JPH057168B2 - - Google Patents
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Description
発明の技術分野
本発明は、ウエハ切断方法に係り、さらに詳し
くは、半導体ウエハを切断する際に、ゴミや切断
屑等がウエハ表面の回路面に付着するのを有効に
防止し得る方法に関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは
大径の状態で製造され、このウエハは素子小片に
切断分離(ダイシング)された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体
ウエハは予じめダイシングシート(粘着テープ)
上に貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、
エキスパンデイング、ピツクアツプ、マウンテイ
ングの各工程が加えられている。
半導体ウエハは、その表面に回路面が形成され
ていることから、ゴミやほこり等の付着を防止す
る必要がある。しかしながら、前記各工程では、
半導体ウエハの裏面のみがダイシングシートに付
着され、ウエハの表面が露呈しているため、この
ウエハの表面にゴミやほこり等が付着する虞があ
つた。特にダイシング工程では、切断屑がウエハ
の表面に付着する虞があつた。
このような不都合を解消するため、切断分離す
る前のウエハの表面に、粘着テープから成る保護
フイルムを付着し、その状態でダイシング工程以
下の工程を行い、少なくともウエハチツプの使用
前に、当該保護フイルムを引き剥すことにより、
ウエハチツプ製造時におけるウエハ表面に対する
ゴミや切断屑等の付着防止を図ることが考えられ
る。
このような方法によれば、確かに、ダイシング
工程時における切断屑がウエハの表面に付着する
ことがなくなる。しかしながら、素子小片状に切
断されたウエハの表面から保護フイルムを剥離す
る作業が困難であり、この作業をピンセツト等で
行つた場合には、ウエハ表面回路等を傷付けてし
まう虞もあつた。また、保護フイルムを都合良く
剥離することができたとしても、ウエハ表面に粘
着剤成分が残存する虞もあつた。このように、ウ
エハ表面に粘着剤成分等の異物が存在すると、そ
れが微小であつても、光関連の半導体ウエハ等を
用いたデバイスを被着体とする場合には、表面の
微小な異物であつても鋭敏に認知してしまい、デ
バイスが使用不可となる虞があつた。
発明の目的
本発明は、このような不都合を解消するために
なされたものであり、ウエハの表面に、ゴミやほ
こり、切断屑、ないしは粘着剤成分等の異物を付
着させることなく、ウエハのダイシング工程及び
その後の工程を行うことが可能であり、しかも、
作業工程が容易であり、自動化に適したウエハ切
断方法を提供することを目的とする。
発明の概要
かかる目的を達成するために、本発明方法は、
素子小片状に切断分離する前のウエハの裏面にダ
イシングシートを付着すると共に、当該ウエハの
表面に、放射線架橋性の粘着剤で、熱収縮性プラ
スチツクフイルムから成る保護フイルムを付着し
た後、
前記ウエハを当該保護フイルムと共にチツプ状
に切断し、その後、当該保護フイルムに放射線を
照射すると共に、当該保護フイルムを加熱し収縮
させてウエハ表面から剥離したことを特徴として
いる。
このような本発明に係るウエハ切断方法によれ
ば、ウエハの表面に保護フイルムが付着してある
ことから、ウエハの切断(ダイシング)工程及び
その後の工程時にも、ウエハの表面に、ゴミはほ
こり、ないしは切断屑等が付着することはない。
また、ウエハの表面に保護フイルムを付着する手
段として、放射線架橋性の粘着剤を用い、保護フ
イルムに放射線を照射した後に、保護フイルムを
剥離するようにしていることから、ウエハの表面
に粘着剤成分がほとんど残存することはない。さ
らに、保護フイルムが熱収縮性プラスチツクフイ
ルムで構成されていることから、加熱によつて収
縮し、ウエハ表面から容易に剥離し易い状態とな
るので、その作業が楽であり、その作業の自動化
が可能となる。
発明の具体的説明
以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細
に説明する。
第1〜3図はそれぞれ本発明に係るウエハ切断
方法の各過程を示す断面図である。
第1図に示すように、本発明では、まず、素子
小片状に切断する前のウエハ2の裏面にダイシン
グシート4を付着すると共に、当該ウエハ2の表
面に保護フイルム6を付着する。この状態で、ウ
エハ2は、ダイシングシート4に保持されて各工
程に移送される。
ウエハ切断(ダイシング)工程では、ダイサー
8によりウエハ2を素子状に切断し、ウエハチツ
プ2aを得る。このダイシング工程時には、ウエ
ハ2の表面に付着された保護フイルム6も一緒に
切断される。
本発明で用いられる保護フイルム6は、基材1
0として熱収縮性プラスチツクフイルムが用いら
れ、片面に粘着剤12が塗布された粘着フイルム
が作業性上好ましいが、場合によつては、熱収縮
性プラスチツクフイルムから成る基材10そのも
のであつても良い。保護フイルム6が基材10そ
のものである場合には、ウエハの表面に粘着剤1
2を塗布した後に、基材10から成る保護テープ
6を付着する。保護フイルム6が、基材10の片
面に粘着剤12が塗布された粘着フイルムである
場合には、保護フイルム6をウエハ2の表面に簡
単に付着することができる。
基材10を構成する熱収縮性プラスチツクフイ
ルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリメチルペンテン等のポリオレフイン、あるい
はポリ塩化ビニル、ポリエステル等の透明で十分
に延伸加工を行つたフイルムが良い。特に、膜厚
10〜100μmで良好な透過率を有するフイルムが
好ましい。本発明では、後述するように、保護フ
イルム6に紫外線(UV)等の放射線が照射さ
れ、当該UV等が粘着剤12まで透過する必要が
あるからである。なお、放射線として電子線
(EB)が用いられる場合には、基材10は必ずし
も透明である必要はない。粘着剤12としては、
本発明では、放射線架橋性の粘着剤が用いられ
る。放射線架橋性の粘着剤としては、通常の粘着
剤に放射線重合化合物を含んだものが用いられ
る。通常の粘着剤としては、従来公知のものが広
く用いられうるが、アクリル系粘着剤が好まし
く、具体的には、アクリル酸エステルを主たる構
成単量体単位とする単独重合体および共重合体か
ら選ばれたアクリル系重合体その他の官能性単量
体との共重合体およびこれら重合体の混合物であ
る。たとえば、モノマーのアクリル酸エステルと
して、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブ
チル、メタアクリル酸2−エチルヘキシルアクリ
ラート、メタアクリル酸グリシジル、メタアクリ
ル酸2−ヒドロキシエチルアクリラートなど、ま
た上記のメタクリル酸をたとえばアクリル酸に代
えたものなども好ましく使用できる。
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高める
ため、アクリル酸あるいはメタクリル酸、アクリ
ロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーを共重合
させてもよい。これらのモノマーから重合して得
られるアクリル系重合体の分子量は、2.0×105〜
10.0×105であり、好ましくは、4.0×105〜8.0×
105である。
また放射線重合性化合物としては、たとえば、
特開昭60−196956号公報および特開昭60−223139
号公報に開示されているような光照射によつて三
次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二
重結合が少なくとも2個以上有する低分子量化合
物が広く用いられ、具体的には、トリメチロール
プロパントリアクリラート、テトラメチロールメ
タンテトラアクリラート、ペンタエリスリトール
トリアクリラート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリラート、ジペンタエリスリトールモノヒド
ロキシペンタアクリラート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリラートあるいは1,4−ブチレ
ングリコールジアクリラート、1,6−ヘキサン
ジオールジアクリラート、ポリエチレングリコー
ルジアクリラート、市販のオリゴエステルアクリ
ラートなどが用いられる。
さらに放射線重合性化合物として、上記のよう
なアクリラート系化合物のほかに、ウレタンアク
リラート系オリゴマーを用いることもできる。ウ
レタンアクリラート系オリゴマーは、ポリエステ
ル型またはポルエーテル型などのポリオール化合
物と、多価イソシアナート化合物たとえば2,4
−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレン
ジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシ
アナート、1,4−キシリレンジイソシアナー
ト、ジフエニルメタン4,4−ジイソシアナート
などを反応させて得られる末端イソシアナートウ
レタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する
アクリラートあるいはメタクリラートたとえば2
−ヒドロキシエチルアクリラートまたは2−ヒド
ロキシエチルメタクリラート、2−ヒドロキシプ
ロピルアクリラート、2−ヒドロキシプロピルメ
タクリラート、ポリエチレングリコールアクリラ
ート、ポリエチレングリコールメタクリラートな
どを反応させて得られる。このウレタンアクリラ
ート系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少な
くとも1個以上有する放射線重合性化合物であ
る。
このようなウレタンアクリラート系オリゴマー
として、特に分子量が3000〜10000好ましくは
4000〜8000であるものを用いると、半導体ウエハ
表面が粗い場合にも、保護フイルム6の剥離時に
チツプ表面に粘着剤が付着することがないため好
ましい。またウレタンアクリラート系オリゴマー
を放射線重合性化合物として用いる場合には、特
開昭60−196956号公報に開示されたような分子内
に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個
以上有する低分子量化合物を用いた場合と比較し
て、保護フイルムとして極めて優れたものが得ら
れる。すなわち保護フイルム6の放射線照射前の
接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接
着力が充分に低下して保護フイルムの剥離時にウ
エハチツプ2a表面に粘着剤が残存することはほ
とんどない。
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤と
ウレタンアクリラート系オリゴマーの配合比は、
アクリル系粘着剤100重量部に対してウレタンア
クリラート系オリゴマーは50〜900重量部の範囲
の量で用いられることが好ましい。この場合に
は、得られる保護フイルムは初期の接着力が大き
くしかも放射線照射後には粘着力は大きく低下
し、容易に保護フイルム6を該ウエハチツプ2a
から剥離することができる。
また必要に応じては、粘着剤12中に、上記の
ような通常の粘着剤と放射線重合性化合物とに加
えて、放射線照射により着色する化合物を含有さ
せることもできる。このような放射線照射によ
り、着色する化合物を粘着剤12に含ませること
によつて、保護フイルム6に放射線が照射された
後には該フイルム6は着色され、したがつて光セ
ンサーによつてウエハチツプ2aを検出する際に
検出精度が高まり、保護フイルム6の剥離時に誤
動作が生ずることがない。また保護フイルムに放
射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明
するという効果が得られる。
放射線照射により着色する化合物は、放射線の
照射前には無色または淡色であるが、放射線の照
射により有色となる化合物であつて、この化合物
の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられ
る。ロイコ染料としては、慣用のトリフエニルメ
タン系、フルオラン系、フエノチアジン系、オー
ラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用い
られる。具体的には3−[N−(p−トリルアミ
ノ)]−7−アニリノフルオラン、3−[N−(p−
トリル)−N−メチルアミノ]−7−アニリノフル
オラン、3−[N−(p−トリル)−N−エチルア
ミノ]−7−アニリノフルオラン、3−ジエチル
アミノ−6−メチル−7−アニリノフルオラン、
クリスタルバイオレツトラクトン、4,4′,4″−
トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、
4,4′,4″−トリスジメチルアミノトリフエニル
メタンなどが挙げられる。
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる
顕色剤としては、従来から用いられているフエノ
ールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボ
ン酸誘導体、活性白土などの電子受容体が挙げら
れ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の
発色剤を組合わせ用いることもできる。
このような放射線照射によつて着色する化合物
は、一旦有機溶媒などの溶解された後に粘着剤1
2中に含ませてもよく、また微粉末状にして粘着
剤中に含ませてもよい。この化合物は、粘着剤中
に0.01〜10重量%好ましくは0.5〜5重量%の量
が用いられることが望ましい。該化合物が10重量
%を越えた量で用いられると、保護フイルムに照
射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてし
まうため、粘着剤12の硬化が不十分となり好ま
しくなく、一方該化合物が0.01重量%未満の量で
