JPH0572716A - Phase shift mask - Google Patents
Phase shift maskInfo
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- JPH0572716A JPH0572716A JP23319691A JP23319691A JPH0572716A JP H0572716 A JPH0572716 A JP H0572716A JP 23319691 A JP23319691 A JP 23319691A JP 23319691 A JP23319691 A JP 23319691A JP H0572716 A JPH0572716 A JP H0572716A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトマスク及び
その製造方法に係り、特に、露光後のパターン精度及び
制御性を向上する位相シフトマスク及びその製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase shift mask and a method for manufacturing the same, and more particularly to a phase shift mask and a method for manufacturing the same that improve pattern accuracy and controllability after exposure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、位相シフトマスクとして、例え
ば、レベンソン型の位相シフトマスク、エッジ強調型の
位相シフトマスク、シフターのみで光強度プロファイル
パターンが形成された位相シフトマスクなど、各種位相
シフト方式に応じたマスクが開発されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various phase shift masks such as a Levenson type phase shift mask, an edge enhancement type phase shift mask, and a phase shift mask in which a light intensity profile pattern is formed only by a shifter are used in various phase shift methods. A corresponding mask has been developed.
【０００３】前記レベンソン型の位相シフトマスクは、
解像力の向上効果を有し、連続パターン（隣合うパター
ン）の分離に効果を発揮する。しかしながらその反面、
連続パターンでないループ状パターンや複数に組み合わ
せたパターン群などには、適用できないという問題があ
った。このため、実際のＬＳＩ（大規模集積回路）に使
用する場合、パターン設計に制約を設ける必要があっ
た。また、遮光パターン形成後にシフターパターンを位
置合わせする必要があるため、マスク作製が難しいとい
う問題があった。そして、前記シフターパターンを発生
させるＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓ
ｉｇｎ）も必要である。The Levenson type phase shift mask is
It has the effect of improving the resolution and is effective for separating continuous patterns (adjacent patterns). However, on the other hand,
There is a problem that it cannot be applied to a loop pattern that is not a continuous pattern or a pattern group that is a combination of a plurality of patterns. Therefore, when used in an actual LSI (large-scale integrated circuit), it is necessary to set restrictions on the pattern design. In addition, since it is necessary to align the shifter pattern after forming the light shielding pattern, there is a problem that mask fabrication is difficult. Then, CAD (Computer Aided Des) for generating the shifter pattern
ign) is also required.
【０００４】前記エッジ強調型の位相シフトマスクは、
従来の遮光パターンの周辺にシフターを設けるだけなの
で、設計の付加が小さく適用パターンの自由度も比較的
大きい。また、遮光部パターンの背面露光という手法
で、シフターパターンを形成するので、セルフアライン
（自己整合）により位置合わせができる。しかしなが
ら、前記背面露光は、解像度に難点があるため、適用パ
ターンのサイズに限界があり、０．４μｍ以下の線パタ
ーンが形成できないという問題があった。The edge enhancement type phase shift mask is
Since only the shifter is provided around the conventional light-shielding pattern, the addition of the design is small and the flexibility of the applied pattern is relatively large. Further, since the shifter pattern is formed by the method of exposing the light-shielding portion pattern on the back surface, the alignment can be performed by self-alignment. However, the backside exposure has a problem in that the size of the applied pattern is limited and a line pattern of 0.4 μm or less cannot be formed because of a difficulty in resolution.
【０００５】前記シフターのみで光強度プロファイルパ
ターンが形成された位相シフトマスクは、解像力の向上
効果を有し、適用パターンの自由度も大きい。また、１
回の描画でマスク制作を行えるため、位置合わせの問題
もなく実用的である。しかしながら、パターン設計が非
常に難しい他、非常に微細な繰り返しパターンで遮光部
を形成するため、描画時間が非常に長くかり、生産性に
劣るという問題があった。The phase shift mask in which the light intensity profile pattern is formed only by the shifter has the effect of improving the resolution and has a large degree of freedom in the applied pattern. Also, 1
Since the mask can be created by drawing once, it is practical without any alignment problems. However, there is a problem that the pattern design is very difficult and the light-shielding portion is formed with a very fine repeating pattern, so that the drawing time is very long and the productivity is poor.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、各位相シ
フトマスクには、各々長所と問題点があるため、前記位
相シフトマスクの中から、所望のパターンに最も適した
マスクをその都度選び使用していた。しかしながら、近
年のＬＳＩは、益々パターンが複雑化し、同一基板上に
様々な微細パターンが形成されている。従って、前記の
ように所望のパターンに最も適したマスクを選び、これ
を使用してその都度露光する方法では、対処しきれない
という問題があった。As described above, since each phase shift mask has its own advantages and problems, a mask most suitable for a desired pattern is selected and used from the phase shift masks each time. Was. However, in recent LSIs, patterns are becoming more and more complicated, and various fine patterns are formed on the same substrate. Therefore, as described above, there is a problem that the method that selects the most suitable mask for the desired pattern and uses it for each exposure is not sufficient.
