えずに)、測光前走査を2V期間行う。この
ことにより蓄積電荷の読出しを禁止した状態で、2V目
即ち測光前走査2の有効期間にスミア信号のみが出力さ
れる。即ち、測光前走査1,測光前走査2の期間中に、
垂直CCDに発生した電荷であるスミア信号が出力され
る。
平均値算出回路21以外は第1実施例と同様である。図
9,図10に示すように、固体撮像素子5の垂直CCD
の転送電極V1,V3をハイレベルにすることなく(フ
ォトダイオード102から垂直CCD103への読出し
パルスを与えずに)、測光前走査を2V期間行う。この
ことにより蓄積電荷の読出しを禁止した状態で、2V目
即ち測光前走査2の有効期間にスミア信号のみが出力さ
れる。即ち、測光前走査1,測光前走査2の期間中に、
垂直CCDに発生した電荷であるスミア信号が出力され
る。
【0019】本実施例では、測光前走査時と測光走査時
とで同一の画像範囲の信号を平均することになり、測光
走査時と同一の手法でスミア信号の平均値を算出するこ
とができる。
とで同一の画像範囲の信号を平均することになり、測光
走査時と同一の手法でスミア信号の平均値を算出するこ
とができる。
【0020】又、蓄積電荷の読出しを別の手法で禁止し
てスミア情報を検出するようにしてもよい。この例を本
発明の第3実施例として説明する。
てスミア情報を検出するようにしてもよい。この例を本
発明の第3実施例として説明する。
【0021】本実施例の構成は、システム制御回路9以
外は第2実施例と同様である。図11に示すように、時
刻t2およびt6でフォトダイオード102から垂直C
CD103へ電荷を読出す直前に基板バイアス端子Vs
ubにリセットパルスを与え蓄積されていた電荷を全て
基板方向に掃き捨てることによって読出しを禁止してい
る。
外は第2実施例と同様である。図11に示すように、時
刻t2およびt6でフォトダイオード102から垂直C
CD103へ電荷を読出す直前に基板バイアス端子Vs
ubにリセットパルスを与え蓄積されていた電荷を全て
基板方向に掃き捨てることによって読出しを禁止してい
る。
【0022】なお、以上の各実施例は、測光前走査によ
りスミア情報を検出し、これをメモリに保持して最適露
出量を算出するものであるが、本発明はこれに限定され
るものではなく、測光情報をメモリに保持し、測光後走
査でスミア情報を検出し、これら測光情報,スミア情報
にもとづいて最適露出量を算出する手法で実施すること
もできる。
りスミア情報を検出し、これをメモリに保持して最適露
出量を算出するものであるが、本発明はこれに限定され
るものではなく、測光情報をメモリに保持し、測光後走
査でスミア情報を検出し、これら測光情報,スミア情報
にもとづいて最適露出量を算出する手法で実施すること
もできる。
【0023】又、従来例,実施例の説明では、“最適露
出量”という用語を用いているが、この“最適”の条件
は撮影目的,照明条件,撮影者の主観等により変り一義
的に決まるものではない。そこで疑義が生じないよう
に、請求項では最適露出量に対応するものとして“所要
の露出量”という用語を用いている。
出量”という用語を用いているが、この“最適”の条件
は撮影目的,照明条件,撮影者の主観等により変り一義
的に決まるものではない。そこで疑義が生じないよう
に、請求項では最適露出量に対応するものとして“所要
の露出量”という用語を用いている。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、撮
像に用いる固体撮像素子を用いてTTLに測光データを
得る際にスミアによる測光データの誤差が生じないた
め、極めて高い測光データを得ることができる。
像に用いる固体撮像素子を用いてTTLに測光データを
得る際にスミアによる測光データの誤差が生じないた
め、極めて高い測光データを得ることができる。
【図1】 第1実施例のブロック図
【図2】 第1実施例の測光動作を示すタイミングチャ
ート
ート
【図3】 第1実施例の測光動作を示すフローチャート
【図4】 従来例のブロック図
【図5】 インターライン型CCDの概念図
【図6】 インターライン型CCDの駆動タイングの例
を示す図
を示す図
【図7】 従来例の動作シーケンスを示す図
【図8】 スミア現象の説明図
【図9】 第2実施例の測光動作を示すタイミングチャ
ート
ート
【図10】 第2実施例の測光動作におけるインターラ
イン型CCDの駆動タイミングを示す図
イン型CCDの駆動タイミングを示す図
【図11】 第3実施例の測光動作におけるインターラ
イン型CCDの駆動タイミングを示す図
イン型CCDの駆動タイミングを示す図
5 固体撮像素子 9 システム制御回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 固体撮像素子と、該固体撮像素子を駆動
し測光情報を得る測光手段と、前記固体撮像素子を駆動
しスミア情報を検出するスミア情報検出手段と、前記測
光手段の出力と前記スミア情報検出手段の出力にもとづ
いて所要の露光量を算出する露光量算出手段とを備えた
ことを特徴とする電子スチルカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3149142A JPH057335A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 電子スチルカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3149142A JPH057335A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 電子スチルカメラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH057335A true JPH057335A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15468684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3149142A Pending JPH057335A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 電子スチルカメラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH057335A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111898A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
US6618090B1 (en) | 1997-10-03 | 2003-09-09 | Olympus Optical, Co. | Automatic exposure control apparatus |
JP2005286547A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US8040407B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and image capturing apparatus control method |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3149142A patent/JPH057335A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6618090B1 (en) | 1997-10-03 | 2003-09-09 | Olympus Optical, Co. | Automatic exposure control apparatus |
US7167204B2 (en) | 1997-10-03 | 2007-01-23 | Olympus Corporation | Automatic exposure control apparatus and method |
US7289155B2 (en) | 1997-10-03 | 2007-10-30 | Olympus Corporation | Automatic exposure control apparatus and method |
JP2001111898A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Olympus Optical Co Ltd | 撮像装置 |
JP4503740B2 (ja) * | 1999-10-14 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP2005286547A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US8040407B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus and image capturing apparatus control method |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001212 |