用いられると放射線照射時に充分に着色しないこ
とがあり、保護フイルムの剥離時に誤動作が生じ
やすくなるため好ましくない。
また場合によつては、粘着剤12中に上記のよ
うな通常の粘着剤と放射線重合性化合物とに加え
て、光散乱性無機化合物粉末を含有させることも
できる。
このような光散乱性無機化合物粉末を粘着剤1
2に含ませることによつて、たとえ半導体ウエハ
の表面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒
色化しても、保護膜に紫外線などの放射線を照射
すると、灰色化あるいは黒色化した部分に相当す
る粘着剤12の部分でもその接着力が充分に低下
し、したがつて保護膜の剥離時にウエハチツプ表
面に粘着剤成分が残存してしまうことがなく、し
かも放射線の照射前には充分な接着力を有してい
るという効果が得られる。
この光散乱性無機化合物は、紫外線(UV)あ
るいは電子線(EB)などの放射線が照射された
場合に、この放射線を乱反射することができるよ
うな化合物であつて、具体的には、シリカ粉末、
アルミナ粉末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉末
などが例示される。この光散乱性無機化合物は、
上記のような放射線をほぼ完全に反射するものが
好ましいが、もちろんある程度放射線を吸収して
しまうものも用いることができる。
光散乱性無機化合物は粉末状であることが好ま
しく、その粒径は1〜100μm好ましくは1〜20μ
m程度であることが望ましい。この光散乱性無機
化合物は、粘着剤中に0.1〜10重量%好ましくは
1〜4重量%の量で用いられることが望ましい。
該化合物を粘着剤中に10重量%を越えた量で用い
ると、粘着剤の接着力が低下したりすることがあ
るため好ましくなく、一方0.1重量%未満である
と、半導体ウエハ面が灰色化あるいは黒色化した
場合に、その部分に放射線照射しても、接着力が
充分に低下せず保護フイルムの剥離時にウエハ表
面に粘着剤成分が残るため好ましくない。
粘着剤12中に光散乱性無機化合物粉末を添加
した場合に、半導体ウエハ面が何らかの理由によ
つて灰色化あるいは黒色化したような場合に用い
ても、この灰色化あるいは黒色化した部分に放射
線が照射されると、この部分においてもその接着
力が充分に低下するのは、次のような理由であろ
うと考えられる。すなわち、この粘着剤12に放
射線を照射すると、粘着剤12中に含まれる放射
線重合性化合物が硬化してその接着力が低下する
ことになる。ところが半導体ウエハ面に何らかの
理由によつて灰色化あるいは黒色化した部分が生
ずることがある。このような場合に粘着剤12に
放射線を照射すると、放射線は粘着剤12を通過
してウエハ面に達するが、もしウエハ面に灰色化
あるいは黒色化した部分があるとこの部分では放
射線が吸収されて、反射することがなくなつてし
まう。このため本来粘着剤12の硬化に利用され
るべき放射線が、灰色化あるいは黒色化した部分
では吸収されてしまつて粘着剤12の硬化が不十
分となり、接着力が充分には低下しないことにな
る。したがつて保護フイルムの剥離時にウエハチ
ツプ面に粘着剤成分が付着してしまうのであろう
と考えられる。
ところが粘着剤12中に光散乱性無機化合物粉
末を添加すると、照射された放射線はウエハ面に
達するまでに該化合物と衝突して方向が変えられ
る。このため、たとえウエハチツプ表面に灰色化
あるいは黒色化した部分があつても、この部分の
上方の領域にも乱反射された放射線が充分に入り
込み、したがつてこの灰色化あるいは黒色化した
部分も充分に硬化する。このため、粘着剤12中
に光散乱性無機化合物粉末を添加することによつ
て、たとえ半導体ウエハ表面に何らかの理由によ
つて灰色化あるいは黒色化した部分があつても、
この部分で粘着剤12の硬化が不充分になること
がなく、したがつて保護フイルム6の剥離時にチ
ツプ表面に粘着剤成分が付着することがなくな
る。
また上記の粘着剤中に、イソシアナート系硬化
剤を混合することにより、初期の接着力を任意の
値に設定することができる。このような硬化剤と
しては、具体的には多価イソシアナート化合物、
たとえば2,4−トリレンジイソシアナート、
2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キ
シリレンジイソシアナート、1,4−キシレンジ
イソシアナート、ジフエニルメタン−4,4′−ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン−2,4′−ジ
イソシアナート、3−メチルジフエニルメタンジ
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナート、ジシクロキシ
シルメタン−4,4′−ジイソシアナート、ジシク
ロヘキシルメタン−2,4′−ジイソシアナート、
リジンイソシアナートなどが用いられる。
さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場合に
は、UV開始剤を混入することにより、UV照射
による重合硬化時間ならびにUV照射を少なくな
ることができる。
このようなUV開始剤としては、具体的には、
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンジルジフエニルサルフアイド、テト
ラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイ
ソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β
−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
次に、ダイシングシート4について説明する。
ダイシングシート4としては、基材14と粘着剤
16とから成る粘着シートが用いられる。この粘
着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあら
ゆる形状をとりうる。基材14の材質としては、
特に限定されないが、好ましくは、重合体構成単
位としてカルボキシル基を有する化合物を含む重
合体フイルムが用いられている。
このような重合体構成単位としてカルボキシル
基を有する化合物を含む重合体フイルムとして
は、たとえばエチレン−メタクリル酸共重合体フ
イルム、エチレン−酢酸ビニル−メタクリル酸共
重合体フイルムなどのカルボキシル基を有する単
量体を重合させて得られる重合体フイルムあるい
はエチレン−酢酸ビニル共重合体などの重合体を
二塩基酸で変性させることによつて該共重合体に
カルボキシル基を導入させた変性重合体フイルム
などが用いられる。
また基材14として、上記のような重合体構成
単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む
重合体フイルムと、汎用重合体フイルムとがラミ
ネートされたフイルムを用いることもできる。
重合体構成単位としてカルボキシル基を有する
化合物を含む重合体フイルムと、汎用重合体フイ
ルムとをラミネートすることによつて、基材フイ