【０００７】そこで、それぞれのパターンに最適な位相
シフトマスクパターン構造を同一支持体上に複数備えた
位相シフトマスクが望まれてきた。しかしながら、エッ
ジ強調型の位相シフトマスク及びシフターのみで光強度
プロファイルパターンが形成された位相シフトマスク
は、シフター単独のパターン描画を必要としないのに対
し、レベンソン型の位相シフトマスクは、シフター単独
のパターン描画を必要とするため、これらのパターンを
同一支持体上に形成することは、事実上できなかった。Therefore, a phase shift mask having a plurality of optimum phase shift mask pattern structures for each pattern on the same support has been desired. However, while the edge enhancement type phase shift mask and the phase shift mask in which the light intensity profile pattern is formed only by the shifter do not require the pattern drawing of the shifter alone, the Levenson type phase shift mask does not require the shifter alone. It was virtually impossible to form these patterns on the same support because patterning was required.
【０００８】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、露光後のパターン精度及び制
御性を向上する位相シフトマスク及びその製造方法を提
供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such a problem, and an object thereof is to provide a phase shift mask which improves pattern accuracy and controllability after exposure and a manufacturing method thereof.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、レベンソン型の位相シフトマスクパター
ン構造と、エッジ強調型の位相シフトマスクパターン構
造と、シフターのみで光強度プロファイルパターンが形
成された位相シフトマスクパターン構造と、を同一支持
体上に備えたことを特徴とする位相シフトマスクを提供
するものである。In order to achieve this object, the present invention provides a Levenson type phase shift mask pattern structure, an edge enhancement type phase shift mask pattern structure, and a light intensity profile pattern using only a shifter. A phase shift mask comprising the formed phase shift mask pattern structure on the same support.
【００１０】そして、支持体上にシフター層を形成する
第１工程と、遮光層を形成する第２工程と、フォトレジ
スト層を形成する第３工程と、多重コントラスト露光を
行う第４工程と、現像する第５工程と、エッチングを行
う第６工程と、を備えたことを特徴とする位相シフトマ
スクの製造方法を提供するものである。Then, a first step of forming a shifter layer on a support, a second step of forming a light shielding layer, a third step of forming a photoresist layer, and a fourth step of performing multi-contrast exposure. The present invention provides a method for manufacturing a phase shift mask, which comprises a fifth step of developing and a sixth step of etching.
【００１１】[0011]
【作用】請求項１記載の発明によれば、レベンソン型の
位相シフトマスクパターン構造と、エッジ強調型の位相
シフトマスクパターン構造と、シフターのみで光強度プ
ロファイルパターンが形成された位相シフトマスクパタ
ーン構造と、を同一支持体上に備えたことで、それぞれ
のパターンに最適なマスク構造を取れるので、露光後の
パターン精度及び制御性が向上する。さらに、複雑なパ
ターンを１回の露光工程で転写することができる。According to the present invention, the Levenson type phase shift mask pattern structure, the edge enhancement type phase shift mask pattern structure, and the phase shift mask pattern structure in which the light intensity profile pattern is formed only by the shifter are provided. By providing and on the same support, a mask structure most suitable for each pattern can be obtained, so that the pattern accuracy and controllability after exposure are improved. Furthermore, a complicated pattern can be transferred in one exposure step.