ルムの伸びあるいは強度を任意に設定することが
できる。
上記のような汎用重合体フイルムとしては、ポ
リエチレンまたはエチレン−酢酸ビニル共重合体
などのポリエチレン共重合体、ポリプロピレン、
ポリブチレン、アイオノマー、ポリブタジエン、
ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリメチルペンテン、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニルまたはポリ塩化ビニル共重合
体、あるいはこれら共重合体の架橋体などが用い
られる。
上記のようなラミネート体を用いる場合には、
粘着剤16から成る粘着剤層は、重合体構成単位
としてカルボキシル基を有する化合物を含む重合
体フイルム上に設けてもよく、また汎用重合体フ
イルム上に設けてもよいが、重合体構成単位とし
てカルボキシル基を有する化合物を含む重合体フ
イルム上に設けることが好ましい。これは一般に
汎用重合体フイルムのほうが、上記重合体フイル
ムよりも滑り性に優れており、このためダイシン
グシート4上にウエハ2を貼着し、これを治具上
に固定してウエハをダイシングする際に、治具と
ダイシングシート4との間に滑り性が提供される
ためである。
またダイシングシートの基材フイルム14にお
いて、治具と接する側の基材フイルムに滑剤を入
れて滑り性を高めることもできる。
なおダイシングシート4における基材フイルム
14の膜厚は80〜100μmであることが好ましい。
ダイシングシート4における粘着剤層を構成する
粘着剤16としては、特に限定されないが、保護
フイルム6における粘着剤12と同様に、放射線
架橋性の粘着剤が好ましい。後工程でのウエハチ
ツプ2aのピツクアツプ時に、粘着剤成分がウエ
ハチツプ2aに付着するのを防止するためであ
る。
本発明では、第1図に示すように、ウエハ2を
保護フイルム6と共に素子小片状に切断(ダイシ
ング)した後に、第2図に示すように、UV等の
放射線を照射する装置18により保護フイルム6
側に放射線を照射する。これによつて、粘着剤1
2に含まれる放射線重合性化合物が重合硬化し、
粘着剤12の有する接着力は大きく低下すること
になる。また、粘着剤16に放射線重合性化合物
が含まれる場合にも同様のことが言える。ただ
し、この場合には、ダイシングシート4側からも
放射線を照射することが好ましい。放射線として
は、紫外線(UV)や電子線(EB)等が考えら
れる。放射線としてUVを用いる場合には、基材
10,14は光透過性であることが必要である。
次に本発明では、保護フイルム6を周囲から加
熱する。加熱手段としては、ダイシングシート4
全体を加熱炉中に入れること等が考えらえる。加
熱温度は、基材10の材質により定まり、この基
材10が熱収縮する温度以上であれば良い。ただ
し、ウエハチツプ2aに悪影響を及ぼさない範囲
で加熱する。具体的には、100℃以上で30秒以上
の加熱が好ましい。
このような加熱により、各ウエハチツプ2aの
表面に付着された保護フイルム6は、第3図に示
すように、ロール状ないしダンゴ状に熱収縮する
ことになる。これによつて、保護フイルム6のウ
エハチツプ2a表面からの剥離が非常に容易とな
り、表面に形成された回路面に接触することなく
保護フイルム6の剥離が可能となり、その作業の
自動化も図れる。
なお、上述した加熱工程は、基材10の材質と
して、放射線照射のみによつて収縮する材質を選
択した場合には、省略することもできる。
また、上述した保護フイルム6の加熱工程は、
ウエハチツプのマウンテイング工程時(リードフ
レーム等にウエハチツプ2aを接着する工程時)
の加熱の際に同時に行うこともできる。その場合
には、接着剤としてエポキシ系接着剤を用いる
為、加熱は、150℃で2〜3時間程度行われる。
さらに、上述した保護フイルム6の剥離作業
は、ウエハチツプ2aの製造工程におけるどの工
程の後でも良いが、できるだけ最終工程の近くが
好ましい。最終工程に到るまでの間に、ウエハチ
ツプ2aの表面に対するゴミやほこりの付着を防
止するからである。
このような本発明に係るウエハ切断方法によれ
ば、ウエハ2の表面に保護フイルム6が付着して
あることから、ウエハ2の切断(ダイシング)工
程及びその後の工程時にも、ウエハ2の表面に、
ゴミやほこり、ないしは切断屑等が付着すること
はない。また、ウエハ2の表面に保護フイルム6
を付着する手段として、放射線架橋性の粘着剤1
2を用い、保護フイルム6側に放射線を照射した
後に、保護フイルム6を剥離するようにしている
ことから、フイルム2の表面に粘着剤成分がほと
んど残存することはない。さらに、保護フイルム
6が熱収縮性プラスチツクフイルムで構成されて
いることから、加熱によつて収縮し、ウエハ2表
面から容易に剥離し易い状態となるので、その作
業が楽であり、その作業の自動化が可能となる。
次に、本発明をさらに具体化した実施例に基づ
き説明する。
実施例
膜厚40μmの延伸ポリプロピレンフイルムの片
面にコロナ処理を施し、処理面に粘着剤10μmと
なるように塗布し、本発明に係る保護フイルムを
得る。これをシリコンウエハ鏡面に貼付、1日放
置した後、80W/cm高圧水銀UVランプで2秒照
射した後、100℃で加熱すると30秒で、ロール状
またはダンゴ状に剥離し、フイルムとウエハの接
触面積は、0〜3%となり、ほとんどの場合、ウ
エハを反転させるとフイルムは落下する。落下し
ない場合でもピンセツト等で、極く弱い力で持ち
上げることで剥がすことができる。この際、ピン
セツトがウエハ表面に接触しないようにすること
は極めて容易である。
また、上記の実験をすべてクリーンルーム内で
行ない保護フイルムを剥離後、貼付面を表面欠陥
検査・レーザ検査装置で表面の異物検査を行つた
結果を表1に示す。
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a wafer cutting method, and more particularly to a method for effectively preventing dust, cutting debris, etc. from adhering to the circuit surface of the wafer surface when cutting a semiconductor wafer. Technical background of the invention and its problems Semiconductor wafers of silicon, gallium arsenide, etc. are manufactured in a large diameter state, and after this wafer is cut and separated into small element pieces (dicing), it is transferred to the next process, a mounting process. ing. At this time, the semiconductor wafer is placed on a dicing sheet (adhesive tape) in advance.