【００１２】そして、請求項２記載の発明によれば、支
持体上にシフター層、遮光層及びフォトレジスト層を形
成し、多重コントラスト露光を行うことで、１回の露光
工程（描画工程）で、レベンソン型の位相シフトマスク
パターン、エッジ強調型の位相シフトマスクパターン及
びシフターのみで光強度プロファイルパターンを形成す
る位相シフトマスクパターンを同一支持体上のフォトレ
ジスト層に描画することができる。従って、位置合わせ
の問題がなく、高精度な描画を行うことができる。その
後、これを現像することで、前記フォトレジスト層に前
記３種類の位相シフトマスクパターンを形成することが
できる。そして、次工程で行うエッチングでは、この位
相シフトマスクパターンをマスクとして使用することが
でき、同一支持体上に精度が向上した前記３種類の位相
シフトマスクを製造することができる。According to the second aspect of the invention, a shifter layer, a light-shielding layer and a photoresist layer are formed on the support, and multi-contrast exposure is performed, so that one exposure step (drawing step) is performed. A Levenson type phase shift mask pattern, an edge enhancement type phase shift mask pattern, and a phase shift mask pattern forming a light intensity profile pattern only with a shifter can be drawn on a photoresist layer on the same support. Therefore, there is no problem of alignment and highly accurate drawing can be performed. Then, by developing this, the three types of phase shift mask patterns can be formed on the photoresist layer. Then, in the etching performed in the next step, this phase shift mask pattern can be used as a mask, and the above three types of phase shift masks with improved accuracy can be manufactured on the same support.
【００１３】[0013]
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１ないし図８は、本発明の一実施
例に係る位相シフトマスクの製造工程を示す一部断面図
である。先ず、図１に示す工程では、石英ガラスからな
る支持体１上に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）法により、例えば、ｉ線用なら４０００Å程度の膜
厚で、シリコン酸化膜からなるシフター層２を形成す
る。次いで、当該シフター層２の上に、酸化クロムを用
い、２００Å程度の膜厚で遮光層３を形成する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1 to 8 are partial cross-sectional views showing a manufacturing process of a phase shift mask according to an embodiment of the present invention. First, in the step shown in FIG. 1, SOG (Spin on Glass) is formed on a support 1 made of quartz glass.
By the method s), for example, the shifter layer 2 made of a silicon oxide film is formed with a film thickness of about 4000 Å for i-line. Next, the light-shielding layer 3 is formed on the shifter layer 2 using chromium oxide so as to have a film thickness of about 200 Å.
【００１４】次に、図２に示す工程では、図１に示す工
程で得た遮光層３の上に、フォトレジストとして、ノボ
ラック系樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフォト
レジスト（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプ
レイ社製）を用いて、１．０μｍ程度の膜厚でフォトレ
ジスト層４を形成する。次いで、図３に示す工程では、
図２に示す工程で得た支持体１に、選択的に多重コント
ラスト露光を行う。この多重コントラスト露光は、ＦＩ
Ｂ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）を用いて、イ
オン種変調露光（イオンの種類を変えることにより、フ
ォトレジスト層４にコントラストを付ける）を行う。即
ち、フォトレジスト層４を厚さ方向に全て露光する部分
には、ベリリウムイオンを２００ＫｅＶに加速して描画
し、フォトレジスト層４を厚さ方向の途中まで露光する
部分には、シリコンイオンを２００ＫｅＶに加速して描
画する。この時、シリコンイオンは、フォトレジスト層
４の上面から２５００Å程度まで露光する。Next, in the step shown in FIG. 2, on the light-shielding layer 3 obtained in the step shown in FIG. 1, as a photoresist, a photoresist made of novolac resin and having excellent dry etching resistance (“SAL601-”) is used. ER7 ”(trade name); manufactured by Shipley Co., Ltd. is used to form a photoresist layer 4 with a film thickness of about 1.0 μm. Then, in the step shown in FIG.
The support 1 obtained in the step shown in FIG. 2 is selectively subjected to multiple contrast exposure. This multi-contrast exposure is
B (Focused Ion Beam) is used to perform ion species modulation exposure (contrast is imparted to the photoresist layer 4 by changing the type of ions). That is, beryllium ions are accelerated to 200 KeV in the exposed portion of the photoresist layer 4 in the thickness direction, and 200 KeV of silicon ions is exposed in the exposed portion of the photoresist layer 4 in the thickness direction. To accelerate and draw. At this time, silicon ions are exposed from the upper surface of the photoresist layer 4 up to about 2500 Å.
【００１５】次に、図４に示す工程では、図３に示す工
程で得た支持体１を、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ Ｍｅｔｈ
ｙｌ Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏ Ｏｘｉｄｅ）を
用いて現像し、同一支持体１上に、フォトレジスト層４
からなる多重コントラストレジストパターン、即ち、レ
ベンソン型位相シフトマスクパターン５、シフターのみ
で光強度プロファイルパターンが形成される位相シフト
マスクパターン６、及び、エッジ強調型位相シフトマス
クパターン７を得る。このように、前記３種類の位相シ
フトマスクパターン５、６、７を１回の露光で得ること
ができるため、パターンの位置精度が非常に向上する。Next, in the step shown in FIG. 4, the support 1 obtained in the step shown in FIG. 3 is treated with TMAH (Tetra Meth).
yl Ammonium Hydro Oxide) and developed on the same support 1 with a photoresist layer 4
A multi-contrast resist pattern consisting of, that is, a Levenson type phase shift mask pattern 5, a phase shift mask pattern 6 in which a light intensity profile pattern is formed only by shifters, and an edge enhancement type phase shift mask pattern 7 are obtained. As described above, since the three types of phase shift mask patterns 5, 6, and 7 can be obtained by a single exposure, the positional accuracy of the pattern is greatly improved.
【００１６】次いで、図５に示す工程では、図４に示す
工程で得た前記位相シフトマスクパターン５、６、７を
マスクとし、塩素系ガス及びフッソ系ガスを用いて異方
性エッチングを行い、マスク領域以外の遮光層３及びシ
フター層２を除去する。次に、図６に示す工程では、フ
ォトレジスト層４をＯ2 ＲＩＥ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）で異方性エッチングす
る。この時、シフターのみで光強度プロファイルパター
ンが形成される位相シフトマスクパターン６のフォトレ
ジスト層４が除去されるまで、異方性エッチングを行
う。Next, in the step shown in FIG. 5, anisotropic etching is performed using chlorine-based gas and fluorine-based gas with the phase shift mask patterns 5, 6, 7 obtained in the step shown in FIG. 4 as a mask. The light shielding layer 3 and the shifter layer 2 other than the mask region are removed. Next, in a step shown in FIG. 6, the photoresist layer 4 is covered with O 2 RIE (RIE; Reacti).
anisotropic etching with ve Ion Etching). At this time, anisotropic etching is performed until the photoresist layer 4 of the phase shift mask pattern 6 in which the light intensity profile pattern is formed only by the shifter is removed.
【００１７】次いで、図７に示す工程では、図６に示す
工程で得た支持体１上に露出している遮光層３を、塩素
系ガスを用いて異方性エッチングする。次に、図８に示
す工程では、図７に示す工程で得た支持体１上のフォト
レジスト層４をアッシングにより剥離した後、洗浄し、
同一支持体１上に、レベンソン型位相シフトマスクパタ
ーン５構造、シフターのみで光強度プロファイルパター
ンが形成された位相シフトマスクパターン構造６、及び
エッジ強調型位相シフトマスクパターン７構造を得た。
このようにして、前記位相シフトマスクパターン５、
６、７構造を同一支持体１上に備えた位相シフトマスク
を得た。Next, in the step shown in FIG. 7, the light shielding layer 3 exposed on the support 1 obtained in the step shown in FIG. 6 is anisotropically etched using a chlorine-based gas. Next, in the step shown in FIG. 8, the photoresist layer 4 on the support 1 obtained in the step shown in FIG. 7 is removed by ashing and then washed.
On the same support 1, a Levenson type phase shift mask pattern 5 structure, a phase shift mask pattern structure 6 in which a light intensity profile pattern was formed only by shifters, and an edge enhancement type phase shift mask pattern 7 structure were obtained.
In this way, the phase shift mask pattern 5,
A phase shift mask provided with the 6 and 7 structures on the same support 1 was obtained.