Dicing, washing, drying,
Expanding, picking up, and mounting processes are added. Since a semiconductor wafer has a circuit surface formed on its surface, it is necessary to prevent dirt and dust from adhering to it. However, in each of the above steps,
Since only the back side of the semiconductor wafer is attached to the dicing sheet and the front side of the wafer is exposed, there is a risk that dirt, dust, etc. may adhere to the front side of the wafer. Particularly in the dicing process, there was a risk that cutting debris would adhere to the surface of the wafer. In order to eliminate such inconveniences, a protective film made of adhesive tape is attached to the surface of the wafer before it is cut and separated, and the processes following the dicing process are performed in this state, and at least before using the wafer chip, the protective film is By tearing off the
It is possible to prevent dust, cutting chips, etc. from adhering to the wafer surface during wafer chip manufacturing. According to such a method, it is certainly possible to prevent cutting debris from adhering to the surface of the wafer during the dicing process. However, it is difficult to peel off the protective film from the surface of a wafer that has been cut into small element pieces, and if this work is done with tweezers or the like, there is a risk of damaging circuits on the wafer surface. Further, even if the protective film could be peeled off conveniently, there was a risk that adhesive components would remain on the wafer surface. In this way, if there are foreign substances such as adhesive components on the wafer surface, even if they are minute, when the adherend is a device using an optical-related semiconductor wafer, etc. However, there was a risk that the device would be acutely recognized and the device would become unusable. Purpose of the Invention The present invention has been made in order to eliminate such inconveniences, and is capable of dicing wafers without causing foreign matter such as dirt, dust, cutting chips, or adhesive components to adhere to the wafer surface. It is possible to carry out the process and subsequent steps, and
The purpose of the present invention is to provide a wafer cutting method that has an easy work process and is suitable for automation. Summary of the Invention In order to achieve the above object, the method of the present invention includes the following steps:
A dicing sheet is attached to the back surface of the wafer before it is cut and separated into small pieces of elements, and a protective film made of a heat-shrinkable plastic film is attached to the front surface of the wafer using a radiation-crosslinkable adhesive. The method is characterized in that the wafer is cut into chips along with the protective film, and then the protective film is irradiated with radiation, and the protective film is heated to shrink and peeled off from the wafer surface. According to the wafer cutting method according to the present invention, since a protective film is attached to the wafer surface, dust and dirt are removed from the wafer surface during the wafer cutting (dicing) process and subsequent processes. , cutting debris, etc. will not adhere.
In addition, as a means of attaching the protective film to the surface of the wafer, a radiation-crosslinkable adhesive is used, and the protective film is peeled off after being irradiated with radiation. Almost no components remain. Furthermore, since the protective film is made of a heat-shrinkable plastic film, it shrinks when heated and becomes easily peeled off from the wafer surface, making the work easier and automating the work. It becomes possible. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings. 1 to 3 are cross-sectional views showing each process of the wafer cutting method according to the present invention. As shown in FIG. 1, in the present invention, first, a dicing sheet 4 is attached to the back surface of a wafer 2 before being cut into element pieces, and a protective film 6 is attached to the front surface of the wafer 2. In this state, the wafer 2 is held by the dicing sheet 4 and transferred to each process. In the wafer cutting (dicing) step, the wafer 2 is cut into element shapes by a dicer 8 to obtain wafer chips 2a. During this dicing process, the protective film 6 attached to the surface of the wafer 2 is also cut. The protective film 6 used in the present invention includes the base material 1
A heat-shrinkable plastic film is used as the heat-shrinkable plastic film, and an adhesive film coated with the adhesive 12 on one side is preferable from the viewpoint of workability. good. When the protective film 6 is the base material 10 itself, the adhesive 1 is applied to the surface of the wafer.
2, a protective tape 6 made of a base material 10 is attached. When the protective film 6 is an adhesive film in which the adhesive 12 is coated on one side of the base material 10, the protective film 6 can be easily attached to the surface of the wafer 2. The heat-shrinkable plastic film constituting the base material 10 may include polyethylene, polypropylene,
A transparent and well-stretched film made of polyolefin such as polymethylpentene, polyvinyl chloride, polyester, etc. is preferable. In particular, film thickness
Films with good transmittance between 10 and 100 μm are preferred. This is because, in the present invention, as will be described later, the protective film 6 is irradiated with radiation such as ultraviolet (UV) light, and the UV light needs to pass through to the adhesive 12. Note that when an electron beam (EB) is used as the radiation, the base material 10 does not necessarily need to be transparent. As the adhesive 12,
In the present invention, a radiation crosslinkable adhesive is used. As the radiation-crosslinkable adhesive, an ordinary adhesive containing a radiation-polymerized compound is used. Conventionally known adhesives can be widely used as ordinary adhesives, but acrylic adhesives are preferred, and specifically, from homopolymers and copolymers containing acrylic acid ester as the main monomer unit. Copolymers of selected acrylic polymers and other functional monomers, and mixtures of these polymers. For example, monomer acrylic esters include ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate methacrylate, and the above-mentioned methacrylic acids. For example, those in place of acrylic acid can also be preferably used. Furthermore, in order to improve compatibility with oligomers described later, monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, acrylonitrile, and vinyl acetate may be copolymerized. The molecular weight of the acrylic polymer obtained by polymerizing these monomers is 2.0×10 5 ~
10.0×10 5 , preferably 4.0×10 5 to 8.0×
10 5 . In addition, examples of radiation polymerizable compounds include:
JP-A-60-196956 and JP-A-60-223139
Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule that can be formed into a three-dimensional network by light irradiation as disclosed in the above publication are widely used, and specifically, Trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and the like are used. Further, as the radiation polymerizable compound, in addition to the above-mentioned acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer is composed of a polyol compound such as a polyester type or polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4
- Terminal isocyanate obtained by reacting tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc. An acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, such as 2
-Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc. are reacted. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond. Such urethane acrylate oligomers preferably have a molecular weight of 3,000 to 10,000.
It is preferable to use a material having a molecular weight of 4,000 to 8,000 because the adhesive will not adhere to the chip surface when the protective film 6 is peeled off even if the semiconductor wafer surface is rough. In addition, when using a urethane acrylate oligomer as a radiation polymerizable compound, a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule as disclosed in JP-A-60-196956 is used. An extremely superior protective film can be obtained compared to the case where a molecular weight compound is used. That is, the adhesive strength of the protective film 6 before irradiation is sufficiently large, and the adhesive strength is sufficiently reduced after the irradiation, so that almost no adhesive remains on the surface of the wafer tip 2a when the protective film is peeled off. The blending ratio of the acrylic adhesive and urethane acrylate oligomer in the adhesive in the present invention is as follows:
The urethane acrylate oligomer is preferably used in an amount ranging from 50 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. In this case, the resulting protective film has a high initial adhesive strength, but the adhesive strength decreases significantly after radiation irradiation, and the protective film 6 is easily attached to the wafer chip 2a.
It can be peeled off from. Further, if necessary, the adhesive 12 may contain, in addition to the above-mentioned ordinary adhesive and radiation polymerizable compound, a compound that is colored by radiation irradiation. By incorporating a coloring compound into the adhesive 12 by such radiation irradiation, the protective film 6 is colored after being irradiated with radiation, and therefore the wafer chip 2a is colored by the optical sensor. Detection accuracy is improved when detecting, and malfunction does not occur when the protective film 6 is peeled off. Further, it is possible to immediately determine by visual inspection whether or not the protective film has been irradiated with radiation. A compound that is colored by radiation irradiation is a compound that is colorless or light-colored before radiation irradiation, but becomes colored by radiation irradiation, and a preferred specific example of this compound is a leuco dye. As the leuco dye, commonly used triphenylmethane-based, fluoran-based, phenothiazine-based, auramine-based, and spiropyran-based dyes are preferably used. Specifically, 3-[N-(p-tolylamino)]-7-anilinofluorane, 3-[N-(p-
tolyl)-N-methylamino]-7-anilinofluorane, 3-[N-(p-tolyl)-N-ethylamino]-7-anilinofluorane, 3-diethylamino-6-methyl-7- anilinofluorane,
Crystal Violet Lactone, 4,4′,4″−
trisdimethylaminotriphenylmethanol,
Examples include 4,4',4''-trisdimethylaminotriphenylmethane. Color developers that are preferably used with these leuco dyes include prepolymers of phenol-formalin resins and aromatic carboxylic acids, which are conventionally used. Examples include electron acceptors such as derivatives and activated clay.Furthermore, when changing the color tone, various known coloring agents can be used in combination.Compounds that are colored by radiation irradiation are Adhesive 1 after being dissolved such as
2, or may be made into a fine powder and included in the adhesive. This compound is desirably used in the adhesive in an amount of 0.01 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight. If the compound is used in an amount exceeding 10% by weight, the radiation irradiated to the protective film will be absorbed too much by the compound, resulting in insufficient curing of the adhesive 12, which is undesirable. If it is used in an amount less than % by weight, sufficient coloring may not occur during radiation irradiation, and malfunctions may easily occur when the protective film is peeled off, which is not preferable. In some cases, the adhesive 12 may contain a light-scattering inorganic compound powder in addition to the above-mentioned ordinary adhesive and radiation polymerizable compound. Such light scattering inorganic compound powder is used as adhesive 1.
2, even if the surface of the semiconductor wafer becomes gray or black for some reason, when the protective film is irradiated with radiation such as ultraviolet rays, the adhesive corresponding to the gray or black part will be removed. The adhesive strength of the adhesive 12 is sufficiently reduced, so that the adhesive component does not remain on the surface of the wafer tip when the protective film is peeled off, and it has sufficient adhesive strength before irradiation with radiation. You can get the effect of doing so. This light-scattering inorganic compound is a compound that can diffusely reflect radiation such as ultraviolet rays (UV) or electron beams (EB) when it is irradiated with it. ,
Examples include alumina powder, silica alumina powder, and mica powder. This light scattering inorganic compound is
It is preferable to use a material that almost completely reflects radiation as described above, but it is also possible to use a material that absorbs radiation to some extent. The light-scattering inorganic compound is preferably in powder form, and its particle size is 1 to 100 μm, preferably 1 to 20 μm.
It is desirable that it be about m. This light-scattering inorganic compound is desirably used in the adhesive in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 4% by weight.
If this compound is used in an adhesive in an amount exceeding 10% by weight, the adhesive strength of the adhesive may decrease, which is undesirable.On the other hand, if it is less than 0.1% by weight, the semiconductor wafer surface may turn gray. Alternatively, in the case of blackening, even if the area is irradiated with radiation, the adhesive strength will not be sufficiently reduced and adhesive components will remain on the wafer surface when the protective film is peeled off, which is not preferable. Even if a light-scattering inorganic compound powder is added to the adhesive 12 and the surface of the semiconductor wafer becomes gray or black for some reason, radiation will not be applied to the gray or black part. It is thought that the reason why the adhesion force is sufficiently reduced even in this part when it is irradiated is as follows. That is, when the adhesive 12 is irradiated with radiation, the radiation-polymerizable compound contained in the adhesive 12 is cured and its adhesive strength is reduced. However, gray or black portions may appear on the surface of a semiconductor wafer for some reason. In such a case, when the adhesive 12 is irradiated with radiation, the radiation passes through the adhesive 12 and reaches the wafer surface, but if there is a gray or black area on the wafer surface, the radiation will be absorbed by this area. Then, there will be no more reflection. For this reason, the radiation that should normally be used to cure the adhesive 12 is absorbed by the gray or blackened areas, resulting in insufficient curing of the adhesive 12 and insufficient reduction in adhesive strength. . Therefore, it is thought that the adhesive component may adhere to the surface of the wafer tip when the protective film is peeled off. However, when a light-scattering inorganic compound powder is added to the adhesive 12, the irradiated radiation collides with the compound and changes its direction before reaching the wafer surface. Therefore, even if there is a gray or black part on the wafer chip surface, the diffusely reflected radiation will penetrate into the area above this part, and therefore this gray or black part will also be absorbed. harden. Therefore, by adding light-scattering inorganic compound powder to the adhesive 12, even if there are gray or black areas on the semiconductor wafer surface for some reason,
The adhesive 12 will not be insufficiently cured in this area, and the adhesive component will not adhere to the chip surface when the protective film 6 is peeled off. Further, by mixing an isocyanate curing agent into the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, the initial adhesive strength can be set to an arbitrary value. Specifically, such curing agents include polyvalent isocyanate compounds,
For example, 2,4-tolylene diisocyanate,
2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3 -Methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicycloxylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate,
Lysine isocyanate and the like are used. Furthermore, in the case of UV irradiation, a UV initiator may be mixed into the above-mentioned adhesive to reduce the polymerization and curing time due to UV irradiation as well as the amount of UV irradiation. Specifically, such UV initiators include:
Benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β
- Examples include chloranthraquinone. Next, the dicing sheet 4 will be explained.