【００１８】尚、図１に示す工程では、シリコン酸化膜
によりシフター層２を形成したが、これに限らず、フッ
素樹脂など、シフターとしての機能を有する物質であれ
ば、他の物質によりシフター層２を形成してもよい。ま
た、図１に示す工程では、ＳＯＧ法によりシフター層２
を形成したが、これに限らず、スパッタ法や、ＥＣＲＣ
ＶＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓ
ｏｎａｎｃｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成してもよい。また、
支持体１をエッチングして、シフター層２を形成しても
よい。Although the shifter layer 2 is formed of a silicon oxide film in the step shown in FIG. 1, the shifter layer 2 is not limited to this, and any substance having a function as a shifter such as a fluororesin may be formed of another substance. 2 may be formed. In the process shown in FIG. 1, the shifter layer 2 is formed by the SOG method.
However, the present invention is not limited to this, but the sputtering method, ECRC
VD (Electron Cyclotron Res
onnce Chemical Vapor Dep
It may be formed by the position method. Also,
The support 1 may be etched to form the shifter layer 2.
【００１９】そして、図１に示す工程では、支持体１と
して、石英ガラスを用いたが、これに限らず、マスク
（レチクル）としての機能を有する透過性の高い物質で
あれば、他の物質を用いてもよい。また、図１に示す工
程では、酸化クロムを用いて遮光層３を形成したが、こ
れに限らず、遮光性を有し、後のエッチング工程に支障
をきたさないものであれば、他の物質を用いてもよい。In the step shown in FIG. 1, quartz glass is used as the support 1, but the present invention is not limited to this, and another substance having a high permeability having a function as a mask (reticle) can be used. May be used. Further, in the process shown in FIG. 1, the light shielding layer 3 is formed by using chromium oxide, but the material is not limited to this, and any other substance can be used as long as it has a light shielding property and does not hinder the subsequent etching process. May be used.
【００２０】そして、図２に示す工程では、『ＳＡＬ６
０１−ＥＲ７』を用いてフォトレジスト層４を形成した
が、これに限らず、Ｘ線フォトレジストや電子線フォト
レジストであれば、他のフォトレジストを用いてもよ
い。また、図３に示す工程では、多重コントラスト露光
として、ベリリウムイオン及びシリコンイオンを用いた
イオン種変調露光を行ったが、これに限らず、所望によ
り他のイオンを用いたイオン種変調露光を行を行っても
よい。そして、前記多重コントラスト露光としては、イ
オン種変調露光の他、電子ビーム露光など、フォトレジ
スト層４に多重コントラストレジストパターンを形成可
能であれば、他の方法を用いてもよい。In the process shown in FIG. 2, "SAL6
01-ER7 ”was used to form the photoresist layer 4, but the present invention is not limited to this, and another photoresist may be used as long as it is an X-ray photoresist or an electron beam photoresist. Further, in the process shown in FIG. 3, ion species modulation exposure using beryllium ions and silicon ions was performed as multi-contrast exposure, but the present invention is not limited to this and ion species modulation exposure using other ions may be performed. You may go. As the multiple contrast exposure, other methods such as ion species modulation exposure and electron beam exposure may be used as long as a multiple contrast resist pattern can be formed on the photoresist layer 4.
【００２１】そして、図４に示す工程では、ＴＭＡＨを
用いて現像を行ったが、これに限らず、露光後のフォト
レジスト層４を現像可能であれば、他の物質を用いて現
像してもよい。また、図５、図６及び図７に示す工程で
は、それぞれ異方性エッチングを行ったが、当該異方性
エッチングに使用するエッチングガスなどは、異方性エ
ッチングが行える性質を有すれば、前記ガスに限定され
るものではない。In the step shown in FIG. 4, the development is performed using TMAH, but the invention is not limited to this. If the exposed photoresist layer 4 can be developed, it is developed using another substance. Good. Although anisotropic etching was performed in each of the steps shown in FIGS. 5, 6 and 7, if the etching gas or the like used for the anisotropic etching has a property of performing anisotropic etching, The gas is not limited to the above.
【００２２】そして、図８に示す工程では、支持体１上
のフォトレジスト層４をアッシングにより剥離したが、
これに限らず、他の方法により剥離してもよい。Then, in the step shown in FIG. 8, the photoresist layer 4 on the support 1 was peeled off by ashing.