As the dicing sheet 4, an adhesive sheet consisting of a base material 14 and an adhesive 16 is used. The shape of this pressure-sensitive adhesive sheet can be any shape such as a tape shape or a label shape. The material of the base material 14 is as follows:
Although not particularly limited, a polymer film containing a compound having a carboxyl group as a polymer constituent unit is preferably used. Examples of such a polymer film containing a compound having a carboxyl group as a polymer constituent unit include a monomer having a carboxyl group such as an ethylene-methacrylic acid copolymer film and an ethylene-vinyl acetate-methacrylic acid copolymer film. Polymer films obtained by polymerizing ethylene-vinyl acetate copolymers or ethylene-vinyl acetate copolymers are modified with dibasic acids to introduce carboxyl groups into the copolymers. used. Further, as the base material 14, a film obtained by laminating a general-purpose polymer film and a polymer film containing a compound having a carboxyl group as a polymer constituent unit as described above can also be used. By laminating a polymer film containing a compound having a carboxyl group as a polymer constituent unit and a general-purpose polymer film, the elongation or strength of the base film can be set as desired. Examples of the above-mentioned general-purpose polymer films include polyethylene or polyethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymers, polypropylene,
polybutylene, ionomer, polybutadiene,
Polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polymethylpentene, polyurethane, polyvinyl chloride, polyvinyl chloride copolymers, or crosslinked products of these copolymers are used. When using a laminate like the one above,
The adhesive layer made of the adhesive 16 may be provided on a polymer film containing a compound having a carboxyl group as a polymer constituent unit, or may be provided on a general-purpose polymer film, but It is preferable to provide it on a polymer film containing a compound having a carboxyl group. This is because general-purpose polymer films generally have better slipperiness than the above-mentioned polymer films, and for this reason, the wafer 2 is pasted on the dicing sheet 4, and this is fixed on a jig to dice the wafer. This is because slipperiness is provided between the jig and the dicing sheet 4 at this time. Further, in the base film 14 of the dicing sheet, a lubricant may be added to the side of the base film that comes into contact with the jig to improve the slipperiness. Note that the thickness of the base film 14 in the dicing sheet 4 is preferably 80 to 100 μm.
The adhesive 16 constituting the adhesive layer in the dicing sheet 4 is not particularly limited, but like the adhesive 12 in the protective film 6, a radiation-crosslinkable adhesive is preferable. This is to prevent the adhesive component from adhering to the wafer chip 2a when the wafer chip 2a is picked up in a subsequent process. In the present invention, as shown in FIG. 1, after cutting (dicing) the wafer 2 together with a protective film 6 into small pieces of elements, as shown in FIG. film 6
Radiation is applied to the side. By this, adhesive 1
The radiation polymerizable compound contained in 2 is polymerized and cured,
The adhesive strength of the adhesive 12 will be greatly reduced. Moreover, the same can be said when the adhesive 16 contains a radiation-polymerizable compound. However, in this case, it is preferable to irradiate the radiation also from the dicing sheet 4 side. Examples of radiation include ultraviolet rays (UV) and electron beams (EB). When using UV as radiation, the base materials 10 and 14 need to be light-transmissive. Next, in the present invention, the protective film 6 is heated from the surroundings. As a heating means, a dicing sheet 4 is used.
One possibility would be to put the whole thing into a heating furnace. The heating temperature is determined by the material of the base material 10, and may be at least the temperature at which the base material 10 thermally shrinks. However, the heating should be done within a range that does not adversely affect the wafer tip 2a. Specifically, heating at 100° C. or higher for 30 seconds or longer is preferable. Due to such heating, the protective film 6 attached to the surface of each wafer chip 2a is thermally shrunk into a roll shape or a dumpling shape, as shown in FIG. This makes it very easy to peel off the protective film 6 from the surface of the wafer chip 2a, making it possible to peel off the protective film 6 without coming into contact with the circuit surface formed on the surface, and the process can be automated. Note that the heating step described above can be omitted if a material that shrinks only by radiation irradiation is selected as the material of the base material 10. Moreover, the heating process of the protective film 6 mentioned above is
During the process of mounting the wafer tip (during the process of gluing the wafer tip 2a to the lead frame, etc.)
It can also be done at the same time as the heating. In that case, since an epoxy adhesive is used as the adhesive, heating is performed at 150° C. for about 2 to 3 hours. Further, the above-described peeling operation of the protective film 6 may be performed after any step in the manufacturing process of the wafer tip 2a, but it is preferably performed as close to the final step as possible. This is because it prevents dirt and dust from adhering to the surface of the wafer tip 2a until the final step is reached. According to the wafer cutting method according to the present invention, since the protective film 6 is attached to the surface of the wafer 2, the surface of the wafer 2 is not covered during the cutting (dicing) process of the wafer 2 and subsequent processes. ,
No dirt, dust, cutting chips, etc. will stick to it. In addition, a protective film 6 is placed on the surface of the wafer 2.
A radiation crosslinkable adhesive 1 is used as a means for attaching the
Since the protective film 6 is peeled off after the protective film 6 side is irradiated with radiation using the protective film 2, almost no adhesive component remains on the surface of the film 2. Furthermore, since the protective film 6 is made of a heat-shrinkable plastic film, it shrinks when heated and becomes easily peeled off from the surface of the wafer 2, making the work easier and easier. Automation becomes possible. Next, the present invention will be explained based on further embodiments. Examples One side of a stretched polypropylene film having a film thickness of 40 μm is subjected to a corona treatment, and an adhesive is applied to the treated surface so as to have a thickness of 10 μm to obtain a protective film according to the present invention. This was pasted on the mirror surface of a silicon wafer, left for one day, irradiated with an 80W/cm high-pressure mercury UV lamp for 2 seconds, and then heated at 100°C. In 30 seconds, it peeled off into a roll or dumpling shape, separating the film from the wafer. The contact area is 0-3%, and in most cases the film will fall when the wafer is turned over. Even if it does not fall, it can be removed by lifting it with extremely weak force using tweezers, etc. At this time, it is extremely easy to prevent the tweezers from coming into contact with the wafer surface. In addition, all of the above experiments were conducted in a clean room, and after the protective film was peeled off, the surface of the adhesive was inspected for foreign matter using a surface defect inspection/laser inspection device. Table 1 shows the results.
【表】【table】
【表】
上記の如く、フイルム剥離後、リフアレンスと
同様或いは、それ以下の個数の異物しか発見され
ない。
比較例
実施例と同様にして、テープを作成した。ただ
し、粘着剤中に放射線硬化成分は含まれない。ゆ
えに、UV照射も行わない。加熱収縮は同様に行
ない、ウエハ上を確認する。
表面欠陥検査・レーザ検査装置を行なうまでも
なく、目視で点状に糊残りが確認された。
発明の効果
以上説明してきたように、本発明によれば、素
子小片状に切断分離する前のウエハの裏面にダイ
シングシートを付着すると共に、当該ウエハの表
面に、放射線架橋性の粘着剤で、熱収縮性プラス
チツクフイルムから成る保護フイルムを付着した
後、
前記ウエハを当該保護フイルムと共にチツプ状
に切断し、その後、当該保護フイルムに放射線を
照射すると共に、当該保護フイルムを加熱するよ
うにしたので、ウエハの表面に、ゴミやほこり、
切断屑、ないしは粘着剤成分等の異物を付着させ
ることなく、ウエハのダイシング工程及びその後
の工程をも行うことが可能になるにもかかわら
ず、作業工程が煩雑になることもないという優れ
た効果を奏する。[Table] As mentioned above, after the film is peeled off, only the same number of foreign substances as the reference or less than that of the reference is found. Comparative Example A tape was created in the same manner as in the example. However, the adhesive does not contain a radiation curing component. Therefore, no UV irradiation is performed. Heat shrinkage is performed in the same manner, and the surface of the wafer is checked. Even without using a surface defect inspection/laser inspection device, adhesive residue was visually confirmed in spots. Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, a dicing sheet is attached to the back surface of the wafer before it is cut and separated into small element pieces, and a radiation-crosslinkable adhesive is applied to the surface of the wafer. After attaching a protective film made of a heat-shrinkable plastic film, the wafer is cut into chips along with the protective film, and then the protective film is irradiated with radiation and the protective film is heated. , dirt and dust on the wafer surface.
Although it is possible to perform the wafer dicing process and subsequent processes without adhering foreign matter such as cutting chips or adhesive components, it has the excellent effect of not complicating the work process. play.
第1〜3図はそれぞれ本発明に係るウエハ切断
方法の各過程を示す断面図である。
2……ウエハ、2a……ウエハチツプ、4……
ダイシングシート、6……保護フイルム、10,
14……基材、12,16……粘着剤。
1 to 3 are cross-sectional views showing each process of the wafer cutting method according to the present invention. 2... Wafer, 2a... Wafer tip, 4...
dicing sheet, 6...protective film, 10,
14... Base material, 12, 16... Adhesive.
Claims (1)
にダイシングシートを付着すると共に、当該ウエ
ハの表面に、放射線架橋性の粘着剤で、熱収縮性
プラスチツクフイルムから成る保護フイルムを付
着した後、 前記ウエハを当該保護フイルムと共にチツプ状
に切断し、その後、当該保護フイルムに放射線を
照射すると共に、当該保護フイルムを加熱し収縮
させてウエハ表面から剥離したことを特徴とする
ウエハ切断方法。 2 前記放射線照射時に、保護フイルムの加熱を
も同時に行うことを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載のウエハ切断方法。 3 前記ウエハの裏面に、放射線架橋性の粘着剤
を用いてダイシングシートを付着したことを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載
のウエハ切断方法。 4 前記保護フイルムは、片面に前記放射線架橋
性の粘着剤から成る粘着剤層が形成された粘着シ
ートであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項から第3項のいずれかに記載のウエハ切断方
法。[Claims] 1. A dicing sheet is attached to the back surface of the wafer before it is cut and separated into small pieces of elements, and the surface of the wafer is protected by a radiation-crosslinkable adhesive and a heat-shrinkable plastic film. After the film has been attached, the wafer is cut into chips along with the protective film, and then the protective film is irradiated with radiation, and the protective film is heated to shrink and peeled off from the wafer surface. Wafer cutting method. 2. The wafer cutting method according to claim 1, wherein the protective film is also heated at the same time as the radiation irradiation. 3. The wafer cutting method according to claim 1 or 2, wherein a dicing sheet is attached to the back surface of the wafer using a radiation-crosslinkable adhesive. 4. Claim 1, wherein the protective film is an adhesive sheet having an adhesive layer made of the radiation-crosslinkable adhesive formed on one side.
The wafer cutting method according to any one of Items 1 to 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21864087A JPS6461208A (en) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | Cutting method of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
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JP21864087A JPS6461208A (en) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | Cutting method of wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6461208A JPS6461208A (en) | 1989-03-08 |
JPH057168B2 true JPH057168B2 (en) | 1993-01-28 |
Family
ID=16723116
Family Applications (1)
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JP21864087A Granted JPS6461208A (en) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | Cutting method of wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6461208A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011054641A (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nitto Denko Corp | Method for separating and removing dicing surface protection tape from object to be cut |
JP2011171688A (en) * | 2010-01-19 | 2011-09-01 | Sony Chemical & Information Device Corp | Method for manufacturing electronic component provided with adhesive film and method for manufacturing mounting body |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0635473Y2 (en) * | 1989-10-30 | 1994-09-14 | シャープ株式会社 | Protective sheet for semiconductor |
JP4353975B2 (en) * | 2006-11-29 | 2009-10-28 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet sticking / peeling method, adhesive sheet sticking device, and adhesive sheet peeling device |
CN115178884A (en) * | 2022-09-13 | 2022-10-14 | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) | Wafer thermal separation method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61116504A (en) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | 山形日本電気株式会社 | Dicing method |
JPS6279649A (en) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Dicing method for semiconductor |
JPS62153375A (en) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | Pressure-sensitive adhesive sheet |
JPS62153376A (en) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | Pressure-sensitive adhesive sheet |
JPS62216244A (en) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1987
- 1987-09-01 JP JP21864087A patent/JPS6461208A/en active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61116504A (en) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | 山形日本電気株式会社 | Dicing method |
JPS6279649A (en) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Dicing method for semiconductor |
JPS62153375A (en) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | Pressure-sensitive adhesive sheet |
JPS62153376A (en) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | Pressure-sensitive adhesive sheet |
JPS62216244A (en) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011054641A (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nitto Denko Corp | Method for separating and removing dicing surface protection tape from object to be cut |
JP2011171688A (en) * | 2010-01-19 | 2011-09-01 | Sony Chemical & Information Device Corp | Method for manufacturing electronic component provided with adhesive film and method for manufacturing mounting body |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6461208A (en) | 1989-03-08 |
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