The method is not limited to this, and may be peeled by another method.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、前記３種類の位相シフトマスクパターン構造
を同一支持体上に備えたことで、それぞれのパターンに
最適なマスク構造を取れるので、露光後のパターン精度
及び制御性を向上することができる。さらに、複雑なパ
ターンを１回の露光工程で転写することができるため、
フォトリソグラフィーのプロセス精度が向上すると共
に、生産性も向上することができる。As described above, according to the invention described in claim 1, since the three types of phase shift mask pattern structures are provided on the same support, the optimum mask structure for each pattern can be obtained. Therefore, the pattern accuracy and controllability after exposure can be improved. Furthermore, since a complicated pattern can be transferred in one exposure step,
The process accuracy of photolithography can be improved, and the productivity can be improved.
【００２４】そして、請求項２記載の発明によれば、支
持体上にシフター層、遮光層及びフォトレジスト層を形
成し、多重コントラスト露光を行うことで、１回の露光
工程（描画工程）で、前記３種類の位相シフトマスクパ
ターンをフォトレジスト層に描画することができる。従
って、位置合わせの問題がなく、高精度な描画を行うこ
とができる。その後、これを現像及びエッチングするこ
とで、同一支持体上に精度が向上した前記３種類の位相
シフトマスクを製造することができる。従って、フォト
リソグラフィーのプロセス精度が向上するこ共に、生産
性も向上することができる。According to the second aspect of the invention, the shifter layer, the light shielding layer and the photoresist layer are formed on the support, and the multi-contrast exposure is performed, so that one exposure step (drawing step) is performed. The three types of phase shift mask patterns can be drawn on the photoresist layer. Therefore, there is no problem of alignment and highly accurate drawing can be performed. After that, by developing and etching this, the above-mentioned three types of phase shift masks with improved accuracy can be manufactured on the same support. Therefore, the process accuracy of photolithography can be improved and the productivity can be improved.
【図１】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a manufacturing process of a phase shift mask according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図８】本発明の一実施例に係る、位相シフトマスクの
製造工程を示す一部断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
１ 支持体 ２ シフター層 ３ 遮光層 ４ フォトレジスト層 ５ レベンソン型位相シフトマスクパターン ６ シフターのみで光強度プロファイルが形成される
位相シフトマスクパターン ７ エッジ強調型位相シフトマスクパターン1 Support 2 Shifter Layer 3 Light-Shielding Layer 4 Photoresist Layer 5 Levenson-Type Phase-Shift Mask Pattern 6 Phase-Shift Mask Pattern Where Light-Intensity Profile Is Formed Only by Shifter 7 Edge-Enhanced Phase-Shift Mask Pattern
Claims (2)
ン構造と、エッジ強調型の位相シフトマスクパターン構
造と、シフターのみで光強度プロファイルパターンが形
成された位相シフトマスクパターン構造と、を同一支持
体上に備えたことを特徴とする位相シフトマスク。1. A Levenson-type phase-shift mask pattern structure, an edge-enhancement-type phase-shift mask pattern structure, and a phase-shift mask pattern structure in which a light intensity profile pattern is formed only by shifters are provided on the same support. A phase shift mask characterized by being provided.
程と、遮光層を形成する第２工程と、フォトレジスト層
を形成する第３工程と、多重コントラスト露光を行う第
４工程と、現像する第５工程と、エッチングを行う第６
工程と、を備えたことを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法。2. A first step of forming a shifter layer on a support, a second step of forming a light shielding layer, a third step of forming a photoresist layer, and a fourth step of performing multi-contrast exposure, The fifth step of developing and the sixth step of etching
A method of manufacturing a phase shift mask, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23319691A JP2933759B2 (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Method for manufacturing phase shift mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23319691A JP2933759B2 (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Method for manufacturing phase shift mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572716A true JPH0572716A (en) | 1993-03-26 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103454851A (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-18 | Hoya株式会社 | Photomask, method for manufacturing the photomask and pattern transfer method |
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1991
- 1991-09-12 JP JP23319691A patent/JP2933759B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| CN103454851A (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-18 | Hoya株式会社 | Photomask, method for manufacturing the photomask and pattern transfer method |
Also Published As
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